許昌功率器件項目可行性研究報告（參考模板）

1、泓域咨詢/許昌功率器件項目可行性研究報告目錄第一章 公司基本情況7一、 公司基本信息7二、 公司簡介7三、 公司競爭優(yōu)勢8四、 公司主要財務數(shù)據(jù)10公司合并資產負債表主要數(shù)據(jù)10公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)10五、 核心人員介紹11六、 經營宗旨12七、 公司發(fā)展規(guī)劃13第二章 市場分析19一、 功率半導體行業(yè)概述19二、 MOSFET器件概述20三、 功率MOSFET的行業(yè)發(fā)展趨勢25第三章 項目基本情況27一、 項目概述27二、 項目提出的理由28三、 項目總投資及資金構成29四、 資金籌措方案30五、 項目預期經濟效益規(guī)劃目標30六、 項目建設進度規(guī)劃30七、 環(huán)境影響31八、 報告編制依據(jù)和

2、原則31九、 研究范圍32十、 研究結論33十一、 主要經濟指標一覽表33主要經濟指標一覽表33第四章 項目背景及必要性36一、 功率器件應用發(fā)展機遇36二、 功率半導體市場規(guī)模與競爭格局40三、 中國半導體行業(yè)發(fā)展概況41四、 建設中西部更具影響力的創(chuàng)新高地42第五章 選址方案45一、 項目選址原則45二、 建設區(qū)基本情況45三、 建設現(xiàn)代化基礎設施，增強綜合競爭新優(yōu)勢48四、 項目選址綜合評價50第六章 建筑物技術方案51一、 項目工程設計總體要求51二、 建設方案52三、 建筑工程建設指標53建筑工程投資一覽表53第七章 發(fā)展規(guī)劃55一、 公司發(fā)展規(guī)劃55二、 保障措施61第八章 運營管

3、理63一、 公司經營宗旨63二、 公司的目標、主要職責63三、 各部門職責及權限64四、 財務會計制度67第九章 原材料及成品管理71一、 項目建設期原輔材料供應情況71二、 項目運營期原輔材料供應及質量管理71第十章 組織機構管理73一、 人力資源配置73勞動定員一覽表73二、 員工技能培訓73第十一章 工藝技術及設備選型75一、 企業(yè)技術研發(fā)分析75二、 項目技術工藝分析78三、 質量管理79四、 設備選型方案80主要設備購置一覽表81第十二章 項目節(jié)能方案82一、 項目節(jié)能概述82二、 能源消費種類和數(shù)量分析83能耗分析一覽表84三、 項目節(jié)能措施84四、 節(jié)能綜合評價86第十三章 項目

4、投資分析87一、 投資估算的依據(jù)和說明87二、 建設投資估算88建設投資估算表92三、 建設期利息92建設期利息估算表92固定資產投資估算表94四、 流動資金94流動資金估算表95五、 項目總投資96總投資及構成一覽表96六、 資金籌措與投資計劃97項目投資計劃與資金籌措一覽表97第十四章 經濟效益及財務分析99一、 經濟評價財務測算99營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表99綜合總成本費用估算表100固定資產折舊費估算表101無形資產和其他資產攤銷估算表102利潤及利潤分配表104二、 項目盈利能力分析104項目投資現(xiàn)金流量表106三、 償債能力分析107借款還本付息計劃表108第十五章 招標

5、及投資方案110一、 項目招標依據(jù)110二、 項目招標范圍110三、 招標要求110四、 招標組織方式113五、 招標信息發(fā)布114第十六章 總結115第十七章 附表附件117主要經濟指標一覽表117建設投資估算表118建設期利息估算表119固定資產投資估算表120流動資金估算表121總投資及構成一覽表122項目投資計劃與資金籌措一覽表123營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表124綜合總成本費用估算表124利潤及利潤分配表125項目投資現(xiàn)金流量表126借款還本付息計劃表128第一章 公司基本情況一、 公司基本信息1、公司名稱：xx有限責任公司2、法定代表人：蘇xx3、注冊資本：1330萬元4、

6、統(tǒng)一社會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關：xxx市場監(jiān)督管理局6、成立日期：2015-4-87、營業(yè)期限：2015-4-8至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區(qū)xx9、經營范圍：從事功率器件相關業(yè)務（企業(yè)依法自主選擇經營項目，開展經營活動；依法須經批準的項目，經相關部門批準后依批準的內容開展經營活動；不得從事本市產業(yè)政策禁止和限制類項目的經營活動。）二、 公司簡介公司注重發(fā)揮員工民主管理、民主參與、民主監(jiān)督的作用，建立了工會組織，并通過明確職工代表大會各項職權、組織制度、工作制度，進一步規(guī)范廠務公開的內容、程序、形式，企業(yè)民主管理水平進一步提升。圍繞公司戰(zhàn)略和高質量發(fā)展，以提高

7、全員思想政治素質、業(yè)務素質和履職能力為核心，堅持戰(zhàn)略導向、問題導向和需求導向，持續(xù)深化教育培訓改革，精準實施培訓，努力實現(xiàn)員工成長與公司發(fā)展的良性互動。未來，在保持健康、穩(wěn)定、快速、持續(xù)發(fā)展的同時，公司以“和諧發(fā)展”為目標，踐行社會責任，秉承“責任、公平、開放、求實”的企業(yè)責任，服務全國。三、 公司競爭優(yōu)勢（一）自主研發(fā)優(yōu)勢公司在各個細分領域深入研究的同時，通過整合各平臺優(yōu)勢，構建全產品系列，并不斷進行產品結構升級，順應行業(yè)一體化、集成創(chuàng)新的發(fā)展趨勢。通過多年積累，公司產品性能處于國內領先水平。公司多年來堅持技術創(chuàng)新，不斷改進和優(yōu)化產品性能，實現(xiàn)產品結構升級。公司結合國內市場客戶的個性化需求，

