材料分析方法課后答案周玉

1、材料分析方法課后答案周玉本頁僅作為文檔封面，使用時(shí)可以刪除Thisdocumentisforreferenceonly-rar21year.March材料分析方法課后答案周玉篇一：材料分析方法考試重點(diǎn)】紋衍射的圖樣，條紋間距隨小孔尺寸的變大，衍射的圖樣的中心有最大的亮斑，稱為埃利斑。2、差熱分析是在程序的控制條件下，測量在升溫、降溫或恒溫過程中樣品和參比物之間的溫差。3、差示掃描量熱法（dsc）是在程序控制條件下，直接測量樣品在升溫、降溫或恒溫過程中所吸收的或放出的熱量。4、倒易點(diǎn)陣是由晶體點(diǎn)陣按照一定的對應(yīng)關(guān)系建立的空間點(diǎn)陣，此對應(yīng)關(guān)系可稱為倒易變換。5、干涉指數(shù)在（hkl）晶面組（其晶面間

2、距記為dhkl）同一空間方位，設(shè)若有晶面間距為dhkl/n（n為任意整數(shù)）的晶面組（nh,nk，nl）即（h,k,l）記為干涉指數(shù)。6、干涉面簡化布拉格方程所引入的反射面（不需加工且要參與計(jì)算的面）。7、景深當(dāng)像平面固定時(shí)（像距不變）能在像清晰地范圍內(nèi)，允許物體平面沿透鏡軸移動的最大距離。8、焦長固定樣品的條件下，像平面沿透鏡主軸移動時(shí)能保持物象清晰的距離范圍。9、晶帶晶體中，與某一晶向【uvw】平行的所有（hkl）晶面屬于同一晶帶，稱為晶帶11、數(shù)值孔徑子午光線能進(jìn)入或離開纖芯（光學(xué)系統(tǒng)或掛光學(xué)器件）的最大圓錐的半頂角之余弦，乘以圓錐頂所在介質(zhì)的折射率。12、透鏡分辨率用物理學(xué)方法（如光學(xué)儀

3、器）能分清兩個(gè)密切相鄰物體的程度13衍射襯度由樣品各處衍射束強(qiáng)度的差異形成的襯度成為衍射襯度。15質(zhì)厚襯度由于樣品不同區(qū)間存在原子序數(shù)或厚度的差異而形成的非晶體樣品投射電子顯微圖像襯度，即質(zhì)量襯度，簡稱質(zhì)厚襯度。制造水平。（J）二、填空題6）按入射電子能量的大小，電子衍射可分為（高能電子衍射）、低能電子衍射）及（反射式高能電子衍射）。18）阿貝成像原理可以簡單地描述為兩次（干涉）：平行光束受到有周期性特征物體的衍射作用形成（衍射波），各級衍射波通過（物鏡）重新在像平12）按照出射信號的不同，成分分析手段可以分為兩類：x光譜和電子能譜），出射信號分別是（x射線，電子）。11）表面形貌分析技術(shù)經(jīng)歷

4、了（光學(xué)顯微分析）、（透射電鏡分析）、（掃描探針顯微鏡分析）的發(fā)展過程。4材料性能主要決定于其（化學(xué)成分）、（物相組成）、（微觀組織）。7）常用的熱分析法有（差熱分析法）、（差熱掃描量熱法）、（熱重法）及動態(tài)熱機(jī)械法和熱機(jī)械分析法。13）電子能譜包括（光電子能譜）（俄歇電子能譜）（電子能量損失能譜），（離子中和譜）。17）光譜分析方法包括各種（吸收光譜分析）和（發(fā)射光譜分析）以及（散射光譜分析）9）光譜分析儀器主要由（光源）、（光譜儀）及（檢測器）。22）材料分析的三個(gè)基本方面：（成分分析）、（結(jié)構(gòu)分析）和（形貌分析）。23）光學(xué)透鏡的像差包括（球差）、（色差）及（像散）。1光學(xué)光學(xué)系統(tǒng)包括（

