2017年戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料指引稿

1、附件12“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)2017年度項(xiàng)目申報(bào)指南建議為落實(shí)國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)和中國(guó)制造2025等提由的任務(wù)，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃啟動(dòng)實(shí)施戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)。根據(jù)本重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)實(shí)施方案的部署，現(xiàn)提由2017年度項(xiàng)目申報(bào)指南建議。本重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)總體目標(biāo)是：面向國(guó)家在節(jié)能環(huán)保、智能制造、新一代信息技術(shù)領(lǐng)域?qū)?zhàn)略性先進(jìn)電子材料的迫切需求，支撐中國(guó)制造2025”、"聯(lián)網(wǎng)+”等國(guó)家重大戰(zhàn)略目標(biāo)，瞄準(zhǔn)全球技術(shù)和產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)，抓住我國(guó)換道超車(chē)”的歷史性發(fā)展機(jī)遇，以第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明、新型顯示為核心，以大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材

2、料為重點(diǎn)，通過(guò)體制機(jī)制創(chuàng)新、跨界技術(shù)整合，構(gòu)建基礎(chǔ)研究及前沿技術(shù)、重大共性關(guān)鍵技術(shù)、典型應(yīng)用示范的全創(chuàng)新鏈，并進(jìn)行一體化組織實(shí)施。培養(yǎng)一批創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，培育一批具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè)，形成各具特色的產(chǎn)業(yè)基地。本重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)按照第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明、新型顯示、大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料4個(gè)方向，共部署35個(gè)研究任務(wù)。專(zhuān)項(xiàng)實(shí)施周期為5年（2016-2020年）。1 .面向新一代通用電源的GaN基電力電子關(guān)鍵技術(shù)1.1 用于小型化電源模塊的高速GaN基電力電子技術(shù)研究?jī)?nèi)容：研究大尺寸Si襯底上高均勻性GaN外延生長(zhǎng)技術(shù)；研究Si襯底上GaN基高速開(kāi)關(guān)器件設(shè)計(jì)與產(chǎn)業(yè)化制備技術(shù)；

3、研究GaN高速器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻的衰退機(jī)制及其控制方法；研究適用于GaN基高速開(kāi)關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)與系統(tǒng)集成技術(shù)；開(kāi)發(fā)低寄生參數(shù)封裝工藝；研究小型化電源模塊，應(yīng)用于通訊設(shè)備及新一代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等領(lǐng)域?？己酥笜?biāo)：68英寸Si襯底上GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料方塊電阻350Q/sq方阻不均勻性3%;100V場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻7nnQ,動(dòng)態(tài)電阻上升50%,建立動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻衰退模型；實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)頻率1MHz的無(wú)引腳封裝；應(yīng)用于開(kāi)關(guān)頻率1MHz的300W電源模塊，轉(zhuǎn)換效率A96%形成68英寸GaN基電力電子器件生產(chǎn)線(xiàn)；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利15項(xiàng)，發(fā)表論文10篇。1.2 用于中等功率通用電源的高效率GaN基電力電子技術(shù)研究?jī)?nèi)容：

4、研究Si襯底上高耐壓GaN材料外延生長(zhǎng)技術(shù)；研究低動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性大電流功率開(kāi)關(guān)管和二極管平面器件的設(shè)計(jì)與產(chǎn)業(yè)化制備技術(shù)；建立異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件的可靠性評(píng)價(jià)體系，研究器件的失效機(jī)理與高耐壓、高可靠性提升技術(shù)；研究高效散熱的封裝技術(shù)；研發(fā)高效率電源模塊，應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器等通用電源?？己酥笜?biāo)：Si襯底上GaN基場(chǎng)效應(yīng)晶體管擊穿電壓1200V,導(dǎo)通電阻100mQ,反向漏電10以A(600V);Si襯底上GaN基肖特基二極管擊穿電壓1200V,導(dǎo)通電壓1.8V(15A),反向漏電10以A(600V);建立器件高壓擊穿機(jī)制和失效模型；實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)頻率300kHz的1kW太陽(yáng)能發(fā)電用逆變器，轉(zhuǎn)換效率9

5、8%申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利15項(xiàng)，發(fā)表論文10篇。1.3 GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)研究?jī)?nèi)容：研究新型常關(guān)型平面功率器件的設(shè)計(jì)與制備方法，提高閾值電壓和溝道載流子遷移率；研究垂直結(jié)構(gòu)高耐壓二極管和功率開(kāi)關(guān)器件；研究新型高耐壓提升技術(shù)，研究GaN基功率器件的雪崩效應(yīng)等防止電源失效的開(kāi)關(guān)能量泄放機(jī)制；研發(fā)適用于高頻開(kāi)關(guān)電源的新型電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)超小型開(kāi)關(guān)電源。考核指標(biāo)：常關(guān)型平面功率器件的閾值電壓3V,耐壓650V,增強(qiáng)型溝道峰值遷移率600cm2/Vs,動(dòng)態(tài)電阻上升25%;垂直結(jié)構(gòu)二極管耐壓1500V,開(kāi)啟電壓1.2V;垂直結(jié)構(gòu)三極管耐壓1500V,開(kāi)態(tài)電流1A;在新結(jié)構(gòu)器件上實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定雪崩擊穿效應(yīng)

6、；實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)頻率10MHz、轉(zhuǎn)換效率80%、輸由功率10W的超小型電源模塊；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利20項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。2 .超高能效半導(dǎo)體光源核心材料、器件及全技術(shù)鏈綠色制造技術(shù)2.1 超高能效半導(dǎo)體光源核心材料及器件技術(shù)研究研究?jī)?nèi)容：研究發(fā)光效率技術(shù)瓶頸，建立高效器件模型；研究基于多種新型襯底的高質(zhì)量氮化物外延技術(shù)；研究高內(nèi)量子效率外延設(shè)計(jì)與量子限制技術(shù)；研究新型p型氮化物摻雜技術(shù)與載流子匹配高效發(fā)光器件；研究發(fā)光器件導(dǎo)波模式與表面由光結(jié)構(gòu)耦合機(jī)制與高光提取效率器件工藝；開(kāi)發(fā)高功率密度、高光通輸由、熱穩(wěn)定性能優(yōu)良的新型光源器件；研究新型高效低熱阻無(wú)基板及集成封裝技術(shù)；實(shí)現(xiàn)全組分低維材料可控制備與發(fā)光

