第八章 表面分析技術(shù)

1、材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法第八章第八章 表面分析技術(shù)表面分析技術(shù) 材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法俄歇電子能譜8.2X射線光電子能譜8.1第八章 表面分析技術(shù) 材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1 X射線光電子能譜12X X射線光電子譜基本原理射線光電子譜基本原理結(jié)合能結(jié)合能34化學(xué)位移化學(xué)位移光電子能譜分析方法光電子能譜分析方法5X X射線光電子能譜儀射線光電子能譜儀材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.1 X射線光電子譜基本原理（一）光電效應(yīng)（一）光電效應(yīng)(photoelectron effect)(photoelectron effect)原子中

2、的電子處在不同的能級上，當(dāng)光子的能量達(dá)到一定程度(h EB) 就可發(fā)生光電離過程: M+hM+hM+M+* *+e- +e- (8-1) EK=h EK=hEB EB (Einstein的光電子發(fā)射公式) (8-2)材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.1 X射線光電子譜基本原理圖圖8-1 8-1 光電效應(yīng)光電效應(yīng)材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.1 X射線光電子譜基本原理圖圖8-2 8-2 元素光電離截面的計(jì)算值（元素光電離截面的計(jì)算值（AlKAlK輻射，參照輻射，參照C1s=1.00C1s=1.00）材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.1 X射線光電子譜基本原理（二）馳豫過程（

3、二）馳豫過程 (relaxation process) (relaxation process) (1) 熒光輻射弛豫過程: M+ M+* * M+ +h( M+ +h(特征射線) (8-3)(2) 俄歇過程(非輻射弛豫): M+ M+* *M+M+* * + e - + e - (Auger效應(yīng)) (8-4)材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.2 結(jié)合能原子中電子結(jié)合能的定義為：將特定能級上的電子移到固體費(fèi)米能級或移到自由原子或分子的真空能級所需消耗的能量。 （8-5）Koopmans法則：(8-6) （8-7）201(2)(2)2SCFMiijijMjjMZEiiiiJKijJKijr

4、 ),(),(SCFKTBjlnEjlnEcorrrelatrelaxSCFBEEEEE材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.2 結(jié)合能表表8-1 8-1 不同方法求得的不同方法求得的Ne1sNe1s和和Ne2sNe2s軌道結(jié)合能對比軌道結(jié)合能對比計(jì) 算 方 法計(jì) 算 方 法EB(eV)1s 2sKoopmans定理 SCF理論方法直接計(jì)算方法 SCF理論方法 考慮相對論校正 考慮相對論及相關(guān)作用校正實(shí)驗(yàn)測量值981.7868.6869.4870.8870.252.549.349.348.348.4材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.2 結(jié)合能電子結(jié)合能參照基準(zhǔn)電子結(jié)合能參照基準(zhǔn) ：（1

5、）孤立原子（2）氣態(tài)（3）導(dǎo)電固體樣品（3）非導(dǎo)電樣品材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.3 化學(xué)位移（一）初態(tài)效應(yīng)（一）初態(tài)效應(yīng)根據(jù)原子中電子結(jié)合能的表達(dá)式EB = E(n-1) + E(n), EB = E(n-1) + E(n), E(n)表示原子初態(tài)能量，E(n-1)表示電離后原子的終態(tài)能量。因此，原子的初態(tài)和終態(tài)直接影響者電子結(jié)合能的大小。 在有機(jī)物中C1s 軌道電子結(jié)合能大小順序：C-C C-O C=O O-C=O O- (C=O)-OC-C C-O C=O O-C=O O- (C=O)-O材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.3 化學(xué)位移圖圖8-3 8-3 三氟醋酸乙酯中三

6、氟醋酸乙酯中C1sC1s軌道電子結(jié)合能位移軌道電子結(jié)合能位移材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.3 化學(xué)位移圖圖8-4 8-4 金屬金屬AlAl的電子軌道結(jié)合能的電子軌道結(jié)合能材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.3 化學(xué)位移化學(xué)位移的理論計(jì)算對研究化學(xué)位移有很重要的作用。根據(jù)前面所講的計(jì)算方法可以，處于環(huán)境1環(huán)境2的同種原子中電子結(jié)合能的位移可由下式表示： （8-8） （8-9）馳豫效應(yīng)可用下式表示：（8-10）VSCFB1,21,2relax 1,2relat 1,2corr 1,2()()()()()EKEKEEE VSCFB1,21,2relax 1,2()()()EKEKE )

