第2章_邏輯門電路--tang2稿

1、第第2章章 邏輯門電路邏輯門電路2.1 二極管和三極管的開關(guān)特性2.2 TTL門電路2.3 CMOS門電路 實現(xiàn)輸入邏輯變量與輸出邏輯變量之間某種基本邏輯實現(xiàn)輸入邏輯變量與輸出邏輯變量之間某種基本邏輯運算或復合邏輯運算的電路稱為邏輯門電路，簡稱門電路。運算或復合邏輯運算的電路稱為邏輯門電路，簡稱門電路。 常用的邏輯門電路有：與門、或門、非門、與非門、或常用的邏輯門電路有：與門、或門、非門、與非門、或非門、與或非門、異或門和同或門等。非門、與或非門、異或門和同或門等。 邏輯門電路通常是集成電路，分為雙極型和邏輯門電路通常是集成電路，分為雙極型和MOSMOS 。TTLTTL門和門和CMOSCMOS

2、門特性優(yōu)良，是集成電路的主流產(chǎn)品門特性優(yōu)良，是集成電路的主流產(chǎn)品。 在門電路中，晶體管和在門電路中，晶體管和MOSMOS管工作開關(guān)狀態(tài)。管工作開關(guān)狀態(tài)。2.1二極管和三極管的開關(guān)特性二極管和三極管的開關(guān)特性2.1.1 二極管的開關(guān)特性2.1.2 三極管的開關(guān)特性 邏輯輸入信號（高電平或低電平）通常使門電路中的二極管、雙極型三極管和場效應管工作在開關(guān)狀態(tài)（導通或截止狀態(tài)），導致輸出亦為邏輯信號（高電平或低電平），從而電路實現(xiàn)一定的輸入輸出邏輯關(guān)系。因此，電子元件的開關(guān)特性是實現(xiàn)邏輯門電路的基礎(chǔ)。2.1.1 二極管的開關(guān)特性二極管的開關(guān)特性1二極管的開關(guān)作用二極管的開關(guān)作用當當 ，二極管截止，等效

3、為開關(guān)斷開，二極管截止，等效為開關(guān)斷開0iVvVthBR時，當當 ，二極管導通，二極管導通，等效為開關(guān)閉合等效為開關(guān)閉合0iVvth時，2 二極管的開關(guān)時間二極管的開關(guān)時間 由于二極管的由于二極管的PN結(jié)具有等結(jié)具有等效電容，二極管的通斷就伴隨著效電容，二極管的通斷就伴隨著電容的充放電，所以，二極管的電容的充放電，所以，二極管的通斷轉(zhuǎn)換需要一定時間。二極管通斷轉(zhuǎn)換需要一定時間。二極管通斷轉(zhuǎn)換的時間既是二極管的開通斷轉(zhuǎn)換的時間既是二極管的開關(guān)時間。關(guān)時間。1 1）開通時間）開通時間t tonon：二極管從截止轉(zhuǎn)：二極管從截止轉(zhuǎn)為導通所需的時間。為導通所需的時間。2 2）反向恢復時間）反向恢復時間

4、t trere：二極管從導：二極管從導通轉(zhuǎn)為截止所需的時間，它由通轉(zhuǎn)為截止所需的時間，它由2 2段段時間組成，即存儲時間時間組成，即存儲時間t ts s和渡越時和渡越時間間t tt t，t trere=t=ts s+t+tt t。 + v - i RL + Iv- 圖圖 2.1.2 二極管的開關(guān)二極管的開關(guān)時間時間 （a） 二極管開關(guān)電路二極管開關(guān)電路 (b) 二極管的電流波形二極管的電流波形 O O Iv VF -VR IF -IR t t i IS ts tt ton 3PN結(jié)的存儲電荷結(jié)的存儲電荷 PNPN結(jié)的結(jié)的正向?qū)ㄕ驅(qū)ㄟ^程：正向過程：正向電壓削弱電壓削弱PNPN結(jié)的勢壘電場，

5、結(jié)的勢壘電場，N N區(qū)區(qū)的電子向的電子向P P區(qū)擴散并建立電子濃區(qū)擴散并建立電子濃度分布，度分布，P P區(qū)的空穴向區(qū)的空穴向N N區(qū)擴散并區(qū)擴散并建立空穴濃度分布。建立空穴濃度分布。由于濃度不由于濃度不同，穿越同，穿越PN結(jié)的電荷繼續(xù)擴散，結(jié)的電荷繼續(xù)擴散，形 成 連 續(xù) 的 正 向 電 流 。形 成 連 續(xù) 的 正 向 電 流 。 從截止形成穩(wěn)定的正向電流從截止形成穩(wěn)定的正向電流的過程就是二極管的導通時間的過程就是二極管的導通時間ton 。存儲電荷：存儲電荷：距距PN結(jié)越遠，電荷濃度越低；結(jié)越遠，電荷濃度越低；正向電流越大，電荷的濃度梯度越大，存儲電荷越多。正向電流越大，電荷的濃度梯度越大，

6、存儲電荷越多。 圖圖2.1.3 PN結(jié)的存儲電荷結(jié)的存儲電荷 + - IF P區(qū)區(qū) N區(qū)區(qū) n-存儲電荷濃度存儲電荷濃度 nN電子濃度電子濃度 nP空穴濃度空穴濃度 x距離距離 o LN LP + - iR P區(qū)區(qū) N區(qū)區(qū) 圖圖2.1.4 PN存儲電荷的驅(qū)散存儲電荷的驅(qū)散 PN結(jié)截止過程：結(jié)截止過程：在反向電壓的作用下，在反向電壓的作用下，N區(qū)的空穴存儲電荷被電場趕回到區(qū)的空穴存儲電荷被電場趕回到P區(qū)，區(qū)，P區(qū)的電子存儲電荷被電場趕回到區(qū)的電子存儲電荷被電場趕回到N區(qū)，區(qū)，形成反向電流，形成反向電流，驅(qū)散存儲電荷。驅(qū)散存儲電荷。驅(qū)散存儲電荷的時間就是存儲時間驅(qū)散存儲電荷的時間就是存儲時間ts