7、器件?？己酥笜?biāo)：實(shí)現(xiàn)超高能效半導(dǎo)體照明核心材料與器件，p型GaN空穴濃度5X1018cm-2,氮化物藍(lán)光LED主波長(zhǎng)4555nm,外量子效率達(dá)到80%;實(shí)現(xiàn)高效白光器件，白光LED在5A/cm2注入電流下發(fā)光效率達(dá)到280lm/W;白光LED在100A/cm2注入電流下發(fā)光效率達(dá)到160lm/W;申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利20項(xiàng)，發(fā)表論文20篇。2.2 高效高可靠LED燈具關(guān)鍵技術(shù)研究研究?jī)?nèi)容：半導(dǎo)體照明燈具發(fā)光效率160lm/W,光品質(zhì)滿(mǎn)足國(guó)家照明設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)要求；在55c下燃點(diǎn)2000小時(shí)，燈具光通維持率和中心光強(qiáng)維持率95%在70c環(huán)境溫度下，燈具電源壽命A3萬(wàn)小時(shí)；大功率LED燈具應(yīng)用數(shù)量3000盞；申

8、請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利15項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。考核指標(biāo)：半導(dǎo)體照明燈具發(fā)光效率達(dá)到160lm/W,光品質(zhì)滿(mǎn)足國(guó)家照明設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)要求；在55C下燃點(diǎn)1500小時(shí)，燈具光通維持率和中心光強(qiáng)維持率不低于95%;在70C環(huán)境溫度下，燈具電源壽命超過(guò)3萬(wàn)小時(shí)；大功率LED燈具應(yīng)用數(shù)量超過(guò)3000盞；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利15項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。2.3 半導(dǎo)體照明產(chǎn)品全技術(shù)鏈綠色制造技術(shù)研究研究?jī)?nèi)容：研究LED襯底、外延、芯片、封裝、模組和燈具全鏈條各制造環(huán)節(jié)耗材和耗能減少的新材料、新技術(shù)和新工藝；研究LED光源及燈具制造的高效自動(dòng)化節(jié)能生產(chǎn)技術(shù)；研究LED全鏈條制造環(huán)節(jié)消耗品的重復(fù)利用及回收技術(shù)；研究LED全鏈條綠色設(shè)計(jì)方案和

9、節(jié)能環(huán)保材料的使用，實(shí)現(xiàn)LED全生命周期的資源高效循環(huán)利用及綠色制造?？己酥笜?biāo)：完成23套LED照明產(chǎn)品的綠色設(shè)計(jì)方案和原型產(chǎn)品，比普通LED照明產(chǎn)品全生命周期能耗降低15%;建立一套LED全技術(shù)鏈綠色制造的評(píng)估方法；開(kāi)發(fā)2項(xiàng)以上LED燈具綠色回收技術(shù)，建立2條LED全鏈條原材料的循環(huán)利用及回收示范線(xiàn)，實(shí)現(xiàn)資源循環(huán)利用效率提高50%;申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利15項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。3,新形態(tài)多功能智慧照明與可見(jiàn)光通信關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)集成1.1 新形態(tài)多功能室內(nèi)智慧照明關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)集成研究?jī)?nèi)容：研發(fā)新形態(tài)LED照明光源和燈具及與應(yīng)用領(lǐng)域相結(jié)合的產(chǎn)品和集成技術(shù)；研發(fā)各類(lèi)具有智能控制接口和功能的智慧照明關(guān)鍵技術(shù)

10、和產(chǎn)品；開(kāi)發(fā)智慧照明需求的傳感關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品；研究基于物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)分析和人工智能的室內(nèi)智慧照明及信息處理技術(shù)、通信協(xié)議和標(biāo)準(zhǔn)；開(kāi)發(fā)智能控制、傳感技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浼夹g(shù)等系統(tǒng)集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)在智能家居、智能建筑等領(lǐng)域的應(yīng)用示范?？己酥笜?biāo)：開(kāi)發(fā)由3種以上智慧照明用高集成度、小型化、低功耗、高靈敏度的傳感器；開(kāi)發(fā)5種以上分別集成互聯(lián)互通功能的新形態(tài)多功能智慧照明產(chǎn)品，光效>160lm/W;多功能智慧照明產(chǎn)品內(nèi)珞通信模塊，數(shù)據(jù)傳輸速率不低于9.6Kbps,可通過(guò)自主通信協(xié)議或Zigbee、WiFi、BLE等技術(shù)組網(wǎng)，并經(jīng)由智能網(wǎng)關(guān)或Internet實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互通；實(shí)現(xiàn)與移動(dòng)終端的自主組網(wǎng)和通過(guò)

11、移動(dòng)終端的遠(yuǎn)程控制；制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)；實(shí)現(xiàn)在智能家居、智能建筑等領(lǐng)域應(yīng)用示范（>2001?點(diǎn)）2項(xiàng)；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利20項(xiàng)，發(fā)表論文20篇。1.2 室外智慧照明關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)集成研究?jī)?nèi)容：針對(duì)室外智慧照明關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，引入傳感器、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)分析與挖掘等技術(shù)，開(kāi)發(fā)多功能新形態(tài)照明產(chǎn)品，研發(fā)基于信息物理系統(tǒng)的室外智慧型LED照明應(yīng)用系統(tǒng)；研究高可靠多功能系統(tǒng)集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)、通信和環(huán)境參數(shù)采集的技術(shù)集成；研究室外應(yīng)用環(huán)境中規(guī)劃模式、控制策略、系統(tǒng)聯(lián)動(dòng)等系統(tǒng)技術(shù)集成，開(kāi)展應(yīng)用示范?？己酥笜?biāo)：開(kāi)發(fā)5種多功能新形態(tài)照明產(chǎn)品，光效160lm/W,可接入環(huán)境狀態(tài)傳感器；燈具可內(nèi)珞通信模塊，并

