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1、(完整 word 版)基于熱敏電阻的數(shù)宇溫度計(jì)報(bào)告編輯整理:尊敬的讀者朋友們:這里是精品文檔編輯中心,本文檔內(nèi)容是由我和我的同事精心編輯整理后發(fā)布的,發(fā)布之前我們對(duì) 文中內(nèi)容進(jìn)行仔細(xì)校對(duì),但是難免會(huì)有疏漏的地方,但是任然希望(完整word版)基于熱敏電阻 的數(shù)字遍度計(jì)報(bào)告)的內(nèi)容能夠給您的工作和學(xué)習(xí)帶來便利。同時(shí)也真誠(chéng)的希望收到您的建議和反 饋,這將是我們進(jìn)步的源泉,前進(jìn)的動(dòng)力。本文可編輯可修改,如果覺得對(duì)您有幫助請(qǐng)收藏以便隨時(shí)查閱,最后祝您生活愉快業(yè)績(jī)進(jìn)步,以 下為(完整word版)基于熱敏電阻的數(shù)字遍度計(jì)報(bào)告的全部?jī)?nèi)容。信電修配電子信息工程專業(yè)CD 10二級(jí)項(xiàng)目項(xiàng)目設(shè)計(jì)說明書(2012/2

2、013學(xué)年第二學(xué)期)項(xiàng)目名稱:基于熱敏電阻的數(shù)字溫度計(jì)設(shè)計(jì)專業(yè)班級(jí):_小組成員:_指導(dǎo)教師:吳開興馬永強(qiáng)_馬小進(jìn)劉會(huì)軍設(shè)計(jì)周數(shù):4月8號(hào)一6月15號(hào)設(shè)計(jì)成績(jī):_2011年6月15日項(xiàng)目分工表:目錄1概述.22總體設(shè)計(jì)方案.22。1設(shè)計(jì)目的.o 22. 2設(shè)計(jì)任務(wù).。23系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn).33.1系統(tǒng)各模塊介紹.33. 2電路系統(tǒng)設(shè)計(jì).114系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì).o 115設(shè)計(jì)總結(jié).o .186參考文獻(xiàn). . O OO O191.概述隨著以知識(shí)經(jīng)濟(jì)為特征的信息化時(shí)代的到來人們對(duì)儀器儀表的認(rèn)識(shí)更加深入, 溫度作為一 個(gè)重要的物理量,是工業(yè)生產(chǎn)過程中最普遍,最重要的工藝參數(shù)之一。隨著工業(yè)的不斷發(fā)展, 對(duì)

3、溫度的測(cè)量的要求也越來越高,而且測(cè)量的范圍也越來越廣,對(duì)溫度的檢測(cè)技術(shù)的要求也越 來越高,因此,溫度測(cè)量及其測(cè)量技術(shù)的研究也是一個(gè)很重要的課題。目前溫度計(jì)種類繁多,應(yīng)用范圍也比較廣泛,大致可以包括以下幾種方法:1)利用物體熱脹冷縮原理制成的溫度計(jì)2)利用熱電效應(yīng)技術(shù)制成的溫度檢測(cè)元件3)利用熱阻效應(yīng)技術(shù)制成的溫度計(jì)4)利用熱輻射原理制成的高溫計(jì)5)利用聲學(xué)原理進(jìn)行溫度測(cè)量本系統(tǒng)的溫度測(cè)量采用的就是熱阻效應(yīng)溫度測(cè)量模塊主要為溫度測(cè)量電橋,當(dāng)溫度發(fā)生 變化時(shí),電橋失去平衡.從而在電橋輸岀端有電壓輸岀,但該電壓很小。將輸出的微弱電壓信 號(hào)通過0P07放大,將放大后的信號(hào)輸入AD轉(zhuǎn)換芯片, 進(jìn)行A/D

