第5章雙極型器件設(shè)計(jì)與性能

1、半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)Chapter 5 雙極型器件的設(shè)計(jì)與性能參數(shù)一、雙極型器件的設(shè)計(jì)一般設(shè)計(jì)：減少內(nèi)在電阻與電容特殊設(shè)計(jì)：滿足特殊電路要求1。 發(fā)射區(qū)的設(shè)計(jì) 發(fā)射區(qū)參數(shù)影響基區(qū)電流，而對(duì)集電極電流無(wú)影響。但一般而言，并不采用該方法來(lái)改變基區(qū)電流。 在數(shù)字電路中，只要電流增益不太低或基區(qū)電流不特別高，器件參數(shù)并不明顯依賴于基區(qū)電流。 對(duì)邏輯電路而言，只要電流增益足夠大，基區(qū)電流的重復(fù)性要較其大小更重要。半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)JqD nWD pLeJqD nWeqD pLeJJJEnbpbbpenepeqVKTCnbpbbqVKTpcncpcqV KTBECEEc()()()()/000011

2、1半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué) 調(diào)節(jié)基區(qū)電流而改變發(fā)射結(jié)的工藝過(guò)程均會(huì)影響其它器件參數(shù)。 一般固定發(fā)射結(jié)工藝，通過(guò)獨(dú)立改變基區(qū)和集電區(qū)的設(shè)計(jì)來(lái)改進(jìn)器件和電路參數(shù)，不影響基區(qū)電流。 發(fā)射結(jié)的設(shè)計(jì)目標(biāo)：獲得一低而穩(wěn)定的基區(qū)電流的同時(shí)，盡可能的減小發(fā)射結(jié)的電阻。（1）擴(kuò)散或離子注入加擴(kuò)散的發(fā)射區(qū) 預(yù)摻雜加熱擴(kuò)散，一般采用As（N）以獲得陡峭的摻雜、淺發(fā)射結(jié)以獲得薄的本征基區(qū)。jEjBBxxW半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué) 采用金屬硅化物做歐姆接觸，將有助于減小發(fā)射結(jié)寬度，而當(dāng)發(fā)射結(jié)寬度小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度時(shí)，基區(qū)電流隨1/WE而增大，導(dǎo)致基區(qū)電流和電流增益隨發(fā)射結(jié)的接觸工藝而變化。 擴(kuò)散的發(fā)射結(jié)不適合于基區(qū)寬度小于1

3、00 nm的器件工藝（將導(dǎo)致非可控和重復(fù)的基區(qū)電流特性）。（2）多晶硅發(fā)射結(jié) 小于100 nm基區(qū)的器件一般采用多晶硅柵。 25 nm的發(fā)射結(jié)深度，可以獲得50 nm左右的基區(qū)寬度（發(fā)射結(jié)電容小于擴(kuò)散結(jié)的1/3）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué) 發(fā)射結(jié)的工藝設(shè)計(jì)：減小發(fā)射結(jié)串聯(lián)電阻和足夠大的發(fā)射結(jié)反向擊穿電壓，以及理想的基區(qū)特性。半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)JqD nWD pLeJqD nWeqD pLeJJJEnbpbbpenepeqVKTCnbpbbqVKTpcncpcqV KTBECEEc()()()()/0000111半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)2。 基區(qū)的設(shè)計(jì) 發(fā)射區(qū)參數(shù)決定基區(qū)電流，基區(qū)參數(shù)決定集電極電