5、目鏡）、（物鏡）、光源及（聚光器）。14）獲取衍射花樣的三種基本方法是（勞埃法）（周轉(zhuǎn)晶體法）（粉末法）20）利用電磁線圈激磁的電磁透鏡，通過調(diào)節(jié)（磁電流）可以很方便地調(diào)節(jié)（磁場強(qiáng)度），從而調(diào)節(jié)（透鏡焦距和放大倍數(shù)）。5）德拜相機(jī)底片安裝方法包括（正裝法）、（反裝法）、（偏裝法）。16）入射x射線可使樣品產(chǎn)生（相干散射）和（非相干散射）。（相干散射）是x射線衍射分析方法的技術(shù)基礎(chǔ)。21）熱電偶實(shí)際上是一種（測溫元件），它將熱能轉(zhuǎn)換為（熱電流），利用所產(chǎn)生的（熱電勢）測量溫度。2）通常有三種拋光的方法，即（機(jī)械拋光）、（電解拋光）、（化學(xué)拋光）。3通常透射電鏡由（成像系統(tǒng)）、電源系統(tǒng)、（記錄系統(tǒng)

6、）、循環(huán)冷卻系統(tǒng)和（真空系統(tǒng)）組成15）依據(jù)差熱分析曲線特征，可定性分析物質(zhì)的（物理或化學(xué)）變化過程，還可依據(jù)峰面積半定量的測定反應(yīng)熱）。19）衍射波的兩個(gè)基本特征衍射線在空間分布的（方位）和（強(qiáng)度），與晶體內(nèi)原子（分布規(guī)律）密切相關(guān)。8）質(zhì)譜分析可用于測定化合物的（相對分子質(zhì)量），推測（分子式）和（結(jié)構(gòu)式）。10）主要的物相分析手段有三種：射）（X射線衍射）、（電子衍射）、（種子衍三、簡答題1）說明倒易點(diǎn)陣與正空間點(diǎn)陣的關(guān)系。1正點(diǎn)陣晶面族（hkl）可以用倒易矢量（uvw）來唯一地表征2.倒易點(diǎn)陣完全保留了正空間點(diǎn)陣的周期性信息3.正空間點(diǎn)陣中的一個(gè)晶帶的特點(diǎn)可以用一個(gè)過倒易點(diǎn)陣原點(diǎn)且垂直于

7、該晶帶軸的倒易矢量來唯一表征2）試述獲取衍射花樣的三種基本方法及其用途獲取衍射花樣的三種基本方法是勞埃法、旋轉(zhuǎn)晶體法和粉末法。勞埃法主要用于分析晶體的對稱性和進(jìn)行晶體定向；旋轉(zhuǎn)晶體法主要用于研究晶體結(jié)構(gòu)；粉末法主要用于物相分析3）光學(xué)顯微鏡的成像原理是什么，從成像原理看，如何才能獲得清晰的物像（一）折射和衍射光線通過不同密度介質(zhì)的透明物體時(shí)，則發(fā)生折射現(xiàn)象，這是由于光在不同介質(zhì)的傳播速度不同造成的。當(dāng)與透明物面不垂直的光線由空氣射入透明物體（如玻璃）時(shí)，光線在其介面改變了方向，并和法線構(gòu)成折射角。二）凸透鏡成像原理，顯微鏡有兩組鏡頭，物鏡成倒立放大的實(shí)目鏡則將物鏡成的再次成像，只不過成的是放大

8、的虛像，因此經(jīng)過兩次成像后，顯微鏡下看到的物象是倒立放大的虛像由于透鏡常產(chǎn)生像差：球差，像場彎曲，像散，色差（1）選擇更短的波長（2）為提高數(shù)值孔徑,用折射率很高的材料（3）采用功能性的目鏡如惠更斯目鏡4）實(shí)驗(yàn)中選擇陽極靶和濾波片原則是什么已知一個(gè)以cu為主要成分的樣品，試選擇合適的陽極靶和濾波片snni選靶原則：靶材產(chǎn)生的特征x射線盡可能少地激發(fā)樣品的熒光輻射，以降低衍射花樣背底，使圖像清晰。濾波片原則：選擇材料，使其k吸收限（波長k濾）處于入射的ka射線與kb射線波長之間，則kb射線因激發(fā)濾片的熒光輻射而被濾片吸收。濾片原子序數(shù)與z靶滿足下述條件時(shí)，波長kb小于波長k濾小于波長ka靶；當(dāng)z