4、轉(zhuǎn)換后,就可以用單片機(jī) 進(jìn)行數(shù)據(jù)的處理,在顯示電路上,就可以將被測(cè)溫度顯示岀來。2 總體設(shè)計(jì)方案2o 1 設(shè)計(jì)目的通過本次CDIO利用51單片機(jī)及熱敏電阻設(shè)計(jì)一個(gè)溫度采集系統(tǒng),通過學(xué)過的單片機(jī)和 數(shù)字電路及面向?qū)ο缶幊痰日n程的知識(shí)設(shè)計(jì)。要求的功能是能通過串口將采集的數(shù)據(jù)在顯示窗 口顯示,采集的溫度達(dá)一定的精度。2o 2 設(shè)計(jì)任務(wù)1、 根據(jù)技術(shù)要求和現(xiàn)有開發(fā)環(huán)境,分析設(shè)計(jì)題目2、 設(shè)計(jì)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方案3、 設(shè)計(jì)并繪制電路原理圖4、畫出功能模塊的程序流程圖5、使用匯編語(yǔ)言(或C語(yǔ)言)編寫實(shí)現(xiàn)程序6、結(jié)合硬件調(diào)試、修改并完善程序:3 系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)3. 1 系統(tǒng)各模塊介紹3.1.1 AT89C52

5、 芯片介紹(D主要性能:與MCS-51單片機(jī)產(chǎn)品兼容、8K字節(jié)的在系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器、一千次的擦寫 周期、全靜態(tài)操作:0Hz24MHz、三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器、三十二個(gè)可編程I/O口線、三個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器以及八個(gè)中斷源、全雙工UART串行通道、低功耗空閑和掉電模式、 掉電后中斷可喚醒、看門狗定時(shí)器、雙數(shù)據(jù)指針、掉電標(biāo)識(shí)符.(2)功能特性:AT89C52是一種低功率消耗、性能較高CM0S8位微控制器.具備8K在系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器。使用Atmel公司高密度非易失性存儲(chǔ)器高技術(shù)制作,可以與工業(yè)80C51產(chǎn)品指令 和引腳全部兼容片上。Flash能夠允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程執(zhí)行,亦適

6、合于常規(guī)編程 器。在單芯片上,擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)可編程Flash,使得AT89C52為眾多嵌入式 控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。AT89C52具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能:8k字節(jié)Flash. 256字節(jié)RAM, 32位I/O口線,看門狗定時(shí)器,2個(gè)數(shù)據(jù)指針,三個(gè)16位定時(shí)器/ 計(jì)數(shù)器,一個(gè)6向量2級(jí)中斷結(jié)構(gòu),全雙工串行口,片內(nèi)晶振及時(shí)鐘電路。此外,AT89C52可降低到OHz靜態(tài)邏輯操作,支持2種軟件可抉擇節(jié)電模式.空閑模式時(shí),CPU不再工作, 卻允許RAM、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、串口、中斷繼續(xù)工作掉電保護(hù)方式下,RAM內(nèi)容被保留下 來,振蕩器被凍結(jié),單片機(jī)所有工作都停止,直到下 一個(gè)中

7、斷開始或者有硬件復(fù)位為止.PDIP圖AT89C52管腳分布(3)管腳說明:VCC:供電電壓,GND:接地。POD: P0口作為一個(gè)8位漏級(jí)開路雙向的I/O口,每腳可以吸納8TTL門電流當(dāng)P1口的管腳 第一次寫1時(shí),被視為輸入高阻。P0可以用于外部程序或者數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器.它可以被定義為 數(shù)據(jù)或者地址的第八位。在FIASH編程時(shí),P0口被視為為原碼輸入口,當(dāng)Fl ASH開始校 驗(yàn)時(shí),P0輸岀原碼,此時(shí)P0外部一定被拉高。P1口:P1口是內(nèi)部提供的8位上拉電阻的雙向I/O口,P1口緩沖器能收到輸岀4TTL電流。P1口管腳寫入1后,可作為輸入,其管腳被內(nèi)部上拉為高電平,P1口被外部下拉為低 電平的時(shí)候,將