7、()(5 . 0)(+SCFSCFVBKEKEKE材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.3 化學(xué)位移（1 1）電荷勢模型）電荷勢模型 圖圖8-5 8-5 含碳化合物含碳化合物C1sC1s電子結(jié)合能位移同原子電荷電子結(jié)合能位移同原子電荷q q的關(guān)系的關(guān)系材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.3 化學(xué)位移（2 2）價(jià)勢模型）價(jià)勢模型 價(jià)勢模型就是用所謂的價(jià)電勢來表達(dá)內(nèi)層電子結(jié)合能。（8-11)BAAB0*BA0A4|1|)41(2RZr材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.3 化學(xué)位移（3 3）等效原子實(shí)方法）等效原子實(shí)方法 該方法假設(shè)原子的內(nèi)層電子受內(nèi)層電子電離時的影響與在原子核中增加一個

8、正電荷所受的影響是一致的，即原子實(shí)是等效的。 （4 4）原子勢能模型）原子勢能模型 原子勢能模型的結(jié)合能表達(dá)式為： EB=Vn+Vv EB=Vn+Vv （8-12）材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.3 化學(xué)位移化學(xué)位移的經(jīng)驗(yàn)規(guī)律化學(xué)位移的經(jīng)驗(yàn)規(guī)律 (1) 同一周期內(nèi)主族元素結(jié)合能位移隨它們的化合價(jià)升高呈現(xiàn)出線性增加的趨勢；過渡金屬元素的化學(xué)位移隨化合價(jià)的變化呈現(xiàn)減小的趨勢。(2) 分子中原子的內(nèi)層電子結(jié)合能位移量同與它相結(jié)合的原子電負(fù)性之和有一定的線性關(guān)系。 材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.3 化學(xué)位移(3) 對少數(shù)系列化合物，由核磁共振波譜儀 (NMR)和穆斯堡爾（Mossba

9、uer）譜儀測得的各自的特征位移量同XPS測得的結(jié)合能位移量有一定的線性關(guān)系。(4) XPS的化學(xué)位移同宏觀熱力學(xué)參數(shù)之間存在一定的聯(lián)系。材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.3 化學(xué)位移（二）終態(tài)效應(yīng)（二）終態(tài)效應(yīng)(1) 弛豫效應(yīng) （8-13） (8-14)(2) 多重分裂(靜電分裂)(3) 多電子激發(fā) intraextrarelaxrelaxrelaxEEEintraextrarelaxrelaxrelaxEEE材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法（一）（一） 定性分析定性分析（1）光電子譜線（2）X射線的伴峰（3）Auger譜線（4）X射線“鬼峰”（5）震激和

10、震離線（6）多重分裂（7）能量損失峰材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法表表8-28-2：陽極污染輻射激發(fā)引起的：陽極污染輻射激發(fā)引起的“鬼峰鬼峰”位置位置污染輻射陽極材料MgAlO (K )Cu (L )Mg (K )Al (K )728.7323.9-233.0961.7556.9233.0-材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法圖圖8-6 Ne8-6 Ne的震激和震離過程的示意圖的震激和震離過程的示意圖材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法圖圖8-7 Mn2+8-7 Mn2+離子的離子的3s3s軌道電離時的兩種終態(tài)

11、軌道電離時的兩種終態(tài)材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法圖圖8-8 MnF28-8 MnF2的的Mn3sMn3s電子的電子的XPSXPS譜譜材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法圖圖8-9 Al8-9 Al的的2s2s譜線及相關(guān)的能量損失線譜線及相關(guān)的能量損失線材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法譜線的識別譜線的識別 （1）確定經(jīng)常出現(xiàn)的光電子峰，如C, O的光電子譜線；（2）確定Auger線；（3）根據(jù)X射線光電子譜手冊中的各元素的峰位表確定其他強(qiáng)峰，并標(biāo)出其相關(guān)峰；（4）區(qū)分多重峰、震激、震離、能量損失峰等。 材料