9、靶小于40時(shí)，z濾=乙靶-1：當(dāng)z靶大于40時(shí)，z濾=乙靶-25）簡述電子衍射和x射線衍射共同點(diǎn)和不同點(diǎn)。相同點(diǎn)：1、電子衍射的原理和x射線衍射相似，是以滿足（或基本滿足）布拉格方程作為產(chǎn)生衍射的必要條件。2、兩種衍射技術(shù)得到的衍射花樣在幾何特征上也大致相似：多晶體的電子衍射花樣是一系列不同半徑的同心圓環(huán)，單晶衍射花樣由排列得十分整齊的許多斑點(diǎn)所組成，而非晶體物質(zhì)的衍射花樣只有一個(gè)漫散的中心斑點(diǎn)4、原子對電子的散射能力遠(yuǎn)高于它對x射線的散射能力（約高出四個(gè)數(shù)量級），故電子衍射束的強(qiáng)度較大，攝取衍射花樣時(shí)曝光時(shí)間僅需數(shù)秒鐘。5、電子衍射適合對表層或薄膜樣品的分析。6）推導(dǎo)布拉格方程，并說明布拉格

10、方程式有何用途8）透射電鏡中有哪些主要光闌分別安裝在什么位置其作用如何主要有三種光闌：聚光鏡光闌。在雙聚光鏡系統(tǒng)中，該光闌裝在第二聚光鏡下方。作用:限制照明孔徑角。物鏡光闌。安裝在物鏡后焦面。作用:提高像襯度；減小孔徑角，從而減小像差；進(jìn)行暗場成像選區(qū)光闌：放在物鏡的像平面位置。作用:對樣品進(jìn)行微區(qū)衍射分析。10）磁透鏡的像差是怎樣產(chǎn)生的如何來消除和減少像差球差是磁透鏡中心區(qū)和邊沿區(qū)對電子的折射能力不同引起的.增大透鏡的激磁電流可減小球差。像散是由于電磁透鏡的周向磁場不非旋轉(zhuǎn)對稱引起的.可以通過引入一強(qiáng)度和方位都可以調(diào)節(jié)的矯正磁場來進(jìn)行補(bǔ)償。色差是電子波的波長或能量發(fā)生一定幅度的改變而造成的.

11、穩(wěn)定加速電壓和透鏡電流可減小色差。14）什么是雙光束衍射電子衍襯分析時(shí)，為什么要求在近似雙光束條件下進(jìn)行雙光束衍射:傾轉(zhuǎn)樣品，使晶體中只有一個(gè)晶面滿足bragg條件，從而產(chǎn)生衍射，其它晶面均遠(yuǎn)離bragg位置，衍射花樣中幾乎只存在大的透射斑點(diǎn)和一個(gè)強(qiáng)衍射斑點(diǎn)。原因：在近似雙光束條件下，產(chǎn)生強(qiáng)衍射，有利于對樣品的分析15）簡要說明多晶（納米晶體）、單晶及非晶衍射花樣的特征多晶體的電子衍射花樣是一系列不同半徑的同心圓環(huán)。多晶取向完全混亂，可看作是一個(gè)單晶體圍繞一點(diǎn)在三維空間內(nèi)旋轉(zhuǎn)，故其倒易點(diǎn)是以倒易原點(diǎn)為圓心，（hkl）晶面間距的倒數(shù)為半徑的倒易球，與反射球相截為一個(gè)圓。所有能產(chǎn)生衍射的半點(diǎn)都擴(kuò)展

12、為一個(gè)圓環(huán)，故為一系列同心圓環(huán)。單晶體的電子衍射花樣由排列的十分整齊的許多斑點(diǎn)組成。倒易原點(diǎn)附近的球面可近似看作是一個(gè)平面，故與反射球相截的是而為倒易平面，在這平面上的倒易點(diǎn)陣都坐落在反射球面上，相應(yīng)的晶面都滿足bragg方程，因此，單電子的衍射譜是而為倒易點(diǎn)陣的投影，也就是某一特征平行四邊形平移的花樣。非晶態(tài)物質(zhì)的電子衍射花樣只有一個(gè)漫散的中心斑點(diǎn)。非晶沒有整齊的晶格結(jié)構(gòu)篇二：內(nèi)蒙古科技大學(xué)材料分析課后答案】t第十四章1、波譜儀和能譜儀各有什么優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn):1）能譜儀探測x射線的效率高。2）在同一時(shí)間對分析點(diǎn)內(nèi)所有元素x射線光子的能量進(jìn)行測定和計(jì)數(shù)，在幾分鐘內(nèi)可得到定性分析結(jié)果，而波譜儀只能逐