8、不斷升級技術，充分體現(xiàn)了公司的持續(xù)創(chuàng)新能力。在不斷開發(fā)新產品的過程中，公司已有多項產品均為國內領先水平。在注重新產品、新技術研發(fā)的同時，公司還十分重視自主知識產權的保護。（二）工藝和質量控制優(yōu)勢公司進口大量設備和檢測設備，有效提高了精度、生產效率，為產品研發(fā)與確保產品質量奠定了堅實的基礎。此外，公司是行業(yè)內較早通過ISO9001質量體系認證的企業(yè)之一，公司產品根據(jù)市場及客戶需要通過了產品認證，表明公司產品不僅滿足國內高端客戶的要求，而且部分產品能夠與國際標準接軌，能夠躋身于國際市場競爭中。在日常生產中，公司嚴格按照質量體系管理要求，不斷完善產品的研發(fā)、生產、檢驗、客戶服務等流程，保證公司產品質

9、量的穩(wěn)定性。（三）產品種類齊全優(yōu)勢公司不僅能滿足客戶對標準化產品的需求，而且能根據(jù)客戶的個性化要求，定制生產規(guī)格、型號不同的產品。公司齊全的產品系列，完備的產品結構，能夠為客戶提供一站式服務。對公司來說，實現(xiàn)了對具有多種產品需求客戶的資源共享，拓展了銷售渠道，增加了客戶粘性。公司產品價格與國外同類產品相比有較強性價比優(yōu)勢，在國內市場起到了逐步替代進口產品的作用。（四）營銷網絡及服務優(yōu)勢根據(jù)公司產品服務的特點、客戶分布的地域特點，公司營銷覆蓋了華南、華東、華北及東北等下游客戶較為集中的區(qū)域，并在歐美、日本、東南亞等國家和地區(qū)初步建立經銷商網絡，及時了解客戶需求，為客戶提供貼身服務，達到快速響應的

10、效果。公司擁有一支行業(yè)經驗豐富的銷售團隊，在各區(qū)域配備銷售人員，建立從市場調研、產品推廣、客戶管理、銷售管理到客戶服務的多維度銷售網絡體系。公司的服務覆蓋產品服務整個生命周期，公司多名銷售人員具有研發(fā)背景，可引導客戶的技術需求并為其提供解決方案，為客戶提供及時、深入的專業(yè)技術服務與支持。公司與經銷商互利共贏，結成了長期戰(zhàn)略合作伙伴關系，公司經銷網絡較為穩(wěn)定，有利于深耕行業(yè)和區(qū)域市場，帶動經銷商共同成長。四、 公司主要財務數(shù)據(jù)公司合并資產負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產總額18237.6014590.0813678.20負債總額6550.615240.494

11、912.96股東權益合計11686.999349.598765.24公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入37750.1930200.1528312.64營業(yè)利潤7775.326220.265831.49利潤總額6369.705095.764777.27凈利潤4777.273726.273439.63歸屬于母公司所有者的凈利潤4777.273726.273439.63五、 核心人員介紹1、蘇xx，中國國籍，1976年出生，本科學歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總

12、經理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經理。2018年3月起至今任公司董事長、總經理。2、曹xx，中國國籍，1977年出生，本科學歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監(jiān)事。3、陸xx，中國國籍，1978年出生，本科學歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。4、秦xx，1974年出生，研究生學歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責任公司銷售部副經理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)

13、事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監(jiān)事會主席。5、曹xx，中國國籍，無永久境外居留權，1959年出生，大專學歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經理、總工程師。6、江xx，中國國籍，無永久境外居留權，1958年出生，本科學歷，高級經濟師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經理；2019年3月至今任公司董事。7、廖xx，

14、1957年出生，大專學歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2018年3月至今任公司董事。8、汪xx，中國國籍，無永久境外居留權，1961年出生，本科學歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經理。2017年8月至今任公司獨立董事。六、 經營宗旨依據(jù)有關法律、法規(guī)，自主開展各項業(yè)務，務實創(chuàng)新，開拓進取，不斷提高產品質量和服務質量，改善經營管理，促進企業(yè)持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展，努力實現(xiàn)股東利益的最大化，促進行業(yè)的快速發(fā)展。七、 公司發(fā)展規(guī)劃（一）發(fā)展計劃1、發(fā)展戰(zhàn)略作為高附加值產業(yè)的重要技術支撐，正在轉變發(fā)展思路，由“

15、高速增長階段”向“高質量發(fā)展”邁進。公司順應產業(yè)的發(fā)展趨勢，以“科技、創(chuàng)新”為經營理念，以技術創(chuàng)新、智能制造、產品升級和節(jié)能環(huán)保為重點，致力于構造技術密集、資源節(jié)約、環(huán)境友好、品質優(yōu)良、持續(xù)發(fā)展的新型企業(yè)，推進公司高質量可持續(xù)發(fā)展。2、經營目標目前，行業(yè)正在從粗放式擴張階段轉向高質量發(fā)展階段，公司將進一步擴大高端產品的生產能力，抓住市場機遇，提高市場占有率；進一步加大研發(fā)投入，注重技術創(chuàng)新，提升公司科技研發(fā)能力；進一步加強環(huán)境保護工作，積極開發(fā)應用節(jié)能減排染整技術，保持清潔生產和節(jié)能減排的競爭優(yōu)勢；進一步完善公司內部治理機制，按照公司治理準則的要求規(guī)范公司運行，提升運營質量和效益，努力把公司打