12、經(jīng)由智能網(wǎng)關(guān)或Internet實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互通；道路照明系統(tǒng)通信帶寬A1Mbps,實(shí)現(xiàn)面向智慧交通、智慧城市的集成遠(yuǎn)程控制與數(shù)據(jù)傳輸、智能化場(chǎng)景控制、小型化傳感及控制、照明等多功能控制系統(tǒng)的應(yīng)用示范2項(xiàng)；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利15項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。1.3 可見(jiàn)光通信關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)研發(fā)研究?jī)?nèi)容：研發(fā)滿(mǎn)足高速率可見(jiàn)光通信需求的照明、通信兩用高帶寬白光LED器件；研發(fā)高速可見(jiàn)光通信探測(cè)器及可見(jiàn)光接收機(jī)等可見(jiàn)光通信專(zhuān)用集成電路；研究針對(duì)單顆LED功率不小于1瓦的光源的驅(qū)動(dòng)和高速調(diào)制技術(shù)，研發(fā)白光發(fā)射、接收模塊及應(yīng)用系統(tǒng)；研究可見(jiàn)光通信技術(shù)的系統(tǒng)集成，實(shí)現(xiàn)其在智能家居和智慧城市的應(yīng)用示范?？己酥笜?biāo)：研發(fā)的白光LED

13、器件功率瓦、光效100lm/W時(shí)，單波長(zhǎng)帶寬50MHz;研發(fā)的高速可見(jiàn)光通信探測(cè)器及專(zhuān)用集成電路支持100Mbps可見(jiàn)光通信應(yīng)用需求；研發(fā)的白光收發(fā)模塊在單顆LED功率瓦時(shí)，帶寬A160MHz;研發(fā)的白光實(shí)時(shí)通信系統(tǒng)速率>480Mb/§通信距離>1m平均誤碼率W1C6;實(shí)現(xiàn)可見(jiàn)光通信應(yīng)用示范12項(xiàng)；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利15項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。4 .半導(dǎo)體照明與生物作用機(jī)理及面向健康醫(yī)療和農(nóng)業(yè)的系統(tǒng)集成技術(shù)與應(yīng)用示范4.1 面向健康照明的光生物機(jī)理研究研究?jī)?nèi)容：研究半導(dǎo)體照明對(duì)視覺(jué)系統(tǒng)的影響機(jī)理，開(kāi)展不同光環(huán)境下的視覺(jué)功能、光損傷、腦力負(fù)荷、視覺(jué)效率、認(rèn)知心理等方面的人因?qū)W研究并構(gòu)

14、建評(píng)價(jià)模型。研究并建立人體對(duì)不同光參數(shù)反應(yīng)的生理病理數(shù)據(jù)庫(kù)，進(jìn)行國(guó)際比對(duì)。建立光品質(zhì)參數(shù)體系和視覺(jué)光損傷、舒適度評(píng)價(jià)方法，制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)；根據(jù)視覺(jué)安全、健康舒適度和光品質(zhì)要求，開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足健康照明需求的LED照明產(chǎn)品并開(kāi)展應(yīng)用示范?？己酥笜?biāo)：建立多種光環(huán)境下視覺(jué)功能、視覺(jué)效率和光損傷的生理病理數(shù)據(jù)庫(kù)（包括人眼基礎(chǔ)屈光、高階像差視覺(jué)傳遞函數(shù)、閃光融合頻率等指標(biāo)），樣本量A10000人次；開(kāi)展光參數(shù)國(guó)際比對(duì)實(shí)驗(yàn)1次；研制團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)等標(biāo)準(zhǔn)A5項(xiàng)；開(kāi)發(fā)2種以上針對(duì)不同健康需求的LED照明產(chǎn)品并開(kāi)展應(yīng)用示范；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利10項(xiàng)，發(fā)表論文40篇。4.2 LED用于健康與醫(yī)療的機(jī)理研究與專(zhuān)用設(shè)備

15、研制研究?jī)?nèi)容：研究LED應(yīng)用于神經(jīng)、血管、皮膚和代謝等重大疾病的治療和健康保健，揭示LED不同光譜的細(xì)胞生物學(xué)效應(yīng)及其作用機(jī)制；形成LED治療增齡性重大疾病的理論體系；優(yōu)化LED健康和醫(yī)療應(yīng)用光源參量（波長(zhǎng)、功率密度、能量密度、輸由方式等）和技術(shù)方法；研發(fā)相應(yīng)的健康與醫(yī)療專(zhuān)用設(shè)備，并開(kāi)展應(yīng)用示范?？己酥笜?biāo)：形成LED面向健康醫(yī)療的指導(dǎo)方案，制定LED用于健康與醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)文件4項(xiàng)；開(kāi)發(fā)LED專(zhuān)用醫(yī)療設(shè)備5項(xiàng)，設(shè)備使用壽命A2000/、時(shí)；開(kāi)展LED醫(yī)療和健康應(yīng)用示范5項(xiàng)；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利30項(xiàng)，發(fā)表論文50篇。4.3 用于設(shè)施農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的LED關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用示范研究?jī)?nèi)容：研究LED光照影響種苗

16、、葉菜、果菜、菌藻類(lèi)等設(shè)施農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的光生物學(xué)機(jī)理及其影響效用規(guī)律；開(kāi)發(fā)用于設(shè)施農(nóng)業(yè)生產(chǎn)及病蟲(chóng)害防治的節(jié)能高效LED光源，研發(fā)相應(yīng)產(chǎn)品，制定行業(yè)規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)；集成開(kāi)發(fā)用于設(shè)施農(nóng)業(yè)生產(chǎn)及病蟲(chóng)害防治的LED技術(shù)裝備，并進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用示范。考核指標(biāo)：研制由設(shè)施農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和病蟲(chóng)害防治的專(zhuān)用LED光源產(chǎn)品10種以上，其中光合促進(jìn)用光源的發(fā)光效率>2.5以mO2m1W-1;比傳統(tǒng)光源節(jié)能40%以上，壽命>20000小時(shí)；制定相關(guān)行業(yè)規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)5項(xiàng)以上；專(zhuān)用LED光源應(yīng)用推廣數(shù)量AD000套，開(kāi)展種苗、葉菜、果菜、菌藻類(lèi)工廠(chǎng)化生產(chǎn)及病蟲(chóng)害防治應(yīng)用示范5項(xiàng)；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利30項(xiàng)，發(fā)表論文20篇。4.4 用