8、輸岀電流,這是由于內(nèi)部上拉的原因。在FLASH編程和校驗(yàn)時(shí),P1口被認(rèn) 為是第八位地址接收.P2口:P2口是一個(gè)8位內(nèi)部上拉電阻的雙向I/O口,P1口緩沖器可收到或者輸岀4個(gè)TTL門 電流,當(dāng)P2口被寫“1”時(shí),其管腳被內(nèi)部上拉為高電平,且作為輸入。作為輸入,P2口的管腳將被外部拉低的時(shí)侯,將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的原因。P2口在用于外部 程序存(T2)P1.0C(T2EX)P1.1 CP1.2C P1.3CP1.4C(MOSIJP1.5C(MIS0)P1.6E(SCK)P1.7CRSTC(RXD)P3.0C(TXD)P3.1 C(iNT0)P3.2C(inn)P33匸(T0P3.4C(T

9、OP3.5C歴)P3.6C2 0 (A8)儲(chǔ)器或者是16位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行操作時(shí),P2口輸出地址作為高八位。在 給岀地址時(shí),它有內(nèi)部上拉的優(yōu)點(diǎn),當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫操作時(shí),P2口輸岀它的特殊功能寄存器上的內(nèi)容。P2口在FLASH編程和校驗(yàn)的時(shí)候,接收信號(hào)作 為高八位地址信號(hào)和控制信號(hào).P3口:P3口管腳是8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向I/O口,P3口緩沖器可接收輸岀4個(gè)TTL門電流. 當(dāng)P3口寫入“1”后,被內(nèi)部上拉為高電平,并且作用于輸入。 作為輸入,因?yàn)橥獠肯吕?為低電平,P3口將輸出電流(ILL),這是由于上拉的原因。P3口也可作為AT89C51的一些特殊功能口.P3口管腳

10、備選功能:P3O0 RXD(串行輸入口)P3O1 TXD(串行輸岀口)P3O2 /INTO(外部中斷0)P3O3 /INT1(外部中斷1)P3.4 T0(記時(shí)器0外部輸入)P3.5 T1(記時(shí)器1外部輸入)P3.6 /WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通)P3O7 /RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通)P3口同時(shí)為閃爍編程和編程校驗(yàn)接收一些控制信號(hào)。RST:復(fù)位輸入當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí),要保持RST腳兩個(gè)機(jī)器周期的高電平時(shí)間。ALE/PROG:當(dāng)訪問外部存儲(chǔ)空間時(shí),地址鎖存允許的輸岀電平用于鎖存地址的低位字節(jié)。在FLASH編程期之中,此引腳作用于輸入編程脈沖。在平時(shí),ALE端以一定的頻率周期輸 出正脈沖函數(shù),此頻

11、率為振蕩器頻率的六分之一。因此它可用于對(duì)外部輸岀的脈沖或 用于定時(shí)作用的目的。然而值得注意的是:每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的時(shí)候,它將跳過 一個(gè)ALE脈沖。如想禁止ALE的輸出可在SFR8EH地址上復(fù)位。 此時(shí),ALE只是在執(zhí) 行MOVX, MOVC指令是ALE時(shí)才能夠起作用。此外,該引腳被略微拉高.若是微處理器 在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE為禁止,那么置位無效。PSEN:外部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。在由外部程序存儲(chǔ)空間取指期間,每個(gè)機(jī)器周期是兩次PSEN才有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),這兩次有效的PSEN信號(hào)都將不能夠?qū)崿F(xiàn).EA/VPP:當(dāng)EA保持低電平時(shí),不管是否有內(nèi)部的程序存儲(chǔ)空間,那么在此期間外部程

12、序存儲(chǔ)空 間(0000HFFFFH)。注意當(dāng)加密方式是1時(shí),EA將內(nèi)部定為RESET;當(dāng)EA端保持高電 平時(shí),此間內(nèi)部程序存儲(chǔ)空間。在FLASH編程期間,此引腳也可以用作施加12V編程電 源。XTAL1 :反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。XTAL2:來自反向振蕩器的輸出.(4)復(fù)位電路:MCS-52單片機(jī)復(fù)位電路是指單片機(jī)的初始化操作。單片機(jī)啟運(yùn)開始工作時(shí),都需要先經(jīng) 過復(fù)位,其作用是使CPU和系統(tǒng)中其他配置器件處于一個(gè)確定的初始狀態(tài),并從這個(gè)狀態(tài)開始 執(zhí)行命令。因而,復(fù)位是一個(gè)非常重要的操作方式。但單片機(jī)自己是不能自動(dòng)執(zhí)行復(fù)位的,必 須配合恰當(dāng)?shù)耐獠侩娐凡趴梢詫?shí)現(xiàn).復(fù)位功能:復(fù)

