半導(dǎo)體器件物理-MOSFET2

1、西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) XIDIDIAN UNIVERSITYXIDIDIAN UNIVERSITY第四章第四章 MOSMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFETMOSFET結(jié)構(gòu)和基本工作原理結(jié)構(gòu)和基本工作原理 2022-3-251場(chǎng)效應(yīng)器件物理場(chǎng)效應(yīng)器件物理2022-3-25XIDIAN UNIVERSITY 4.1 MOSFET 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)oMOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistorpMOS器件：四器件：四端器端器件，件，G、S、D、Bu一般情況下，一般情況下，VBS=0，則成為三端器，則成為三端器件件p與與J

2、FET相比：相比：u控制柵為控制柵為MOS結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)u 源、漏摻雜與類型與襯底源、漏摻雜與類型與襯底相反相反o簡(jiǎn)單看作：簡(jiǎn)單看作：MOS電容和兩個(gè)背靠背電容和兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成結(jié)構(gòu)成2022-3-254.1 MOSFET 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)o MOS電容：外加電容：外加VG， 氧化層下方半導(dǎo)體表面氧化層下方半導(dǎo)體表面形成強(qiáng)反型形成強(qiáng)反型層，連接層，連接SD區(qū)區(qū) 強(qiáng)反型層強(qiáng)反型層-MOSFET的的導(dǎo)電導(dǎo)電溝道溝道o VDS在溝道上產(chǎn)生電場(chǎng)，載流子從源漂移到漏，被漏極收集形成在溝道上產(chǎn)生電場(chǎng)，載流子從源漂移到漏，被漏極收集形成IDo 重要參數(shù)：重要參數(shù)：u溝道長度溝道長度L：柵氧下方源漏之間半導(dǎo)體的長度：柵

3、氧下方源漏之間半導(dǎo)體的長度.u溝道寬度溝道寬度W：與溝長垂直的水平方向的源漏區(qū)寬度：與溝長垂直的水平方向的源漏區(qū)寬度u柵氧厚度柵氧厚度tox2022-3-254.1 MOSFET MOSFETMOSFET分類分類(1)(1) n溝道溝道MOSFET：NMOSP P襯，襯，n n型反型層，型反型層，電子導(dǎo)電電子導(dǎo)電VDS0, ID0p溝道溝道MOSFET：PMOSN襯，襯，p型反型層，型反型層，空穴導(dǎo)電空穴導(dǎo)電VDS0, ID0o 按照溝道載流子的導(dǎo)電類型分按照溝道載流子的導(dǎo)電類型分:o 每種器件只有一種載流子參與導(dǎo)電每種器件只有一種載流子參與導(dǎo)電單極性單極性器件器件2022-3-254.1 M

4、OSFET MOSFETMOSFET分類分類(2)(2)o0柵壓是否存在反型溝道分：柵壓是否存在反型溝道分：on溝耗盡溝耗盡型型MOSFETu零零柵壓時(shí)已存在反型溝道，柵壓時(shí)已存在反型溝道，uVTN0u加?xùn)艍杭訓(xùn)艍篤GS0，u加?xùn)艍杭訓(xùn)艍篤GSVTN, 溝道開啟溝道開啟o思考：思考：不進(jìn)行專門的不進(jìn)行專門的N型摻雜，能否形成耗盡型型摻雜，能否形成耗盡型NMOS？2022-3-254.1 MOSFET MOSFETMOSFET分類分類(3)(3) op溝溝增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSFETu零柵壓時(shí)不存在反型溝道零柵壓時(shí)不存在反型溝道uVTP0u加?xùn)艍杭訓(xùn)艍篤GS0u加?xùn)艍杭訓(xùn)艍篤GSVTP, 溝道關(guān)閉溝

5、道關(guān)閉4.1 MOSFET MOSFETMOSFET分類（分類（4 4）o 四種類型四種類型MOS晶體管的電路符號(hào)晶體管的電路符號(hào)un溝、溝、p溝的箭頭：襯底與溝道之間可形成的場(chǎng)感應(yīng)溝的箭頭：襯底與溝道之間可形成的場(chǎng)感應(yīng)pn結(jié)的正偏方向結(jié)的正偏方向u耗盡型：代表溝道區(qū)的線為實(shí)線，即耗盡型：代表溝道區(qū)的線為實(shí)線，即VGS=0時(shí)已存在溝道時(shí)已存在溝道增強(qiáng)型：代表溝道區(qū)的線為虛線，即增強(qiáng)型：代表溝道區(qū)的線為虛線，即VGS=0時(shí)不存在溝道時(shí)不存在溝道4.1 MOSFET MOSFETMOSFET分類（分類（5 5）o 四種類型四種類型MOS晶體管的的偏置條件晶體管的的偏置條件4.1 MOSFET MO