17、于設(shè)施家禽與水產(chǎn)養(yǎng)殖的LED關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用示范研究?jī)?nèi)容：研究設(shè)施家禽和水產(chǎn)養(yǎng)殖中繁殖過(guò)程、生長(zhǎng)發(fā)育、品質(zhì)調(diào)控的LED光生物學(xué)作用機(jī)理，及對(duì)生物新陳代謝的反應(yīng)效用規(guī)彳t；研制專(zhuān)用LED燈具及其光環(huán)境調(diào)控技術(shù)；研究相應(yīng)產(chǎn)品與應(yīng)用的性能評(píng)價(jià)指標(biāo)和檢測(cè)方法，并制定行業(yè)規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)；集成基于LED光照的設(shè)施家禽與水產(chǎn)養(yǎng)殖技術(shù)，并進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用示范。考核指標(biāo)：獲取4種以上適于設(shè)施家禽和水產(chǎn)養(yǎng)殖的LED光要素特征參數(shù)，開(kāi)發(fā)專(zhuān)用LED燈具4種以上；專(zhuān)用LED燈具應(yīng)用推廣數(shù)量5000g;制定相關(guān)行業(yè)規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)以上；開(kāi)展基于LED光照的家禽與水產(chǎn)養(yǎng)殖應(yīng)用示范4項(xiàng)；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利30項(xiàng)，發(fā)表論文10篇。5 .用

18、于第三代半導(dǎo)體的襯底及同質(zhì)外延、核心配套材料與關(guān)鍵裝備5.1 第三代半導(dǎo)體的襯底制備及同質(zhì)外延研究?jī)?nèi)容：研究GaN單晶生長(zhǎng)過(guò)程中的應(yīng)力控制、位錯(cuò)密度降低等關(guān)鍵技術(shù)；研究大尺寸GaN厚膜與襯底分離技術(shù)；研究極低位錯(cuò)密度GaN單晶材料生長(zhǎng)的新技術(shù)；開(kāi)發(fā)GaN單晶研磨拋加工等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)；突破6英寸GaN單晶襯底的關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)4英寸GaN單晶襯底的規(guī)模制備；突破12英寸AlN單晶襯底材料制備的關(guān)鍵技術(shù)；開(kāi)展24英寸AlN/Al2O3模板、其它新型模板襯底的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究；開(kāi)展第三代半導(dǎo)體同質(zhì)外延技術(shù)研究及其在光電子和功率電子器件上的應(yīng)用?？己酥笜?biāo)：4英寸GaN單晶襯底位錯(cuò)密度5105cm-2,厚

19、度A400以m年產(chǎn)能5000片；6英寸GaN單晶襯底位錯(cuò)密度5106cm-2,遷移率600cm2/Vs；4英寸GaN單晶襯底上同質(zhì)外延位錯(cuò)密度1M106cm-2;研制由12英寸AlN單晶襯底；24英寸AlN模板襯底位錯(cuò)密度5107cm-2,年產(chǎn)能20000片；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利30項(xiàng)，發(fā)表論文20篇。5.2 第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵裝備研究?jī)?nèi)容：針對(duì)第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵裝備開(kāi)展流場(chǎng)、溫場(chǎng)設(shè)計(jì)的模擬和實(shí)驗(yàn)優(yōu)化，研制46英寸GaN襯底、12英寸AlN襯底用氫化物氣相外延(HVPE)和物理氣相輸運(yùn)(PVT)生長(zhǎng)裝備，研制高溫金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長(zhǎng)裝備；探索第三代半導(dǎo)體材料新概念制備與測(cè)試系統(tǒng)；

20、開(kāi)展半導(dǎo)體照明生產(chǎn)裝備信息化技術(shù)、工業(yè)系統(tǒng)控制技術(shù)與裝備的開(kāi)發(fā)與集成研究，構(gòu)建半導(dǎo)體照明智能化工廠(chǎng)?？己酥笜?biāo)：完成國(guó)產(chǎn)HVPE裝備的研制并實(shí)現(xiàn)6英寸GaN單晶襯底材料的生長(zhǎng)驗(yàn)證，生長(zhǎng)速度100以m/時(shí)，厚度不均勻性5%;完成國(guó)產(chǎn)PVT裝備的研制并實(shí)現(xiàn)12英寸AlN單晶襯底材料的生長(zhǎng)驗(yàn)證；研制國(guó)產(chǎn)高溫多片MOCVD外延生長(zhǎng)系統(tǒng)（2英寸15片以上），外延生長(zhǎng)溫度1400C；建成1條半導(dǎo)體照明智能化工廠(chǎng)示范線(xiàn)；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利30項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。5.3 第三代半導(dǎo)體核心配套材料研究?jī)?nèi)容：開(kāi)發(fā)高純氮源、AlN前驅(qū)體、稀磁半導(dǎo)體用高純前驅(qū)體等新型有機(jī)源；研發(fā)適合近紫外光、紫光和高密度能量藍(lán)光高效激發(fā)并形

21、成高品質(zhì)白光的新型熒光粉和批量制備技術(shù)，及其在高密度能量作用下的結(jié)構(gòu)變化、激發(fā)飽和及發(fā)光猝滅等性能變化規(guī)律；研發(fā)耐紫外光、高耐濕、高導(dǎo)熱、高折射率的第三代半導(dǎo)體器件用關(guān)鍵封裝材料?？己酥笜?biāo)：研制由24種新型高純有機(jī)源，氮源、AlN前驅(qū)體等高純有機(jī)源的純度均達(dá)到6N;新型黃色熒光材料在100A/cm2電流密度藍(lán)光激發(fā)下比現(xiàn)有熒光材料的光效衰減幅度減少50%;開(kāi)發(fā)由23款適合氮化錢(qián)同質(zhì)外延近紫外芯片高效激發(fā)的新型藍(lán)色和綠色熒光材料；研制由MSL1級(jí)耐濕抗紫外封裝膠；研制由導(dǎo)熱系數(shù)為0.6W/mK的高導(dǎo)熱封裝膠；研制由紫外線(xiàn)阻隔率98%、折射率1.7的有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合封裝膠；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利30項(xiàng)，發(fā)表論文