4、流。 雙極電路的性能主要由集電流決定，而不是基區(qū)電流。 只要電流增益足夠大，對(duì)多晶硅發(fā)射結(jié)而言，器件的設(shè)計(jì)與優(yōu)化重點(diǎn)在本征基區(qū)或本征基區(qū)與集電區(qū)。（1）集電極電流密度與基區(qū)薄層電阻率的關(guān)系SbiieBpnBCWppWppSbiWBieBnBWpieBnBWieBnBpcoRnDqJdxxpqdxxxpqRdxxNnDqdxxpnDqdxxnxDxpqJBBBBB2201010020202)()()()()()()()(半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（2）本征基區(qū)的摻雜分布3)2exp()(22maxBBBWxNxN半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（3）準(zhǔn)中性基區(qū)的電場(chǎng)dxEdqdxdppqkTdxdnndxdp

5、pqkTbasepEdxdnqDdxdnndxdppnqDJkTEnnnpndxdpnqDJgBppieBieBpppnBieBieBpppnBcgBiieBieBpppieBnBc11)11()()11()/exp()(22222222半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué) 小電流下準(zhǔn)中性基區(qū)的電場(chǎng): 重?fù)诫s效應(yīng)導(dǎo)致電場(chǎng)傾向于補(bǔ)償由于摻雜分布引起的電場(chǎng)。 漂移晶體管原理在現(xiàn)代薄基區(qū)雙極型晶體管的設(shè)計(jì)中的作 用較在寬基區(qū)晶體管設(shè)計(jì)中減小很多。)1()()(2dxEdqxqkTbaseGaussianEgB半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（4）基區(qū)渡越時(shí)間（另一種解釋）nBBBWxnBBWBBWxieBnBBWpieBB

6、WxieBnBpWpieBBWxieBnBppieBCpxxieBppWxieBppWxieBnBpCWpBCBBDWtdxdxxDxNxNtdxdxxnxDxNxpntdxdxxnxDxpxpntdxxnxDxpxpxnqJxnnpnnpndxxnxqDxpJdxxnqQJQtBBBBBBBBBB2) () () (1) () () ()() () () ()() () () ()()()() () () ()(;/20202202222220半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（5）SiGe基區(qū) 基區(qū)集電結(jié)具有最大的Ge組份，而近發(fā)射結(jié)具有最小的鍺組份，以最大化電子的漂移電場(chǎng)。通常的SiGe雙極型晶體管

7、是基區(qū)帶隙漸變的晶體管。半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)特點(diǎn)：（1）高發(fā)射效率（高勢(shì)壘對(duì)注入到發(fā)射區(qū)的少子的阻擋作用）（2）低基區(qū)電阻（由于（1）可對(duì)基區(qū)重?fù)诫s，而不影響發(fā)射效率）（3）低的發(fā)射極電流集邊效應(yīng)（由于低的發(fā)射結(jié)電壓）（4）改進(jìn)頻率特性（由于（1）與（2）（6）較高的工作溫度。制備：外延生長(zhǎng)技術(shù)。結(jié)構(gòu)：緩變基區(qū)：產(chǎn)生內(nèi)建電場(chǎng)。雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)：寬發(fā)射與集電極。半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué))exp(1/)()()()()exp(1/)()()()()exp(1/()()exp(1)(),()()()()exp()()(,00,0020,20,2020,22kTEkTESiJSiGeJSiSiGekTEk

8、TESiJSiGeJWNSinqDSiJkTEkTEWNxnqDdxWxkTENxnqDdxxSiGenxDxpqSiGeJWxkTESinSiGenSiGegSiGegCCSiGegSiGegCCBBieBnBCSiGegSiGegBBieBnBWBSiGegBieBnBWieBnBpCBSiGegieBieBBB電流放大半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué))exp()()()()( 1)exp()()()( 1)exp()exp()/exp()()/exp(),(),(),()()(),()()(,0,22022kTESiVSiSiGeVSiGekTEEkTSiVSiGeVCWqNSiVkTEEkTCW

