XXXX年新材料行業(yè)分析報(bào)告

1、新材料行業(yè)分析報(bào)告新材料行業(yè)分析報(bào)告 IGBT行業(yè)分析行業(yè)分析Contents一一二二三三新材料行業(yè)分析新材料行業(yè)分析新材料行業(yè)關(guān)注選擇新材料行業(yè)關(guān)注選擇IGBTIGBTIGBTIGBT重點(diǎn)關(guān)注公司重點(diǎn)關(guān)注公司吉林華微電子股份有限公司吉林華微電子股份有限公司Contents新材料行業(yè)分析新材料行業(yè)分析一一新材料行業(yè)的簡(jiǎn)述新材料行業(yè)的簡(jiǎn)述1新材料行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀新材料行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀23新材料行業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)新材料行業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)Contents新材料行業(yè)政策解析新材料行業(yè)政策解析4新材料行業(yè)其他環(huán)境新材料行業(yè)其他環(huán)境5我國(guó)新材料行業(yè)的談判地位我國(guó)新材料行業(yè)的談判地位67中國(guó)新材料現(xiàn)有企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力分析中國(guó)新

2、材料現(xiàn)有企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力分析一、新材料行業(yè)的簡(jiǎn)述 新材料的相關(guān)概念新材料是指新近發(fā)展的或正在研發(fā)的、性能超群的一些材料，具有比傳統(tǒng)材料更為優(yōu)異的性能。新材料技術(shù)則是按照人的意志，通過(guò)物理研究、 材料設(shè)計(jì)、材料加工、試驗(yàn)評(píng)價(jià)等一系列研究過(guò)程，創(chuàng)造出能滿(mǎn)足各種需要的新型材料的技術(shù)。 新材料的類(lèi)型1按組分類(lèi)金屬材料、無(wú)機(jī)非金屬材料（如陶瓷、砷化鎵半導(dǎo)體等）、有機(jī)高分子材料、先進(jìn)復(fù)合材料；2按材料性能分類(lèi)結(jié)構(gòu)材料、功能材料；3按領(lǐng)域分類(lèi)電子信息材料、新能源材料、納米材料、先進(jìn)復(fù)合材料、先進(jìn)陶瓷材料、生態(tài)環(huán)境材料、新型功能材料（含高溫超導(dǎo)材料、磁性材料、金剛石薄膜、功能高分子材料等）、生物醫(yī)用材料、高性能結(jié)

3、構(gòu)材料、智能材料、新型建筑及化工新材料等。二、新材料行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀 產(chǎn)業(yè)規(guī)模急劇擴(kuò)大，市場(chǎng)需求旺盛近幾年，新材料產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。據(jù)保守估算，現(xiàn)今世界上各種新材料市場(chǎng)規(guī)模每年已超過(guò)4000多億美元，新材料產(chǎn)業(yè)將是21世紀(jì)初葉發(fā)展最快的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一 （相關(guān)：圖一） 上下游進(jìn)一步融合 隨著高新技術(shù)的發(fā)展，新材料與基礎(chǔ)材料產(chǎn)業(yè)結(jié)合日益緊密，基礎(chǔ)材料正向新材料產(chǎn)業(yè)拓展 ，這種趨勢(shì)減少了材料產(chǎn)業(yè)化的中間環(huán)節(jié)，加快了研究成果的轉(zhuǎn)化，降低了研發(fā)與市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)，有利于提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力 多學(xué)科交叉和多部門(mén)聯(lián)合材料科學(xué)工程與其他學(xué)科交叉的領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，新材料的發(fā)展需要多部門(mén)聯(lián)合推動(dòng)，為使新材料的開(kāi)發(fā)能滿(mǎn)足各部門(mén)的要求，

4、許多國(guó)家都致力于把材料發(fā)展納入到產(chǎn)、學(xué)、研一體化的研發(fā)平臺(tái)根據(jù)相關(guān)研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告，2001年全球新材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模為1928億美元，2008年為8200億美元，2010年達(dá)到10000億美元，平均年增長(zhǎng)率為20.07%。 發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力由軍事需求向經(jīng)濟(jì)需求轉(zhuǎn)變上個(gè)世紀(jì)，國(guó)防和戰(zhàn)爭(zhēng)的需要、核能的利用和航空航天技術(shù)的發(fā)展是新材料發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力 而本世紀(jì)，衛(wèi)生保健、經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長(zhǎng)以及信息處理和應(yīng)用將成為新材料發(fā)展的根本動(dòng)力 工業(yè)和商業(yè)的全球化更加注重材料的經(jīng)濟(jì)性、知識(shí)產(chǎn)權(quán)價(jià)值與商業(yè)戰(zhàn)略的關(guān)系；基于環(huán)保的需要，新材料在發(fā)展綠色工業(yè)方面也會(huì)起重要作用 因此，新材料的發(fā)展更加關(guān)注人的經(jīng)濟(jì)和生活需求，新材料的