7、。在存儲電荷驅(qū)散后，在存儲電荷驅(qū)散后，PN結(jié)的空間電荷區(qū)變寬，逐漸恢復到結(jié)的空間電荷區(qū)變寬，逐漸恢復到PN結(jié)通過反向飽和電流結(jié)通過反向飽和電流IS，這段時間就是渡越時間，這段時間就是渡越時間tt。 通常，開通時間通常，開通時間ton和反向恢復時間和反向恢復時間tre為納秒級，為納秒級，tre= ts+ttton , tstt。所以，二極管的開關(guān)時間主要取決于。所以，二極管的開關(guān)時間主要取決于PN存儲電荷的驅(qū)散時間存儲電荷的驅(qū)散時間ts。2.1.2三極管的開關(guān)作用特性三極管的開關(guān)作用特性 1. 三極管的開關(guān)作用三極管的開關(guān)作用電路電路輸入特性輸入特性輸出特性輸出特性 ( a ) ( b ) (

8、c )Vth BEv Bi O VCES CEv Ci O VCC cCCRV 0= =Bi IB4 IB3=IBS IB2 IB1 A B Iv CEv Ci Bi CCV BEv Rb RcC 當輸入電壓為低電平，使當輸入電壓為低電平，使 三極管處于截止狀態(tài)，三極管處于截止狀態(tài)，ce之間等效為開關(guān)斷開。之間等效為開關(guān)斷開。時，thBEVv當輸入電壓為高電平，使當輸入電壓為高電平，使 ，使三極管工作在輸出，使三極管工作在輸出特性的特性的B點，處于臨界飽和狀態(tài)。點，處于臨界飽和狀態(tài)。ce之間等效為開關(guān)閉合。之間等效為開關(guān)閉合。時BSBIi = 在數(shù)字電路中，邏輯輸入信號通常使三極管工作在在數(shù)字

9、電路中，邏輯輸入信號通常使三極管工作在截止或飽和狀態(tài)，稱為開關(guān)狀態(tài)。截止或飽和狀態(tài)，稱為開關(guān)狀態(tài)。CSBSBBIIii=飽和條件：截止條件：0cCCcCESCCCSRVRVVI= Iv CEv Ci Bi CCV BEv Rb RcC 表表2.2.1 NPN三極管的工作狀態(tài)及特點三極管的工作狀態(tài)及特點工作狀態(tài)工作狀態(tài) 截截 止止 放放 大大 飽飽 和和 條條 件件 0 Bi CSBSBIIi= = 0 CSBSBIIi= = PNPN 結(jié)偏置結(jié)偏置 發(fā)射結(jié)反偏發(fā)射結(jié)反偏 集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏 發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏 發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)正偏集電結(jié)正偏 集電極電流集電

10、極電流 0 Ci BCii CSBSBIIi= = 集射電壓集射電壓 圖圖 2.12.1. .5 5(a)(a) CCCEVv cCCCCERiVv = = VVvCESCE3 . 02 . 0 = = 特特 點點 集射等效電阻集射等效電阻 約為數(shù)百千歐約為數(shù)百千歐 等效為開關(guān)斷開等效為開關(guān)斷開 可變可變 約為數(shù)百歐姆約為數(shù)百歐姆 等效為開關(guān)閉合等效為開關(guān)閉合 2 三極管的開關(guān)時間三極管的開關(guān)時間 三極管的開關(guān)過程與二極管相似，也要經(jīng)歷一個電荷的建三極管的開關(guān)過程與二極管相似，也要經(jīng)歷一個電荷的建立與驅(qū)散過程，表現(xiàn)為三極管的飽和與截止兩種狀態(tài)相互轉(zhuǎn)換立與驅(qū)散過程，表現(xiàn)為三極管的飽和與截止兩種狀

11、態(tài)相互轉(zhuǎn)換需要一定的時間。三極管飽和與截止兩種狀態(tài)轉(zhuǎn)換的時間既是需要一定的時間。三極管飽和與截止兩種狀態(tài)轉(zhuǎn)換的時間既是三極管的開關(guān)時間。三極管的開關(guān)時間。設(shè)輸入電壓的高電平設(shè)輸入電壓的高電平VIH和低電平和低電平VIL滿足下述條件：滿足下述條件：截止飽和thILBEbBSIHVVVRIVIv CEvCi Bi CCV BEv Rb RcO Iv VIH VIL ICS 0.9ICS t t ts tf td O tr 0.1ICS Ci 設(shè)輸入電壓的高電平設(shè)輸入電壓的高電平VIH和低電平和低電平VIL滿足下述條件：滿足下述條件：截止飽和thILBEbBSIHVVVRIV O Iv VIH VI

12、L ICS 0.9ICS t t ts tf td O r 0.1ICS Ci 根據(jù)集電極電流波形，三極管的開關(guān)根據(jù)集電極電流波形，三極管的開關(guān)時間用下述參數(shù)描述：時間用下述參數(shù)描述：1)1)延遲時間延遲時間t td d：從正跳變開始到從：從正跳變開始到從0 0上升至上升至0.1I0.1ICSCS所需的時間；所需的時間；2)2)上升時間上升時間t tr r：從：從0.1I0.1ICSCS上升至上升至0.9I0.9ICSCS所需的時間；所需的時間；3)3)存儲時間存儲時間t ts s：從負跳變開始到從：從負跳變開始到從I ICSCS下降至下降至0.9I0.9ICSCS所需的時間；所需的時間； 三

13、極管的開關(guān)時間一般為三極管的開關(guān)時間一般為ns數(shù)量級，并且數(shù)量級，并且toffton、tstf。基區(qū)存儲電荷是影響三極管開關(guān)速度的主要因素?；鶇^(qū)存儲電荷是影響三極管開關(guān)速度的主要因素。4）下降時間）下降時間t tf f：從：從0.9I0.9ICSCS下降至下降至0.1I0.1ICSCS所需的時間；所需的時間；5）開通時間）開通時間t tonon：從截止轉(zhuǎn)換到飽和所需的時間，：從截止轉(zhuǎn)換到飽和所需的時間，t tonon=t=td d+t+tr r；6）關(guān)閉時間）關(guān)閉時間toff：從飽和轉(zhuǎn)換為截止所需的時間，：從飽和轉(zhuǎn)換為截止所需的時間，toff=ts+tf。t 三極管的開關(guān)時間一般為三極管的開關(guān)

