電路板表面處理化金ppt課件

1、電路板表面處理化化 學(xué)學(xué) 鎳鎳 / /金金 製製 程程 簡(jiǎn)介簡(jiǎn)介Electroless Nickel/Immersion GoldElectroless Nickel/Immersion Gold化學(xué)化學(xué)Ni/Au Ni/Au 板主要應(yīng)用板主要應(yīng)用攜帶式電話呼叫器計(jì)算機(jī)電子字典電子記事本記憶卡筆記型PC掌上型PC(PDA)掌上型遊戲機(jī)PC介面卡IC卡ENIG(Electroless NicKle Immersion Gold) SWOTENIG(Electroless NicKle Immersion Gold) SWOT分析分析 優(yōu)勢(shì)優(yōu)勢(shì)(Strenngth) 劣勢(shì)劣勢(shì)(Weakness)

2、可 Wire Bonding. 表面平整 fine pitch( Cu Pd) Pd)上一層鈀上一層鈀, ,以作為化學(xué)鎳以作為化學(xué)鎳 反反 應(yīng)之觸媒應(yīng)之觸媒 反應(yīng)反應(yīng) 陽(yáng)極反應(yīng)陽(yáng)極反應(yīng) Cu Cu2+ + 2 e - (E0 = - Cu Cu2+ + 2 e - (E0 = -0.34V)0.34V) 陰極反應(yīng)陰極反應(yīng) Pd2+ + 2 e - Pd (E0 = Pd2+ + 2 e - Pd (E0 = 0.98V)0.98V) 全反應(yīng)全反應(yīng) Cu + Pd2+ Cu2+ + Pd Cu + Pd2+ Cu2+ + Pd化鎳 作用: 在活化後的銅面鍍上一層Ni/P合金, 作為阻 絕金與銅之

3、間的遷移Migration或擴(kuò)散 （Diffusion的障蔽層. 電化學(xué)理論電化學(xué)理論 H2PO2 H2O HPO32 2H+ 2e 次磷酸根氧化釋放電子(陽(yáng)極反應(yīng)) Ni2 2e Ni 鎳離子得到電子還原成金屬鎳(陰極反應(yīng)) 2 H+ 2 e H2 氫離子得到電子還原成氫氣(陰極反應(yīng)) H2PO2 e P2 OH 次磷酸根得到電子析出磷(陰極反應(yīng)) 總反應(yīng)式: Ni2 H2PO2 H2O H2PO32 H+ NiPdPdNi-P Grain Ni-P Grain 沉積沉積CuPd2+CuCuCu2+1. 活化活化2. Ni/P 沉積沉積3. Ni/P 持續(xù)生長(zhǎng)持續(xù)生長(zhǎng)Ni-P浸鍍金 作用作用

4、 (1) (1) 提供提供Au(CN)2 Au(CN)2 錯(cuò)離子來(lái)源錯(cuò)離子來(lái)源,.,.在鎳面置換在鎳面置換 ( (離子化趨勢(shì)離子化趨勢(shì) Ni Au) Ni Au)沉積出金層沉積出金層 (2) (2) 防止鎳表面產(chǎn)生鈍態(tài)並與溶出的防止鎳表面產(chǎn)生鈍態(tài)並與溶出的Ni2+ Ni2+ 結(jié)合成結(jié)合成錯(cuò)錯(cuò) 離子離子. . (3) (3) 抑制金屬污染物抑制金屬污染物( (減少游離態(tài)的減少游離態(tài)的Ni2+, Cu2+ Ni2+, Cu2+ 等等). ). 反應(yīng)反應(yīng) 陽(yáng)極反應(yīng)陽(yáng)極反應(yīng)Ni Ni2+ + 2 e- (E0 = 0.25V)Ni Ni2+ + 2 e- (E0 = 0.25V) 陰極反應(yīng)陰極反應(yīng)Au(CN)2- + e- Au + 2 CN- (E0 Au(CN)2- + e- Au + 2 CN- (E0 = 0.6V)= 0.6V) Ni + Au(CN)2- Ni2+ + Au + 2 CN- Ni + Au(CN)2- Ni2+ + Au + 2 CN-置換金反應(yīng)置換金反應(yīng)離子化趨勢(shì) Ni Au NiNi Ni