6、SFETMOSFET的閾值電壓的閾值電壓oVBS=0，即襯底接地；，即襯底接地； VGS 即為中間即為中間MOS電容兩側(cè)電勢(shì)差電容兩側(cè)電勢(shì)差uMOS電容電容VT：MOS電容半導(dǎo)體表面是否強(qiáng)反型的臨界電壓，電容半導(dǎo)體表面是否強(qiáng)反型的臨界電壓， 強(qiáng)反型層強(qiáng)反型層-MOSFET的導(dǎo)電溝道的導(dǎo)電溝道uVGSVT：半導(dǎo)體表面未形成強(qiáng)反型層，導(dǎo)電溝道未形成，器件截止：半導(dǎo)體表面未形成強(qiáng)反型層，導(dǎo)電溝道未形成，器件截止uVGSVT：半導(dǎo)體表面形成強(qiáng)反型層，導(dǎo)電溝道形成，器件導(dǎo)通半導(dǎo)體表面形成強(qiáng)反型層，導(dǎo)電溝道形成，器件導(dǎo)通oMOSFET的閾值電壓的閾值電壓VT：表面：表面剛剛產(chǎn)生溝道所需剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵

7、源電壓的柵源電壓o溝道內(nèi)可動(dòng)電荷溝道內(nèi)可動(dòng)電荷Qn，面電荷密度面電荷密度Qn=COX(VGS-VT)：只有只有VGS大于大于VT，表面才，表面才產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，根據(jù)電容電壓電荷關(guān)系得產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，根據(jù)電容電壓電荷關(guān)系得Qn2022-3-25n溝增強(qiáng)型溝增強(qiáng)型4.1 MOSFET I-VI-V定性分析定性分析p偏置特點(diǎn)：偏置特點(diǎn)：uVBS=0, 源襯短接；源襯短接；VGSVT ,溝道溝道形成；形成；u VDS0，形成漏極電流，形成漏極電流ID，造成，造成溝厚不等厚溝厚不等厚： VDS0溝道中從源到漏電位不斷溝道中從源到漏電位不斷增大增大溝道上一點(diǎn)溝道上一點(diǎn)X， VXS， X從從S往往D移動(dòng)移動(dòng)，V

8、XS,VGX(=VGS-VXS) VGXVT, X點(diǎn)點(diǎn)處才形成溝道處才形成溝道,反型層可動(dòng)電荷反型層可動(dòng)電荷Qn(x)=COX(VGX-VT)， X從從S往往D移動(dòng)，移動(dòng)， Qn(x)不斷不斷，源端源端Qn(0)最大，漏端最大，漏端Qn(L)最小最小u溝道面電荷密度不相等溝道面電荷密度不相等可等效為可等效為溝道溝道截面積不相等截面積不相等2022-3-25n溝增強(qiáng)型溝增強(qiáng)型2022-3-254.1 MOSFET ID隨隨VDS的變化的變化(1)線性區(qū)線性區(qū)oVDS VDS (sat), VDS對(duì)對(duì)Vox的抵消作用可忽略的抵消作用可忽略 反型層和耗盡層近似均勻反型層和耗盡層近似均勻溝道等效電阻不

9、變溝道等效電阻不變 ID VDS（線性區(qū)）（線性區(qū)）2022-3-254.1 MOSFET ID隨隨VDS的變化的變化(2)過渡區(qū)過渡區(qū)o脫離線性區(qū)后，脫離線性區(qū)后，VDS , VDS對(duì)對(duì)Vox的抵消作用不可忽略的抵消作用不可忽略溝道厚度不等溝道厚度不等溝道等效電阻增加溝道等效電阻增加 ID隨隨VDS的增長率減?。ㄟ^渡區(qū)）的增長率減小（過渡區(qū)）2022-3-254.1 MOSFET ID隨隨VDS的變化的變化(3)DSGSGDVVV飽和點(diǎn)飽和點(diǎn)o飽和點(diǎn)：飽和點(diǎn)：o溝道夾斷點(diǎn)溝道夾斷點(diǎn)X： 反型層電荷密度剛好反型層電荷密度剛好0VGX=VT, VGS-VXS=VT VXS=VGS-VT=VDS(