14、時間一般為ns數(shù)量級，并且數(shù)量級，并且toffton、tstf?；鶇^(qū)存儲電荷是影響三極管開關(guān)速度的主要因素?；鶇^(qū)存儲電荷是影響三極管開關(guān)速度的主要因素。 提高開關(guān)速度的方法是：開通時加大基極驅(qū)動電流，關(guān)斷提高開關(guān)速度的方法是：開通時加大基極驅(qū)動電流，關(guān)斷時快速泄放存儲電荷。時快速泄放存儲電荷。2.2 TTL門電路2.2.1 TTL非門的工作原理2.2.2 TTL非門的特性2.2.3 TTL與非門/或非門/與或非門2.2.4 TTL 集電極開路門和三態(tài)門*2.2.5 TTL 門電路的產(chǎn)品系列TTL-Transistor Transistor LogicTTLTTL有與、或、非、與非、或非、異或、

15、同或、有與、或、非、與非、或非、異或、同或、與或非等邏輯門，它們的工作原理相似。與或非等邏輯門，它們的工作原理相似。 2.2.1 TTL非門的工作原理非門的工作原理 圖圖 2.2.1 TTL 非門非門 A VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 1.電路組成電路組成TTL門一般由3級組成：輸入級、中間級和輸出級輸入級輸入級：信號緩沖輸入中間級：輸出兩個相位相反的倒相信號 中間級輸出級輸出級：推拉式輸出電路，無論輸出高電平或低電平，輸出級的輸出電阻都很低，帶負載能力強。2.2.1 T

16、TL非門的工作原理非門的工作原理 圖圖 2.2.1 TTL 非門非門 A VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 1 1）輸入低電平）輸入低電平（V VILIL=0.3 V=0.3 V）輸入低電平時，輸出為高電平。輸入低電平時，輸出為高電平。2.工作原理工作原理=0110YAYAAYVIL=0.3 V1 V0.4V5 V4.3 3.6VT T1 1深飽和深飽和T T2 2、T T5 5截止截止T T3 3 臨界飽和，臨界飽和，T T4 4放大，形成射放大，形成射極輸出器，輸出電阻小

17、。極輸出器，輸出電阻小。T T1 1深飽和深飽和T T2 2、T T5 5截止截止T T3 3 臨界飽和，臨界飽和，T T4 4放大，形成射放大，形成射極輸出器，輸出電阻小。極輸出器，輸出電阻小。 圖圖 2.2.1 TTL 非門非門 A VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 輸入高電平輸入高電平（VIH=3.6 V）mARVVIBCC131 . 25111=輸入高電平，輸出為低電平。輸入高電平，輸出為低電平。 VIH=3.6 V2.1V1.4V0.7V0.3V1V0.3T T2

18、2、T T5 5飽和飽和T T1 1處于倒置狀態(tài)處于倒置狀態(tài)T T3 3放大狀態(tài)，放大狀態(tài)，T T4 4截止截止綜上所述，輸入低電平綜上所述，輸入低電平時，輸出為高電平；輸時，輸出為高電平；輸入高電平時，輸出為低入高電平時，輸出為低電平。實現(xiàn)了邏輯非電平。實現(xiàn)了邏輯非AY = 無論輸出低電平或是高電平，無論輸出低電平或是高電平，TTL非門的推拉輸出級輸出電阻非門的推拉輸出級輸出電阻均很小，帶負載能力強。而且均很小，帶負載能力強。而且T4和和T5總是一個導通、另一個就截總是一個導通、另一個就截止。止。 圖圖 2.2.1 TTL 非門非門 A VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2

19、750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 3工作速度的提高工作速度的提高輸入輸入T1T2、T5T3T4輸出低電平低電平深飽和深飽和截止截止臨界飽和臨界飽和放大(射極)高電平高電平倒置放大飽和放大截止低電平VIH=3.6 V2.1V1.4V0.7V0.3V1V0.31） vI: VIHVIL ， T1放大 T1吸取T2管飽和時的超量存儲電荷，使T2管快速脫離飽和，轉(zhuǎn)換到截止狀態(tài)。 2） TTL門具有推拉輸出級，其輸出電阻很小，與分布電容形成的時間常數(shù)小，故輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)換快。 2.2.2 TTL非門的特性非門的特性1.電壓傳輸特性電壓傳輸特性

20、截止區(qū)截止區(qū)ab段段：vI0.5 V。T1飽和，飽和，VC1=+VCES10.6V ,T2、T5截止，截止，T3和和T4組成復合管射極輸出器，組成復合管射極輸出器，vo=3.6V。線性區(qū)線性區(qū)bc段段:0.5 V vI 1.1 V。T1飽和，飽和，0.6VVC1=+VCES11.2V , T2處于放處于放大狀態(tài)，大狀態(tài)，T5仍然截止，仍然截止，T3和和T4仍然是射極輸出器，仍然是射極輸出器，vo隨隨vI線性減少，斜率為線性減少，斜率為T2級的放大倍數(shù)：級的放大倍數(shù)： 1 . 232=RRdvdvIO 圖圖2.2. 1 TTL非門非門 A VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 7

21、50 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)折區(qū)折區(qū)cdcd段：段：1.2 V1.2 VvI1.3 V1.3 V。T T1 1飽和，飽和，1.3VV1.3VVC1C1= = vI +V+VCES1CES11.4V, T1.4V, T5 5由截止進入放大狀態(tài)由截止進入放大狀態(tài),T,T2 2、T T3 3和和T T4 4的狀態(tài)同的狀態(tài)同前。由于前。由于T T5 5集電極的等效電阻減小快，集電極的等效電阻減小快，vo急劇減少。轉(zhuǎn)折急劇減少。轉(zhuǎn)折區(qū)中點輸入電壓定義為門坎電壓區(qū)中點輸入電壓定義為門坎電壓V Vthth，約為，約為1.3V1.3V。