16、造成為行業(yè)的標桿企業(yè)。（二）具體發(fā)展計劃1、市場開拓計劃公司將在鞏固現(xiàn)有市場基礎上，根據(jù)下游行業(yè)個性化、多元化的消費特點，以新技術新產品為支撐，加快市場開拓步伐。主要計劃如下：（1）密切跟蹤市場消費需求的變化，建立市場、技術、生產多部門聯(lián)動機制，提高公司對市場變化的反應能力； （2）進一步完善市場營銷網絡，加強銷售隊伍建設，優(yōu)化以營銷人員為中心的銷售責任制，激發(fā)營銷人員的工作積極性； （3）加強品牌建設，以優(yōu)質的產品和服務贏得客戶，充分利用互聯(lián)網宣傳途徑，擴大公司知名度，增加客戶及市場對迎豐品牌的認同感； （4）在鞏固現(xiàn)有市場的基礎上，積極開拓新市場，推進省內外市場的均衡協(xié)調發(fā)展，進一步提升公

17、司市場占有率。2、技術開發(fā)計劃公司的技術開發(fā)工作將重點圍繞提升產品品質、節(jié)能環(huán)保、知識產權保護等方面展開。公司將在現(xiàn)有專利、商標等相關知識產權的基礎上，進一步加強知識產權的保護工作，將技術研發(fā)成果整理并進行相應的專利申請，通過對公司無形資產的保護，切實做好知識產權的維護。為保證上述技術開發(fā)計劃的順利實施，公司將加大科研投入，強化研發(fā)隊伍素質，創(chuàng)新管理機制和服務機制，積極參加行業(yè)標準的制定，不斷提高企業(yè)的整體技術開發(fā)能力。3、人力資源發(fā)展計劃培育、擁有一支有事業(yè)心、有創(chuàng)造力的人才隊伍，是企業(yè)核心競爭力和可持續(xù)發(fā)展的原動力。隨著經營規(guī)模的不斷擴大，公司對人才的需求將更為迫切，人才對公司發(fā)展的支撐作

18、用將進一步顯現(xiàn)。為此，公司將重點做好以下工作：（1）加強人才的培養(yǎng)與引進工作，培育優(yōu)秀技術人才、管理人才；（2）加強與高校間的校企人才合作，充分利用高校的人才優(yōu)勢和教育資源優(yōu)勢，開展技術合作和人才培養(yǎng)，全面提升技術人員的整體素質；（3）加強對基層員工的技能培訓和崗位培訓，提高勞動熟練程度和自動化設備的操作能力，有效提高勞動效率和產品質量。（4）積極探索員工激勵機制，進一步完善以績效為導向的人力資源管理體系，充分調動員工的積極性。4、企業(yè)并購計劃公司將抓住行業(yè)整合機會，根據(jù)自身發(fā)展戰(zhàn)略，充分利用現(xiàn)有的綜合競爭優(yōu)勢，整合有價值的市場資源，推進收購、兼并、控股或參股同行業(yè)具有一定互補優(yōu)勢的公司，實現(xiàn)

19、產品經營和資本經營、產業(yè)資本與金融資本的有機結合，進一步增強公司的經營規(guī)模和市場競爭能力。5、籌融資計劃目前公司正處于快速發(fā)展期，新生產線建設、技術改造、科技開發(fā)、人才引進、市場拓展等方面均需較大的資金投入。公司將根據(jù)經營發(fā)展計劃和需要，綜合考慮融資成本、資產結構、資金使用時間等多種因素，采取多元化的籌資方式，滿足不同時期的資金需求，推動公司持續(xù)、快速、健康發(fā)展。積極利用資本市場的直接融資功能，為公司的長遠發(fā)展籌措資金。（三）面臨困難公司資產規(guī)模將進一步增長，業(yè)務將不斷發(fā)展和擴大，但在戰(zhàn)略規(guī)劃、營銷策略、組織設計、資源配置，特別是資金管理和內部控制等方面面臨新的挑戰(zhàn)。同時，公司今后發(fā)展中，需要

20、大量的管理、營銷、技術等方面的人才，也使公司面臨較大的人才培養(yǎng)、引進和合理使用的壓力。公司必須盡快提高各方面的應對能力，才能保持持續(xù)發(fā)展，實現(xiàn)各項業(yè)務發(fā)展目標。1、資金不足發(fā)展計劃的實施需要足夠的資金支持。目前公司融資手段較為單一，所需資金主要通過銀行貸款解決，融資成本較高，還本付息壓力較大，難以滿足公司快速發(fā)展的要求。因此，能否借助資本市場，將成為公司發(fā)展計劃能否成功實施的關鍵。如果不能順利募集到足夠的資金，公司的發(fā)展計劃將難以如期實現(xiàn)。2、人才緊缺隨著經營規(guī)模的不斷擴大，公司在新產品新技術開發(fā)、生產經營管理方面，高級科研人才和管理人才相對缺乏，將影響公司進一步提高研發(fā)能力和管理水平。因此，