13、個(gè)測量每種元素特征波長。3）結(jié)構(gòu)簡單，穩(wěn)定性和重現(xiàn)性都很好4）不必聚焦，對樣品表面無特殊要求，適于粗糙表面分析。缺點(diǎn)：1）分辨率低。2）能譜儀只能分析原子序數(shù)大于11的元素；而波譜儀可測定原子序數(shù)從4到92間的所有元素。3）能譜儀的si（li）探頭必須保持在低溫態(tài)，因此必須時(shí)時(shí)用液氮冷卻。分析鋼中碳化物成分可用能譜儀；分析基體中碳含量可用波譜儀。2、舉例說明電子探針的三種工作方式（點(diǎn)、線、面）在顯微成分分析中的應(yīng)用。答：（1）、定點(diǎn)分析：將電子束固定在要分析的微區(qū)上用波譜儀分析時(shí)，改變分光晶體和探測器的位置，即可得到分析點(diǎn)的x射線譜線；用能譜儀分析時(shí)，幾分鐘內(nèi)即可直接從熒光屏（或計(jì)算機(jī)）上得到

14、微區(qū)內(nèi)全部元素的譜線。（2）、線分析：將譜儀（波、能）固定在所要測量的某一元素特征x射線信號（波長或能量）的位置把電子束沿著指定的方向作直線軌跡掃描，便可得到這一元素沿直線的濃度分布情況。改變位置可得到另一元素的濃度分布情況。（3）、面分析：電子束在樣品表面作光柵掃描，將譜儀（波、能）固定在所要測量的某一元素特征x射線信號（波長或能量）的位置，此時(shí)，在熒光屏上得到該元素的面分布圖像。改變位置可得到另一元素的濃度分布情況。也是用x射線調(diào)制圖像的方法。3、要在觀察斷口形貌的同時(shí)，分析斷口上粒狀夾雜物的化學(xué)成分，選用什么儀器用怎樣的操作方式進(jìn)行具體分析答：（1）若觀察斷口形貌，用掃描電子顯微鏡來觀察

15、：而要分析夾雜物的化學(xué)成分，得選用能譜儀來分析其化學(xué)成分。（2）a、用掃描電鏡的斷口分析觀察其斷口形貌:a、沿晶斷口分析：靠近二次電子檢測器的斷裂面亮度大，背面則暗，故短褲呈冰糖塊狀或呈石塊狀。沿晶斷口屬于脆性斷裂，斷口上午塑性變形跡象。b、韌窩斷口分析：韌窩的邊緣類似尖棱，故亮度較大，韌窩底部比較平坦，圖像亮度較低。韌窩斷口是一種韌性斷裂斷口，無論是從試樣的宏觀變形行為上，還是從斷口的微觀區(qū)域上都能看出明顯的塑性變形。韌窩斷口是穿晶韌性斷口。c、解理斷口分析：由于相鄰晶粒的位相不一樣，因此解理斷裂紋從一個(gè)晶粒擴(kuò)展到相鄰晶粒內(nèi)部時(shí)，在晶界處開始形成河流花樣即解理臺階。解理斷裂是脆性斷裂，是沿著

16、某特定的晶體學(xué)晶面產(chǎn)生的穿晶斷裂。d、纖維增強(qiáng)復(fù)合材料斷口分析：斷口上有很多纖維拔出。由于纖維斷裂的位置不都是在基體主裂紋平面上，一些纖維與基體脫粘后斷裂位置在基體中，所以斷口山更大量露出的拔出纖維，同時(shí)還可看到纖維拔出后留下的孔洞。b、用能譜儀定性分析方法進(jìn)行其化學(xué)成分的分析。定點(diǎn)分析：對樣品選定區(qū)進(jìn)行定性分析.線分析:測定某特定元素的直線分布.面分析：測定某特定元素的面分布a、定點(diǎn)分析方法：電子束照射分析區(qū)，波譜儀分析時(shí)，改變分光晶體和探測器位置或用能譜儀，獲取、ei譜線，根據(jù)譜線中各峰對應(yīng)的特征波長值或特征能量值,確定照射區(qū)的元素i組成；b、線分析方法：將譜儀固定在要測元素的特征x射線波