5、發(fā)展也在很大程因此，新材料的發(fā)展更加關(guān)注人的經(jīng)濟(jì)和生活需求，新材料的發(fā)展也在很大程 度上圍繞如何提高經(jīng)濟(jì)競(jìng)爭(zhēng)力和人類(lèi)的生活質(zhì)量展開(kāi)度上圍繞如何提高經(jīng)濟(jì)競(jìng)爭(zhēng)力和人類(lèi)的生活質(zhì)量展開(kāi) 三、新材料行業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè) 國(guó)際新材料行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì) 1向多功能、智能化方向發(fā)展，開(kāi)發(fā)與應(yīng)用聯(lián)系更加緊密 2低成本、高性能及綠色化發(fā)展趨勢(shì)明顯 3新材料產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)呈現(xiàn)全球化趨勢(shì) 國(guó)內(nèi)新材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì) “十一五”規(guī)劃中，新材料已經(jīng)是大力發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一。隨著中國(guó)逐漸成為全球制造業(yè)基地，新材料將越來(lái)越顯示出其發(fā)展?jié)摿?，成為支撐中?guó)制造業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。近年來(lái)，我國(guó)先后出臺(tái)一系列政策措施，鼓勵(lì)、扶持和發(fā)展新材料、新能源、節(jié)能環(huán)保

6、等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。而作為重點(diǎn)支持的領(lǐng)域之一，我國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)在“十二五”這一新的歷史發(fā)展階段有望高速發(fā)展。 四、新材料行業(yè)政策解析 近日，國(guó)務(wù)院出臺(tái)了國(guó)務(wù)院關(guān)于加快培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的決定。決定中指出要“大力發(fā)展稀土功能材料、高性能膜材料、特種玻璃、功能陶瓷、半導(dǎo)體照明材料等新型功能材料。積極發(fā)展高品質(zhì)特殊鋼、新型合金材料、工程塑料等先進(jìn)結(jié)構(gòu)材料，提升碳纖維、芳綸、超高分子量聚乙烯纖維等高性能纖維及其復(fù)合材料發(fā)展水平。開(kāi)展納米、超導(dǎo)、智能等共性基礎(chǔ)材料研究?！蓖瑫r(shí)，國(guó)務(wù)院近期針對(duì)十二五規(guī)劃，做出了加快培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的決定，先后通過(guò)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化新材料專(zhuān)項(xiàng)等7個(gè)項(xiàng)目大力支持新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)

7、展，更明確將新材料產(chǎn)業(yè)列為七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一。在未來(lái)的五年規(guī)劃中，目標(biāo)十分明確。新材料、新能源行業(yè)將在國(guó)家政策規(guī)劃的引導(dǎo)下，進(jìn)入黃金發(fā)展十年。國(guó)家多重利好政策強(qiáng)勢(shì)推動(dòng)，給新材料技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)了巨大的空間。五、新材料行業(yè)其他環(huán)境 國(guó)際環(huán)境 新材料行業(yè)是一類(lèi)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中發(fā)揮重要基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性作用的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，發(fā)展?jié)摿薮?。新材料和信息、能源并列?1實(shí)際三大支柱產(chǎn)業(yè)，是發(fā)展信息、航天、汽車(chē)、機(jī)械、生物醫(yī)藥等高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要物質(zhì)基礎(chǔ)和，已成為全球經(jīng)濟(jì)迅猛增長(zhǎng)的源動(dòng)力和各國(guó)提升核心競(jìng)爭(zhēng)力的焦點(diǎn)。 國(guó)內(nèi)環(huán)境 中國(guó)政府也重視新材料及產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展，在各項(xiàng)國(guó)家計(jì)劃中對(duì)新材料行業(yè)給予了重點(diǎn)支持。同時(shí)利用國(guó)家

8、政策進(jìn)行資金引導(dǎo)，使得大量資金投向新材料行業(yè)。 六、我國(guó)新材料行業(yè)的談判地位 優(yōu)勢(shì)1 政策支持凸顯新材料優(yōu)勢(shì)2 新材料支撐經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型 3. 新材料產(chǎn)業(yè)上下游進(jìn)一步融合 4. 新材料向多功能、智能化方向發(fā)展，開(kāi)發(fā)與應(yīng)用聯(lián)系更加緊密 5. 我國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)布局特有的優(yōu)勢(shì) 6. 新材料產(chǎn)業(yè)集群化態(tài)勢(shì)7. 國(guó)防軍工的現(xiàn)代化將極大的拉動(dòng)新材料的需求 8. 國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)自主創(chuàng)新能力提升，進(jìn)口替代趨勢(shì)明顯 新材料行業(yè)的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)與經(jīng)濟(jì)活動(dòng)總水新材料行業(yè)的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)與經(jīng)濟(jì)活動(dòng)總水平的周期及振幅相關(guān)性較小。即使在經(jīng)平的周期及振幅相關(guān)性較小。即使在經(jīng)濟(jì)不景氣的時(shí)期，新材料行業(yè)增長(zhǎng)，也濟(jì)不景氣的時(shí)期，新材料行業(yè)增長(zhǎng)，也沒(méi)有

9、受到經(jīng)濟(jì)周期的影響，其推陳出新沒(méi)有受到經(jīng)濟(jì)周期的影響，其推陳出新的技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)品創(chuàng)新，為其保持良好的技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)品創(chuàng)新，為其保持良好的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)奠定了基礎(chǔ)。此外，由于新的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)奠定了基礎(chǔ)。此外，由于新材料行業(yè)技術(shù)的差距，導(dǎo)致行業(yè)進(jìn)入壁材料行業(yè)技術(shù)的差距，導(dǎo)致行業(yè)進(jìn)入壁壘大、產(chǎn)能擴(kuò)張進(jìn)程較慢，因此行業(yè)景壘大、產(chǎn)能擴(kuò)張進(jìn)程較慢，因此行業(yè)景氣周期比一般行業(yè)長(zhǎng)。氣周期比一般行業(yè)長(zhǎng)。從從20082008年年1010月到月到20092009年年8 8月，上證指數(shù)月，上證指數(shù)漲幅為漲幅為70.97%70.97%，而新材料指數(shù)的漲幅，而新材料指數(shù)的漲幅 了了150%150%，是上證指數(shù)的兩倍還多，體現(xiàn)，是上證