21、能否盡快引進、培養(yǎng)這方面人才將對募投項目的順利實施和公司未來發(fā)展產生較大的影響。（四）采用的方式、方法或途徑建立多渠道融資體系，實現(xiàn)公司經營發(fā)展目標公司擬建立資本市場直接融資渠道，改變融資渠道單一依賴銀行貸款的現(xiàn)狀，為公司未來重大投資項目的順利實施籌集所需資金，確保公司經營發(fā)展目標的實現(xiàn)。同時，加強與商業(yè)銀行的聯(lián)系，構建良好的銀企合作關系，及時獲得商業(yè)銀行的貸款支持，緩解公司發(fā)展過程中的資金壓力。1、內部培養(yǎng)和外部引進高層次人才，應對經營規(guī)?？焖偬嵘媾R的挑戰(zhàn)公司現(xiàn)有人員在數(shù)量、知識結構和專業(yè)技能等方面將不能完全滿足公司快速發(fā)展的需求，公司需加快內部培養(yǎng)和外部引進高層次人才的力度，確保高素質技

22、術人才、經營管理人才以及營銷人才滿足公司發(fā)展需要。為此，公司擬采取下列措施：1、加強人力資源戰(zhàn)略規(guī)劃，通過建立有市場競爭力的薪酬體系和公平有序的職業(yè)晉升機制，吸引優(yōu)秀的技術、營銷、管理人才加入公司，提升公司綜合競爭力；2、進一步完善以績效為導向的員工激勵與約束機制，努力營造團結和諧的企業(yè)文化，強化員工對企業(yè)的歸屬感和責任感，保持公司人才隊伍的穩(wěn)定性和積極性；3、加強年輕人才的培養(yǎng)，建立人才儲備機制，增強公司人才隊伍的深度和厚度，形成完整有序的人才梯隊，實現(xiàn)公司可持續(xù)發(fā)展。2、以市場需求為驅動，提高公司競爭能力公司將以市場為導向，認真研究市場需求，密切跟蹤印染行業(yè)政策及最新發(fā)展動向，推動科技創(chuàng)新

23、和加大研發(fā)投入，優(yōu)化產品結構，開拓高端市場，不斷提升管理水平和服務質量，豐富服務內容，完善和延伸產業(yè)鏈，提升公司的核心競爭力和市場地位，最終實現(xiàn)公司的戰(zhàn)略發(fā)展目標。第二章 市場分析一、 功率半導體行業(yè)概述1、功率半導體介紹功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。近年來，隨著國民經濟的快速發(fā)展，功率半導體的應用領域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。功率半導體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括功率二極管、晶閘管、高壓晶體管、MOSFET、IGBT

24、等產品。在功率半導體發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發(fā)展起來。20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導體功率器件正式進入電子應用時代。20世紀90年代，超級結MOSFET逐步出現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)硅基產品的性能限制以滿足大功率和高頻化的應用需求。對國內市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現(xiàn)國產化，而功率MOSFET特別是超級結MOSFET、IGBT等高端分立器件產品由于其技術及工藝的復雜度，還較大程度

25、上依賴進口，未來進口替代空間巨大。2、功率MOSFET的技術發(fā)展情況隨著社會電氣化程度的不斷提高，功率器件的性能也需要不斷提高以滿足更高的要求。對于功率MOSFET而言，技術驅動的性能提升主要包括三個方面：更高的開關頻率、更高的功率密度以及更低的功耗。為了實現(xiàn)更高的性能指標，功率器件主要經歷了工藝進步、器件結構改進與使用寬禁帶材料等幾個方面的演進。在制造工藝上，線寬制程從10微米縮減至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品質因數(shù)（FOM）以及開關效率。在器件結構改進方面，功率器件經歷了平面（Planar）、溝槽（Trench）、超級結（SuperJunction）等器件結構的變化，進

26、一步提高了器件的功率密度和工作頻率。在材料方面，新興的第三代半導體功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)材料，進一步提升了器件的開關特性、降低了功耗，也改善了其高溫特性。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應晶體管。MOSFET器件具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，應用范圍涵蓋通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、計算機及外設設備、電源管理等多個領域。2019年全球MOSFET器件市場需求規(guī)模達到84.20億美元，受疫情影響，2020預計市場規(guī)模下降至73.88億美元，但預計未來全球MOSF

27、ET器件市場將繼續(xù)保持平穩(wěn)回增，2024年市場規(guī)模有望恢復至77.02億美元。2019年全球MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市場占有率達到24.79%，前十大公司市場占有率達到74.42%。中國本土企業(yè)中，聞泰收購的安世半導體、中國本土成長起來的華潤微電子、揚杰科技進入前十，分別占比3.93%、3.09%和1.80%。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2019年我國MOSFET器件市場規(guī)模為33.42億美元，2017年-2019年復合年均增長率為7.89%，高于功率半導體行業(yè)平均的增速。在下游的應用領域中，消費電子、通信、工業(yè)控制、汽車電子占據(jù)了主要的市場份額，其中消費電子與汽車電子占比最高。在消

28、費電子領域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C接口的持續(xù)滲透持續(xù)帶動MOSFET器件的市場需求，在汽車電子領域，MOSFET器件在電動馬達輔助驅動、電動助力轉向及電機驅動等動力控制系統(tǒng)，以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領域均發(fā)揮重要作用，有著廣闊的應用市場及發(fā)展前景。2019年，中國MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市占率達到24.95%，前十大公司市占率達到74.54%。中國本土企業(yè)中，華潤微電子、揚杰科技、聞泰收購的安世半導體和吉林華微電子進入前十，分別占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超級結MOSFET繼二十世紀五十年代起，真空管逐漸被固體器件替代，以硅材