9、qNdxWxkTECkTEqNSiGeVkTEWSinWSiGendxxSiGenxDxNCWSiGenWqDSiGeVSiGegAASiGegSiGegAAdBCBBASiGegSiGegdBCBBWBSiGegdBCSiGegBASiGegBieBBieBWieBnBBdBCBieBBnBABB厄來(lái)電壓半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué) )exp(1)(12)()(2)( )exp(1 122)exp()exp(1) ,() () ()(),()(,2,2,0,202kTEEkTEkTSitSiGetDWSitsAkTEEkTEkTDWdxdxWxkTEWxkTEDdxdxxSi

10、GenxDxNxNxSiGenSiGetSiGegSiGegSiGegBBnBBBSiGegSiGegSiGegnBBWxBSiGegWBSiGegnBWxieBnBBWBieBBBBBB基區(qū)渡越半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)3。 集電區(qū)的設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)集電區(qū)的設(shè)計(jì)要點(diǎn):(1)減小串聯(lián)電阻, 但集電區(qū)厚度對(duì)基區(qū)-集電極擊穿電壓和大電流下的集電極電流特性有較強(qiáng)的作用.(2)盡量減小寄生集電區(qū)的面積及其電容.(3)對(duì)一給定的非本征基區(qū)面積,寄生集電區(qū)的摻雜應(yīng)盡可能的小, 以獲得最小的電容和最大的非本征基區(qū)-集電極的反向擊穿電壓.基區(qū)展寬效應(yīng)較小時(shí)的集電極設(shè)計(jì)1) 要控制基區(qū)展寬效應(yīng), 集電極電

11、流必須遠(yuǎn)小于最大電流密度CsatCNqvJJmax半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué) 必須增大集電區(qū)摻雜濃度, 以使集電極允許值不致過(guò)小. 這又將導(dǎo)致基區(qū)-集電結(jié)電容的增大以及基區(qū)-集電結(jié)的擊穿,集電區(qū)的設(shè)計(jì)必須進(jìn)行優(yōu)化和折衷.基區(qū)-集電結(jié)擊穿效應(yīng)的折衷: 現(xiàn)代VLSI電路的工作電壓為3-5V, 這足以導(dǎo)致雙極型器件的基區(qū)-集電結(jié)的擊穿.(1)減小摻雜濃度, 但將減小電流密度(2)近基區(qū)-集電結(jié)的基區(qū)摻雜分布的設(shè)計(jì) 擴(kuò)散或離子注入, 導(dǎo)致一逐漸減小的摻雜濃度分布, 減小近基區(qū)-集電結(jié)的基區(qū)電場(chǎng).半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(3)近基區(qū)-集電結(jié)的集電區(qū)摻雜分布的設(shè)計(jì) 采用退化的集電區(qū)摻雜分布,以減小相應(yīng)電場(chǎng). 以

12、上技術(shù)同時(shí)將減小基區(qū)-集電結(jié)的耗盡層電容, 從而改進(jìn)器件性能. 但將引起基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)的加劇, 這又要求減小基區(qū)-集電結(jié)電流密度以及最高速度.半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)2)基區(qū)展寬效應(yīng)較大時(shí)的集電極設(shè)計(jì) 實(shí)際的雙極型器件的電流密度超過(guò)0.5mA/um2, 導(dǎo)致較大的基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng). 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)導(dǎo)致多余的少數(shù)載流子存儲(chǔ)在集電區(qū)中, 從而貢獻(xiàn)于發(fā)射結(jié)擴(kuò)散電容. 這時(shí), 擴(kuò)散電容將限制電路速度和截止頻率.減小擴(kuò)散電容, 必須使存儲(chǔ)在集電區(qū)中的少數(shù)載流子最少. 除采用退化分布之外, 必須減小集電區(qū)層厚度(通過(guò)外延技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)), 而這將導(dǎo)致基區(qū)-集電結(jié)的耗盡層電容的增加.(1)小電流下, 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)可忽略