12、現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法（5）對于 p，d，f 譜線的鑒別應(yīng)注意它們一般應(yīng)為自旋雙線結(jié)構(gòu)，它們應(yīng)有一定的能量間隔和強(qiáng)度比，p 線的強(qiáng)度比約為1:2，d 線的強(qiáng)度比約為2:3，f 線的強(qiáng)度比約為3:4。材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法（二）化學(xué)態(tài)分析（二）化學(xué)態(tài)分析（1 1）光電子譜線化學(xué)位移）光電子譜線化學(xué)位移：由于電子的結(jié)合能會隨電子環(huán)境的變化發(fā)生化學(xué)位移，位移與原子上電荷密度密切相關(guān)，而電荷密度有受著元素周圍環(huán)境（如電荷、元素價(jià)態(tài)、成鍵情況等）的影響。材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法圖圖8-10

13、S8-10 S的的2p2p峰在不同化學(xué)狀態(tài)下的結(jié)合能值峰在不同化學(xué)狀態(tài)下的結(jié)合能值材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法圖圖8-11 Ti8-11 Ti及及TiO2TiO2中中2p3/22p3/2峰的峰位及峰的峰位及2p1/22p1/2和和2p3/22p3/2之間的距離之間的距離材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法表表8-38-3：C1sC1s在不同化學(xué)狀態(tài)下半峰高寬的變化在不同化學(xué)狀態(tài)下半峰高寬的變化CF4C6H6COCH4半高峰寬（eV）0.520.570.650.72材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法（2 2）

14、 俄歇譜線化學(xué)位移和俄歇參數(shù)俄歇譜線化學(xué)位移和俄歇參數(shù)：最尖銳的俄歇線動能減去最強(qiáng)的XPS光電子線動能所得到的動能差稱為俄歇參數(shù)，即(8-15) (8-16) PKAKEEAPKB hEE材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法（3 3）震激譜線）震激譜線：過渡元素稀土元素和錒系元素的順磁化合物的XPS譜中常常出現(xiàn)震激現(xiàn)象中，因此常用震激效應(yīng)的存在與否來鑒別順磁態(tài)化合物的存在與否。圖圖8-128-12銅銅2p2p譜線和震激結(jié)構(gòu)譜線和震激結(jié)構(gòu)材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法（4 4）多重分裂）多重分裂：過渡元素及其化合物的電子能譜中均發(fā)生多重分

15、裂，其裂分的距離與元素的化學(xué)狀態(tài)密切相關(guān)?？梢愿鶕?jù)譜線是否裂分以及裂分的距離再結(jié)合譜線能量的位移和峰形的變化來準(zhǔn)確地確定一元素的化學(xué)狀態(tài)。 材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法（5 5）俄歇線形）俄歇線形：價(jià)殼層俄歇線如KVV、 LVV、 LMV等它們的外形與一定的化學(xué)狀態(tài)有著內(nèi)在的聯(lián)系，可以用來分析元素的化學(xué)狀態(tài)。圖圖8-13 Ag8-13 Ag的的XPSXPS譜譜 材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4 光電子能譜分析方法圖圖8-14 Ni8-14 Ni的的XPSXPS譜，譜， 譜中可見明顯的俄歇線譜中可見明顯的俄歇線材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.4

16、 光電子能譜分析方法（三）定量分析（三）定量分析（1） 一級原理模型 (8-17)（2）元素靈敏度因子法 (8-18) (8-19)/()cos( )( )( )zEijijijiIKT E Ln z edz /iiijjjnISnIS/iiijjjISCIS材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.5 X射線光電子能譜儀X射線光電子能譜儀（如圖8-15）主要由X射線源、樣品室、真空系統(tǒng)、能量分析器、記錄裝置等組成。圖圖8-15 8-15 光電子能譜儀光電子能譜儀材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.5 X射線光電子能譜儀（一）真空系統(tǒng)（一）真空系統(tǒng)通常超高真空系統(tǒng)真空室由不銹鋼材料制成，真空