13、位電路的基本功能:系統(tǒng)上電時(shí)提供復(fù)位功能,一直到系統(tǒng)電源穩(wěn)定后,去 除復(fù)位信號(hào)。為保險(xiǎn)起見,電源穩(wěn)定后必須經(jīng)一定的延時(shí)才可以撤銷復(fù)位的信號(hào),以防電源開 關(guān)或電源插頭分一合過程中導(dǎo)致的抖動(dòng)而對(duì)復(fù)位功能產(chǎn)生影響。單片機(jī)的復(fù)位是由外部的復(fù)位電路來控制的。片內(nèi)復(fù)位電路是通過復(fù)位引腳RST復(fù)位電路 與一個(gè)斯密特觸發(fā)器相連,斯密特觸發(fā)器用來達(dá)到抑制噪聲的目的,在每個(gè)機(jī)器周期它的輸岀 由復(fù)位電路采樣一次。復(fù)位電路通常運(yùn)用上電自動(dòng)復(fù)位以及按鈕復(fù)位兩種方式。單片機(jī)復(fù)位后的狀態(tài):?jiǎn)纹瑱C(jī)的復(fù)位操作使單片機(jī)達(dá)到初始化的狀態(tài),其中包括使得程序計(jì)數(shù)器PC = OOOOH,這說明程序從0000H地址開始運(yùn)行。單片機(jī)工作后,

14、片內(nèi)RAM為任意值, 運(yùn)行中的復(fù)位操作不會(huì)更改片內(nèi)RAM區(qū)中的數(shù)據(jù),21個(gè)特殊功能寄存器在復(fù)位之后的數(shù)據(jù)為確 定值,見表1.值得注意的是,記住在復(fù)位后的一些特殊功能寄存器的主要狀態(tài),對(duì)于理解單片機(jī)的初 態(tài),減少相關(guān)的應(yīng)用程序中的初始化是非常必要的。說明:表中符號(hào)*為隨機(jī)狀態(tài);表寄存器復(fù)位后狀態(tài)表特殊功能寄存器初始狀態(tài)特殊功能寄存器初始狀態(tài)AOOHTMODOOHBOOHTCONOOHPSWOOHTHOOOHSP07HTLOOOHDPLOOHTH1OOHDPHOOHTL1OOHP0-P3FFHSBUF不定IP* *00000BSCONOOHIE0*00000BPCON0*夫 *夫*BPSW=OOH

15、,表示選寄存器0組為工作寄存器組;SP=07H,說明堆棧指針指向的是片內(nèi)RAM 07H字節(jié)存儲(chǔ)空間,依據(jù)堆棧操作的先加后壓原則,第一個(gè)被壓入的數(shù)據(jù)寫入到08H單元 中;Po-P3=FFH,則代表向各端口線都已經(jīng)寫入1,此時(shí),各端口的作用既可用于輸入又可用于 輸岀。IP=XXXOOOOOB,則表明各個(gè)中斷源是等級(jí)低的優(yōu)先級(jí);IE = OXXOOOOOB,則表 明各個(gè)中斷均已經(jīng)被關(guān)閉;系統(tǒng)復(fù)位是任何微機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的初始化步驟,使控制芯片整體回到默認(rèn)的硬件狀態(tài)下。由RESET引腳來控制的52單片機(jī)復(fù)位, 此引腳與高電平相連超過24個(gè)振蕩周期后,52單 片機(jī)便可以進(jìn)入芯片內(nèi)部復(fù)位狀態(tài),并且可以在此狀態(tài)下