10、sat) TGSsatDSsatDDsatDSDSVVVIIVV)()()(,0器件預(yù)夾斷，漏端溝道剛好消失漏端反型層電荷密度，漏端處于臨界強(qiáng)反型點(diǎn)TV2022-3-254.1 MOSFET ID隨隨VDS的變化的變化(4)飽和區(qū)飽和區(qū)o原溝道區(qū)：原溝道區(qū)：導(dǎo)電溝道區(qū)導(dǎo)電溝道區(qū)和和夾斷區(qū)夾斷區(qū)。電流被夾斷了嗎？。電流被夾斷了嗎？u導(dǎo)電溝道區(qū)可導(dǎo)電，又有電勢(shì)差，所以有電流，根據(jù)導(dǎo)電溝道區(qū)可導(dǎo)電，又有電勢(shì)差，所以有電流，根據(jù)電流連續(xù)性電流連續(xù)性原原理，整個(gè)器件的電流仍存在，理，整個(gè)器件的電流仍存在，大小大小由導(dǎo)電溝道區(qū)由導(dǎo)電溝道區(qū) 決定決定u漂移到夾斷點(diǎn)的電子在夾斷區(qū)大電場(chǎng)的作用下被掃向漏極，形成

11、漂移到夾斷點(diǎn)的電子在夾斷區(qū)大電場(chǎng)的作用下被掃向漏極，形成IDo長溝長溝MOSFET，L變化可略，導(dǎo)電區(qū)形狀和該區(qū)上壓降變化可略，導(dǎo)電區(qū)形狀和該區(qū)上壓降不變不變，ID保持保持剛夾斷時(shí)的剛夾斷時(shí)的IDS(sat)不變，即飽和區(qū)內(nèi)不變，即飽和區(qū)內(nèi)ID不隨不隨VDS的增加而增加的增加而增加o擊穿區(qū)：擊穿區(qū)： VDS再再繼續(xù)繼續(xù) 漏極和襯底之間漏極和襯底之間PN結(jié)反偏電壓過結(jié)反偏電壓過大大 導(dǎo)致導(dǎo)致pn結(jié)結(jié)耗盡層內(nèi)發(fā)生耗盡層內(nèi)發(fā)生雪崩雪崩擊穿擊穿，ID急劇增大急劇增大，進(jìn)入進(jìn)入擊穿擊穿區(qū)，區(qū)， 此時(shí)此時(shí)電壓為電壓為BVDSp輸出特性輸出特性曲線：曲線：VGSVT的某常數(shù)時(shí)，的某常數(shù)時(shí)，ID隨隨VDS的變

12、化曲線的變化曲線4.1 MOSFET I-V特性定性分析特性定性分析on溝增強(qiáng)型溝增強(qiáng)型MOSFET器件源漏器件源漏ID-VDS特性曲線簇特性曲線簇oVGS不同，不同，ID隨隨VDS變化物理過程變化物理過程與上述分析與上述分析相同，曲線變化趨勢(shì)也相同相同，曲線變化趨勢(shì)也相同oVGS的影響：的影響： u非飽和區(qū)：非飽和區(qū)：VGS增大，增大，Qn=COX(VGS-VT)增大，所以對(duì)同一增大，所以對(duì)同一VDS，ID增大增大u飽和點(diǎn)：飽和點(diǎn)：VDS(sat)= VGS-VT，VGS增大，增大，VDS(sat)也增大。也增大。u飽和區(qū)飽和區(qū)：VGS增大增大， Qn=COX(VGS-VT)增大，增大，飽和

13、電流飽和電流也增大也增大4.1 MOSFET I-V特性定性分析特性定性分析4.1 MOSFET I-V轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性p轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移特性曲線：特性曲線： VDS 為為0的的某常數(shù)時(shí)，某常數(shù)時(shí)，ID隨隨VGS的變化曲線的變化曲線uVGS增大，增大， Qn=COX(VGS-VT)增大，飽和電流也增大增大，飽和電流也增大VGSPMOSFETNMOSFET增強(qiáng)型增強(qiáng)型NMOS耗盡型耗盡型NMOS增強(qiáng)型增強(qiáng)型PMOS耗盡型耗盡型PMOS4.1 MOSFET I-V輸出特性輸出特性4.1 MOSFET I-V特性定量分析特性定量分析p型襯底、n型溝道MOSFET0DSVTGSVV0BSV0DI0o溝道電流沿