29、料為基礎的功率器件成為研究主流。二十世紀七十年代，用二氧化硅改善雙極性晶體管性能的功率MOSFET開始出現(xiàn)。隨著功率器件在消費、醫(yī)藥、工業(yè)、運輸業(yè)中的廣泛應用，能夠降低成本且提高系統(tǒng)效率的高性能功率器件的需求日漸提升。由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，因此在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要，多次注入的超級結和深槽的超級結MOSFET結構由此被提出。超級結MOSFET全稱超級結型MOSFET，是MOSFET結構設計的先進技術。該結構具備更好的導通特性，可以工作于更大的電流條件。通常情況下，高壓VDMOS采用平面柵結構。由于擊穿電壓與N-外延層厚度成

30、正比，因此要獲得更高的擊穿電壓需要更厚尺寸的外延層和更淡的摻雜濃度，導致其導通電阻和損耗隨著外延層厚度增加而急劇增大，額定電流同步降低。超級結MOSFET的漂移區(qū)具有多個P柱，可以補償N區(qū)中的電荷。在器件關斷時，N型外延層和P柱相互耗盡，可以在N型外延層摻雜濃度比高壓VDMOS對應的N外延濃度高很多時也可以有較高的耐受電壓；在器件導通時，N摻雜區(qū)作為導通時的電流通路。由此，超級結結構兼具高耐壓特性和低電阻特性。由于超級結MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的增加而線性增加，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。相較于普通硅

31、基MOSFET功率器件，高壓超級結MOSFET功率器件系更先進、更適用于大電流環(huán)境下的高性能功率器件。隨著5G通訊、汽車電動化、高性能充電器等應用領域的發(fā)展，高壓超級結MOSFET將擁有更快的市場增速。根據(jù)Omdia和Yole的統(tǒng)計及預測，2020年與2025年硅基MOSFET的晶圓月出貨量（折合8英寸）分別為59.7萬片與73.9萬片，年均復合增長為4.3%。其中，超級結MOSFET由23.8萬片增長至35.1萬片，年均復合增長率為8.1%，增長速度約為普通硅基MOSFET功率器件的兩倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管BJT和MOSFET組成的復合全控

32、型電壓驅動式功率器件。IGBT具有電導調制能力，相對于MOSFET和雙極晶體管具有較強的正向電流傳導密度和低通態(tài)壓降。IGBT被廣泛應用于逆變器、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。隨著新能源汽車、通信、計算機、消費電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等應用需求增長，全球IGBT分立器件市場將持續(xù)擴大。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2019年市場規(guī)模為16.03億美元，2017-2019年復合年均增長率為11.73%，2024年市場規(guī)模有望達到16.82億美元。2019年全球IGBT分立器件領域中，英飛凌銷售額排名第一，市占率高達30.22%，前十大公司合計占比達到75.42%，中國廠商中，吉林

33、華微電子進入前十，市占率為2.41%。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2017年我國IGBT分立器件市場規(guī)模為4.26億美元，2019年為6.05億美元，對應復合年均增長率為19.17%。IGBT是國家16個重大技術突破專項中的重點扶持項目，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。在中低電壓領域，IGBT廣泛應用于新能源汽車和白色家電中；在1700V以上的高電壓領域，IGBT廣泛應用于軌道交通、清潔發(fā)電、智能電網等重要領域。2019年，中國IGBT分立器件市場中英飛凌排名第一，市占率為24.28%，前十大公司合計占比達到69.57%，中國廠商吉林華微電子、華潤微電子進入前十，市占率分別為4.71%、3.65%

34、。我國IGBT產業(yè)起步較晚，未來進口替代空間巨大，目前在部分領域已經實現(xiàn)了技術突破和國產化。此外，在新能源汽車領域，IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，隨著未來新能源汽車等新興市場的快速發(fā)展，IGBT產業(yè)將迎來黃金發(fā)展期。三、 功率MOSFET的行業(yè)發(fā)展趨勢1、工藝進步、器件結構改進所帶來的變化采用新型器件結構的高性能MOSFET功率器件可以實現(xiàn)更好的性能，從而導致采用傳統(tǒng)技術的功率器件的市場空間被升級替代。造成該等趨勢的主要原因是高性能功率器件的生產工藝不斷進行技術演進，當采用新技術的高性能MOSFET功率器件生產工藝演進到成熟穩(wěn)定的階段時，就會對現(xiàn)有的功率MOSFET進行替代。同時，

35、隨著各個應用領域對性能和效率的要求不斷提升，也需要采用更高性能的功率器件以實現(xiàn)產品升級。因此，高性能MOSFET功率器件會不斷擴大其應用范圍，實現(xiàn)市場的普及。未來的5年中會出現(xiàn)新技術不斷擴大市場應用領域的趨勢。具體而言，溝槽MOSFET將替代部分平面MOSFET；屏蔽柵MOSFET將進一步替代溝槽MOSFET；超級結MOSFET將在高壓領域替代更多傳統(tǒng)的VDMOS。第三代半導體材料主要為碳化硅和氮化鎵，具有禁帶寬度大、電子遷移率高、熱導率高的特點，在高溫、高壓、高功率和高頻的領域有機會取代部分硅材料。首先，由于新能源汽車、5G等新技術的應用及需求迅速增加，第三代半導體的產業(yè)化變得更加迫切。得益

36、于SiCMOSFET在高溫下更好的表現(xiàn)，SiCMOSFET在汽車電控中將逐步對硅基IGBT模塊進行替代。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2019年應用在新能源汽車的SiC器件市場規(guī)模為2.25億美元，預計到2025年將增長至15.53億美元，復合增長率為38%。第三代半導體材料仍然處于產業(yè)化起步階段，國內已發(fā)布多個政策積極推進第三代半導體行業(yè)的發(fā)展，例如2019年國務院發(fā)布長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要，提出要加快培育一批第三代半導體企業(yè)。2、功率器件集成化趨勢除了MOSFET功率器件在結構及工藝方面的優(yōu)化外，終端領域的高功率密度需求也帶動了功率器件的模塊化和集成化。在中大功率應用場景中，客戶更傾向于使