22、 圖圖2.2. 1 TTL非門非門 A VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 飽和區(qū)飽和區(qū)dede段：段： vI 1.4 V1.4 V。T T1 1處于倒置狀態(tài)，處于倒置狀態(tài)，T T2 2、T T5 5飽和，飽和，T T3 3放大狀態(tài)，放大狀態(tài)，T T4 4截止。截止。vo=0.3V=0.3V。2.輸入噪聲容限輸入噪聲容限定義定義:對于對于TTLTTL反相器，反相器， 在保證輸出高電平在其值域內(nèi)的條件下，在保證輸出高電平在其值域內(nèi)的條件下，輸入低電輸入低電平允許的干擾脈沖最大幅度

23、稱為低電平噪聲容限平允許的干擾脈沖最大幅度稱為低電平噪聲容限VNL 。 同樣，在保證輸出低電平在其值域內(nèi)的條件下，同樣，在保證輸出低電平在其值域內(nèi)的條件下，輸入輸入高電平允許的干擾脈沖最大幅度稱為高電平噪聲容限，高電平允許的干擾脈沖最大幅度稱為高電平噪聲容限，記為記為VNH。設(shè)設(shè) 輸出高電平值域輸出高電平值域：VVOHminOHmin，3.6V3.6V，V VOHminOHmin2V2V 輸出低電平值域輸出低電平值域：0.1V0.1V，V VOLmaxOLmax ，V VOLmaxOLmax 0.5V 0.5V則由傳輸特性確定輸入高、低電平的值域為則由傳輸特性確定輸入高、低電平的值域為 輸入低

24、電平值域：輸入低電平值域：0.0V,V0.0V,VILmaxILmax 輸入高電平值域：輸入高電平值域：VVIHminIHmin,5.0V,5.0V VILmax是對應于輸出電平為是對應于輸出電平為VOHmin的輸入電平，亦稱為的輸入電平，亦稱為關(guān)門電平關(guān)門電平（T5截止）；截止）；VIHmin是對應于輸出電平為是對應于輸出電平為VOLmax的輸入電平，亦稱為的輸入電平，亦稱為開門電平開門電平（T5飽和）。飽和）。G G2 2門門輸入低電平輸入低電平允許的干擾脈沖幅度為：允許的干擾脈沖幅度為：VNL = VILmax - VOLmax G G2 2門門輸入高電平輸入高電平允許的干擾脈沖幅度為：

25、允許的干擾脈沖幅度為：VNH = VOHmin - VIHmin 適當選擇適當選擇VOLmax、VILmax、VIHmin 和和VOHmin，獲得最佳的噪聲容限，獲得最佳的噪聲容限一個門的輸出常常是另一個門的輸入，如圖2.2.3所示。 3.輸入特性輸入特性 輸入特性有輸入伏安特性和輸入負載特性。輸入特性有輸入伏安特性和輸入負載特性。 1)輸入伏安特性輸入伏安特性:輸入電流與輸入電壓之間的關(guān)系曲線輸入電流與輸入電壓之間的關(guān)系曲線 圖圖2.2. 1 TTL非門非門 A VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P

26、Iv Ii Oi Ov 當當 （即（即vI=VIL）時，）時，T1發(fā)射結(jié)導通，發(fā)射結(jié)導通，T2、T5截止，截止， max0ILIVv ISILccIImARVVi=6 . 13051I IISIS稱為輸入短路電流。稱為輸入短路電流。VvVIIH5min當當 （即（即vI=VIH）時，）時， T T1 1發(fā)射結(jié)截止，發(fā)射結(jié)截止，T T2 2、T T5 5飽和，其反向飽和，其反向電流即為高電平輸入電流電流即為高電平輸入電流I IIH IH , ,約為約為40A40A。當當 隨隨v vI I增加，即從增加，即從-1.6mA-1.6mA增加至增加至40A40A。IIHIILiVvV時，minmax 1

27、 Ii 2 Iv(V) 4 IIH= 40 A -IIS 0 VIL max Iv Ii -10mA -20mA 圖2.2. 4非門的輸入伏安特性非門的輸入伏安特性 VIH m in 2)輸入負載特性輸入負載特性 TTL門的輸入端與參考電位之間接電阻門的輸入端與參考電位之間接電阻R，輸入電壓與電阻之間的關(guān)系，輸入電壓與電阻之間的關(guān)系曲線稱為輸入負載特性。曲線稱為輸入負載特性。 當電阻當電阻R很小，使很小，使 時，時，maxILIVv A VVCC5= =R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov RT1

28、發(fā)射結(jié)導通，發(fā)射結(jié)導通，T2、T5截止截止kRRRRRVVvBECCI33 . 4)(11=對應于對應于vI=VIL=0.8V的電阻的電阻稱為稱為關(guān)門（關(guān)門（T5截止）電阻截止）電阻Roff。即當即當 時，時，RRoff Ron=2.0k時時T5飽和導通，故稱飽和導通，故稱Ron為開門電阻。為開門電阻。綜上所述，當綜上所述，當RRon時（包括時（包括R，即輸入端懸，即輸入端懸空），非門輸出低電平，即等效輸入為高電平（邏輯空），非門輸出低電平，即等效輸入為高電平（邏輯1）A VVCC5= =R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N

29、 P Iv Ii Oi Ov RI1 R R() ) Iv(V) 0 Roff Ron 1.4 VILmax 當當RRon=2.0k時，由上式，時，由上式， ，VvI7 . 1T1集電結(jié)導通，集電結(jié)導通，T2、T5飽和，限制飽和，限制VvI4 . 14.輸出特性：輸出特性：帶上負載后，負載電流與輸出電壓的關(guān)系曲線帶上負載后，負載電流與輸出電壓的關(guān)系曲線 。有低電平輸出特性和高電平輸出特性有低電平輸出特性和高電平輸出特性 1）低電平輸出特性）低電平輸出特性 圖圖2.2. 1 TTL 非門非門 A VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2

