半導(dǎo)體芯片制造高級(jí)工測(cè)試題

1、1、填空題二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECV流積。2、填空題離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個(gè)射程參數(shù)是（）和（）。3、單項(xiàng)選擇題雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。A.hFEVcesB.BVceC.ftfm4、單項(xiàng)選擇題反應(yīng)離子腐蝕是（）A.化學(xué)刻蝕機(jī)理B.物理刻蝕機(jī)理C.物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合5、填空題外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。6、單項(xiàng)選擇題金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作封裝底盤(pán)、管帽和引線，（）做絕緣和密封。A.塑料B.玻璃C.金屬

2、7、填空題釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、（）等。8、填空題釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。9、單項(xiàng)選擇題非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有定的距離，稱為間隙，通常為（）OA.小于0.1mmB.0,52.0mmC.大于2.0mm10、填空題雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。11、單項(xiàng)選擇題恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。A.高斯B.余誤差C.指數(shù)12、單項(xiàng)選擇題金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤(pán)、管帽和引線的材料常常是（）。A

3、.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐13、填空題禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。14、單項(xiàng)選擇題超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對(duì)象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。A.管帽變形B.鍍金層的變形C.底座變形15、問(wèn)答題有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法?16、單項(xiàng)選擇題外殼設(shè)計(jì)包括（）設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而可靠性設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。A.電性能B.電阻C.電感17、問(wèn)答題粘封工藝中，常用

4、的材料有哪幾類(lèi)?18、填空題延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。19、問(wèn)答題簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量?20、填空題氣中的一個(gè)小塵埃將影響整個(gè)芯片的（）性、（）率，并影響其電學(xué)性能和（）性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房?jī)?nèi)進(jìn)行。21、填空題外殼設(shè)計(jì)包括電性能設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而（）設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間22、單項(xiàng)選擇題在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量,必須確定的基本規(guī)范包括（）A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力B.焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力C.焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)

5、間23、單項(xiàng)選擇題濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。A.電子B.中性粒子C.帶能離子24、填空題厚膜混合集成電路的基片種類(lèi)很多，目前常用的有:氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N陶瓷25、單項(xiàng)選擇題pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)（）的重要標(biāo)志。A.擴(kuò)散層質(zhì)量B.設(shè)計(jì)C.光刻26、問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性?27、填空題芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。28、單項(xiàng)選擇題在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2%（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98%（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20%的運(yùn)載劑與（）的

6、玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。A.80%90%B.10%20%C.40%-50%29、填空題熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。30、單項(xiàng)選擇題平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點(diǎn)的（）。壓力太大，電阻值下降，對(duì)形成焊點(diǎn)不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點(diǎn)。A.電流值B.電阻值C.電壓值31、填空題最常用的金屬膜制備方法有（）加熱蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、（）32、單項(xiàng)選擇題變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化A.正偏電流B.反偏電壓C.結(jié)溫33、填空題硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。

7、神化像片用（）系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。34、單項(xiàng)選擇題器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來(lái)實(shí)現(xiàn)。A.掩膜版B.擴(kuò)散C.光刻35、問(wèn)答題引線焊接有哪些質(zhì)量要求?36、填空題如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0倍，其長(zhǎng)度小于1.5倍或大于6.0倍，判引線鍵合（）37、問(wèn)答題簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求?38、填空題半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。39、問(wèn)答題什么叫晶體缺陷?40、單項(xiàng)選擇題雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。A.基區(qū)寬度B.外延層厚度C.表面界面狀態(tài)41、問(wèn)答題

8、潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么?42、填空題鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達(dá)不到原子之間引力范圍的間距。43、單項(xiàng)選擇題禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。A.越不容易受B.越容易受C.基本不受44、單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。A.熱阻B.阻抗C.結(jié)構(gòu)參數(shù)45、判斷題沒(méi)有經(jīng)濟(jì)收入或交納黨費(fèi)有困難的黨員，由本人提出申請(qǐng)，經(jīng)黨支部委員會(huì)同意，可以少交或免交。46、問(wèn)答題單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些?47、單項(xiàng)選擇題塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有（）、模具溫度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時(shí)間。A.準(zhǔn)備工具B.準(zhǔn)備模塑料C.模塑料預(yù)熱48、填空題半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有（）（）（）隔離等三種基本方法.49、單項(xiàng)選擇題厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)