10、指數(shù)的兩倍還多，體現(xiàn)了新材料行業(yè)的高速增長(zhǎng)性。從了新材料行業(yè)的高速增長(zhǎng)性。從20102010年年1 1月至今，上證指數(shù)的跌幅為月至今，上證指數(shù)的跌幅為17.77%17.77%，而新材料行業(yè)指數(shù)基本持平，體現(xiàn)了新而新材料行業(yè)指數(shù)基本持平，體現(xiàn)了新材料行業(yè)的較好防御性。材料行業(yè)的較好防御性。 劣勢(shì)雖然我國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)取得了很大進(jìn)步，但與發(fā)達(dá)國(guó)家相比還有很大差距，主要表現(xiàn)在：擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的專(zhuān)利成果還不夠多，高性能、高附加值的產(chǎn)品相對(duì)較少；新材料的工程應(yīng)用開(kāi)發(fā)滯后，成果轉(zhuǎn)化率低，規(guī)?；a(chǎn)程度低；材料的合成與加工裝備落后，資源和能源利用率低，單位國(guó)民生產(chǎn)總值所消耗的礦物原料比發(fā)達(dá)國(guó)家高2-4倍，二次

11、資源利用率只相當(dāng)于世界發(fā)達(dá)水平的1/4-1/3，廢棄資源的回收技術(shù)和水平低，環(huán)境問(wèn)題突出等 我國(guó)新材料行業(yè)發(fā)展的成就在一些重點(diǎn)、關(guān)鍵領(lǐng)域，如新材料的制備技術(shù)、工藝技術(shù)、新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及節(jié)能、環(huán)保和資源綜合利用等方面取得了明顯成效，促進(jìn)了一批新材料產(chǎn)業(yè)的形成和發(fā)展，初步形成了完整的新材料體系，特別是在電子信息材料領(lǐng)域取得了顯著成就。七、中國(guó)新材料現(xiàn)有企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力分析 新材料產(chǎn)業(yè)的三大特點(diǎn)1 覆蓋范圍廣、關(guān)聯(lián)度小2 投資與技術(shù)高度密集3 高風(fēng)險(xiǎn)、高收益中國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)具有的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)1 需求旺盛 ，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大2. 產(chǎn)業(yè)集聚 ，發(fā)展凸顯新特色 3. 政府支持，形成初步產(chǎn)業(yè)體系 中國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的部分

12、制約因素1 企業(yè)轉(zhuǎn)制的缺陷2 市場(chǎng)關(guān)聯(lián)度小3 技術(shù)深度落后4 價(jià)格協(xié)調(diào)能力弱5. 與發(fā)達(dá)國(guó)家差距大 新材料現(xiàn)有企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈， 挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存在稀土新材料領(lǐng)域，我國(guó)稀土資源占世界總儲(chǔ)量的80%，產(chǎn)量占世界總產(chǎn)量的70%，但其中的2/3以資源或初級(jí)產(chǎn)品的方式出口國(guó)外。從整體看，國(guó)內(nèi)稀土新材料廠商主要生產(chǎn)、供應(yīng)和出口低端材料產(chǎn)品。在電池新材料方面，近年來(lái)國(guó)內(nèi)電池新材料廠商不斷加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力逐步增強(qiáng)，但在鋰電池隔離膜方面，幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口。目前，我國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)基地發(fā)展較快，新材料產(chǎn)業(yè)基地正成為區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展的推動(dòng)力量之一，同時(shí)也成為各個(gè)區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn) ，這種競(jìng)爭(zhēng)促進(jìn)了當(dāng)?shù)匦虏牧袭a(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也使

13、我國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)區(qū)域差異。由于新材料生產(chǎn)對(duì)技術(shù)、生產(chǎn)工藝要求較高，國(guó)外一些企業(yè)在材料供應(yīng)上占據(jù)主導(dǎo)地位，主要原因就是其在技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)工藝上領(lǐng)先。由于新材料研發(fā)和生產(chǎn)資金投入大，達(dá)到規(guī)模經(jīng)濟(jì)的產(chǎn)量也相對(duì)提高，規(guī)模較大的廠商可以降低生產(chǎn)成本，建立成本優(yōu)勢(shì)，因?yàn)榇藭r(shí)生產(chǎn)規(guī)模成了新的競(jìng)爭(zhēng)手段。Contents新材料行業(yè)關(guān)注選擇新材料行業(yè)關(guān)注選擇IGBTIGBT二二IGBTIGBT概述概述1 1IGBTIGBT所處環(huán)境所處環(huán)境2 2IGBTIGBT發(fā)展前景發(fā)展前景3 3IGBTIGBT投資理念投資理念 4 4一、IGBT概述 IGBT概念I(lǐng)GBT(Insulated Gate Bipolar Tra

14、nsistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 IGBT發(fā)展歷史1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類(lèi)晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N

15、-P-N四層組成），其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體）工藝被采用到IGBT中來(lái)。這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步，以及采用對(duì)應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計(jì)的n+緩沖層而進(jìn)展的。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計(jì)的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計(jì)規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米。90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成（LSI）工藝借鑒來(lái)的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型芯片結(jié)構(gòu)。在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn)。1996年，C