30、T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 當輸入為高電平（即當輸入為高電平（即vI=VIH）時，輸出為低電平。）時，輸出為低電平。此時，此時， CCV R3 T5 RL Li VOL 非門非門 圖圖 2.2.2.2.6 6 TTL TTL 門低電平輸出等效電路門低電平輸出等效電路 T4截止，截止，T2、T5飽和導通，等效電路如圖飽和導通，等效電路如圖2.2.6。T5可以吸入可以吸入負載電流，稱為負載電流，稱為灌電流。灌電流。 T5飽和時，其集射極之間的等效電阻?。ù蠹s飽和時，其集射極之間的等效電阻小（大約20），），且基本不變，故輸出電壓隨負載電流線性增加且基本不變，故輸出電壓隨負

31、載電流線性增加, 低電平輸出低電平輸出特性如圖特性如圖2.2.7所示。所示。 CCV R3 T5 RL Li VOL 非門非門 圖圖 2.2.2.2.6 6 TTL TTL門低電平輸出電路門低電平輸出電路 圖圖 2.2.2.2.7 TTL7 TTL門門低電平輸出特性低電平輸出特性 VOL(V) Li(mA) 0 20 10 0.2 0.6 ILLmax VOLmax 2）高電平輸出特性）高電平輸出特性 圖圖2.2. 1 TTL非門非門 A VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 輸

32、入低電平（即輸入低電平（即vI=VIL）時，輸出高電平。）時，輸出高電平。此時，此時，T2、T5截止，截止，T3、T4組成射極輸出器組成射極輸出器, 等效電路如圖等效電路如圖2.2.8。T4向負載輸出電流，稱為向負載輸出電流，稱為拉電流。拉電流。 圖圖 2.2.8 TTL2.2.8 TTL 門高電平輸出等效電路門高電平輸出等效電路 CCV RL Li VOH 非門非門 T3 T4 R4 100 當負載電流較?。ㄘ撦d電阻大）時，由于射極輸出器輸當負載電流較?。ㄘ撦d電阻大）時，由于射極輸出器輸出電阻小，輸出電壓基本不變。出電阻小，輸出電壓基本不變。 當負載電流較大（負載電阻?。r，當負載電流較大（

33、負載電阻?。r，R4上的電壓較大，上的電壓較大，使使T3、T4飽和，故輸出電壓基本上隨負載電流線性下降。所飽和，故輸出電壓基本上隨負載電流線性下降。所以，以，R4的作用是限制輸出電流。的作用是限制輸出電流。 圖圖2.2.2.2.9 9 TTL TTL門門高電平輸出特性高電平輸出特性 VOH(V) Li(mA) 0 -5 -10 2 4 圖圖 2.2.8 TTL2.2.8 TTL門高電平輸出等效電路門高電平輸出等效電路 CCV RL Li VOH 非門非門 T3 T4 R4 100 5.扇出系數(shù)扇出系數(shù):驅(qū)動相同系列的驅(qū)動相同系列的TTL門的個數(shù)稱為扇出系數(shù)門的個數(shù)稱為扇出系數(shù),記為記為N。 圖

34、圖2.2. 10 非門的扇出系數(shù)非門的扇出系數(shù) 1 1 1 . . . G1 Ii 當驅(qū)動門當驅(qū)動門G G1 1輸出低電平輸出低電平時，負載門的輸入電流近似等于輸入短時，負載門的輸入電流近似等于輸入短路電流路電流I IISIS。如果。如果G G1 1吸入的最大低電平電流為吸入的最大低電平電流為I ILLmaxLLmax，則驅(qū)動負載，則驅(qū)動負載門的最大個數(shù)為：門的最大個數(shù)為： 1 Ii 2 Iv(V) 4 IIH= 40 A -IIS 0 VILmax Iv Ii -10mA -20mA 圖圖 2.2.4 非門的輸入伏安特性非門的輸入伏安特性 VIHmin 圖圖 2.2.2.2.7 TTL7 T

35、TL 門低電平輸出特性門低電平輸出特性 VOL(V) Li(mA) 0 20 10 0.2 0.6 ILLmax VOLmax ISLLLIINmax=當驅(qū)動門當驅(qū)動門G1輸出高電平時，負載門的輸入電流近似等于高電平輸出高電平時，負載門的輸入電流近似等于高電平輸入電流輸入電流IIH。如果。如果G1輸出的最大高電平電流為輸出的最大高電平電流為ILHmax，則驅(qū)動，則驅(qū)動負載門的最大個數(shù)為：負載門的最大個數(shù)為：IHLHHIINmax=扇出系數(shù)為：扇出系數(shù)為：例如，例如，74H系列門電路的參數(shù)：系列門電路的參數(shù)：IIS=1.6mA, IIH=0.04mA, ILLmax=16mA, ILHmax=0

36、.4mA,則則=ISLLIHLHLHIIIINNNmaxmax,min,min106 . 116,04. 04 . 0min,minmaxmax=ISLLIHLHIIIIN6.傳輸延遲時間傳輸延遲時間1 A Y A Y tPHL tPLH 50% 50% (1)輸出高電平轉(zhuǎn)換為低電平的傳輸延遲時間輸出高電平轉(zhuǎn)換為低電平的傳輸延遲時間tPHL：從輸入上：從輸入上升沿幅值的升沿幅值的50%對應的時刻起，到輸出下降沿幅值的對應的時刻起，到輸出下降沿幅值的50% 對應的時刻止所需的時間。在對應的時刻止所需的時間。在tPHL期間，期間，T5管由截止轉(zhuǎn)換到管由截止轉(zhuǎn)換到飽和，主要對應于飽和，主要對應于T5

37、管的開通時間。管的開通時間。2PLHPHLpdttt=(2)輸出低電平轉(zhuǎn)換為高電平的傳輸輸出低電平轉(zhuǎn)換為高電平的傳輸延遲時間延遲時間tPLH：從輸入下降沿幅值的：從輸入下降沿幅值的50%對應的時刻起，到輸出上升沿對應的時刻起，到輸出上升沿幅值的幅值的50% 對應的時刻止所需的時對應的時刻止所需的時間。在間。在tPLH期間，期間，T5管由飽和轉(zhuǎn)換到管由飽和轉(zhuǎn)換到截止，主要對應于截止，主要對應于T5管的關(guān)斷時間。管的關(guān)斷時間。所 以 ，所 以 ， tP L H大 于大 于 tP H L。(3)平均傳輸延遲時間平均傳輸延遲時間tpd：2.2.3 TTL與非門與非門/或非門或非門/與或非門與或非門1T