14、水平方向（溝道電流沿水平方向（X方向），柵與方向），柵與溝道之間電流溝道之間電流=0o溝道電流為多子漂移電流，載流子遷移溝道電流為多子漂移電流，載流子遷移率為常數(shù)率為常數(shù)o緩變溝道近似（長溝器件），即垂直于緩變溝道近似（長溝器件），即垂直于溝道方向上的電場(chǎng)變化遠(yuǎn)大于平行于溝溝道方向上的電場(chǎng)變化遠(yuǎn)大于平行于溝道方向上的電場(chǎng)變化，道方向上的電場(chǎng)變化，EX為常數(shù)為常數(shù)o溝道中可動(dòng)面電荷密度溝道中可動(dòng)面電荷密度 Qn(x)=COX(VGX-VT)沿沿X方向方向“緩緩變變”o面電荷密度另一種表示面電荷密度另一種表示Qn(x)=en(x)h(x) 式中式中h(x)為為X處導(dǎo)電溝道的厚度處導(dǎo)電溝道的厚度20

15、22-3-254.1 MOSFET I-V特性特性:基本假設(shè)基本假設(shè)4.1 MOSFET I-V特性定量分析特性定量分析p歐姆定律：歐姆定律：dVx=IDdR(x),p根據(jù)定義根據(jù)定義Qn(x)=en(x)h(x)，p根據(jù)根據(jù)MOS結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)Qn(x)=COX(VGX-VT)()()(1)(dxWQdxxWhdxxnexRndxdV-V-VVCWxdRdVIxxTGSoxnxD)()(xLVDdVdxIDS00)()(222DSDSTGSoxnDVVVVLCWI)()()(dTGXoxnVVWCdxxWQdxxR)()(1)()()(dxWhdxxnexWhdxxxR2022-3-254.1 M

16、OSFET I-VI-V特性特性: :溝道電流溝道電流)(222DSDSTGSoxnDVVVVLCWI)0)(22)(2satDSDSTGSDSDSTGSoxnDVVVVVVVVLCWI，（當(dāng)o漏源電流強(qiáng)度漏源電流強(qiáng)度o成立條件成立條件o非飽和區(qū)非飽和區(qū)IV公式公式)(0satDSDSTGSVVVV，2022-3-254.1 MOSFET I-VI-V特性特性: :線性區(qū)與飽和區(qū)線性區(qū)與飽和區(qū)，處于飽和區(qū)若無關(guān)與TGSDSDSTGSoxnsatDVVVVVVLCWI2)()(2，處于線性區(qū)若TGSDSDSDSTGSoxnDVVVVVVVLCWI)()(222DSDSTGSoxnDVVVVLCW

17、I2022-3-254.1 MOSFET I-VI-V特性特性: :提高器件提高器件IDID驅(qū)動(dòng)能力的途徑驅(qū)動(dòng)能力的途徑oxoxsDtLWQoxLtWI表面平整度），111（）100優(yōu)選晶面（表面u同一個(gè)同一個(gè)IC中，不同晶體管的中，不同晶體管的COX以及以及VT相同，控制不同相同，控制不同MOS器件器件溝道的溝道的W/L可控制電流大小?？煽刂齐娏鞔笮　?L最小值取決于工藝水平最小值取決于工藝水平.u在工作電壓范圍內(nèi)，適當(dāng)提高器件偏置電壓在工作電壓范圍內(nèi)，適當(dāng)提高器件偏置電壓VGS材料參數(shù)材料參數(shù)設(shè)計(jì)參數(shù)設(shè)計(jì)參數(shù)工藝參數(shù)工藝參數(shù)TGSDSTGSTGSDSDSTGSDSDSTGSDVVVVVVV