16、STBT（載流子儲(chǔ)存的溝槽柵雙極晶體管）使第5代IGBT模塊得以實(shí)現(xiàn)，它采用了弱穿通（LPT）芯片結(jié)構(gòu)，又采用了更先進(jìn)的寬元胞間距的設(shè)計(jì)。目前，包括一種“反向阻斷型”（逆阻型）功能或一種“反向?qū)ㄐ汀保鎸?dǎo)型）功能的IGBT器件的新概念正在進(jìn)行研究，以求得進(jìn)一步優(yōu)化。 現(xiàn)在,大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,現(xiàn)在已制造出集成化的IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)電路.其性能更好,整機(jī)的可靠性更高及體積更小。 二、IGBT所處環(huán)境 全球IGBT主要供應(yīng)商集中在英飛凌、三菱、ABB、富士等少數(shù)幾家，我國(guó)只有少數(shù)企業(yè)從事中小功率IGBT的封裝，而且尚未形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模，在IGBT

17、芯片的產(chǎn)業(yè)化以及大功率IGBT的封裝方面，幾乎是一片空白。目前有近十家企業(yè)正在或者打算進(jìn)入這個(gè)行業(yè)。 國(guó)家發(fā)改委2007年發(fā)布的關(guān)于組織實(shí)施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)有關(guān)問(wèn)題的通知，國(guó)家將實(shí)施電力電子器件產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項(xiàng)，其中重點(diǎn)支持的項(xiàng)目就包括IGBT。2007年，國(guó)家科技部已將IGBT的研制列為七大課題之一。國(guó)家信息產(chǎn)業(yè)部產(chǎn)品司也在今年8月召開(kāi)研討會(huì)，旨在研究如何在國(guó)內(nèi)發(fā)展IGBT并撥款予以扶持。IGBT產(chǎn)業(yè)將遇到前所未有的發(fā)展契機(jī)。 三、IGBT發(fā)展前景 IGBT是功率半導(dǎo)體的技術(shù)前沿，具有節(jié)能效率高，便于規(guī)?；a(chǎn)，較易實(shí)現(xiàn)節(jié)能智能化等優(yōu)點(diǎn)，將成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展的主流技術(shù)。而目前該產(chǎn)品市場(chǎng)

18、應(yīng)用率較低，市場(chǎng)增長(zhǎng)空間巨大。 2009年我國(guó)IGBT市場(chǎng)為53億元左右，目前我國(guó)IGBT市場(chǎng)占整個(gè)功率器件市場(chǎng)份額尚不足10%，我們預(yù)計(jì)未來(lái)幾年IG-BT市場(chǎng)隨著節(jié)能減排的推進(jìn)將得到快速發(fā)展，增速將達(dá)到20%30%，遠(yuǎn)超整個(gè)功率器件市場(chǎng)。中國(guó)已經(jīng)擁有較好的IGBT的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，同時(shí)，部分本土企業(yè)已經(jīng)積極進(jìn)行IGBT制造技術(shù)的突破，并取得較好的進(jìn)展。而智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、新能源汽車(chē)以及家電節(jié)能等本土市場(chǎng)，更為這些企業(yè)的技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)IGBT的“進(jìn)口替代”創(chuàng)造了堅(jiān)實(shí)的市場(chǎng)基礎(chǔ)。四、IGBT投資理念I(lǐng)GBT目前主要應(yīng)用在電機(jī)、變換器(逆變器)、變頻器、UPS、EPS電源、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)閃光燈

19、充電器、電磁爐、變頻家電等工業(yè)控制和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，其中消費(fèi)電子產(chǎn)品所占的比重較大。投資標(biāo)的：根據(jù)這三大標(biāo)準(zhǔn)，我們推薦華微電子、中環(huán)股份與長(zhǎng)電經(jīng)濟(jì)，關(guān)注科達(dá)股份。 Contents三三新材料行業(yè)的簡(jiǎn)述新材料行業(yè)的簡(jiǎn)述1新材料行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀新材料行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀23新材料行業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)新材料行業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)IGBTIGBT重點(diǎn)關(guān)注公司重點(diǎn)關(guān)注公司吉林華微電子股份有限公司吉林華微電子股份有限公司一、公司概要一、公司概要股票代碼：600360 公司名稱(chēng)(中) ：吉林華微電子股份有限公司 公司名稱(chēng)(英) ：Jilin Sino-Microelectronics Co.,Ltd. 行業(yè)分類(lèi) ：電子元器件制造業(yè)

20、公司經(jīng)營(yíng)范圍：半導(dǎo)體分立器件、集成電路、電力電子產(chǎn)品、汽車(chē)電子產(chǎn)品、自動(dòng)化儀表、電子元件、應(yīng)用軟件的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造與銷(xiāo)售：經(jīng)營(yíng)本企業(yè)自產(chǎn)產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)的出口業(yè)務(wù)(國(guó)家限定公司經(jīng)營(yíng)或禁止出口的商品除外)、經(jīng)營(yíng)本企業(yè)生產(chǎn)、科研所需的原輔材料、機(jī)械設(shè)備、儀器儀表、零配件及相關(guān)技術(shù)的進(jìn)口業(yè)務(wù)(國(guó)家限定公司經(jīng)營(yíng)或禁止進(jìn)口的商品除外)；經(jīng)營(yíng)本企業(yè)的進(jìn)料加工和“三來(lái)一補(bǔ)”業(yè)務(wù)。 法人代表 ：夏增文 公司成立時(shí)間 ：1999-10-21 公司產(chǎn)業(yè)布局2006年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件（含光電子器件）市場(chǎng)需求額為1088億元，比2005年增長(zhǎng)16.1%,占全球半導(dǎo)體分立器件（含光電子器件）市場(chǎng)規(guī)模的35.7從200