37、用大功率模塊。由于大功率模塊需要多元件電氣互聯(lián)，同時要考慮高溫失效和散熱問題，其封裝工藝和結構更復雜；在小功率應用場景中，功率器件被封裝到嵌入式封裝模塊中來提高集成度從而減小整體方案的體積。目前，工業(yè)領域仍是功率模塊的主要應用領域。隨著新能源汽車、5G技術的興起，功率器件模塊化趨勢將愈發(fā)顯著。根據(jù)Omdia預測，2020-2024年分立器件市場增速為2.8%，而功率模塊市場增速為9.2%，高于分立器件市場增速。第三章 項目基本情況一、 項目概述（一）項目基本情況1、項目名稱：許昌功率器件項目2、承辦單位名稱：xx有限責任公司3、項目性質：新建4、項目建設地點：xx（待定）5、項目聯(lián)系人：蘇xx

38、（二）主辦單位基本情況公司秉承“誠實、信用、謹慎、有效”的信托理念，將“誠信為本、合規(guī)經營”作為企業(yè)的核心理念，不斷提升公司資產管理能力和風險控制能力。公司依據(jù)公司法等法律法規(guī)、規(guī)范性文件及公司章程的有關規(guī)定，制定并由股東大會審議通過了董事會議事規(guī)則，董事會議事規(guī)則對董事會的職權、召集、提案、出席、議事、表決、決議及會議記錄等進行了規(guī)范。 公司注重發(fā)揮員工民主管理、民主參與、民主監(jiān)督的作用，建立了工會組織，并通過明確職工代表大會各項職權、組織制度、工作制度，進一步規(guī)范廠務公開的內容、程序、形式，企業(yè)民主管理水平進一步提升。圍繞公司戰(zhàn)略和高質量發(fā)展，以提高全員思想政治素質、業(yè)務素質和履職能力為核

39、心，堅持戰(zhàn)略導向、問題導向和需求導向，持續(xù)深化教育培訓改革，精準實施培訓，努力實現(xiàn)員工成長與公司發(fā)展的良性互動。未來，在保持健康、穩(wěn)定、快速、持續(xù)發(fā)展的同時，公司以“和諧發(fā)展”為目標，踐行社會責任，秉承“責任、公平、開放、求實”的企業(yè)責任，服務全國。（三）項目建設選址及用地規(guī)模本期項目選址位于xx（待定），占地面積約91.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。（四）產品規(guī)劃方案根據(jù)項目建設規(guī)劃，達產年產品規(guī)劃設計方案為：xx件功率器件/年。二、 項目提出的理由第三代半導體材料主要為碳化硅和氮化鎵，具有禁帶寬度大、電子遷移

40、率高、熱導率高的特點，在高溫、高壓、高功率和高頻的領域有機會取代部分硅材料。首先，由于新能源汽車、5G等新技術的應用及需求迅速增加，第三代半導體的產業(yè)化變得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高溫下更好的表現(xiàn)，SiCMOSFET在汽車電控中將逐步對硅基IGBT模塊進行替代。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2019年應用在新能源汽車的SiC器件市場規(guī)模為2.25億美元，預計到2025年將增長至15.53億美元，復合增長率為38%。第三代半導體材料仍然處于產業(yè)化起步階段，國內已發(fā)布多個政策積極推進第三代半導體行業(yè)的發(fā)展，例如2019年國務院發(fā)布長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要，提出要加快培育一批第三代半導體企

41、業(yè)。堅定不移貫徹新發(fā)展理念，堅持穩(wěn)中求進工作總基調，以推動高質量發(fā)展為主題，以深化供給側結構性改革為主線，以改革創(chuàng)新為根本動力，以滿足人民日益增長的美好生活需要為根本目的，統(tǒng)籌發(fā)展和安全，打造面向新發(fā)展格局的樞紐經濟高地、具有核心競爭力的區(qū)域協(xié)同創(chuàng)新高地、先進制造業(yè)和現(xiàn)代服務業(yè)深度融合的現(xiàn)代產業(yè)高地、對德合作先行的內陸開放高地、城鄉(xiāng)融合發(fā)展的示范引領高地、魅力彰顯的中原文化高地，建設更高水平、更有魅力的“智造之都、宜居之城”，為譜寫新時代中原更加出彩的絢麗篇章增添許昌光彩。三、 項目總投資及資金構成本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資38932.32萬

42、元，其中：建設投資31196.83萬元，占項目總投資的80.13%；建設期利息456.76萬元，占項目總投資的1.17%；流動資金7278.73萬元，占項目總投資的18.70%。四、 資金籌措方案（一）項目資本金籌措方案項目總投資38932.32萬元，根據(jù)資金籌措方案，xx有限責任公司計劃自籌資金（資本金）20289.04萬元。（二）申請銀行借款方案根據(jù)謹慎財務測算，本期工程項目申請銀行借款總額18643.28萬元。五、 項目預期經濟效益規(guī)劃目標1、項目達產年預期營業(yè)收入（SP）：88200.00萬元。2、年綜合總成本費用（TC）：68495.55萬元。3、項目達產年凈利潤（NP）：14427