18、VVVVVVVVI，22)(2,)(21)(LCWOXn2022-3-254.1 MOSFET 和和V VT T的測(cè)試提取方法的測(cè)試提取方法DSTGSoxnDVVVLCWI)(特性基于線性區(qū)GSDVITnDSoxnVLVCW橫軸截距斜率特性基于飽和區(qū)SDVIGTnoxnVLCW橫軸截距斜率2)(2)(TGSoxnsatDVVLCWI高場(chǎng)下遷移率隨高場(chǎng)下遷移率隨電場(chǎng)上升而下降電場(chǎng)上升而下降存在亞閾值電流存在亞閾值電流n溝耗盡型溝耗盡型n溝增強(qiáng)型溝增強(qiáng)型2022-3-254.1 MOSFET 跨導(dǎo)跨導(dǎo): :模型模型常數(shù)DSVGSDmVIgo 跨導(dǎo)：跨導(dǎo)：VDS一定時(shí)，漏電流隨一定時(shí)，漏電流隨VGS

19、變化率變化率： o 又稱晶體管增益又稱晶體管增益: 表征表征FET放大能力的重要參數(shù)，反映放大能力的重要參數(shù)，反映了了VGS 對(duì)對(duì) ID 的控制能力的控制能力o 單位單位 S(西門子西門子)，一般為幾毫西，一般為幾毫西 (mS) 2022-3-254.1 MOSFET 跨導(dǎo)跨導(dǎo): :表達(dá)式表達(dá)式常數(shù)DSVGSDmVIg無關(guān)與非飽和區(qū)（含線性區(qū)，GSDSDSoxnmLDSDSTGSoxnDsatDSDSVVVLCWgVVVVLCWIVV)(22)02)(無關(guān)與飽和區(qū)（DSVTVGSVTVGSVLoxCnWmsgTVGSVLoxCnWDIsatDSVDSV)(2)(2)(o 器件放大應(yīng)用，一般工作

20、在飽和區(qū)。原因？器件放大應(yīng)用，一般工作在飽和區(qū)。原因？uVGS一定時(shí)，飽和區(qū)跨導(dǎo)一定時(shí)，飽和區(qū)跨導(dǎo)線性區(qū)跨導(dǎo)線性區(qū)跨導(dǎo) 2022-3-254.1 MOSFET 跨導(dǎo)跨導(dǎo):提高途徑提高途徑p增大增大(W/L)，（通過版圖設(shè)計(jì)保證），（通過版圖設(shè)計(jì)保證）p增大增大COX，（減小氧化層厚度；采用高，（減小氧化層厚度；采用高k介質(zhì)）介質(zhì)）p增大增大(VGS-VT)，（增大，（增大VGS，減小，減小VT）無關(guān)與飽和區(qū)（DSVTVGSVTVGSVLoxCnWmsgTVGSVLoxCnWDIsatDSVDSV)(2)(2)(2022-3-254.1 MOSFET （溝道電導(dǎo)）漏導(dǎo)（溝道電導(dǎo)）漏導(dǎo): :模型模

21、型常數(shù)GSVDSDdVIg無關(guān)與線性區(qū)，DSGSTGSoxndLDSTGSoxnDsatDSDSVVVVLCWgVVVLCWIVV)()(0)(無關(guān)與飽和區(qū)（DSdsTGSoxnDsatDSDSVgVVLCWIVV,0)(2)2)(o 溝道電導(dǎo)（漏導(dǎo)）：溝道電導(dǎo)（漏導(dǎo)）：VGS一定時(shí)，漏電流隨一定時(shí)，漏電流隨VDS的變化率的變化率2022-3-254.1 MOSFET 源漏間的有效電阻源漏間的有效電阻Rds）（）（TGSOXTGSLVVWCLVVR1g1don趨于，理想odsdsog1RRRo源漏間的有效電阻源漏間的有效電阻Rds: 溝道溝道電導(dǎo)的倒數(shù)電導(dǎo)的倒數(shù)u線性區(qū)導(dǎo)通電阻：表明線性區(qū)導(dǎo)通能力線性區(qū)導(dǎo)通電阻：表明線性區(qū)導(dǎo)通能力u飽和區(qū)輸出電阻飽和區(qū)輸出電阻p增加線性區(qū)溝道電導(dǎo)的途徑？增加線性區(qū)溝道電導(dǎo)的途徑？u非飽和區(qū)漏導(dǎo)等于飽和區(qū)跨導(dǎo)非飽和區(qū)漏導(dǎo)等于飽和區(qū)跨導(dǎo)u同增加飽和區(qū)跨導(dǎo)的途徑同增加飽和區(qū)跨導(dǎo)的途徑)(TGSoxndLVVLCWg0dsg理想2022-3-254.1 MOSFET 襯底偏置效應(yīng)(1)0必須反偏或零偏