21、6年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)區(qū)結(jié)構(gòu)來(lái)看，珠三角地區(qū)是最大的區(qū)域市場(chǎng)，該地區(qū)的分立器件市場(chǎng)占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)總規(guī)模的45.8。隨著國(guó)內(nèi)外IT制造業(yè)向長(zhǎng)江三角洲地區(qū)的轉(zhuǎn)移，該地區(qū)對(duì)分立器件在內(nèi)的各類(lèi)元器件的需求高于全國(guó)平均增長(zhǎng)速度，長(zhǎng)三角地區(qū)銷(xiāo)售占40，京津渤海地區(qū)占10.3，其他占3.9。和市場(chǎng)結(jié)構(gòu)相符，在產(chǎn)業(yè)布局方面，公司制定了“積極拓展上下游產(chǎn)業(yè)、積極尋求擴(kuò)大產(chǎn)能、積極開(kāi)拓珠三角、長(zhǎng)三角市場(chǎng)”的投資擴(kuò)張戰(zhàn)略，公司利用吉林總廠成熟的制造能力和成本優(yōu)勢(shì)將其定位為制造基地，而根據(jù)公司主要客戶(hù)分布，在無(wú)錫和廣州設(shè)立封測(cè)廠，拉近和客戶(hù)的關(guān)系，產(chǎn)業(yè)布局合理。這樣可以減少封測(cè)的外包，進(jìn)一步降低公司運(yùn)營(yíng)成本、增加邊際

22、貢獻(xiàn)利潤(rùn)，而且能夠發(fā)揮規(guī)模優(yōu)勢(shì)。 公司競(jìng)爭(zhēng)能力swot分析相對(duì)國(guó)際對(duì)手有成本優(yōu)勢(shì)，相對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)有技術(shù)和規(guī)模的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。市場(chǎng)和技術(shù)的結(jié)合，貼近市場(chǎng)，為客戶(hù)量身定做產(chǎn)品。實(shí)在可靠的品質(zhì)，加上有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格，加上龐大的銷(xiāo)量，構(gòu)成公司持續(xù)的競(jìng)爭(zhēng)力。公司的銷(xiāo)售以直銷(xiāo)為主，這可以降低渠道成本；同時(shí)，由研發(fā)、推廣和技術(shù)支持組成統(tǒng)一團(tuán)隊(duì)，使得公司開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品更貼近市場(chǎng)，響應(yīng)速度更快，有利于實(shí)現(xiàn)差異化優(yōu)勢(shì)。在價(jià)格定位方面追求長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展，產(chǎn)品品質(zhì)、性能向國(guó)際先進(jìn)公司看齊，而價(jià)格卻低于國(guó)際大公司的進(jìn)口產(chǎn)品價(jià)格。此外，公司在產(chǎn)品推廣方式上打破常規(guī)，在研發(fā)階段就讓客戶(hù)介入，從而縮短產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間，滿(mǎn)足客戶(hù)的差異化需求，

23、并與客戶(hù)建立深入、長(zhǎng)遠(yuǎn)的合作關(guān)系。 1.成本優(yōu)勢(shì)（1）國(guó)內(nèi)生產(chǎn)、管理、運(yùn)營(yíng)成本低廉公司在勞動(dòng)力成本方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。在中低端產(chǎn)品領(lǐng)域，由于沒(méi)有成本優(yōu)勢(shì)，國(guó)外企業(yè)已很難跟內(nèi)資企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，目前跨國(guó)公司在一些常規(guī)產(chǎn)品市場(chǎng)中已經(jīng)逐漸退出；在中高端產(chǎn)品領(lǐng)域，隨著資金、技術(shù)、人力資源的積累，目前國(guó)內(nèi)企業(yè)也開(kāi)始加強(qiáng)對(duì)中高端產(chǎn)品市場(chǎng)的開(kāi)發(fā)，個(gè)別產(chǎn)品也開(kāi)始擠占跨國(guó)公司的市場(chǎng)份額。公司作為國(guó)內(nèi)最大的功率半導(dǎo)體器件廠商，憑借著多年研發(fā)能力的積累和低成本優(yōu)勢(shì)，在彩電用晶體管、機(jī)箱電源用晶體管、節(jié)能燈用晶體管等產(chǎn)品市場(chǎng)已逐漸取代跨國(guó)廠商，成為國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的主要供應(yīng)商。半導(dǎo)體對(duì)動(dòng)力和水的要求較高，公司地處吉林省吉林市，成本優(yōu)

24、勢(shì)明顯，當(dāng)?shù)氐乃?、電資源豐富、價(jià)格低廉，人工成本也較低，與國(guó)內(nèi)同行相比，具有一定的成本優(yōu)勢(shì)。（2）產(chǎn)業(yè)鏈一體化優(yōu)勢(shì)全球主要半導(dǎo)體功率器件廠商的經(jīng)營(yíng)模式基本可以分為兩類(lèi)，即垂直整合模式（IDM，即業(yè)務(wù)涵蓋從設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試到對(duì)外銷(xiāo)售整個(gè)流程的經(jīng)營(yíng)模式）和專(zhuān)業(yè)化分工經(jīng)營(yíng)模式（如專(zhuān)門(mén)從事專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)的Fabless模式和專(zhuān)門(mén)從事芯片代工的Foundry模式），其中產(chǎn)業(yè)鏈一體化模式是大型國(guó)際廠商的傳統(tǒng)經(jīng)營(yíng)模式。公司采用的是垂直整合模式，即產(chǎn)業(yè)鏈上下游一體化，公司控制市場(chǎng)和芯片的生產(chǎn)。公司擁有自己的研發(fā)力量和核心技術(shù)，能夠根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)行新技術(shù)和新工藝的研發(fā)，按照客戶(hù)要求進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)；擁有芯片生產(chǎn)線(xiàn)和測(cè)

