場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路教材

1、第第3章章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路放大電路內(nèi)容導(dǎo)航內(nèi)容導(dǎo)航3.0 教學(xué)基本要求教學(xué)基本要求 3.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 3.2 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管3.3 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)、特點(diǎn)及使用注意事項(xiàng)特點(diǎn)及使用注意事項(xiàng)3.4 場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路習(xí)題解答習(xí)題解答教學(xué)基本要求教學(xué)基本要求掌握掌握:單極型半導(dǎo)體三極管的外特性；共源、單極型半導(dǎo)體三極管的外特性；共源、共漏放大電路的工作原理，靜態(tài)工作共漏放大電路的工作原理，靜態(tài)工作點(diǎn)估算繼永建華笑信號(hào)模型電路分析點(diǎn)估算繼永建華笑信號(hào)模型電路分析電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻。電壓放大

2、倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻。熟悉熟悉:單極型半導(dǎo)體三極管的工作原理，主單極型半導(dǎo)體三極管的工作原理，主要參數(shù)及使用方法；共源、共漏放大要參數(shù)及使用方法；共源、共漏放大電路的主要特點(diǎn)和用途。電路的主要特點(diǎn)和用途。3.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管是一種由輸入信號(hào)電壓來控制其電流是一種由輸入信號(hào)電壓來控制其電流大小的半導(dǎo)體三極管，所以是大小的半導(dǎo)體三極管，所以是電壓控制器件電壓控制器件。場(chǎng)效應(yīng)管的分類場(chǎng)效應(yīng)管的分類根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分類：根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管：結(jié)型N溝道P溝道 MOS型N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型增強(qiáng)型耗盡型

3、場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)：場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)：1. 輸入端基本上不取電流，一次輸入電阻非常高，輸入端基本上不取電流，一次輸入電阻非常高， 一般可一般可達(dá)達(dá)1081015 ；2. 具有噪聲低，受溫度、輻射影響小，制造工藝簡(jiǎn)單，便具有噪聲低，受溫度、輻射影響小，制造工藝簡(jiǎn)單，便于大規(guī)模集成等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于集成電路中。于大規(guī)模集成等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于集成電路中。3.3.場(chǎng)效應(yīng)管都場(chǎng)效應(yīng)管都是僅由一種載流子（多數(shù)載流子）參與導(dǎo)電是僅由一種載流子（多數(shù)載流子）參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，故又稱為單極型三極管。從參與導(dǎo)電的的半導(dǎo)體器件，故又稱為單極型三極管。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分，它有電子作為載流子的載流子來劃分，

4、它有電子作為載流子的N N溝道器件和空穴溝道器件和空穴作為載流子的作為載流子的P P溝道器件。溝道器件。3.1.13.1.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFETJFET）的結(jié)構(gòu)）的結(jié)構(gòu) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用耗盡層寬度改變導(dǎo)電溝道的寬窄是一種利用耗盡層寬度改變導(dǎo)電溝道的寬窄來控制漏極電流的大小的器件。它是在來控制漏極電流的大小的器件。它是在N N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個(gè)各制造一個(gè)PNPN結(jié)，形成兩個(gè)結(jié)，形成兩個(gè)PNPN結(jié)夾著一個(gè)結(jié)夾著一個(gè)N N型溝道的結(jié)構(gòu)。型溝道的結(jié)構(gòu)。P P區(qū)區(qū)即為柵極即為柵極g(G)g(G)，N N型硅的一端是漏極型硅的一端是漏極d(D)

5、d(D)，另一端是源極，另一端是源極s(S)s(S)。3.1.23.1.2 JFET JFET的工作原理和特性曲線的工作原理和特性曲線 N N溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，在柵極與源極之間加負(fù)電，在柵極與源極之間加負(fù)電，柵極與溝道之間的柵極與溝道之間的PNPN結(jié)為反偏。結(jié)為反偏。 在漏極、源極之間在漏極、源極之間加一定正電壓，使加一定正電壓，使N N溝道中的多數(shù)載流子溝道中的多數(shù)載流子( (電子電子) )由源由源極向漏極漂移，形成極向漏極漂移，形成i iD D。i iD D的大小受的大小受u uGSGS的控制。的控制。 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，極性相反，溝道時(shí)，極性相反