17、長值或特征能量值,使電子束沿著圖像指定直線軌跡掃描.常用于測晶界、相界元素分布.常將元素分布譜與該微區(qū)組織形貌結(jié)合起來分析；c、面分析方法：將譜儀固定在要測元素的特征x射線波長值或特征能量值,使電子束在在樣品微區(qū)作光柵掃描,此時(shí)在熒光屏上便得到該元素的微區(qū)分布,含量高則亮。4、掃描電子顯微鏡是由電子光學(xué)系統(tǒng)，信號收集處理、圖像顯示和記錄系統(tǒng)，真空系統(tǒng)三個(gè)基本部分組成。（1）、電子光學(xué)系統(tǒng)（鏡筒）1）電子槍:提供穩(wěn)定的電子束，陰陽極加速電壓im2）電磁透鏡:第一、二透鏡為強(qiáng)磁透鏡，第三為弱磁透鏡，聚集能力小，目的是增大鏡筒空間3）掃描線圈:使電子束在試樣表面作規(guī)則掃描，同時(shí)控制電子束在樣品上掃描

18、與顯像管上電子束掃描同步進(jìn)行。掃描方式有光柵掃描（面掃）和角光柵（線）掃描4）樣品室及信號探測:放置樣品，安裝信號探測器；各種信號的收集和相應(yīng)的探測器的位置有很大關(guān)系。樣品臺本身是復(fù)雜而精密的組件，能進(jìn)行平移、傾斜和轉(zhuǎn)動等運(yùn)動。（2）信號收集和圖像顯示系統(tǒng)電子束照射試樣微區(qū)，產(chǎn)生信號量熒光屏對應(yīng)區(qū)光強(qiáng)度。因試樣各點(diǎn)狀態(tài)不同（形貌、成分差異），在熒光屏上反映圖像亮度不同，從而形成光強(qiáng)度差（圖像）。（3）真空系統(tǒng)防止樣品污染，燈絲氧化；氣體電離，使由表可看出二次電子和俄歇電子的分辨率高，而特征X射線調(diào)制成顯微圖像的分辨率最低。6、二次電子成像原理及應(yīng)用（1）成像原理為：二次電子產(chǎn)額對微區(qū)表面的幾何

19、形狀十分敏感。隨入射束與試樣表面法線夾角增大，二次電子產(chǎn)額增大。因?yàn)殡娮邮┤霕悠芳ぐl(fā)二次電子的有效深度增加了，使表面5-10nm作用體積內(nèi)逸出表面的二次電子數(shù)量增多。（2）應(yīng)用：a、斷口分析1）沿晶斷口；2）韌窩斷口；3）解理斷口；4）纖維增強(qiáng)復(fù)合材料斷口。b、樣品表面形貌特征1）燒結(jié)樣品的自然表面分析2）金相表面C、材料形變和斷裂過程的動態(tài)分析1）雙相鋼2）復(fù)合材料7、背散射電子襯度原理及應(yīng)用襯度圖像。（1）z,ib不同成分-b不同-電子強(qiáng)度差背散射電子像中不同的區(qū)域襯度差別，實(shí)際上反映了樣品相應(yīng)不同區(qū)域平均原子序數(shù)的差別，據(jù)此可以定性分析樣品的化學(xué)成分分布。對于光滑樣品，原子序數(shù)襯度反映

20、了表面組織形貌，同時(shí)也定性反映了樣品成分分布；而對于形貌、成分差樣品，則采用雙檢測器，消除形貌襯度、原子序數(shù)襯度的相互干擾。第十三章1、電子束入射固體樣品表面會激發(fā)哪些信號他們有哪些特點(diǎn)和用答：1）背散射電子:能量高；來自樣品表面幾百nm深度范圍；其產(chǎn)額隨原子序數(shù)增大而增多。用作形貌分析、成分分析以及結(jié)構(gòu)分析。2）二次電子:能量較低；來自表層510nm深度范圍；對樣品表面化狀態(tài)十分敏感。不能進(jìn)行成分分析，主要用于分析樣品表面形貌。3）吸收電子:其襯度恰好和se或be信號調(diào)制圖像襯度相反；與背散射電子的襯度互補(bǔ)。吸收電子能產(chǎn)生原子序數(shù)襯度，即可用來進(jìn)行定性的微區(qū)成分分析。4）透射電子：透射電子信