25、試封裝生產(chǎn)線(xiàn)，具有芯片生產(chǎn)和測(cè)試封裝能力；擁有自己的品牌，直接面向市場(chǎng)進(jìn)行銷(xiāo)售；能夠保持對(duì)銷(xiāo)售渠道較強(qiáng)的控制能力，獨(dú)立經(jīng)營(yíng)能力強(qiáng)，資源使用效率也較高。2.技術(shù)優(yōu)勢(shì)公司的自主研發(fā)能力始終處于國(guó)內(nèi)同行前列，一直把轉(zhuǎn)化和推廣高水平的科研成果作為公司的經(jīng)營(yíng)發(fā)展方向。多年來(lái)一直重視產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新工作，公司業(yè)務(wù)的拓展也是以產(chǎn)品和技術(shù)創(chuàng)新為先導(dǎo)。公司秉承“企業(yè)的生命在于產(chǎn)品，產(chǎn)品的生命在于創(chuàng)新”的產(chǎn)品研發(fā)理念，不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新促進(jìn)企業(yè)發(fā)展動(dòng)力。公司建立研發(fā)機(jī)構(gòu)省級(jí)技術(shù)中心，公司主要通過(guò)技術(shù)中心開(kāi)展各項(xiàng)研究開(kāi)發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新工作。此外，通過(guò)與飛利浦、仙童半導(dǎo)體等國(guó)際大公司的合作，公司的技術(shù)水平和管理能力也得到

26、很大提高，逐漸拉大了與國(guó)內(nèi)同行的技術(shù)差距。公司是2006年科學(xué)技術(shù)部、國(guó)務(wù)院國(guó)資委和中華全國(guó)總工會(huì)確定的首批103家創(chuàng)新型試點(diǎn)企業(yè)之一，是半導(dǎo)體行業(yè)唯一入選的企業(yè)。3.規(guī)模優(yōu)勢(shì)半導(dǎo)體行業(yè)在設(shè)備、產(chǎn)品研發(fā)等方面投入較大，而且產(chǎn)品在技術(shù)成熟后價(jià)格下跌的趨勢(shì)較為明顯，因此規(guī)模效益對(duì)于半導(dǎo)體企業(yè)維系生存、保持可持續(xù)發(fā)展非常重要。發(fā)行人是國(guó)內(nèi)最大的功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠家，與其他國(guó)內(nèi)同行相比，在規(guī)模效益上具有明顯優(yōu)勢(shì)。這種優(yōu)勢(shì)不僅體現(xiàn)在對(duì)前期設(shè)備投入、產(chǎn)品研發(fā)投入等沉積成本的消化上，而且在原材料供應(yīng)方面也能夠獲得比國(guó)內(nèi)同行更優(yōu)惠的供貨價(jià)格、供貨條件和供應(yīng)保障。如果公司有行業(yè)整合的打算，則有利于行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)秩序

27、的改善。4行業(yè)威脅半導(dǎo)體行業(yè)在中國(guó)市場(chǎng)中屬于新興行業(yè)，有較大的發(fā)展前景，行業(yè)還是較有吸引力的，但存在較高的壁壘，包括： (1)成為合格供應(yīng)商的資質(zhì)壁壘 公司要想成為下游企業(yè)的合格供應(yīng)商，除要達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，更要通過(guò)嚴(yán)格的供應(yīng)商資質(zhì)認(rèn)定。對(duì)供應(yīng)商的資質(zhì)認(rèn)定至少在半年，一般需要多次試用后方能通過(guò)資質(zhì)認(rèn)定，再通過(guò)相當(dāng)一段時(shí)間的小批量供貨測(cè)試后才能正式成為其供應(yīng)商。企業(yè)一旦通過(guò)供應(yīng)商資質(zhì)的最終審定，將被納入到企業(yè)的全球供應(yīng)鏈，可以接受其全球生產(chǎn)基地的采購(gòu)。而且一旦確定合作關(guān)系，為保證產(chǎn)品品質(zhì)及維護(hù)供貨的穩(wěn)定性，這些企業(yè)通常不會(huì)輕易改變分立器件供應(yīng)商。這種嚴(yán)格的供應(yīng)商資質(zhì)認(rèn)定，以及基于長(zhǎng)期合作而形成的穩(wěn)定

28、客戶(hù)關(guān)系，形成了極強(qiáng)的資質(zhì)壁壘。(2)資金和生產(chǎn)規(guī)模壁壘半導(dǎo)體行業(yè)屬于資金密集型的行業(yè)，行業(yè)的進(jìn)入需要在凈化廠房、設(shè)備、技術(shù)、人力資源等方面有較高的資金投入。從事生產(chǎn)所需的大部分生產(chǎn)和檢測(cè)設(shè)備需要進(jìn)口；同時(shí)由于產(chǎn)品配套化及生產(chǎn)規(guī)?；囊?，新進(jìn)入本行業(yè)的企業(yè)需要一次性投入大量的設(shè)備資金。除需要投資較為昂貴的制造設(shè)備及檢測(cè)設(shè)備外，由于客戶(hù)的帳期從一個(gè)月到三個(gè)月，廠商還需要較大的流動(dòng)資金投入，服務(wù)對(duì)象也要求廠商又較大的生產(chǎn)規(guī)模，有足夠的產(chǎn)能保證供貨的及時(shí)。此外，近年隨著單晶硅片供應(yīng)的日益緊張和引線(xiàn)框架、鍵合金絲價(jià)格的持續(xù)上漲，企業(yè)運(yùn)營(yíng)對(duì)流動(dòng)資金的需求量也越來(lái)越大，對(duì)企業(yè)資金實(shí)力提出了更高的要求，從

