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文檔簡介
1、1第一章:電磁現(xiàn)象的普遍規(guī)律2高斯散度定理:VVSdVAdVASdA斯托克斯定理:SSLSdASdAl dA補(bǔ)充內(nèi)容補(bǔ)充內(nèi)容1:3補(bǔ)充內(nèi)容補(bǔ)充內(nèi)容2:矢量場的唯一性定理:矢量場的唯一性定理:唯一確定。被,則該區(qū)域內(nèi)的矢量場或切向分量法向分量上的在邊界面和、旋度中每一點(diǎn)的散度在區(qū)域,若已知矢量場,其邊界面為設(shè)一區(qū)域AAASAAAVASVtnVS)( 位矢。是界面的法向和切向單和。;即可唯一確定或邊界條件中:已知tnAAAAAVStSn4應(yīng)用到兩個(gè)典型特例:,得是無旋場。故只用,、靜電場:EE01即可唯一確定靜電場。,分量在區(qū)域邊界面上的切向和邊界條件電荷分布的散度已知)()(EEABAB,得是渦
2、旋場。故只用,、靜磁場:02即可唯一確定靜磁場。,分量在區(qū)域邊界面上的切向和邊界條件電流分布的旋度已知)()(BB51、電荷和靜電場1、庫侖定律:rrqqF321041(1)適用條件:真空中靜止的點(diǎn)電荷。一、庫侖定律 電場(2)電力作用的實(shí)質(zhì):不是直接作用,是通過場來傳遞相互作用。6電場強(qiáng)度:)2(qFE定義式:rrqE3041點(diǎn)電荷激發(fā)的:rrVdEVxx3)(0)(41連續(xù)分布的電荷:xxrPP場點(diǎn)源點(diǎn)yxz7二、高斯定理 電場的散度1、高斯定理:00VSdVqSdE特點(diǎn):(1)從整體的角度反映了電場強(qiáng)度通量與電荷分 布的積分關(guān)系; (2)只有場強(qiáng)具有某種對稱性,才可求之。8VSdVESd
3、E2、電場的散度:由高斯散度定理:dVdVE00 E得:93、電場線的性質(zhì):1、(空間某)P點(diǎn):有電場線發(fā)出。00EP有電場線穿入曲面內(nèi)。、002EP10。電場線在該點(diǎn)是連續(xù)的、003E三、環(huán)路定理 靜電場的旋度1、靜電場的環(huán)路定理:Ll dE0LS環(huán)量恒為零對其內(nèi)任一閉合回路的意義:任意靜電場強(qiáng)E112、靜電場的旋度:由斯托克斯定理:0SdEl dESL必有:為邊界的任意曲面,故是以LS0E122.電流和靜磁場一、電荷守恒定律:1、電流:dtdqI 電流強(qiáng)度:ndSdIJ 電流密度:SdJJdSJdSdIcosSSdJI132、電荷守恒定律 (實(shí)驗(yàn)定律)VVdVdtddVJVSVSdVdtd
4、SdJI由高斯散度定理:VSdVJSdJ14時(shí))由上式:(在0dVVVdVtdVJ變化:CdVQSdJSVVS0由,討論:若是全空間全空間,在S上沒有電流流出全空間,符合電荷守恒定律tJ得:電荷守恒定律的微分形式150, 0 Jt特例:對穩(wěn)恒電流16二、磁場的實(shí)驗(yàn)定律:1、安培定律:電流元在磁場中受力:BlIdFddVJdSdlJlId 由dVBJFd得:172、畢薩定律:微分形式:在真空中激發(fā)的磁場:一電流元lId304rrlIdBd 畢薩定律:dVJdSdlJlId由dVrrJBd30418積分形式: 由微分形式對整個(gè)載流導(dǎo)體積分VzyxzyxVdrrJB3),(0),(419三、磁場的旋