16、一直等待,一直至RESET引腳轉(zhuǎn)為低 電平以后,才校驗(yàn)EA引腳是高電平還是低電平,如果為高電平則運(yùn)行芯片內(nèi)部程序的代碼,若 為低電平則會(huì)執(zhí)行外部程序的代碼在系統(tǒng)復(fù)位后52單片機(jī)將一些其內(nèi)部的重要寄存器設(shè)置為 特定的數(shù)值,至于內(nèi)部RAM的數(shù)據(jù)則保持不變.(5)晶振電路:晶振是晶體振蕩器的簡(jiǎn)稱,在電路方面它可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一 個(gè)電容的二端口網(wǎng)絡(luò).電學(xué)上這個(gè)電路有兩個(gè)諧振點(diǎn),以頻率的高低分把其中較高的頻率稱為 并聯(lián)諧振,較低的頻率稱為串聯(lián)諧振.AT89C52單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)高增益反相放大器,用于構(gòu)成振蕩器。引腳XTAL2和XTAL1分別 是此放大器的輸出端和輸入端。作為反饋器件

17、的片外晶體諧振器與該放大器一起構(gòu)成一個(gè)自激 振蕩器。電容C2和C1和外接晶體諧振器一起構(gòu)成并聯(lián)諧振電路,接在放大器的反饋回路中。 雖然對(duì)外接電容的值沒有非常嚴(yán)格的要求,但震蕩器頻率的高低、震蕩器的穩(wěn)定性、起振的快 速性和溫度的穩(wěn)定性會(huì)由電容的大小影響。所以,此電路系統(tǒng)的晶體振蕩器的值為12MHz,電 容的種類應(yīng)盡量選擇陶瓷電容,電容值大概30 uF.在電路板焊接時(shí),電容和晶體振蕩器應(yīng)盡可 能安裝得靠近單片機(jī)芯片,這樣做是為了減少寄生電容,更好地保證震蕩器可靠穩(wěn)定地工作。負(fù)載電容值是晶振的一個(gè)重要的參數(shù),為了得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率,我們可以選擇與負(fù) 載電容值相等的并聯(lián)電容。3. 1.2 ADC0

18、804 芯片ADC0804是用CMOS集成工藝制成的逐次比較型模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片。分辨率8位,轉(zhuǎn)換時(shí)間100 U s.輸入電壓范圍為05V,增加某些外部電路后,輸入模擬電壓可為5Vo該芯片內(nèi)有輸出數(shù)據(jù) 鎖存器.當(dāng)與計(jì)算機(jī)連接時(shí),轉(zhuǎn)換電路的輸岀可以直接連接在CPU數(shù)據(jù)總線上,無需附加邏輯接 口電路。ADC0804芯片管腳如圖11.13o 1所示引腳名稱及意義如下:圖12 ADC0804芯片管腳VIN+、VIN-: ADC0804的兩模擬信號(hào)輸岀端,用以接收單極性、雙極性和差模輸入信號(hào)。DB7DBO: A/D轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)輸岀端,該輸岀端具有三態(tài)特性,能與微機(jī)總線相接。AGND:模擬信號(hào)地。DGND:數(shù)字信

19、號(hào)地。CLKIN:外電路提供時(shí)鐘脈沖輸入端。CLKR:內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器外接電阻端,與CLKIN端配合可由芯片自身產(chǎn)生時(shí)鐘脈沖,其頻率為1o 1/RCoCS:片選信號(hào)輸入端,低電平有效,一旦CS有效,表明A/D轉(zhuǎn)換器被選中,可啟動(dòng)工作。WR:寫信號(hào)輸入,接收微機(jī)系統(tǒng)或其它數(shù)字系統(tǒng)控制芯片的啟動(dòng)輸入端,低電平有效,當(dāng)CS、WR同時(shí)為低電平時(shí),啟動(dòng)轉(zhuǎn)換.RD:讀信號(hào)輸入,低電平有效,當(dāng)CS、RD同時(shí)為低電平時(shí).可讀取轉(zhuǎn)換輸出數(shù)據(jù)。INTR:轉(zhuǎn)換結(jié)束輸出信號(hào),低電平有效.輸出低電平表示本次轉(zhuǎn)換已完成。該信號(hào)常作為 向微機(jī)系統(tǒng)發(fā)出的中斷請(qǐng)求信號(hào)。在使用時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):1 轉(zhuǎn)換時(shí)序ADC0804控制信號(hào)的