43、.40萬元。4、財務內部收益率（FIRR）：29.53%。5、全部投資回收期（Pt）：4.78年（含建設期12個月）。6、達產年盈虧平衡點（BEP）：32059.12萬元（產值）。六、 項目建設進度規(guī)劃項目計劃從可行性研究報告的編制到工程竣工驗收、投產運營共需12個月的時間。七、 環(huán)境影響該項目投入運營后產生廢氣、廢水、噪聲和固體廢物等污染物，對周圍環(huán)境空氣的影響較小。各類污染物均得到了有效的處理和處置。該項目的生產工藝、產品、污染物產生、治理及排放情況符合國家關于清潔生產的要求，所采取的污染防治措施從經濟及技術上可行。八、 報告編制依據(jù)和原則（一）編制依據(jù)1、中華人民共和國國民經濟和社會發(fā)展

44、第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要；2、中國制造2025；3、建設項目經濟評價方法與參數(shù)及使用手冊（第三版）；4、項目公司提供的發(fā)展規(guī)劃、有關資料及相關數(shù)據(jù)等。（二）編制原則本項目從節(jié)約資源、保護環(huán)境的角度出發(fā)，遵循創(chuàng)新、先進、可靠、實用、效益的指導方針。保證本項目技術先進、質量優(yōu)良、保證進度、節(jié)省投資、提高效益，充分利用成熟、先進經驗，實現(xiàn)降低成本、提高經濟效益的目標。1、力求全面、客觀地反映實際情況，采用先進適用的技術，以經濟效益為中心，節(jié)約資源，提高資源利用率，做好節(jié)能減排，在采用先進適用技術的同時，做好投資費用的控制。2、根據(jù)市場和所在地區(qū)的實際情況，合理制定產品方案及工藝路線，

45、設計上充分體現(xiàn)設備的技術先進，操作安全穩(wěn)妥，投資經濟適度的原則。3、認真貫徹國家產業(yè)政策和企業(yè)節(jié)能設計規(guī)范，努力做到合理利用能源和節(jié)約能源。采用先進工藝和高效設備，加強計量管理，提高裝置自動化控制水平。4、根據(jù)擬建區(qū)域的地理位置、地形、地勢、氣象、交通運輸?shù)葪l件及安全，保護環(huán)境、節(jié)約用地原則進行布置；同時遵循國家安全、消防等有關規(guī)范。5、在環(huán)境保護、安全生產及消防等方面，本著“三同時”原則，設計上充分考慮裝置在上述各方面投資，使得環(huán)境保護、安全生產及消防貫穿工程的全過程。做到以新代勞，統(tǒng)一治理，安全生產，文明管理。九、 研究范圍1、項目背景及市場預測分析；2、建設規(guī)模的確定；3、建設場地及建設

46、條件；4、工程設計方案；5、節(jié)能；6、環(huán)境保護、勞動安全、衛(wèi)生與消防；7、組織機構與人力資源配置；8、項目招標方案；9、投資估算和資金籌措；10、財務分析。十、 研究結論此項目建設條件良好，可利用當?shù)刎S富的水、電資源以及便利的生產、生活輔助設施，項目投資省、見效快；此項目貫徹“先進適用、穩(wěn)妥可靠、經濟合理、低耗優(yōu)質”的原則，技術先進，成熟可靠，投產后可保證達到預定的設計目標。十一、 主要經濟指標一覽表主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積60667.00約91.00畝1.1總建筑面積97346.941.2基底面積37613.541.3投資強度萬元/畝335.142總投資萬元38932

47、.322.1建設投資萬元31196.832.1.1工程費用萬元27251.502.1.2其他費用萬元3119.852.1.3預備費萬元825.482.2建設期利息萬元456.762.3流動資金萬元7278.733資金籌措萬元38932.323.1自籌資金萬元20289.043.2銀行貸款萬元18643.284營業(yè)收入萬元88200.00正常運營年份5總成本費用萬元68495.55""6利潤總額萬元19236.53""7凈利潤萬元14427.40""8所得稅萬元4809.13""9增值稅萬元3899.34"

48、"10稅金及附加萬元467.92""11納稅總額萬元9176.39""12工業(yè)增加值萬元30155.47""13盈虧平衡點萬元32059.12產值14回收期年4.7815內部收益率29.53%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元32506.40所得稅后第四章 項目背景及必要性一、 功率器件應用發(fā)展機遇受益于新能源汽車和5G產業(yè)的高速發(fā)展，充電樁、5G通訊基站及車規(guī)級等市場對于高性能功率器件的需求將不斷增加，高壓超級結MOSFET為代表的高性能產品在功率器件領域的市場份額以及重要性將不斷提升。1、充電樁（1）發(fā)展機遇2020年，充電樁被

49、列入國家七大“新基建”領域之一。2020年5月兩會期間，政府工作報告中強調“建設充電樁，推廣新能源汽車，激發(fā)新消費需求、助力產業(yè)升級”。公安部交通管理局公布數(shù)據(jù)顯示，截至2020年6月新能源汽車保有量有417萬輛，與2019年年底相比增加36萬輛，增長率達到9.45%。伴隨新能源汽車保有量的高速增長，新能源充電樁作為配套基礎設施亦實現(xiàn)了快速增長，截止2019年12月，全國充電基礎設施累計數(shù)量為121.9萬個，其中公共樁51.6萬個，私人樁70.3萬個，充電場站建設數(shù)量達到3.6萬座。公共充電樁由政府機關等具有公共服務性質的機構置辦，服務對象面向所有電動汽車車主。2015年至2019年，全國公共