29、而進(jìn)一步增加了行業(yè)新進(jìn)入者的市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)。(3)技術(shù)壁壘半導(dǎo)體行業(yè)同時(shí)也是技術(shù)密集型的行業(yè)，需要有較強(qiáng)的整體技術(shù)實(shí)力，工藝技術(shù)、品質(zhì)控制水平和生產(chǎn)管理技術(shù)都非常重要，需要長(zhǎng)時(shí)間的實(shí)踐和積累。同時(shí)，由于下游電子產(chǎn)品更新?lián)Q代較快，企業(yè)需要長(zhǎng)期不斷進(jìn)行工藝技術(shù)、品質(zhì)控制及生產(chǎn)管理等多方面的更新和提高。半導(dǎo)體分立器件制造對(duì)工藝設(shè)計(jì)和工藝過(guò)程控制的要求非常高，很多關(guān)鍵技術(shù)都需要通過(guò)工藝過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的創(chuàng)新在很大程度上主要體現(xiàn)為產(chǎn)品生產(chǎn)工藝上的創(chuàng)新，技術(shù)水平也主要體現(xiàn)為產(chǎn)品加工的工藝水平。生產(chǎn)工藝的創(chuàng)新和技術(shù)水平主要來(lái)源于企業(yè)長(zhǎng)時(shí)間、大規(guī)模的生產(chǎn)實(shí)踐，需要持續(xù)的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的積累，行業(yè)新進(jìn)入者很難

30、在短期內(nèi)獲得。此外，功率半導(dǎo)體器件企業(yè)和下游企業(yè)在技術(shù)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上具有非常緊密的互動(dòng)關(guān)系，下游企業(yè)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品往往需要所使用功率器件在工藝上進(jìn)行改進(jìn)或創(chuàng)新，甚至共同開(kāi)發(fā)出新的工藝和技術(shù)。由于半導(dǎo)體器件產(chǎn)品單位制造成本高，產(chǎn)品合格率極為重要，新產(chǎn)品上線(xiàn)后需要通過(guò)工藝磨合、調(diào)整和改進(jìn)逐漸提高合格率，而成熟產(chǎn)品也需要制造過(guò)程控制技術(shù)保持合格率。雖然功率器件與其他半導(dǎo)體產(chǎn)品相比，產(chǎn)品的生命周期相對(duì)較長(zhǎng)，但產(chǎn)品在進(jìn)入技術(shù)成熟期后價(jià)格仍有一個(gè)自然下跌的過(guò)程，如果原材料成本持續(xù)大幅上漲，小企業(yè)就將面臨嚴(yán)峻的考驗(yàn)，而大企業(yè)往往能夠通過(guò)不斷的工藝改進(jìn)降低生產(chǎn)成本，從而取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。研發(fā)、生產(chǎn)和管理等方面的專(zhuān)業(yè)人才

31、稀缺。通過(guò)自我開(kāi)發(fā)需經(jīng)過(guò)多年的努力和積累，要在短時(shí)間內(nèi)掌握成熟、穩(wěn)定的核心技術(shù)是非常困難的，技術(shù)壁壘比較強(qiáng)。 公司募投項(xiàng)目的前景公司募投項(xiàng)目的前景可以從市場(chǎng)渠道、市場(chǎng)容量、技術(shù)三個(gè)方面予以說(shuō)明。1.市場(chǎng)渠道利用現(xiàn)有客戶(hù)渠道，以?xún)?yōu)惠的價(jià)格給客戶(hù)試用。以國(guó)內(nèi)現(xiàn)有的雙極型功率晶體管升級(jí)換代的需求為契機(jī)，充分利用公司現(xiàn)有市場(chǎng)資源和市場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)，借助雙極型功率晶體管的品牌優(yōu)勢(shì)，以平板電視、白色家電、開(kāi)關(guān)電源、計(jì)算機(jī)、節(jié)能照明等公司已成熟市場(chǎng)為切入點(diǎn)，以較快的速度搶先成為國(guó)內(nèi)VDMOS等新型功率半導(dǎo)體器件的主供應(yīng)商，然后進(jìn)一步拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)入數(shù)碼產(chǎn)品、通訊等行業(yè)。公司現(xiàn)有的產(chǎn)品有晶體管、二極管、軟快恢復(fù)二

32、極管、阻尼二極管、可控硅、半導(dǎo)體放電管、MOSFET等，產(chǎn)品應(yīng)用于家電、綠色照明、計(jì)算機(jī)及通訊、汽車(chē)電子等四大領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括：應(yīng)用于彩色電視機(jī)和綠色照明的大功率晶體管；應(yīng)用于機(jī)箱電源的高頻大功率晶體管等；應(yīng)用于彩顯、PC機(jī)的高頻大功率晶體管；應(yīng)用于汽車(chē)、摩托車(chē)自動(dòng)點(diǎn)火裝置的達(dá)林頓晶體管和可控硅系列產(chǎn)品；應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及外設(shè)、移動(dòng)通訊以及便攜式電子產(chǎn)品的肖特基二極管；廣泛應(yīng)用于程控交換機(jī)、電話(huà)機(jī)、ISDN、FAX、MODEM和無(wú)線(xiàn)電遙控設(shè)備等領(lǐng)域的保護(hù)器件放電管；應(yīng)用于家電音響裝置的功率放大和功率輸出的NPN、PNP 對(duì)管等等。 2.市場(chǎng)容量方面雙極型和MOSFET的市場(chǎng)需求在1：4左右，MO