20、時(shí)序圖如圖所示,由圖可見,各控制信號(hào)時(shí)序關(guān)系為:當(dāng)CS與WR同為低電平時(shí),A/D轉(zhuǎn)換被啟動(dòng)而在WR上升沿后100 us模數(shù)完成轉(zhuǎn)換, 轉(zhuǎn)換結(jié)果存入數(shù)據(jù)鎖存 器, 同時(shí)INTR自動(dòng)變?yōu)榈碗娖?,表示本次轉(zhuǎn)換已結(jié)束。如CS、RD同時(shí)來低電平,則數(shù)據(jù)鎖存 器三態(tài)門打開,數(shù)字信號(hào)送岀,而在RD高電平到來后三態(tài)門處于高阻狀態(tài)。2.零點(diǎn)和滿刻度調(diào)節(jié)ADC0804的零點(diǎn)無需調(diào)整。其中Vmax是輸入電壓的最大值,Vmin是輸入電壓的最小值。 當(dāng)輸入電壓與VIN+值相當(dāng)時(shí),調(diào)整VREF/2端電壓值是輸岀碼為FEH或FFH。3.參考電壓的調(diào)節(jié)在使用A/D轉(zhuǎn)換器時(shí),為保證其轉(zhuǎn)換精度,要求輸入電壓滿量程使用,如輸入電壓

21、動(dòng)態(tài)范 圍較小,則可調(diào)節(jié)參考電壓VREF.以保證小信號(hào)輸入時(shí)ADC0804芯片8位的轉(zhuǎn)換精度。4.接地模數(shù)、數(shù)模轉(zhuǎn)換電路中要特別注意到地線的正確連接,否則干擾很嚴(yán)重,以致影響轉(zhuǎn)換結(jié)果 的正確性。A/D、D/A及取樣一保持芯片上都提供了獨(dú)立的模擬地(AGND)和數(shù)字地(DGND)的 引腳。在線路設(shè)計(jì)中.必須將所有的器件的模擬地和數(shù)字地分別相連,然后將模擬地與數(shù)字地 僅在一點(diǎn)上相連接。地線的正確連接方法.3. 1.3 PT100 熱敏電阻pt100是鉗熱電阻,它的阻值跟溫度的變化成正比。PT100的阻值與溫度變化關(guān)系為:當(dāng)PT100溫度為0C時(shí)它的阻值為100歐姆.在100C時(shí)它的阻值約為138.

22、5歐姆。它的工業(yè)原理: 當(dāng)PT100在0攝氏度的時(shí)候他的阻值為100歐姆,它的阻值會(huì)隨著溫度上升而成勻速增長(zhǎng)的。金屬熱電阻的電阻值和溫度一般可以用以下的近似關(guān)系式表示,即Rt=Rt01 + a (t10)式中,Rt為溫度t時(shí)的阻值;RtO為溫度t0(通常t0二0C)時(shí)對(duì)應(yīng)電阻值;a為溫度系數(shù)。 半導(dǎo)體熱敏電阻的阻值和溫度關(guān)系為Rt=AeB/t中Rt為溫度為t時(shí)的阻值;A、B取決于半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)的常數(shù)。相比較而言,熱敏電阻的溫度系數(shù)更大,常溫下的電阻值更高(通常在數(shù)千歐以上),但互換性較差,非線性嚴(yán)重,測(cè)溫范圍只有一50300C左右,大量用于家電和汽車用溫度檢測(cè)和控制.金屬熱電阻一般適用于一2

23、0050(TC范圍內(nèi)的溫度測(cè)量,其特點(diǎn)是測(cè)量準(zhǔn)確、穩(wěn)定性好、性能可 靠,在程控制中的應(yīng)用極其廣泛。從電阻隨溫度的變化來看,大部分金屬導(dǎo)體都有這個(gè)性質(zhì), 但并不是都能用作測(cè)溫?zé)犭娮?,作為熱電阻的金屬材料一般要求:盡可能大而且穩(wěn)定的溫度系 數(shù)、電阻率要大(在同樣靈敏度下減小傳感器的尺寸)、在使用的溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定的化學(xué) 物理性能、材料的復(fù)制性好、電阻值隨溫度變化要有間值函數(shù)關(guān)系(最好呈線性關(guān)系)。3. 2 電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)3o 2.1 電路設(shè)計(jì)框3o 2.2 系統(tǒng)仿真測(cè)試確定好方案后,用Protues軟件搭建好系統(tǒng)電路,將寫好的程序下載進(jìn)仿真圖中,運(yùn)行結(jié) 果如圖所示圖31系統(tǒng)仿真圖4 系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)4