6、，溝道中的多子為空穴中的多子為空穴PN結(jié)結(jié)N溝道溝道當(dāng)當(dāng)uGS0時(shí)，時(shí)，PN結(jié)反結(jié)反偏，耗盡層變厚，溝道變偏，耗盡層變厚，溝道變窄，溝道電阻變大，窄，溝道電阻變大，iD減減??；小；uGS更負(fù)，溝道更窄，更負(fù)，溝道更窄，iD更?。桓?；直至溝道被耗盡直至溝道被耗盡層全部覆蓋，溝道被夾層全部覆蓋，溝道被夾斷，斷， iD0。這時(shí)所對(duì)應(yīng)這時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵源電壓的柵源電壓uGS稱為稱為夾斷夾斷電壓電壓UGS(off)。一一GS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響對(duì)導(dǎo)電溝道的影響動(dòng)畫動(dòng)作：動(dòng)畫動(dòng)作：播放播放二、二、u uDSDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響對(duì)導(dǎo)電溝道的影響 在柵源間加電壓uGSUGS(off)，漏源間加電壓uDS。則因漏端耗

7、盡層所受的反偏電壓為uGD=uGS-uDS，比源端耗盡層所受的反偏電壓uGS大,使靠近漏端的耗盡層比源端厚，溝道比源端窄，故uDS對(duì)溝道的影響是不均勻的，使溝道呈楔形。 隨uDS增大，這種不均勻性越明顯。當(dāng)uDS增加到使uGD=uGS-uDS =UGS(off) 時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)， 當(dāng)當(dāng)uDS繼續(xù)增加時(shí)，預(yù)夾繼續(xù)增加時(shí)，預(yù)夾斷點(diǎn)向源極方向伸長(zhǎng)為預(yù)夾斷點(diǎn)向源極方向伸長(zhǎng)為預(yù)夾斷區(qū)斷區(qū)。由于預(yù)夾斷區(qū)電阻很由于預(yù)夾斷區(qū)電阻很大，使主要大，使主要uDS降落在該區(qū)，降落在該區(qū)，由此產(chǎn)生的強(qiáng)電場(chǎng)力能把未由此產(chǎn)生的強(qiáng)電場(chǎng)力能把未夾斷區(qū)漂移到其邊界上的載夾斷區(qū)漂移到其邊界上的載流子都掃至漏極，形成漏

8、極流子都掃至漏極，形成漏極飽和電流飽和電流。動(dòng)畫動(dòng)作：動(dòng)畫動(dòng)作：播放播放JFET伏安特性曲線伏安特性曲線 一般情況下一般情況下，夾斷區(qū)僅占溝道長(zhǎng)度的很小部分，因此，夾斷區(qū)僅占溝道長(zhǎng)度的很小部分，因此UDS的的增大而引起夾斷點(diǎn)的移動(dòng)可忽略，夾斷點(diǎn)到源極間的溝道長(zhǎng)度增大而引起夾斷點(diǎn)的移動(dòng)可忽略，夾斷點(diǎn)到源極間的溝道長(zhǎng)度可以認(rèn)為近似不變，同時(shí)，夾斷點(diǎn)到源極間的電壓又為一定值，可以認(rèn)為近似不變，同時(shí)，夾斷點(diǎn)到源極間的電壓又為一定值，所以可近似認(rèn)為所以可近似認(rèn)為D是不隨是不隨UDS而變化的恒值。而變化的恒值。 CUDSDGSufi)( 根據(jù)管子的工作狀態(tài)，根據(jù)管子的工作狀態(tài)，可將輸出特性曲線族分為可將輸