13、, 薄集電區(qū)將導(dǎo)致電路速度的下降.(2)大電流下, 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)較大, 薄集電區(qū)將導(dǎo)致電路速度的提高半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)4。 現(xiàn)代雙極型晶體管的結(jié)構(gòu) 深溝隔離, 雙多晶硅和自對(duì)準(zhǔn)雙極工藝半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(1)深溝隔離 以深溝隔離代替擴(kuò)散隔離, 使隔離寬度大大減小. 并將大大減小集電極-襯底電容.但擴(kuò)散由于工藝簡(jiǎn)單, 成本較低, 所以仍在很多雙極器件中使用.(2)多晶硅柵 多晶硅柵允許較小的發(fā)射結(jié)深度, 使研制重復(fù)性好的薄基區(qū)晶體管成為可能.(3)自對(duì)準(zhǔn)多晶硅基區(qū)的接觸 自對(duì)準(zhǔn)多晶硅基區(qū)的接觸使非本征基區(qū)的尺寸無(wú)須與金屬電極匹配, 從而可以大大減小非本征基-集電結(jié)電容. 非本征基區(qū)可以不

14、依賴于本征基區(qū), 這將大大增大本征基區(qū)的設(shè)計(jì)與工藝窗口, 使薄基區(qū)晶體管更易實(shí)現(xiàn).半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(4)基架集電極 基架集電區(qū)在本征基區(qū)的正下方較其周?chē)懈叩膿诫s濃度. 更高的摻雜濃度將最大減小基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng), 而低的寄生集電極摻雜濃度將減小基區(qū)-集電結(jié)電容. 通過(guò)離子注入可以實(shí)現(xiàn).(5)SiGe基雙極晶體管半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)采用目前硅集成電路工藝; 速度提高80% (210 GHz)，功耗降低50%.最快Si基晶體管半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)二、雙極型器件性能參數(shù)雙極型器件的優(yōu)化會(huì)影響其它雙極型器件的性能, 它是一折衷的過(guò)程.優(yōu)化過(guò)程應(yīng)在電路或芯片水平上, 是一應(yīng)

15、用與環(huán)境的函數(shù).1。 雙極型晶體管的特點(diǎn) (1) 截止頻率優(yōu)化雙極型器件性能的最常用參數(shù)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)kTqIVQCIIttttQrrCCCqIkTfCCfgCCjgCCrjrgCCjrCjgiivCjCjrivCjvgiCFBEDEDECFcBCBEBEDEcedBCdBCdBECFTTmmmmbcbebbebemc)()()(21)(21)()(,)(1)()/1()()1(在高頻時(shí)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(2) 最高振蕩頻率2/1max)8(dBCbTCrff(3) 園環(huán)振蕩和門(mén)延遲 對(duì)大信號(hào)數(shù)字和邏輯電路應(yīng)用, 截止頻率和振蕩頻率并不是一合適的器件參數(shù), 這

16、時(shí)一般使用門(mén)延遲作為電路中器件的特性參數(shù). 對(duì)一種電路的器件設(shè)計(jì)點(diǎn)與優(yōu)化并不一定表示是另一電路的設(shè)計(jì)點(diǎn). 在高性能的邏輯應(yīng)用中, 一般采用發(fā)射結(jié)耦合邏輯或ECL電路. 園環(huán)振蕩電路可被用來(lái)測(cè)量邏輯門(mén)的開(kāi)關(guān)速度 (P/2n).半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)2. 數(shù)字雙極型(反相)電路Vin=Vref+(-)V/2半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)1) 邏輯門(mén)的延遲部分半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(1)基區(qū)輸運(yùn)時(shí)間延遲低電流下與IC無(wú)關(guān), 高電流下(基區(qū)擴(kuò)展時(shí))隨IC增大而增加. 在高性能數(shù)字電路設(shè)計(jì)中基區(qū)輸運(yùn)時(shí)間延遲是主要的延遲部分.(2)本征基區(qū)電阻延遲低電流下與IC無(wú)關(guān), 高電流下(基區(qū)擴(kuò)展時(shí)),基區(qū)電阻減小,使之隨