24、. 1 軟件設(shè)計(jì)流程 ccx 090000004. 2 主要程序設(shè)計(jì)#includeHat89X52o h”uns igned char code Bmp001 8二0 x06, 0 x09,0 x09, 0 x06, 0 x00.0 x00.0 x00, 0 x00,0 x06,0 x09,0 x10,0 x10, 0 x10, 0 x09.0 x06, 0 x00;void del lay (unsigned int h)LCD._RS二P2P;LCD._RW二P2=;LCD._E二P22;ADC_CS二P2飛;ADC._WR二P36;ADC_RD=P37;i neLCDDATA POsb

25、 itsb itsb itsb itsb itsb it#defuns i gned char LcdBufl 10whi le (h);/0o 01 MS void Wr iteDataLcd (unsignedchar wdata)LCD_DATA二wdata;LCD_RS=1;LCD_RW二0;LCD_E=O;del I ay (1000);LCD E=1;void Wr i teCommandLcd(unsigned char wdata)LCD_DATA二wdata;LCD_RS二0;LCD_RW=0;LCD_E二0;del lay (1000);LCD_E=1; void led

26、init(void)LCD_DATA二0;Wri teCommandLcd(0 x38);del lay (1000);Wr i teCommandLcd (0 x38);del lay (1000);Wr i teCommandLcd(0 x01);Wr i teCommandLcd (0 x0c);1void dispI ay一xy (unsigned char x, unsigned char y)if (y=1)x+=0 x40;x+二0 x80;Wr i teCommandLcd(x);void display,tring (unsigned char x, unsigned cha

27、r y, unsigned char *s)display_xy (x,y);while (*s)(Wr i teDataLcd (* s);s+;void Wr i te CGRAM (unsigned char add, unsigned charunsigned i;add=add3;Wr i teCommandLcd(0 x401add+8);for (i=0;i0; i);void de Iay1s ()int i, j;*char num)for (i=1000; i0;i );for(j=110;j0;j);void convert()unsigned long value;ch

28、ar i;unsigned long res;int temp .temp2;int w;P1=0 xff;ADC_ RD二0;for (i二0;i (10; i+);vaIue=P1;res= (fI oat)(2550000+110000 *vaIue/30)/ (2550-11*vaIue/30);temp= (float) (res*1000010000000) /3851-545;temp2 = temp;i f (temp ) = 0)for (i=6;temp0; i-)LcdBuf1 i =temp%10+48;temp/二10;i f (temp ( 0 )w二一temp;f

29、or (i二6; w0; i- )LcdBufl i =w%10+48;w/=10;i f (i )二0& temp =0; i-)LcdBufli二;for (i二0;i5;i+)LcdBufl i二LcdBufl i+1;if(LcdBufl 4=* ) LcdBufl4 = 0,LcdBufl5 = .1;LcdBufl 7=1;LcdBufl 8 =,C,;Wr i teCommandLcd (0 x84);d i splay_str i ng(3r0, LcdBufl);ADC_RD二1;ADC_WR二0;for(i=0; i 10; i+)ADC_ WRh ;de Iayms ();LcdBufl4ma i n ()unsigned char i;lcd_i n it 0 ;for (i=0;i 2; i+)Write CGRAM(i, Bmp001i);ADC一CS二0;ADC_WR二0;for (i二0;i10; i+);ADCJIR=1 ;whi le(1)convert ();delayls ();5 設(shè)計(jì)總結(jié)在這次實(shí)研過程中我們根據(jù)已經(jīng)掌握的理論基礎(chǔ),結(jié)合實(shí)踐,經(jīng)歷幾個(gè)月的努力,終于完 成的單片機(jī)數(shù)字溫度計(jì)的設(shè)計(jì),該溫度計(jì)已成功通過測(cè)試,運(yùn)行良好。在整個(gè)設(shè)計(jì)過程中,我們發(fā)揮團(tuán)隊(duì)精神.分工合作,充分發(fā)揮人

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