38、TL與非門與非門 圖圖 2.2.12 TTL 與非門與非門 (a) 電路電路 (b) 多發(fā)射極三極管等效電路多發(fā)射極三極管等效電路 （c）輸入級等效電路）輸入級等效電路 A B VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 b1 T2 T3 T4 T5 c1 A B T1 b1 c1 c1 b1 (a) (b) （c） A B c1 VVCC5= = R1 3k X X 當當A A、B B都是高電平時都是高電平時，T T1 1的個發(fā)射結(jié)都截止，的個發(fā)射結(jié)都截止，T T2 2、T T5 5飽飽和，輸出低電平；和，輸出低電平； 當當A A、B B中任

39、何一個為低電平中任何一個為低電平時，時，T T1 1中與低電平相連的發(fā)射中與低電平相連的發(fā)射結(jié)導通，結(jié)導通，T T2 2、T T5 5截止，輸出高電平；電路實現(xiàn)與非邏輯。截止，輸出高電平；電路實現(xiàn)與非邏輯。ABY =X=AB 2TTL或非門或非門 圖圖2.2.13 TTL 或非或非門門 A R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 T1 B T2 R1 3k VVCC5= = (3)當當A為高電平時為高電平時，T1的發(fā)的發(fā)射結(jié)截止，射結(jié)截止，T2、T5飽和，輸飽和，輸出低電平；出低電平；(1) 當當A、B都是低電平時，都是低電平時，T1

40、和和T1的發(fā)射結(jié)都導通，的發(fā)射結(jié)都導通，T2 、T2和和T5截止，輸出高電平；截止，輸出高電平；(2) 當當B為高電平時為高電平時，T1的發(fā)射結(jié)截止，的發(fā)射結(jié)截止，T2、T5飽和，輸出低飽和，輸出低電平；電平；(4)當當A和和B都為高電平時，都為高電平時，T1和和T1的發(fā)射結(jié)都截止，的發(fā)射結(jié)都截止，T2、T2、T5飽和，輸出低飽和，輸出低電平。電平。電路實現(xiàn)或非邏輯電路實現(xiàn)或非邏輯BAY=3TTL與或非門與或非門 圖圖 2.2.13 TTL 或非或非門門 A R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 T1 B T2 R1 3k VVCC

41、5= = 圖圖 2.2.14 TTL 與與或非門或非門 A B R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 T1 C D T2 R1 3k VVCC5= = X Z BAY= 或非門電路比較可知，或非門電路比較可知， T1和和T1改為多發(fā)射極改為多發(fā)射極三極管，分別實現(xiàn)三極管，分別實現(xiàn)X=AB、Z=CD。所以。所以:CDABZXY=2.2.4 TTL 集電極開路門和三態(tài)門集電極開路門和三態(tài)門 圖圖 2.2.15 TTL 與非門與非門并聯(lián)并聯(lián) - 電路燒壞電路燒壞！ A B VVCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 750 R3

42、 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 C D VVCC5= = R1 3k R4 100 X R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 G1 G2 AB=0CD=1普通TTL門輸出端不能并聯(lián)！ 實際中希望并聯(lián)。因為通過并聯(lián)可以擴展或增強的路的功能。TTL 集電極開路門和三態(tài)門的輸出端可以并聯(lián)。集電極開路門和三態(tài)門的輸出端可以并聯(lián)。 符號符號“”表示集電極開路表示集電極開路, OC門正常使用時，門正常使用時，必須外接電必須外接電阻阻R，與，與T5形成反相器。整個電路實現(xiàn)與非邏輯功能形成反相器。整個電路實現(xiàn)與非邏輯功能ABY = OC OC與非門輸出端可以

43、并聯(lián)，如圖（與非門輸出端可以并聯(lián)，如圖（b b）。只有）。只有Y Y1 1和和Y Y2 2同時為同時為高電平時，高電平時，Y Y才為高電平，即才為高電平，即Y= YY= Y1 1Y Y2 2，OCOC門的并聯(lián)線實現(xiàn)門的并聯(lián)線實現(xiàn)邏輯邏輯與與，簡稱為，簡稱為線與線與。所以。所以CDABCDABYYY=211.集電極開路門（集電極開路門（OC門門& & CCV A B C D 1Oi R 圖圖2.2.18 OC與非門外接電阻的計算與非門外接電阻的計算 G1 . . . 1 1 . . . Gn G1 Gm Oni 1Ii Imi Ri Ov )(IoCCRCCOminiRVRiVv

44、=(1)當OC門輸出高電平時，OC 門的輸出電流為IOH（等于T5管的穿透電流）,負載門輸入電流為IIH, min)()(OHIHOHCCIoCCOVmInIRVminiRVv=minmaxmaxRmIIVVRISOLOLCC=maxminRmInIVVRIHOHOHCC=(2)當OC門輸出低電平時，以及灌入一個OC 門的電流不超過其最大允許值IOLmax。此時負載門的輸入電流近似為輸入短路電流-IIS,maxmax)()(OLISOLCCIoCCOVmIIRVminiRVv=上拉電阻R的計算maxminRRR2.三態(tài)三態(tài)TTL門門 圖圖 2.2.19 TTL TSL 與非門與非門 A B V

45、VCC5= = R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 EN R6 3k R7 T6 T7 T8 TSL鉗位電路鉗位電路 & EN & EN (a) (b) (c) 三態(tài)門三態(tài)門,簡稱為簡稱為TSL門（門（Tristate Logic）。它的輸出除了常）。它的輸出除了常規(guī)的高電平、低電平外，還有高阻抗狀態(tài)。規(guī)的高電平、低電平外，還有高阻抗狀態(tài)。當當使能輸入端使能輸入端 EN=1(EN=1(高電平高電平) )時，時，T T7 7飽和，飽和，T T8 8截止：截止：ABABENABY=1 當當EN=0(低電平低電平)時時，