17、度優(yōu)于10-8 mbar超高真空一般由多級組合泵系統(tǒng)來獲得。（二）（二）X X射線源射線源用于產(chǎn)生具有一定能量的X射線的裝置。當(dāng)高能電子轟擊陽極靶會產(chǎn)生特征X射線，其能量取決于組成靶的原子內(nèi)部的能級。材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.5 X射線光電子能譜儀圖圖8-16 8-16 雙陽極雙陽極X X射線源射線源材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.5 X射線光電子能譜儀表表8-48-4：MgMg和和AlAl的特征的特征x x射線能量和強(qiáng)度射線能量和強(qiáng)度 X射線射線Mg 靶靶Al 靶靶能量能量(eV)相對強(qiáng)度相對強(qiáng)度能量能量(eV)相對強(qiáng)度相對強(qiáng)度K 11253.767.01486.767

18、.0K 21253.433.01486.333.0K 1258.21.01492.31.0K 31262.19.21496.37.8K 41263.15.11498.23.3K 51271.00.81506.50.42K 61274.20.51510.10.28K 1302.02.01557.02.0材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.5 X射線光電子能譜儀表表8-58-5：部分元素的特征：部分元素的特征x x射線能量和半高峰寬射線能量和半高峰寬 射射 線線 能能 量量半高峰寬半高峰寬(eV)YM 132.30.44ZrM 151.40.77NaK 1041.00.4MgK 1253.60

19、.7AlK 1486.60.8SiK 1739.40.8TiK 145111.4CrK 154152.1CaK 180482.5材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.5 X射線光電子能譜儀（三）分析器系統(tǒng)（三）分析器系統(tǒng)分析器由電子透鏡系統(tǒng)、能量分析器和電子檢測器組成。常用的靜電偏轉(zhuǎn)型分析器有球面偏轉(zhuǎn)分析器(CHA)和筒鏡分析器(CMA)兩種。 （四）實(shí)例分析（四）實(shí)例分析分析方法通常被用來表征樣品中的組分變化。材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.1.5 X射線光電子能譜儀圖圖8-17. Cu2O8-17. Cu2O，CuOCuO和不同燒成溫度下制備的和不同燒成溫度下制備的SiC/Cu(Cu

20、2O)SiC/Cu(Cu2O)在在Cu(2p)Cu(2p)波段的波段的XPSXPS譜線譜線材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2 俄歇電子能譜12俄歇電子能譜的基本原理俄歇電子能譜的基本原理AugerAuger電子的能量和產(chǎn)額電子的能量和產(chǎn)額 34俄歇電子能譜分析方法俄歇電子能譜分析方法俄歇電子能譜儀俄歇電子能譜儀 5掃描掃描AugerAuger顯微探針顯微探針(SAM)(SAM)材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.1 俄歇電子能譜的基本原理圖圖8-18 8-18 俄歇電子的產(chǎn)生過程俄歇電子的產(chǎn)生過程俄歇電子的產(chǎn)生可以分為三個步驟，如圖8-18，首先原子內(nèi)某一內(nèi)層電子被激發(fā)電離從而形成空位

21、，接著一個較高能級的電子躍遷到該空位上，再接著另一個電子被激發(fā)發(fā)射，形成無輻射躍遷過程，這一過程被稱為Auger效應(yīng),被發(fā)射的電子稱為Auger電子。 材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.1 俄歇電子能譜的基本原理Auger躍遷的標(biāo)記以空位、 躍遷電子、發(fā)射電子所在的能級為基礎(chǔ)。圖圖8-198-19電子能級、電子能級、X X射線能級和電子數(shù)射線能級和電子數(shù)材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.1 俄歇電子能譜的基本原理圖圖8-208-20各種元素的俄歇電子峰各種元素的俄歇電子峰材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.2 Auger電子的能量和產(chǎn)額 （一）電離截面（一）電離截面 電離截面是

22、決定在Wi能級上產(chǎn)生初態(tài)空位的電離原子數(shù)目的重要因素。Worthington-tomlin在玻恩近似的基礎(chǔ)上給出了如下的電離截面公式(8-20)（8-21）146.51 1014ln1.652.35exp(1)WWWWa KUEUU31426.51 101121()() 1(1)ln(2.71)132WWWWa KUUEUUU材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.2 Auger電子的能量和產(chǎn)額 （二）（二）AugerAuger電子幾率電子幾率 電離原子的去激發(fā)過程有無輻射躍遷和輻射躍遷，二者的幾率Pa和Px有PaPx=1。E.H.S.Burhop給出了Px的半經(jīng)驗(yàn)公式: (8-22)3xx(