50、充電樁的數(shù)量由5.8萬個增長至51.6萬個，復合年增長率達到了72.9%。近幾年來，我國充電站同樣有快速發(fā)展，充電站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，復合年增長率為140.64%。充電站密度越來越高，電動汽車車主充電便利性也得到了大幅改善?！靶禄ā睂Τ潆姌兜慕ㄔO驅動主要在以下幾方面：驅動公共樁建設提質且區(qū)域均衡發(fā)展，直流樁占比將持續(xù)提升，省份間差異有望縮小。推動優(yōu)質場站建設，完善配套設施申報流程辦理。推動小區(qū)、商場等停車位充電樁建設。促進對運營商的建設與充電運營流程支持。（2）超級結MOSFET功率器件迎來快速發(fā)展機遇充電樁按充電能力分類，以處理不同的用例場景

51、。公共充電樁包括交流樁和直流樁，交流充電樁需要借助車載充電機，充電速度較慢，一輛純電動汽車（普通電池容量）完全放電后通過交流充電樁充滿通常需要8個小時。直流充電樁俗稱“快充”，固定安裝在電動汽車外，與交流電網連接，通常僅需要不到2-3小時即可將一輛純電動汽車電池充滿。目前我國公共交流樁主要分為單相交流樁和三相交流樁。單相交流樁的建設更廣泛，對應的充電功率分為3.5kW和7kW，其中，公共交流樁充電功率以7kW為主。三相交流樁的主要功率為21kW、40kW和80kW，但整體數(shù)量較少。從2016-2019年新增公共交流樁平均功率來看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流樁主要使用三相維也

52、納輸入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的領先解決方案使用了超級結MOSFET。公共直流充電樁一般輸入電壓為380V。根據(jù)2016-2019年新增公共直流樁平均功率數(shù)據(jù)，公共直流樁充電功率在逐漸提高。其中2017年上漲幅度最大，從69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年雖然維持上漲趨勢，但由于目前市場的公共直流樁充電功率已經基本上能夠滿足電動汽車的充電需求，故2019年新增公共直流樁平均充電功率小幅提高，達到115.76kW。預計未來新增的公共直流樁充電功率普遍在120kW左右。在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下，其采用的功率

53、器件以高壓MOSFET為主。超級結MOSFET因其更低的導通損耗和開關損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應用產品，具體應用于充電樁的功率因數(shù)校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流變換器以及輔助電源模塊等。超級結MOSFET將充分受益于充電樁的快速建設。據(jù)英飛凌統(tǒng)計，100kW的充電樁需要功率器件價值量在200-300美元，預計隨著充電樁的不斷建設，功率器件尤其是超級結MOSFET將迎來高速發(fā)展機遇。 2、5G基站（1）5G建設規(guī)模2020年12月15日在2021中國信通院ICT+深度觀察報告會上，工業(yè)和信息化部發(fā)言人指出，中國已累計建成5G基

54、站71.8萬個，推動共建共享5G基站33萬個。2020年12月28日，工信部部長肖亞慶在2021年全國工業(yè)和信息化工作會議上表示，2021年將有序推進5G網絡建設及應用，加快主要城市5G覆蓋，推進共建共享，新建5G基站60萬個以上。（2）5G基站拉動功率半導體需求5G建設將從四個方面拉動功率半導體需求，包括：1）5G基站功率更高、建設更為密集，帶來更大的電源供應需求；2）射頻端功率半導體用量提升；3）霧計算為功率半導體帶來增量市場；以及4）云計算拉動計算用功率半導體用量。MIMO即多進多出，指在發(fā)送端和接收端都使用多根天線、在收發(fā)之間構成多個信道的天線系統(tǒng)，可以極大地提高信道容量。Massiv

55、eMIMO即大規(guī)模天線，可以在不增加頻譜資源和天線發(fā)送功率的情況下，提升系統(tǒng)信道容量和信號覆蓋范圍。數(shù)量上，傳統(tǒng)網絡天線的通道數(shù)為2/4/8個，而MassiveMIMO通道數(shù)可以達到64/128/256個。信號覆蓋維度上，傳統(tǒng)MIMO為2D覆蓋，信號只能在水平方向移動，不能在垂直方向移動，類似與平面發(fā)射。而MassiveMIMO的信號輻射狀是電磁波束，可以利用垂直維度空域。5G網絡主要部署在高頻頻段，即毫米波頻段（mmWave）。因接收功率與波長的平方成正比，毫米波的信號衰減嚴重，而發(fā)射功率又受到限制，所以5G網絡部署需要增加發(fā)射天線和接收天線的數(shù)量，使用MassiveMIMO技術。根據(jù)英飛凌

56、的統(tǒng)計，傳統(tǒng)MIMO天線需要的功率半導體價值大約為25美元，而過渡為MassvieMIMO天線陣列后，所需的MOSFET等功率半導體價值增加至100美元，達到原來的4倍。與云計算相比，霧計算所采用的架構呈分布式，更接近網絡邊緣。霧計算將數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)處理和應用程序集中在網絡邊緣的設備中，數(shù)據(jù)的存儲及處理更依賴本地設備，本地運算設備的增加帶動MOSFET用量提升。二、 功率半導體市場規(guī)模與競爭格局根據(jù)Omdia預測，2019年全球功率半導體市場規(guī)模約為464億美元，預計至2024年市場規(guī)模將增長至522億美元，2019-2024的年化復合增長率為2.4%。在功率半導體領域，國際廠商優(yōu)勢明顯，全球前十大功率半導體公司均為海外廠商，包括英飛凌（Infineon）、德州儀器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半導體（STMicroelectronics）等。行業(yè)整體集中度較低，2019年以銷售額計的全球功率半導體龍頭企業(yè)英飛凌市場份額為13.49%，前十大企業(yè)市場份額合計為51.93%。目前國內功率半導體產業(yè)鏈正在日趨完善，技術也正在取得突破。同時，中