46、T7截止，截止，T8飽和，導致飽和，導致T3、T4、T2和和T5截止，輸出電阻大，即為截止，輸出電阻大，即為高阻態(tài)高阻態(tài)，記為，記為X?！啊北硎颈硎?態(tài)輸出態(tài)輸出TSL門的應用門的應用 X1XnijXXjji=EN=0，G1工作，輸入EN=1， G2工作，輸出*2.2.5 TTL 門電路的產(chǎn)品系列1。TTL門的產(chǎn)品系列號為：74/54、74H/54H、74S/54S、74LS/54LS、 74AS/54AS和74ALS/54ALS。2。在系列號后的數(shù)字則是品種代號，品種代號相同的門功能相同。例如，7400和74H00都是2輸入與非門，僅是系列不同。3。而74和54系列的區(qū)別僅是工作溫度和電源電

47、壓的變化范圍不同，其他相同。 74系列的工作環(huán)境溫度規(guī)定為070 oC 電源電壓的工作范圍是5V5% 54系列的工作環(huán)境溫度規(guī)定為-55-+125 oC 電源電壓的工作范圍是5V10% 說明54系列比74系列性能好。 表2.2.2 不同系列TTL門的特性比較74/5474H/54H74S/54S74LS/54LS74AS/54AS74ALS/54ALS平均傳輸時間tpd (nS)1064101.54每門功耗P(mW)1022.5202201延時功耗積(nSmW)1001358020304不同系列TTL門的特性和電路見教材和手冊2.3 CMOS門電路門電路2.3.1 MOS管的開關(guān)特性2.3.2

48、 CMOS反相器的工作原理2.3.3 CMOS反相器的特性2.3.4 CMOS與非門/或非門2.3.5 CMOS 傳輸門/三態(tài)門/異或門*2.3.6 BiCMOS 門電路 由于CMOS和BiCMOS門電路性能優(yōu)秀，成為門電路的主流產(chǎn)品。本節(jié)主要介紹CMOS門電路，然后簡要介紹BiCMOS門電路。 同時包含NMOS管和PMOS管的門電路稱為互補對稱MOS門電路，即CMOS門電路。 CMOS工藝與雙極型工藝相結(jié)合形成的門電路稱為BiCMOS門。 2.3.1 MOS管的開關(guān)特管的開關(guān)特1NMOS管的開關(guān)特性管的開關(guān)特性 為了使P型襯底和源區(qū)及漏區(qū)間的PN結(jié)截止，P型襯底必須接電位最低的節(jié)點（通常是N

49、MOS管的源極）。 在很多情況下，P型襯底直接接電位最低的節(jié)點，而不與源極相連，這時漏極與源極可以互換使用。 圖 2.3.1 NMOS 管的結(jié)構(gòu)、電路符號、轉(zhuǎn)移特性和輸出特性 N+ P 型襯底 S G D -GSv+ N+ - DSv + VTN GSv Di(mA) O DSv Di(mA) O TNV3 TNV5 . 2 TNV2 TNV Di D G S B Di B SiO2 1 4 IDN 截止區(qū) 可變電阻區(qū) D G S Di 標準符號 簡化符號 2.3.1 MOS管的開關(guān)特管的開關(guān)特1NMOS管的開關(guān)特性管的開關(guān)特性 圖 2.3.1 NMOS 管的結(jié)構(gòu)、電路符號、轉(zhuǎn)移特性和輸出特性

50、 N+ P 型襯底 S G D -GSv+ N+ - DSv + VTN GSv Di(mA) O DSv Di(mA) O TNV3 TNV5 . 2 TNV2 TNV Di D G S B Di B SiO2 1 4 IDN 截止區(qū) 可變電阻區(qū) D G S Di 標準符號 簡化符號 當 時,無導電溝道，源漏之間2個背靠背的PN結(jié)總有一個截止 (nA級)，DS之間的截止電阻可達108量級，等效為開關(guān)斷開。 TNGSVvTNGSVvDSv0Di 當 時, P型襯底中的電子受柵極上正電荷的吸引在柵極下形成導電層，連接個2個N+島形成N型導電溝道，在 的作用下形成電流， (mA),工作在可變電阻區(qū)

51、，等效為開關(guān)閉合。TNDSTNGSTNGSONVvVvVvKR=,)(21K是常數(shù)，與溝道的寬長比和半導體材料有關(guān)。Ron約為1k。性質(zhì)有關(guān)。與溝道的寬長比和材料是常數(shù),K可變電阻區(qū)導通電阻與成反比 圖 2.3.2 NMOS 管的開關(guān)特性 D G S R Iv VDD=5V Ov CL 電容放電 電容充電 Iv Ov 因為因為Ron約為1k。為確保輸出電壓小于為確保輸出電壓小于0.3V（低電平），（低電平），電阻電阻R必須大于必須大于20k。 當當 時，時，NMOS管導通，電容放電，時間常數(shù)管導通，電容放電，時間常數(shù)達達nS級。級。TNIHIVVv= 當當 時，時，NMOS管截止，電容充電，充

52、電時間管截止，電容充電，充電時間常數(shù)大于放電時間常數(shù)，達常數(shù)大于放電時間常數(shù)，達100nS左右左右,故輸出的上升沿比下降故輸出的上升沿比下降沿慢。沿慢。TNILIVVv=2PMOS管的開關(guān)特性管的開關(guān)特性 PMOSPMOS管的特性亦與管的特性亦與NMOSNMOS管相似。區(qū)別是，開啟電壓管相似。區(qū)別是，開啟電壓V VTPTP為為負值，即柵極電位低于源極電位負值，即柵極電位低于源極電位|V|VTPTP|,PMOS|,PMOS管導通管導通, ,否則截止。否則截止。源極電位高于漏極電位，形成流出漏極的導通電流。源極電位高于漏極電位，形成流出漏極的導通電流。N N型襯底型襯底必須接電位最高的節(jié)點（通常是