21、號由微區(qū)的厚度、成分和晶體結(jié)構(gòu)決定?？蛇M(jìn)行微區(qū)成分分析。5）特征x射線：用特征值進(jìn)行成分分析，來自樣品較深的區(qū)域6）俄歇電子:各元素的俄歇電子能量值很低；來自樣品表面12nm范圍。它適合做表面分析。2、當(dāng)電子束入射重元素和輕元素時(shí)，其作用體積有何不同各自產(chǎn)生的信號的分辨率有何特點(diǎn)當(dāng)電子束進(jìn)入輕元素樣品表面后悔造成滴狀作用體積。入射電子束進(jìn)入淺層表面時(shí)，尚未向橫向擴(kuò)展開來，因此二次電子和俄歇電子的分辨率就相當(dāng)于束斑的直徑。入射電子束進(jìn)入樣品較深部位時(shí)，向橫向擴(kuò)展的范圍變大，則背散射電子的分辨率較低，而特征x射線的分辨率最低。當(dāng)電子束射入重元素樣品中時(shí)，作用體積呈半球狀。電子書進(jìn)入表面后立即向橫向

22、擴(kuò)展，因此在分析重元素時(shí)，即使電子束的束斑很細(xì)小，也能達(dá)到較高的分辨率，此時(shí)二次電子的分辨率和背散射電子的分辨率之間的差距明顯變小。第十一章1、薄膜樣品的制備方法(工藝過程)1) 、從實(shí)物或大塊試樣上切割厚度為0。30。5mm厚的薄片。電火花縣切割法是目前用得最廣泛的方法，它是用一根往返運(yùn)動的金屬絲做切割工具，只能用于導(dǎo)電樣品。設(shè)薄膜有b兩晶粒。b內(nèi)的某(hkl)晶面嚴(yán)格滿足bragg條件,或b晶粒內(nèi)滿足“雙光束條件”，則通過(hkl)衍射使入射強(qiáng)度i0分解為ihkl和io-ihkl兩部分。a晶粒內(nèi)所有晶面與bragg角相差較大，不能產(chǎn)生衍射。在物鏡背焦面上的物鏡光闌，將衍射束擋掉，只讓透射束

23、通過光闌孔進(jìn)行成像(明場)，此時(shí)，像平面上a和b晶粒的光強(qiáng)度或亮度不同，分別為iai0ibi0-ihklb晶粒相對a晶粒的像襯度為(ii)biaibiaihkli0明場成像：只讓中心透射束穿過物鏡光欄形成的衍襯像稱為明場鏡。暗場成像：只讓某一衍射束通過物鏡光欄形成的衍襯像稱為暗場中心暗場像：入射電子束相對衍射晶面傾斜角，此時(shí)衍射斑將移到透鏡的中心位置，該衍射束通過物鏡光欄形成的衍襯像稱為中心暗場成像。3、什么是消光距離影響晶體消光距離的主要物性參數(shù)和外界條件是什么答：(1)消光距離:由于透射波和衍射波強(qiáng)烈的動力學(xué)相互作用結(jié)果，使i0和ig在晶體深度方向上發(fā)生周期性的振蕩，此振蕩的深度周期叫消光

24、距離。(2) 影響因素:晶胞體積，結(jié)構(gòu)因子，bragg角，電子波長。4、雙光束近似：假定電子束透過薄晶體試樣成像時(shí)，除了透射束外只存在一束較強(qiáng)的衍射束，而其他衍射束卻大大偏離布拉格條件，它們的強(qiáng)度均可視為零。柱體近似是把成像單元縮小到和一個(gè)晶胞相當(dāng)?shù)某叨取Ｔ嚇酉卤砻婺滁c(diǎn)所產(chǎn)生的衍射束強(qiáng)度近似為以該點(diǎn)為中心的一個(gè)小柱體衍射束的強(qiáng)度，柱體與柱體間互不干擾。等厚條紋：等厚條紋：當(dāng)S三C時(shí)顯然，當(dāng)t二n/s（n為整數(shù)）時(shí)，ig=0當(dāng)t=（n+1/2）/S時(shí),用ig隨t周期性振蕩這一運(yùn)動學(xué)結(jié)果，定性解釋以下兩種衍襯現(xiàn)象。晶體樣品契形邊緣處出現(xiàn)的厚度消光條紋，也叫等厚消光條紋。等傾條紋：當(dāng)t三c時(shí)，gr0

