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文檔簡介

INTRADUCTION芯片制造工藝光刻工藝刻蝕工藝光刻+蝕刻最重要決定著芯片的最小尺寸制造時間的40-50%制造成本的30%玻璃模版 光刻光刻 光化學反應蝕刻蝕刻 腐蝕光刻膠膜硅片光刻工藝photoresistsilicon substrateoxide 紫外光光刻膠上的陰影光刻膠的曝光區(qū)模版上的鉻島硅襯底光刻膠層氧化層島使光衰弱的被曝光區(qū)光刻膠顯影后的最終圖形窗口光刻膠層氧化層硅襯底光刻原理使用光敏材料（光刻膠）和可控制的曝光在光刻膠膜層形成三維圖形在后續(xù)工藝(蝕刻)中,保護下面的材料光刻工藝 顯影檢查 曝光后烘焙 顯影堅膜烘焙紫外光模版對準和曝光光刻膠 旋轉涂膠 軟烘清洗+噴涂粘附劑HMDS光刻工藝步驟光刻工藝涂膠涂膠曝光曝光顯影顯影模板模板NormalIncompleteoverunder光刻工藝 顯影后光刻膠上的IC設計圖形 晶圓表面腐蝕作用，從Si片表面去除不需要的材料，如Si、SiO2，金屬、光刻膠等濕法和干法蝕刻工藝刻蝕工藝 用液體化學劑（如酸，堿和溶劑等）以化學方式去除Si表面的材料刻蝕工藝 濕法 Plasma刻蝕工藝 干法 把襯底表面曝露于氣態(tài)的等離子體，等離子體與硅片發(fā)生物理或/和化學反應，從而去掉曝露的表面材料。亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法曝光曝光顯影顯影顯影液蝕刻蝕刻酸氣體去光阻去光阻去光阻液光刻光刻+刻蝕刻蝕開啟電極接觸窗口開啟電極接觸窗口蒸金，

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