53、必須接電位最高的節(jié)點（通常是PMOSPMOS管的源極）。管的源極）。2.3.2 CMOS反相器的工作原理反相器的工作原理 當當 時，時， ， NMOS管截止，管截止，PMOS導通（可變電阻區(qū)）。即導通（可變電阻區(qū)）。即 ， ，輸出高電平，輸出高電平0=IvDDGSPGSNVvv= ，0810NR310PR 當當 時，時， ，NMOSNMOS管導通（可變電管導通（可變電阻區(qū)），阻區(qū)），PMOSPMOS截止。即截止。即 ， ，輸出低電平，輸出低電平DDIVv =0=GSPDDGSNvVv，310NR810PR綜上所述，電路實現(xiàn)邏輯非綜上所述，電路實現(xiàn)邏輯非AY =DDDDPNNOVVRRRv=0=

54、DDPNNOVRRRvTNTPTNDDVVVV2=IGSNvv=DDIGSPVvv=DDPNNOVRRRv=電源電壓：由電路，得2.3.3 CMOS反相器的特性反相器的特性 1電壓傳輸特性電壓傳輸特性 ab段：段： ,TNIVv TPGSPTNGSNVvVv，,TN截止截止,TP導通導通 , DDOVv de段：段： |,|TPDDIVVvTPGSPTNGSNVvVv，,TN導通導通,TP截止截止, 0Ovbcd段：段： TPGSPTNGSNVvVv，,TN和和TP都導通都導通,|,|TPDDITNVVvV導通電阻與柵源電壓的絕對值成反比。導通電阻與柵源電壓的絕對值成反比。 vI增加，使增加，

55、使 增加，增加， 的絕對值減小的絕對值減小，導致，導致RN減小減小，RP增大。因增大。因此，此，vI增加使增加使vo減小。減小。 )(IGSNvv=)(DDIGSPVvv=DDPNNOVRRRv=當 DDIVv21=時，DDGSPGSNVvv21|=PNRR =DDOVv21=傳輸特性的中點c ，閾值電壓為VDD/2。CMOS門的輸入噪聲容限大，近似為：DDNLNHVVV%30= 在中點，電源到地的等效電阻最小，電源電流最大，這正是產(chǎn)生動態(tài)尖峰電流的原因。轉(zhuǎn)折區(qū)電壓變化率大，可以作為放大器。2輸入伏安特性輸入伏安特性增加輸入保護等電路，即構(gòu)成實際的增加輸入保護等電路，即構(gòu)成實際的CMOS門電路

56、。門電路。 當當 時，時，D1導通，輸入電流等于其導通電流，導通，輸入電流等于其導通電流，MOS管柵極電位近似等于管柵極電位近似等于VF+VDD； FDDIVVv 設(shè)設(shè)VF是二極管的正向?qū)妷海瑒t是二極管的正向?qū)妷?，則當當 時時 ，F(xiàn)DDIFVVvV二極管截止，輸入電流近似等于零，二極管截止，輸入電流近似等于零，MOS管柵極電位等于輸入電壓管柵極電位等于輸入電壓 當當 時，時，D2導通，輸入電流等于其導通電流，導通，輸入電流等于其導通電流，MOS管管柵極電位近似等于柵極電位近似等于-VF。 FIVv因此，因此，MOS管柵極電位被限制在管柵極電位被限制在-VF，VDD+VF3輸出特性輸出特

57、性（1）低電平輸出特性）低電平輸出特性DSOLvV=DLii = 當電源電壓改變時，TN的柵源電壓變化，所以，繪出了多只曲線。 輸入高電平（vI= VDD）時，輸出為低電平。此時，TP截止，TN導通。低電平輸出特性是低電平輸出特性是TN的輸出特性的輸出特性（2）高電平輸出特性）高電平輸出特性 輸入低電平（即vI= 0V）時，輸出為高電平。此時，TP導通，TN截止。DDDSOHVvV=DLii =高電平輸出特性是高電平輸出特性是TP 的輸出特性的輸出特性 當電源電壓改變時，輸出高電平向上平移，所以，繪出了多只曲線。CMOS門的其他特性與TTL門類似（只是參數(shù)不同），不再贅述。2.3.4 CMOS

58、與非門與非門/或非門或非門 CMOS邏輯同樣可以實現(xiàn)各種邏輯功能的門(與門、或門、與非門、或非門、與或非門、異或門、同或門、漏極開路門等) 1CMOS與非門與非門 當A=B=1時，TN1和TN2導通，TP1和TP2截止，輸出低電平，Y=0。 當輸入有一個為低電平時，柵極接低電平的NMOS管截止、PMOS管導通，輸出高電平，Y=1。ABY =1CMOS與非門與非門2. CMOS或非門或非門 當輸入全為低電平，即（A=B=0）時，TN1和TN2截止，TP1和TP2導通，輸出高電平，Y=1。 當輸入有高電平時，柵極接高電平的NMOS管導通、PMOS管截止，輸出低電平，Y=0。BAY=3. 帶緩沖級的

59、帶緩沖級的CMOS與非門與非門 在與非門中，由于PMOS管并聯(lián)，NMOS管串聯(lián)，致使輸出電阻在高低電平時輸出電阻不同，并且抬高了低電平電位。 為了克服這些缺點，在每個輸入端、輸出端各增設(shè)一級反相器組成帶緩沖級的CMOS與非門 。ABBAXY=2.3.5 CMOS 傳輸門傳輸門/三態(tài)門三態(tài)門/異或門異或門1. CMOS 傳輸門傳輸門 門電路只能將數(shù)字信號從輸入端傳遞到輸出端，而傳輸門電路只能將數(shù)字信號從輸入端傳遞到輸出端，而傳輸門則可進行門則可進行雙向傳遞雙向傳遞。 當控制信號當控制信號C=0時，時， 。NMOS和和PMOS管均截止，管均截止，輸入端與輸出端斷開。輸入端與輸出端斷開。1=C當當C=1時，時， ，NMOS和和PMOS管總有一管總有一個導通，可以傳遞雙向電個導通，可以傳遞雙向電流，等效為開關(guān)閉合。流，等效為開關(guān)閉合。0=C2.3.5 CMOS 傳輸門傳輸門/三態(tài)門三態(tài)門/異或門異或門1. CMOS 傳輸門傳輸門當當C=1時，時， ，NMOS和和