23、)ABC1nPZZP材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.2 Auger電子的能量和產(chǎn)額 圖圖8-21 Auger8-21 Auger電子幾率電子幾率 0.000.200.400.600.801.000510152025303540原 子序數(shù) Z 發(fā)射幾率 Px Pa 材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.2 Auger電子的能量和產(chǎn)額 （三）平均自由程和平均逸出深度（三）平均自由程和平均逸出深度 設(shè)有N個電子，在固體中前進(jìn)dz，有dN個經(jīng)受了非彈性散射而損失了能量，則(8-23)(8-24)1dNNdz (ln)EaEb材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.2 Auger電子的能量和產(chǎn)

24、額 M.P.Seah和W.A.Dench分析了大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)后發(fā)現(xiàn):對于純元素 = 538E-2+0.41(aE)0.5 = 538E-2+0.41(aE)0.5 對于無機(jī)化合物 = 2170E-2+0.72(aE)= 2170E-2+0.72(aE)對于有機(jī)化合物 = 49E-2+0.11(aE)0.5 = 49E-2+0.11(aE)0.5 材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.2 Auger電子的能量和產(chǎn)額 （四）背散射因子（四）背散射因子根據(jù)Monte Carlo方法對背散射增加效應(yīng)進(jìn)行了數(shù)值模擬并結(jié)合最小二乘法原理，當(dāng)入射角為時： 材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.2 Aug

25、er電子的能量和產(chǎn)額 對于入射束為Ip， 則EWXY Auger電流為 (8-26)IAIART IpniRT IpniWPWXYsecWPWXYsec(1+r)(1+r)coscos Ap0expsec(1)cosiWWXYzII nPr dz材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.3 俄歇電子能譜分析方法（一）定性分析（一）定性分析定性分析是進(jìn)行AES分析的首要內(nèi)容，其任務(wù)是根據(jù)測得的Auger電子譜峰的位置和形狀識別分析區(qū)域內(nèi)所存在的元素。圖圖8-22 Al(8-22 Al(左左) )和和Al2O3(Al2O3(右右) )俄歇電子微分譜，俄歇電子微分譜，N(E) N(E) 為俄歇電子強(qiáng)度

26、（電子數(shù)）為俄歇電子強(qiáng)度（電子數(shù)）材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.3 俄歇電子能譜分析方法定性分析步驟：定性分析步驟：(1)首先選擇最強(qiáng)的峰，利用圖標(biāo)準(zhǔn)譜圖標(biāo)明屬于該元素的所有峰，判斷可能是什么元素。(2)選擇除已識別元素峰外的最強(qiáng)峰，重復(fù)上述過程。(3)若還有一些峰沒有確定，可考慮它們是否是某一能量下背散出來的一次電子的能量損失峰。材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.3 俄歇電子能譜分析方法圖圖8-23 TiN8-23 TiN的俄歇能譜的俄歇能譜材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.3 俄歇電子能譜分析方法圖圖8 824. 24. 球狀體顆粒核殼球狀體顆粒核殼AESAES譜線譜

27、線下面應(yīng)用AES方法研究SiC/Cu(Cu2O)球狀體生長過程的以例子：材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.3 俄歇電子能譜分析方法圖圖8 825. AES patterns of the shell or core in the grown spheroid25. AES patterns of the shell or core in the grown spheroid材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.3 俄歇電子能譜分析方法（二）定量分析（二）定量分析設(shè)所分析區(qū)域內(nèi)i元素的原子密度為ni，它所占總分析區(qū)域的百分比為Ci，則二者有如下關(guān)系： (8-27) 最后的Auger電子的強(qiáng)度為： (8-28)iijjnCn,p,(1)seccosi WXYii Wi WXYi WXYi WXYIr I RnPT材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.3 俄歇電子能譜分析方法(1) 標(biāo)樣法 (8-29)(2) 相對靈敏度因子法 則(8-30)std,stdWXYiWXYiiiIInnstd,Ag,351i wxyiISI,stdAg,351i WXYiiiInnS I材料現(xiàn)代研究方法材料現(xiàn)代研究方法8.2.3 俄歇電子能譜分析方法圖圖8-26 8-26