22、15篇。6 .新型顯示產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)與產(chǎn)業(yè)化示范6.1 印刷OLED顯示材料產(chǎn)業(yè)化示范研究?jī)?nèi)容：開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、性能達(dá)到國(guó)際行業(yè)商用級(jí)別的新型可溶性有機(jī)發(fā)光材料、主體材料的設(shè)計(jì)和制備技術(shù)；開(kāi)發(fā)可溶性有機(jī)材料的公斤級(jí)放大合成及純化技術(shù)；開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的印刷OLED墨水制備技術(shù)；實(shí)現(xiàn)印刷OLED紅/綠/藍(lán)三基色墨水的批量制備及其示范應(yīng)用?？己酥笜?biāo)：可溶性材料（壽命=T951000nits）:紅光：效率18cd/A,壽命8000小時(shí)，綠光：效率60cd/A,壽命10000小時(shí)，藍(lán)光：效率5cd/A,壽命1000小時(shí)；小分子印刷OLED材料合成與純化均20kg/批次，純度99.5%溶劑純化：1

23、000升/月，純度99.9%印刷墨水：1000升/月，粘度3-15cPs；實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用。6.2 8.5代噴墨印刷OLED顯示產(chǎn)業(yè)化示范研究?jī)?nèi)容：研究彩色噴墨印刷OLED顯示器件制程工藝；結(jié)合8.5代噴墨印刷裝備，開(kāi)發(fā)彩色噴墨印刷OLED顯示面板制造工程化技術(shù)，研制由55英寸彩色噴墨印刷OLED顯示器件，建立8.5代電視用大尺寸彩色噴墨印刷OLED顯示產(chǎn)業(yè)化示范?？己酥笜?biāo)：建成8.5代電視用大尺寸彩色OLED面板噴墨印刷制造示范基地。開(kāi)發(fā)由大尺寸彩色印刷OLED顯示器件，彩色印刷OLED顯示尺寸A55英寸，顯示分辨率38402160,顯示亮度500cd/m2,器件工作壽命3萬(wàn)小時(shí)。6.3 量子點(diǎn)

24、背光關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)與應(yīng)用示范研究?jī)?nèi)容：研究量子點(diǎn)材料在膠體的分散工藝，研究膠體對(duì)量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)換效率以及水氧阻隔技術(shù)，開(kāi)發(fā)大面積量子點(diǎn)彩色增強(qiáng)膜及其制造技術(shù)；研究新型量子點(diǎn)柔性導(dǎo)光技術(shù)，開(kāi)發(fā)量子點(diǎn)調(diào)光混色技術(shù)、量子點(diǎn)功能膜與其它光學(xué)膜片的光學(xué)匹配技術(shù)；開(kāi)發(fā)高導(dǎo)光效率新型量子點(diǎn)背光模組技術(shù)；開(kāi)發(fā)基于高性能量子點(diǎn)背光的電視機(jī)或顯示器，實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用?？己酥笜?biāo)：量子點(diǎn)色彩增強(qiáng)膜：基色半峰寬FK28nm,GK30nm；（溫度65C,濕度95%,1000小時(shí)加電老化）膜的亮度衰減15%CIE坐標(biāo)漂移Ax和Ay均W0.01量子點(diǎn)背光模組：亮度均勻性90%背光效率65cd/皿基于量子點(diǎn)背光的電視機(jī)或顯示器：尺寸

25、W60英寸，色域110%NTSC,亮度500cd/m；實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)及應(yīng)用示范。6.4 柔性基板材料關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)與應(yīng)用示范研究?jī)?nèi)容：開(kāi)發(fā)適用于柔性和可穿戴顯示的的柔性聚合物基板材料的設(shè)計(jì)及其制備技術(shù)，開(kāi)發(fā)柔性O(shè)LED顯示用聚合物基板的放量與純化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)基板材料的規(guī)模量產(chǎn)；結(jié)合柔性O(shè)LED面板制程，實(shí)現(xiàn)中小尺寸柔性和可穿戴OLED顯示產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。考核指標(biāo)：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度450C；1%熱失重溫度500C；熱膨脹系數(shù)5ppm/K（室溫到400C）；楊氏模量>2GPa；抗拉強(qiáng)度>100MPa；實(shí)現(xiàn)中小尺寸柔性O(shè)LED顯示的批量應(yīng)用。6.5 超高密度小間距LED顯示關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)與應(yīng)用示范研究?jī)?nèi)

26、容：開(kāi)發(fā)適用于超高密度小間距LED顯示的高性能封裝材料和裸眼3D-LED顯示材料，開(kāi)發(fā)像素級(jí)光學(xué)設(shè)計(jì)技術(shù)、高精度驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)、智能化人機(jī)交互技術(shù)、高精度封裝拼接技術(shù)、裸眼3D-LED顯示技術(shù)、實(shí)時(shí)在線(xiàn)光電參數(shù)采集和測(cè)試評(píng)估技術(shù)，研制由高性能超高密度LED顯示陣列模組，實(shí)現(xiàn)超高密度全彩LED大屏幕拼接顯示規(guī)模生產(chǎn)及應(yīng)用示范?？己酥笜?biāo)：像素點(diǎn)間距：產(chǎn)品<0.8mm樣機(jī)w0.5mm屏幕亮度均勻度A97%屏幕色坐標(biāo)一致性W0.005xy功耗<120w/m（亮度400cd/m2）;對(duì)比度>10000:1;灰度等級(jí)>16Bit亮度2001000cd/m2可調(diào)；樣機(jī)陣列模組尺寸精度&