17、IC增大而減小, 一般該延遲很小.(3)寄生電阻(發(fā)射與集電極)延遲不依賴于工作電流, 一般很小.半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(4)負(fù)載電阻延遲 RL=V/IS 隨開(kāi)關(guān)電流而減小,ECL電路一般設(shè)計(jì)工作在較大電流下, 以減小負(fù)載電阻(電容)延遲 .(5)擴(kuò)散電容延遲CDE2ISF/V小電流下, F不依賴于工作電流, 該延遲與電流成正比大電流下,基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)變得顯著, F隨工作電流增大, 擴(kuò)散電容延遲與ISF成正比.半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)延遲分成兩部分:與本征器件參數(shù)有關(guān)的延遲: 依賴于器件的結(jié)構(gòu)參數(shù).與器件電路非本征參數(shù)有關(guān)的延遲: 與其物理結(jié)構(gòu)和制備過(guò)程有關(guān).物理結(jié)構(gòu)包含物理版圖, 對(duì)相同的本征器

18、件參數(shù), 器件特性將依賴于布置與安排.(a)具有較小的基極-集電極面積, 從而具有較小的非本征結(jié)電容. 基區(qū)電流只能沿一個(gè)方向流動(dòng). 基區(qū)電阻較大(b)具有較大的基極-集電極面積, 從而具有較大的非本征結(jié)電容. 基區(qū)電流可沿兩個(gè)方向流動(dòng).基區(qū)電阻僅為(a)的1/4.2) 數(shù)字電路的器件結(jié)構(gòu)和版圖輸出半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)對(duì)低功率器件, 基區(qū)電阻的減小不足以補(bǔ)償集電極電容的增加, 使電路速度變慢.對(duì)大功率器件,基區(qū)電阻的減小足以補(bǔ)償集電極電容的增加, 使電路速度變快.半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)3. 數(shù)字電路中雙極型器件的優(yōu)化由于雙極型器件的仔細(xì)設(shè)計(jì)與集電極電流密切關(guān)聯(lián), 延遲對(duì)電流或功耗的依賴關(guān)系必

19、須轉(zhuǎn)變?yōu)閷?duì)集電流的依賴關(guān)系.1)數(shù)字電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)(1)ECL電路中的所有器件中流過(guò)同樣的電流密度.(2)ECL電路中具有較小的邏輯電壓變化值(驅(qū)動(dòng)芯片上的電路:400 mV;驅(qū)動(dòng)芯片外的電路: 800 mV)(3)ECL電路中邏輯電壓變化值遠(yuǎn)小于CMOS器件中的情形(與其工作電壓相當(dāng), 即使對(duì)0.1um的器件,電源電壓為1.2V).這使雙極型電路在驅(qū)動(dòng)大的負(fù)載電容時(shí)具有較大的速度優(yōu)勢(shì).半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)A:功率*延遲優(yōu)化; B:延遲(功率不太大); C:大的延遲半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)2) 基區(qū)展寬效應(yīng)明顯時(shí)的器件優(yōu)化減小基區(qū)展寬, 提高器件速度(特別是在負(fù)載電阻較大時(shí)).(1)增加集電區(qū)

20、摻雜(2)減小集電區(qū)厚度(3)增大發(fā)射結(jié)面積以減小集電結(jié)電流密度(4)減小基區(qū)展寬會(huì)導(dǎo)致器件電容的增加,從而增大負(fù)載電阻的延遲時(shí)間.(5)如果基區(qū)展寬較顯著, 門(mén)延遲對(duì)本征基區(qū)的厚度的依賴不再靈敏.(6)如果基區(qū)展寬較顯著并具有較大的負(fù)載電容, 減小器件電容并不能改進(jìn)器件速度, 除非首先減小基區(qū)展寬效應(yīng).半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)3)基區(qū)展寬效應(yīng)較小時(shí)的器件優(yōu)化基區(qū)展寬和負(fù)載電阻延遲較小時(shí), 采用減小基區(qū)渡越時(shí)間和擴(kuò)散電容部分, 以提高器件速度.正向輸運(yùn)時(shí)間的最小化發(fā)射結(jié)延遲時(shí)間基區(qū)-集電結(jié)耗盡層輸運(yùn)時(shí)間基區(qū)發(fā)射結(jié)耗盡層傳輸時(shí)間基區(qū)渡越時(shí)間nBBBsatdBEBEsatdBC