33、SFET的市場(chǎng)容量更大。新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)當(dāng)前的發(fā)展水平與國(guó)際相比，大約落后十幾年，其發(fā)展與國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求相比存在巨大落差，所需新型功率半導(dǎo)體器件90%以上仍需依賴(lài)進(jìn)口，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)廠家也以合資企業(yè)為主。因此，即使僅僅從替代進(jìn)口的角度看，對(duì)于國(guó)內(nèi)功率器件企業(yè)而言，新型功率半導(dǎo)體器件是一個(gè)巨大的市場(chǎng)。況且，如前所述，與傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件相比，VDMOS、IGBT和PIC等新型功率半導(dǎo)體器件的增長(zhǎng)速度要快得多，市場(chǎng)增長(zhǎng)空間極為可觀。募集資金項(xiàng)目計(jì)劃產(chǎn)量為4萬(wàn)片/月，其中VDMOS 2.8萬(wàn)片/月、IGBT 0.6萬(wàn)片/月、PIC 0.6萬(wàn)片/月。六英寸VDMOS每片按2,300粒、片內(nèi)合格率

34、按95%計(jì)算，則每片6英寸硅片可產(chǎn)出2,200粒產(chǎn)品，封裝成成品后最多為2,200只/片，據(jù)此計(jì)算，本項(xiàng)目建成后，VDMOS的計(jì)劃產(chǎn)量為6,160萬(wàn)只/月，年產(chǎn)量近7.4億只，只占2005年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求量的6.1%；IGBT按每片合格芯粒為320粒計(jì)算，則項(xiàng)目建成后，IGBT的年產(chǎn)量為2,300萬(wàn)只/年，只占2005年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求量的10%左右；同樣，項(xiàng)目PIC的計(jì)劃產(chǎn)量也僅占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求量的極少份額。綜上分析可見(jiàn)，項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，公司的產(chǎn)能對(duì)市場(chǎng)的影響較小，還不能滿(mǎn)足中國(guó)MOS產(chǎn)品的自然增長(zhǎng)，產(chǎn)品供過(guò)于求的風(fēng)險(xiǎn)較小。3.技術(shù)方面公司經(jīng)過(guò)多年MOSFET的研究，已取得突破性進(jìn)展。公司目前主要是

35、在其麥吉柯的5寸線(xiàn)、6寸線(xiàn)小批量生產(chǎn)這類(lèi)產(chǎn)品，公司已經(jīng)解決了MOS生產(chǎn)中的關(guān)鍵技術(shù)，如VDMOS、IGBT和PIC設(shè)計(jì)技術(shù)、高壓功率器件結(jié)終端處理技術(shù)、大面積高質(zhì)量均勻柵氧化層制造技術(shù)等，并在這些設(shè)計(jì)和制造技術(shù)中形成了自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。公司已經(jīng)在生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品儲(chǔ)備上做好了大規(guī)模進(jìn)軍6代線(xiàn)的準(zhǔn)備，技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)不大。新產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展方向：MOSFET：功率MOSFET的工藝水平已進(jìn)入亞微米甚至向深亞微米發(fā)展。此外，采用自對(duì)準(zhǔn)工藝減少掩膜版次數(shù)、采用非均勻漂移區(qū)降低導(dǎo)通電阻等新結(jié)構(gòu)、新工藝也正在不斷涌現(xiàn)。IGBT：由于既有功率MOSFET高輸入阻抗、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管漂移區(qū)電導(dǎo)調(diào)制、導(dǎo)通損

36、耗低的特點(diǎn)，IGBT在600V以上中等電壓范圍內(nèi)成為主流的功率器件，且正逐漸向高壓大電流領(lǐng)域發(fā)展。PIC：技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)是工作頻率更高、功率更大、功耗更低和功能更全，包括：開(kāi)發(fā)出高成品率、低成本工藝且兼容于CMOS和BiCMOS；針對(duì)包括多個(gè)大功率器件的單片SPIC的研究；能在高溫下工作并具有較好堅(jiān)固性的SPIC的研究；大電流高速M(fèi)OS控制并有自保護(hù)功能的橫向功率器件的研究。在大功率集成領(lǐng)域，以智能功率模塊（IPM）與IPEM為代表的混合集成技術(shù)將得到迅速發(fā)展。公司針對(duì)新技術(shù)的特點(diǎn)，有針對(duì)性的進(jìn)行了技術(shù)研發(fā)和儲(chǔ)備。新型功率半導(dǎo)體器件的制造對(duì)廠房、凈化、超純材料、精細(xì)線(xiàn)條加工、精確摻雜等多方面與VLSI有相似的技術(shù)要求，只是線(xiàn)條寬度可稍寬松一些。同時(shí)，新型功率半導(dǎo)體器件又有自己特殊需要的高耐壓（幾十至幾千伏）、大電流（幾安至幾千安）、低功耗、高溫工作、高頻及di/dt和dv/dt高耐量等一系列要求，公司的生產(chǎn)工藝已可以滿(mǎn)足產(chǎn)品的高性能、高成品率、高一致性的大規(guī)模生產(chǎn)要求。公