27、lt;10工m樣機(jī)陣列模組拼接精度<20"m實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)及應(yīng)用示范。7 .高光束質(zhì)量、低閾值、長(zhǎng)壽命、低成本紅綠藍(lán)LD材料及器件關(guān)鍵技術(shù)與工程化研究7.1 高光束質(zhì)量、低閾值、長(zhǎng)壽命、低成本紅光LD材料及器件關(guān)鍵技術(shù)與工程化研究研究?jī)?nèi)容：針對(duì)激光顯示對(duì)紅光LD的光譜、光束質(zhì)量、效率、功率、壽命、成品率等嚴(yán)格要求，研究AlGaInP材料體系的組分及載流子泄露問(wèn)題；開(kāi)展外延結(jié)構(gòu)與器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)，研究低缺陷、低光波導(dǎo)損耗生長(zhǎng)工藝，降低閾值電流密度、提升受激輻射量子效率，提高光束質(zhì)量，改善溫度特性；優(yōu)化腔面的無(wú)吸收、鈍化以及鍍膜工藝，提高腔面損傷閾值，提高輸生功率；研發(fā)LD外延生長(zhǎng)、工

28、藝制作及器件封裝的相關(guān)測(cè)試設(shè)備。考核指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)640nm紅光半導(dǎo)體激光器單管最大輸由功率1W(40C),電光效率35%;紅光激光器生產(chǎn)成本降到5美元/W,壽命2萬(wàn)小時(shí)。7.2 高光束質(zhì)量、低閾值、長(zhǎng)壽命、低成本藍(lán)綠光LD材料及器件關(guān)鍵技術(shù)與工程化研究研究?jī)?nèi)容：針對(duì)激光顯示對(duì)藍(lán)綠光LD的光譜、光束質(zhì)量、效率、功率、壽命、成品率等嚴(yán)格要求，研究AlInGaN材料體系的組分及p型摻雜活化等調(diào)控LD發(fā)光特性技術(shù)；開(kāi)展外延結(jié)構(gòu)與器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)，研究低缺陷、低光波導(dǎo)損耗生長(zhǎng)工藝，降低閾值電流密度、提升受激輻射量子效率，提高光束質(zhì)量，改善溫度特性；優(yōu)化腔面的無(wú)吸收、鈍化以及鍍膜工藝，提高腔面損傷閾值，提高輸

29、生功率。考核指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)450nm藍(lán)光、520nm綠光半導(dǎo)體激光器單管最大輸生功率分別1W和0.5W,電光效率分別30%和10%;藍(lán)光和綠光激光器生產(chǎn)成本分別降到7美元/W、20美元/W以下，壽命2萬(wàn)小時(shí)。8 .千瓦級(jí)準(zhǔn)連續(xù)全固態(tài)激光材料與器件關(guān)鍵技術(shù)8.1 千瓦級(jí)準(zhǔn)連續(xù)全固態(tài)激光材料與器件關(guān)鍵技術(shù)研究?jī)?nèi)容：研究高功率高光束質(zhì)量半導(dǎo)體激光芯片技術(shù)；研究高重頻、大能量納秒脈沖對(duì)激光晶體及光纖材料的損傷機(jī)理；研究高功率密度脈沖激光無(wú)損剝離金屬材料表面附著物機(jī)理；研究高效泵浦技術(shù)、高功率振蕩器高效脈沖關(guān)斷技術(shù)、脈沖激光放大中的功率提取技術(shù)；開(kāi)展大梯度低損耗石英材料熔接技術(shù)、千瓦級(jí)高功率準(zhǔn)連續(xù)激光光纖耦

30、合關(guān)鍵技術(shù)、千瓦級(jí)百納秒準(zhǔn)連續(xù)激光器整機(jī)集成技術(shù)研究。考核指標(biāo)：研制由功率30W,光譜線(xiàn)寬v1nm,光束質(zhì)量M2v2的半導(dǎo)體激光芯片及高效泵浦技術(shù)；開(kāi)發(fā)由關(guān)斷功率1kW、重復(fù)頻率20kHz、脈寬V100ns的400以m光纖耦合全固態(tài)準(zhǔn)連續(xù)激光器；研制由適用于千瓦級(jí)準(zhǔn)連續(xù)激光器的大梯度（400以m:8mmj）端帽直接熔接技術(shù)及熔接損耗v2%的傳能光纜。9 .超短脈沖、單頻及中紅外激光材料與器件關(guān)鍵技術(shù)9.1 超短脈沖、單頻及中紅外激光材料與器件關(guān)鍵技術(shù)研究?jī)?nèi)容：面向高端精密制造等應(yīng)用需求，研究高峰值功率超快激光核心器件與關(guān)鍵技術(shù)，發(fā)展高效率超短脈沖喟啾放大技術(shù)以及色散補(bǔ)償和脈沖壓縮技術(shù)，突破30

31、0W精細(xì)加工用超快激光器關(guān)鍵技術(shù)，探索獲得高通量阿秒脈沖激光的方法；突破固體單頻激光器及高效高功率中紅外激光器關(guān)鍵技術(shù)?？己酥笜?biāo)：研制由平均功率300W、20ps、MHz超快激光器工程化樣機(jī)；建成單脈沖當(dāng)00nJ、波長(zhǎng)50nm的百阿秒激光裝珞；研制由單脈沖或0mJ、脈寬300ns的1645nm調(diào)Q單頻固體激光器及平均功率/00W的1064nm連續(xù)單頻固體激光器，線(xiàn)寬分別小于100kHz及1MHz,穩(wěn)定性均優(yōu)于±1%;開(kāi)發(fā)曲波長(zhǎng)1.55pm連續(xù)可調(diào)的納秒脈沖中紅外激光器，平均功率：30W2.1m,10W4.3m；功率穩(wěn)定性（RMS）:W3%8小時(shí)。10 .半導(dǎo)體光傳感材料與器件關(guān)鍵技術(shù)