5、度和散度1、磁場的環(huán)量和旋度:(真空中)安培環(huán)路定理:Il dBL0SSdJ0SLSdAl dA)(由:推導(dǎo)微分關(guān)系:SSLSdJSdBl dB0)(JB0202、磁場的通量和散度:積分關(guān)系:0SSdB微分關(guān)系:由高斯散度定理:0VSdVBSdB是任取的體積V0B213麥克斯韋方程組22SSdBdtddtdSdtBldESL變化為:應(yīng)用斯托克斯定理:SdtBSdESStBE1、感應(yīng)定律兩種形式:一、法拉第電磁感應(yīng)定律 電場的散度積分式:微分式:23討論:感靜則靜電場,中既有感應(yīng)電場,又有若在普遍情況下,空間EEE仍成立。而感靜感靜tBEEEEE)(一。是電磁場的基本方程之tBE242、電場的散
6、度理:真空中靜電場的高斯定0 E感靜感靜,即,又有中既有推廣到普遍情況,空間EEEEE仍成立。而靜感靜0)(EEEE方程是電磁場的另一基本場0E25二、位移電流 磁場的散度1、位移電流 磁場的旋度分析矛盾:1S2SCiL)( 0)( 210SSil dBL面面同一回路,兩個(gè)結(jié)果26解決矛盾:合起來構(gòu)成閉合的量。它和存在,流斷開處,有一種位移電考慮修正:在傳導(dǎo)電流JJJD0)(DJJ即:因C內(nèi)電場變化,可推知變化的電場相當(dāng)于電流。引入:位移電流:tEJD0)(0DJJB)(00tEJB得:上式為普遍情況下的又一電磁場基本場方程。272、磁場的散度成立。在普遍情況下,0B 電磁場基本場方程28三、
7、(真空中的)麥克斯韋方程組(微分形式)tBE) 1 ()()2(00tEJB0)3( E0)4(B麥克斯韋方程組,反映了電荷、電流如何激發(fā)電磁場,以及電磁場本身的運(yùn)動(dòng)規(guī)律。29麥克斯韋方程組的幾點(diǎn)推論:1、電磁場可相互激發(fā);2、預(yù)言電磁波的存在;3、電磁場可脫離場源而存在。30四、洛倫茲力公式洛倫茲假設(shè):運(yùn)動(dòng),所受作用力:以速度在電磁場中,帶電粒子vq)(BvEqF為:單位體積電荷受力力密度)()(BvEf為電荷體密度洛倫茲力公式314介質(zhì)的電磁性質(zhì)32一、介質(zhì)的極化:1、兩類電介質(zhì)分子:有極分子,無極分子2、極化強(qiáng)度:iipnVpP特殊情況:各向同性線性介質(zhì),且場不很強(qiáng)時(shí),得簡單關(guān)系:EPe
8、033的關(guān)系:、極化電荷與P3PPPP 的關(guān)系:與的關(guān)系:和PPdSdQPPnnPPPPn2112)(Sd1介質(zhì)2介質(zhì)n的法線單位矢為由,其中:21ndSnSd344、介質(zhì)中的電場方程:fD 的散度:E的旋度:EtBE35的簡單關(guān)系:和ED. 5ED 說明:介質(zhì)的性能方程或性質(zhì)方程; 是基本量, 是輔助量或引入量,其無明確的物理意義。ED36二、介質(zhì)的磁化:(面積)ai圓電流:分子電流a imi分子電流磁矩1、定義:磁化強(qiáng)度VmMi相同情況):各點(diǎn)若為:均勻磁化(理想Mimn37的關(guān)系:與、磁化電流MJM2MJM 38的物理意義:MJM介質(zhì)內(nèi)任意點(diǎn)磁化電流的體密度,決定于該點(diǎn)磁化強(qiáng)度的旋度。特