25、5、什么是缺陷不可見判據(jù)如何用不可見判據(jù)來確定位錯(cuò)的布氏矢量6、如果將作為位錯(cuò)消光的有效判據(jù)，那么，在進(jìn)行位錯(cuò)burgers矢量測定時(shí)，只，請分析為什么要找到產(chǎn)生該位錯(cuò)消光的兩個(gè)操作反射g1和g2，即可確定7、位錯(cuò)線像總是出現(xiàn)在它的實(shí)際位置的一側(cè)或另一側(cè)，說明其襯度本質(zhì)上三關(guān)和由位錯(cuò)附近的點(diǎn)陣畸變所發(fā)生的，叫做“應(yīng)變場襯度”。而且，由于附加的偏差s'，隨離開位錯(cuò)中心的距離而逐漸變化，使位錯(cuò)線的像總是有一定的寬度（一般為310mm左右）第十章1、分析電子衍射與x射線衍射有何異同（1）電子衍射的原理和x射線衍射相似，是以滿足（或基本滿足）布拉格方程作為產(chǎn)生衍射的必要條件。而且他們所得到的衍

26、射花樣在幾何特征上也大致相似。（2）電子衍射和x射線衍射相比較時(shí)具有下列不同之處:b、物質(zhì)對電子散射主要是核散射，因此散射強(qiáng)，約為x射線一萬倍，曝光時(shí)間短。c、電子衍射能在同一試樣上將形貌觀察與結(jié)構(gòu)分析結(jié)合起來。d、電子衍射操作時(shí)采用薄晶樣品，增加了倒易陣點(diǎn)和愛瓦爾德球相交截的機(jī)會，結(jié)果是略為偏離布拉格條件的電子束也內(nèi)發(fā)生衍射。電子衍射與x射線衍射相比具有下列特點(diǎn):（1）電子波的波長比X射線短得多，因此，在同樣滿足布拉格條件時(shí)，它的衍射角度很小，10-2rad,而X射線最大衍射角可達(dá)/2。2）電子衍射產(chǎn)生斑點(diǎn)大致分布在一個(gè)二維倒易截面內(nèi)，晶體產(chǎn)生的衍射花樣能比較直觀地反映晶體內(nèi)各晶面的位向。因

27、為電子波長短，用ewald圖解時(shí)，反射球半徑很大，在衍射角很小時(shí)的范圍內(nèi)，反射球的球面可近似為平面。3）電子衍射用薄晶體樣品，其倒易點(diǎn)沿樣品厚度方向擴(kuò)展為倒易桿，增加了倒易點(diǎn)和ewald球相交截面機(jī)會，結(jié)果使略偏離布拉格條件的電子束也能發(fā)生衍射。4）電子衍射束的強(qiáng)度較大，拍攝衍射花樣時(shí)間短。因?yàn)樵訉﹄娮拥纳⑸淠芰h(yuǎn)大于對x射線的散射能力。2、倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣之間關(guān)系如何倒易點(diǎn)陣與晶體的電子衍射斑點(diǎn)之間有何對應(yīng)關(guān)系答：（1）倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣的關(guān)系：倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣互為倒易。1）、兩個(gè)點(diǎn)陣的基矢之間：3）、兩個(gè)電子元寶體積之間的關(guān)系是4）、正點(diǎn)陣晶面族（hkl）與倒易點(diǎn)陣格矢ghkl；相互垂直（