32、及應(yīng)用10.1 氣體有源紅外光傳感材料與器件研究?jī)?nèi)容：研究紅外半導(dǎo)體激光/探測(cè)材料的外延生長(zhǎng)技術(shù)，研制氣體傳感用中遠(yuǎn)紅外有源光傳感材料與器件，近紅外波長(zhǎng)可調(diào)諧和大功率單縱模有源光傳感材料與器件，中遠(yuǎn)紅外低噪聲半導(dǎo)體探測(cè)材料與器件，基于微腔激光器及集成器件的光學(xué)傳感器，研究紅外氣體傳感半導(dǎo)體激光器集成封裝技術(shù)，構(gòu)建基于光譜吸收法的波長(zhǎng)可調(diào)諧半導(dǎo)體激光氣體監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)其在環(huán)境監(jiān)測(cè)或工業(yè)安全等領(lǐng)域的示范應(yīng)用。考核指標(biāo)：1.51.8以破段波長(zhǎng)可調(diào)諧激光器，功率10mW、波長(zhǎng)調(diào)諧范圍10nm；2以m波段室溫連續(xù)工作半導(dǎo)體激光器，單模輸由功率10mW;412以m波段室溫連續(xù)工作中遠(yuǎn)紅外半導(dǎo)體激光器，單模

33、輸由功率500mW。實(shí)現(xiàn)與環(huán)境污染、工業(yè)安全相關(guān)氣體的快速、實(shí)時(shí)高靈敏傳感檢測(cè)，甲醛、氮氧化物、二氧化硫、一氧化碳、二氧化碳、氯化氫的檢測(cè)靈敏度優(yōu)于1ppm,丙烷檢測(cè)靈敏度優(yōu)于100ppm。10.2 微納生化傳感材料與器件研究?jī)?nèi)容：研究面向傳感應(yīng)用的金屬微納結(jié)構(gòu)材料、負(fù)折射率超材料和高增敏微納結(jié)構(gòu)材料；研究基于納米光子學(xué)生化傳感、微納機(jī)械結(jié)構(gòu)諧振子傳感的新機(jī)理，發(fā)展具有實(shí)時(shí)、便攜和快速分析功能的檢測(cè)新技術(shù)、新方法；研究高性能微納生化傳感器芯片與微納流體材料前處理單元、傳感檢測(cè)單元的系統(tǒng)集成技術(shù)；實(shí)現(xiàn)高通量、高性能微納生化傳感技術(shù)在癌癥早期檢測(cè)或環(huán)境監(jiān)測(cè)等中的應(yīng)用。考核指標(biāo)：高通量、高性能微納生

34、化傳感器芯片34種，單芯片上傳感單元數(shù)量不少于9個(gè)，傳感單元的重復(fù)性90%,樣品消耗量V50分析時(shí)間V10分鐘，癌癥標(biāo)記物檢測(cè)限v10ng/ml;微納機(jī)械結(jié)構(gòu)諧振子生化傳感器Q值500o搭建折射率傳感靈敏度優(yōu)于1X10-5RIU、參數(shù)不少于6個(gè)的快速生化檢測(cè)系統(tǒng)。10.3 光纖傳感材料與技術(shù)應(yīng)用研究?jī)?nèi)容：研究大容量、多參量傳感光纖，高性能耐高溫傳感光纖，多芯結(jié)構(gòu)傳感光纖；高溫、高壓、高增敏的光纖光纜；半導(dǎo)體窄線(xiàn)寬激光器/可調(diào)諧激光器；高靈敏、動(dòng)態(tài)范圍、低功耗、大尺度的高性能光纖傳感器及大容量、多參量的傳感系統(tǒng)；全光纖分布式聲傳感技術(shù)和全光纖連續(xù)分布式溫度、應(yīng)變傳感系統(tǒng)；實(shí)現(xiàn)其在國(guó)家重大工程或物

35、理海洋領(lǐng)域的典型示范應(yīng)用。考核指標(biāo)：大容量、多參量傳感光纖損耗v0.5dB/km,光纖強(qiáng)度50N,單根傳感光纖上光柵的數(shù)量>10000;耐高溫光纖材料及光纖傳感器能在700C下穩(wěn)定工作。用于高精度測(cè)量線(xiàn)寬v5kHz的窄線(xiàn)寬激光器；分布式聲傳感器傳感距離8km,光纖壓力傳感器精度優(yōu)于0.1%,加速度傳感器靈敏度優(yōu)于10ng,干涉儀集成的多芯光纖傳感器；溫度應(yīng)變傳感系統(tǒng)傳感距離80km,光纖水聽(tīng)器靈敏度為-90dB-160dB(reRad/Pa訕構(gòu)建40km周界安全系統(tǒng)、8km分布式聲音監(jiān)聽(tīng)系統(tǒng)、形變傳感分辨率優(yōu)于1X10-10的光纖地震臺(tái)網(wǎng)、復(fù)用數(shù)4000個(gè)的傳感系統(tǒng)。11 .新型高密度存

36、儲(chǔ)材料與自旋耦合材料研究11.1 新型高密度存儲(chǔ)材料與器件研究?jī)?nèi)容：研究阻變存儲(chǔ)器與相變存儲(chǔ)器材料的設(shè)計(jì)、篩選、優(yōu)化及器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，獲得低功耗、高可靠、抗串?dāng)_、性能均一、易于大規(guī)模集成的存儲(chǔ)器單元；研究選通器件的材料篩選與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；研究同步實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)、邏輯、運(yùn)算、信息編/解碼功能的多功能信息存儲(chǔ)器件；解決存儲(chǔ)單元的功耗、讀寫(xiě)速度、可靠性、高密度集成、柔性化制備等關(guān)鍵技術(shù)；研究用于可穿戴設(shè)備的存儲(chǔ)器件的柔性化制備工藝以及柔性化引起的相關(guān)效應(yīng)。考核指標(biāo)：研制由36種可實(shí)用的高密度存儲(chǔ)材料。研制生的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)窗口10、擦寫(xiě)次數(shù)106、保持時(shí)間>10年、重珞時(shí)間v30ns；開(kāi)發(fā)由12種同步實(shí)

37、現(xiàn)存儲(chǔ)、邏輯、運(yùn)算、編/解碼的新型多功能存儲(chǔ)器件。11.2 新型自旋耦合材料與器件研究?jī)?nèi)容：研究新型自旋電子材料與器件，探索高居里溫度、高遷移率、電荷與自旋分離的新型磁性半導(dǎo)體材料，研究基于半導(dǎo)體與磁性金屬等構(gòu)成的多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)的界面效應(yīng)、高效自旋注入、調(diào)控及探測(cè)方案等，探索多場(chǎng)耦合材料與多場(chǎng)控制磁化翻轉(zhuǎn)的新途徑?？己酥笜?biāo)：實(shí)現(xiàn)鐵磁半導(dǎo)體居里溫度300K,制備由室溫鐵磁有序、遷移率1000cm2V-1s-1的新型磁性半導(dǎo)體；鐵磁金屬自旋極化度A80%自旋注入效率A40%研制由基于室溫磁性半導(dǎo)體的新型自旋電子原型器件，通過(guò)多場(chǎng)調(diào)控來(lái)實(shí)現(xiàn)自旋存儲(chǔ)、邏輯功能。12 .微納電子制造用超高純工藝材料12.