21、BCpECEEBCBEBEFDWtvWtvWtIQemitterdeepttttt222)(20半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)4) 低功率延遲乘積的器件優(yōu)化低功率延遲的優(yōu)化點(diǎn): A. 低電流密度電路, 門(mén)延遲主要由負(fù)載電阻部分決定, 與以下電容有關(guān):(1)基區(qū)集電結(jié)勢(shì)壘層電容:減小集電極摻雜濃度, 但要控制基區(qū)的展寬, 必須保證一定的摻雜濃度.(2)基區(qū)發(fā)射結(jié)勢(shì)壘層電容:減小本征基區(qū)摻雜濃度, 但必須相應(yīng)增加基區(qū)寬度, 增大基區(qū)渡越時(shí)間延遲. 一般并不特別優(yōu)化(除非減小發(fā)射區(qū)面積).(3)集電極襯底結(jié)電容: 降低襯底摻雜濃度和深溝隔離來(lái)代替P型擴(kuò)散隔離.(4)負(fù)載電容: 互聯(lián)電容

22、和輸入器件電容, 后者可優(yōu)化設(shè)計(jì), 隨基區(qū)發(fā)射結(jié)和基區(qū)集電結(jié)電容的減小而減小.半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)5) 雙極型器件的優(yōu)化實(shí)例薄集電區(qū)的器件在低電流密度和基區(qū)展寬效應(yīng)可忽略時(shí), 具有較大的門(mén)延遲.但薄集電區(qū)的器件在高電流密度和基區(qū)展寬效應(yīng)和發(fā)射結(jié)擴(kuò)散電容增大時(shí), 將具有較快的速度.(發(fā)射結(jié)擴(kuò)散電容決定門(mén)延遲).半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)4. ECL電路中雙極型器件的等比例縮小等比例縮小原則: 一致地減小主要的電阻與電容部分, 以使主要延遲部分隨晶體管的橫向尺寸等比例縮小, 保證器件在等比例縮小時(shí)的優(yōu)化設(shè)計(jì)基本不變 (rb/RL 和CDE/CdBC的比值保持不變).其它限制:(

23、1)與MOSFET不同, 等比例縮小時(shí)開(kāi)啟電壓基本保持不變(2)集電極摻雜濃度應(yīng)隨集電極電流等比例縮小, 以控制等比例縮小時(shí)基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng).(3)在基區(qū)寬度縮小時(shí),必須增加基區(qū)的摻雜濃度(NB WB-2), 以等比例減小WdBE, 避免發(fā)射區(qū)與集電區(qū)的串通.半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)1). 器件等比例縮小規(guī)則半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)實(shí)際的ECL等比例縮小半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)2)ECL電路中雙極型器件等比例縮小的限制(1)集電極電流密度限制等比例縮小規(guī)則要求集電極電流密度和集電極摻雜濃度增加K2, 因此基區(qū)-集電結(jié)雪崩擊穿限制了一個(gè)雙極型器件的物理尺寸的縮小和器件速度的提高限度.實(shí)際的集電區(qū)摻雜濃度較規(guī)則要小, 這會(huì)加重基區(qū)展寬效應(yīng), 并使電路延遲隨集電極電流密度而趨于飽和.半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(2)器件擊穿導(dǎo)致的限制較高的速度,但擊穿電壓卻較小