28、2）倒易點(diǎn)陣與晶體的電子衍射斑點(diǎn)之間的關(guān)系：電子衍射斑點(diǎn)就是與晶體相對應(yīng)的倒易點(diǎn)陣中某一截面上陣點(diǎn)排列的像。在0附近的低指數(shù)倒易陣點(diǎn)附近范圍，反射球面十分接近一個(gè)平面，且衍射角度非常小1，這樣反射球與倒易陣點(diǎn)相截是一個(gè)二維倒易平面。這些低指數(shù)倒易陣點(diǎn)落在反射球面上，產(chǎn)生相應(yīng)的衍射束。因此，電子衍射圖是二維倒易截面在平面上的投影。3、何謂零層倒易截面和晶帶定理說明同一晶帶中各晶面及其倒易矢量與晶帶軸之間的關(guān)系。答：晶體中，與某一晶向uvw平行的所有晶面（hkl）屬于同一晶帶，稱為uvw晶帶，該晶向uvw稱為此晶帶的晶帶軸，它們之間存在這樣的關(guān)系：hiukivliw0取某點(diǎn)o*為倒易原點(diǎn)，貝0該晶

29、帶所有晶面對應(yīng)的倒易矢（倒易點(diǎn)）將處于同一倒易平面中，這個(gè)倒易平面與z垂直。由正、倒空間的對應(yīng)關(guān)系，與z垂直的倒易面為（uvw）*，即uvw丄（uvw）*,因此，由同晶帶的晶面構(gòu)成的倒易面就可以用（uvw）*表示，且因?yàn)檫^原點(diǎn)O*,則稱為0層倒易截面（uvw）*。4、透射電鏡的主要特點(diǎn)是可以進(jìn)行組織形貌與晶體結(jié)構(gòu)同位分析。使中間鏡物平面與物鏡向平面重合（成像操作），在觀察屏上得到的是反映樣品組織形態(tài)的形貌圖像；而使中間鏡的物平面與物鏡背焦面重合（衍射操作），在觀察屏上得到的貝是反映樣品晶體結(jié)構(gòu)的衍射斑點(diǎn)。5、說明多晶、單晶及非晶衍射花樣的特征及形成原理。1）單晶花樣是一個(gè)零層二維倒易截面，其倒

30、易點(diǎn)規(guī)貝排列，具有明顯對稱性，且處于二維網(wǎng)絡(luò)的格點(diǎn)上。因此表達(dá)花樣對稱性的基本單元為平行四邊形。單晶電子衍射花樣就是（uvw）0零層倒易截面的放大像。2）多晶面的衍射花樣為：各衍射圓錐與垂直入射束方向的熒光屏或照相底片的相交線，為一系列同心圓環(huán)。每一族衍射晶面對應(yīng)的倒易點(diǎn)分布集合而成一半徑為1/d的倒易球面，與ewald球的相慣線為園環(huán)，因此，樣品各晶粒hkl晶面族晶面的衍射線軌跡形成以入射電子束為軸、2為半錐角的衍射圓錐，不同晶面族衍射圓錐2斑。不同，但各衍射圓錐共頂、共軸。3）非晶的衍射花樣為一個(gè)6、薄片晶體的倒易陣點(diǎn)拉長為倒易“桿”，棒狀晶體【篇三：材料分析測試技術(shù)部分課后答案】=txt

31、太原理工大學(xué)材料物理0901除夕月1-2計(jì)算當(dāng)管電壓為50kv時(shí)，電子在與靶碰撞時(shí)的速度與動能以及所發(fā)射的連續(xù)譜的短波限和光子的最大動能e=ev=*10-19*50*103=*10-15jv=(2ev/m)1/2=(2*10-15/*10-31)1/2=*108m/s1-3分析下列熒光輻射產(chǎn)生的可能性，為什么答：根據(jù)經(jīng)典原子模型，原子內(nèi)的電子分布在一系列量子化的殼層上，在穩(wěn)定狀態(tài)下，每個(gè)殼層有一定數(shù)量的電子，他們有一定的能量。最內(nèi)層能量最低，向外能量依次增加。根據(jù)能量關(guān)系，m、k層之間的能量差大于1、k成之間的能量差，k、1層之間的能量差大于m、1層能量差。由于釋放的特征譜線的能量等于殼層間的能量差，所以k的能量大于ka的能量，ka能量大于la的能量。因此在不考慮能量損失的情況下：cuka能激發(fā)cuka熒光輻射；(能量相同)cuk能激發(fā)cuka熒光輻射；(kka)cuka能激發(fā)cula熒光輻射；(kal