38、1 微納電子制造用超高純電子氣體研究?jī)?nèi)容：研究超高純電子氣體提純/除雜/純化原理與制備方法、特定元素控制技術(shù)及全流程工藝優(yōu)化集成技術(shù)，研制開(kāi)發(fā)微納電子制造用氯氣、氯化氫、氟化氫等超高純電子氣體，突破5N級(jí)氣體制備技術(shù)及關(guān)鍵裝備技術(shù)、ppm級(jí)氣體雜質(zhì)和ppb級(jí)金屬離子檢測(cè)技術(shù)、生產(chǎn)環(huán)境和顆?？刂萍夹g(shù)以及產(chǎn)品包裝與應(yīng)用技術(shù)?？己酥笜?biāo)：超高純氣體氯氣、氯化氫純度5N7N,其中單種氣體雜質(zhì)（如H2O、O2、CO2、CO、CH4）<1.0ppmv,單種金屬雜質(zhì)（如Al、Cr、Cd、Cu）<1.0ppbw;超高純氣體氟化氫純度不低于5N,其中單種金屬雜質(zhì)（如Al、Cr、Cd、Cu）<1.

39、0ppbwo12.2 微納電子制造用超高純稀土金屬及靶材研究?jī)?nèi)容：研究微納電子制造用超高純稀土金屬特定痕量元素的控制機(jī)理，突破4N5級(jí)超高純稀土金屬制備技術(shù)及裝備；研發(fā)大型稀土金屬及合金鑄錠超潔凈熔煉成型與微觀(guān)組織控制技術(shù)、超高純稀土金屬納米尺度薄膜應(yīng)用檢測(cè)技術(shù)，開(kāi)發(fā)4N級(jí)超高純大尺寸稀土金屬及合金靶材形變加工、精密機(jī)加、表面處理等關(guān)鍵技術(shù)?？己酥笜?biāo)：稀土金屬純度4N5,60種金屬雜質(zhì)總和V50ppm,其中Na+K+Li<2ppmU+Thw10ppb,Fe、Co等過(guò)渡金屬元素總量<20ppm氧含量v100ppm；稀土金屬靶材純度4N、60種金屬雜質(zhì)總和v100ppm,靶材最大橫向尺

40、寸500mm、最小縱向尺寸v0.5mm,晶粒平均尺寸v200以m。13 .高功率密度電子器件熱管理材料與應(yīng)用13.1 用于高功率密度熱管理的高性能熱界面材料研究?jī)?nèi)容：面向高功率密度電子器件的熱管理開(kāi)展電子器件高性能熱界面材料的設(shè)計(jì)、制備、結(jié)構(gòu)調(diào)控與優(yōu)化、及微觀(guān)界面聲子和熱能傳輸機(jī)理與性能研究；通過(guò)材料界面分子學(xué)設(shè)計(jì)，原位觀(guān)測(cè)及微納導(dǎo)熱性能實(shí)時(shí)測(cè)試等方式揭示微觀(guān)及分子層面聲子熱傳導(dǎo)機(jī)制。考核指標(biāo)：針對(duì)縱向熱傳輸研制由聚合物基縱向熱導(dǎo)率20W/mK界面熱阻0.01Kcn2/W,能重復(fù)使用A1砍的熱界面材料；針對(duì)橫向熱傳輸研制由橫向熱導(dǎo)率2500W/mK,縱向熱導(dǎo)率10W/mK,能重復(fù)使用n1眩的熱

41、界面材料；實(shí)現(xiàn)微觀(guān)界面熱阻值在10-6Kcm2/W數(shù)量級(jí)的精確測(cè)量，確立微觀(guān)及分子層次熱界面聲子熱傳導(dǎo)機(jī)制，支撐高功率密度電子器件典型應(yīng)用研究；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利10項(xiàng)，發(fā)表論文20篇。13.2 高導(dǎo)熱率復(fù)合材料、器件及其典型應(yīng)用研究研究?jī)?nèi)容：面向高功率密度電子器件的有效熱傳輸開(kāi)展基于氣液相變的高導(dǎo)熱率復(fù)合材料及其器件的研究，通過(guò)氣液界面分子學(xué)設(shè)計(jì)，原位觀(guān)測(cè)及微納導(dǎo)熱性能測(cè)試等方式揭示微觀(guān)層面氣液相變熱能傳輸機(jī)理，并開(kāi)展基于氣液相變的柔性高導(dǎo)熱率復(fù)合材料及其器件的研究。高功率密度電子器件與高導(dǎo)熱率復(fù)合材料及其器件的集成與典型應(yīng)用研究。考核指標(biāo)：研制由與半導(dǎo)體器件材料熱膨脹匹配80%基于氣液相變、導(dǎo)熱性能遠(yuǎn)高于金剛石或其他固態(tài)導(dǎo)熱材料、厚度1mm的高導(dǎo)熱復(fù)合材料及器件；研制由可動(dòng)態(tài)彎曲（彎曲角160度）的基于氣液相變的高導(dǎo)熱復(fù)合材料及器件。確立微觀(guān)層次氣液相變熱能傳輸機(jī)理，實(shí)現(xiàn)與高功率密度電子器件的集成，降低電子器件熱阻50%以上，延長(zhǎng)其工作穩(wěn)定性和使用壽命50%以上。申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利10項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。13.3 用于高功率密度熱管理的前沿?zé)峁芾聿牧涎芯垦芯績(jī)?nèi)容：面向下一代高功率密度電子器件的有效熱管理開(kāi)展前沿?zé)峁芾聿牧系奶剿餮芯?，包括新型聚合物基、金?/p>