9、例:介質(zhì)被均勻磁化電流分布。即:介質(zhì)內(nèi)沒有磁化體常矢,0MM但:在整個(gè)介質(zhì)表面有磁化面電流分布。393、介質(zhì)中的磁場方程:tDJHf 0 B40四、介質(zhì)中的麥克斯韋方程組(1) tBE(2) tDJHf(3) fD位移電流密度(4) 0 B41積分形式SLSdtBldE DfSSfLIISdtDSdJl dH fSQSdD0SSdB兩邊面積分兩邊面積分兩邊體積分兩邊體積分應(yīng)用較多的是微分形式。但在兩種介質(zhì)的分界面上要用積分形式,因在界面上場量不連續(xù)。42介質(zhì)的電磁性質(zhì)方程:EJHBED,適用條件:各向同性線性介質(zhì),外場不太強(qiáng)。435電磁場的邊值關(guān)系結(jié)論:實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在介質(zhì)分界面上,場發(fā)生突變,電
10、磁場的微分方程不再成立,應(yīng)代之以積分形式。外EE內(nèi)E外內(nèi)EE44一、法向分量的邊值關(guān)系:法向分量的邊值關(guān)系:、D1fDDn)(12矢量式:的法向分量的邊值關(guān)系B0)(12BBn矢量式:45二、切向分量的邊值關(guān)系:的切向分量的邊值關(guān)系、H1fHHn )(12:的切向分量的邊值關(guān)系、E20)(12 EEn46總結(jié)邊值關(guān)系:fDDn)(120)(12EEnfHHn)(120)(12BBn場方程在邊界面上的體現(xiàn)!47的切向邊值關(guān)系:、磁化強(qiáng)度矢量M3mMMn )(12mM可求應(yīng)用:若已知486、電磁場的能量和能流1、場與電荷系統(tǒng)的能量守恒定律的一般形式:)(BvEf由洛倫茲力密度:作的功為:時(shí)間內(nèi)對電
11、荷可知電磁場在dVdtdVdtEJdVdtvEdtvdVBvE)(0)(vBv由vJ電流密度)(單位時(shí)間內(nèi)做功的功率場對空間所有電荷做功VdVEJdtdA)(統(tǒng)做功的功率意義:電磁場對電荷系49tDHJ麥?zhǔn)戏匠?2):電流用場量描述EtDEHEJ)(EHHEHE)()()(HtBHEEH)()(tBE:麥?zhǔn)戏匠?) 1 (tBHtDEHEEJ)(得:)21( )21()21(22BttBHDEtEttDE;上式右邊兩項(xiàng):50)2121()(22BEtHEEJHES令:矢量222121BEw標(biāo)量twSEJdVtwdSdVEJdtdAVV得:由高斯散度定理空間、時(shí)間獨(dú)立微、積分次序可互換51討論:
12、為全空間:設(shè)V) 1 (0dS0011224242故:左式更快,時(shí),成正比,與而面積成反比,與成反比,均與,rSrrrrSrEHHESdVtwdVEJdtdAVV意義:電磁場對區(qū)域內(nèi)電荷系統(tǒng)做功的功率表示單位時(shí)間內(nèi)電磁能量的減小量(負(fù)號表示減小)VwdVW電磁場的總能量為:度。,第二項(xiàng)是磁場能量密第一項(xiàng)是電場能量密度的能量,表示單位體積內(nèi)電磁場能量密度:222121BEw52為有限空間:設(shè)V)2(VdSdVtwdVEJVV單位時(shí)間內(nèi)電磁能量的增加。單位時(shí)間內(nèi)由閉合界面外流入的電磁能HES能流密度矢量或坡印亭(麥?zhǔn)系膶W(xué)生)矢量:單位時(shí)間內(nèi)垂直通過單位面積的電磁能量。說明:能量以一定方式分布于場內(nèi),且能量在流動(dòng)(或傳播)。例如:電臺(tái)發(fā)射信號。53作業(yè):9題:121l2lab相同對靜電場:D)(2211222111221121llDlDlDlElEUUUD可求JJJnn21)(對恒定電流:若漏電)(221122112211llJlJlJlElEJ可求54221
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