9、出特性曲線族分為四個(gè)區(qū)域：四個(gè)區(qū)域：uuiuui（1）可變電阻區(qū)）可變電阻區(qū) 是是u uDSDS較小，管子尚未預(yù)夾斷時(shí)較小，管子尚未預(yù)夾斷時(shí)的工作區(qū)域。虛線為不同的工作區(qū)域。虛線為不同u uGSGS是預(yù)夾是預(yù)夾斷點(diǎn)的軌跡，故斷點(diǎn)的軌跡，故虛線虛線上各點(diǎn)上各點(diǎn)u uGDGD=U=UGS(off)GS(off)，則虛線上各點(diǎn)對(duì)應(yīng)的，則虛線上各點(diǎn)對(duì)應(yīng)的u uDSDS=u=uGSGS-U-UGS(off)GS(off)。2、改變、改變uGS時(shí)，特性曲線斜率變化，因此管子漏極欲源極之間時(shí)，特性曲線斜率變化，因此管子漏極欲源極之間可以看成一個(gè)由可以看成一個(gè)由uGS控制的線性電阻，即壓控電阻。控制的線性電阻

10、，即壓控電阻。uGS愈負(fù)愈負(fù),特特性曲線斜率愈小性曲線斜率愈小,等效電阻愈大。等效電阻愈大。特點(diǎn)：特點(diǎn)：1、iD幾乎與幾乎與uDS成線性關(guān)系，管子相當(dāng)于線性電阻。成線性關(guān)系，管子相當(dāng)于線性電阻。uui（2）恒流區(qū)（飽和區(qū)）恒流區(qū)（飽和區(qū)） 特性曲線近似水平的部分，特性曲線近似水平的部分，它是它是JFETJFET預(yù)夾斷后所對(duì)應(yīng)的工預(yù)夾斷后所對(duì)應(yīng)的工作區(qū)域。作區(qū)域。特點(diǎn)特點(diǎn)：1、輸出電流、輸出電流i iD D 基本上不受輸出電壓基本上不受輸出電壓u uDSDS的影響，僅取決于的影響，僅取決于u uGSGS，故特性曲線是一族近乎平行于故特性曲線是一族近乎平行于u uDSDS軸的水平線軸的水平線。2、

11、輸入電壓、輸入電壓uGS控制輸出電流控制輸出電流2)(1 UuIioffGSGSDSSDuui（3）擊穿區(qū)）擊穿區(qū) 特性曲線上翹部分。特性曲線上翹部分。uDSU(BR)DS，管子，管子不允許不允許工作在工作在這個(gè)區(qū)域。這個(gè)區(qū)域。（4）夾斷區(qū)（截止區(qū)）夾斷區(qū)（截止區(qū)） 輸出特性曲線靠近橫軸的部分。它是發(fā)生在輸出特性曲線靠近橫軸的部分。它是發(fā)生在uGS UGS（off）時(shí)，管子的導(dǎo)電溝道完全被夾斷。時(shí)，管子的導(dǎo)電溝道完全被夾斷。特點(diǎn)：特點(diǎn)：iD0 三、轉(zhuǎn)移特性曲線三、轉(zhuǎn)移特性曲線 指指JFET漏源電壓漏源電壓uGS一定時(shí)，輸出電流一定時(shí)，輸出電流iD與輸入電壓與輸入電壓uGS的的關(guān)系曲線，即關(guān)系曲

12、線，即CuGSDDSufi)(下圖為一條下圖為一條u uDSDS=10V=10V時(shí)的轉(zhuǎn)移特性曲線時(shí)的轉(zhuǎn)移特性曲線當(dāng)管子工作在恒流區(qū)，當(dāng)管子工作在恒流區(qū)，uDS對(duì)對(duì)iD的影響很小。的影響很小。IDSS是在是在uGS = 0， uDS |UGS(off) |時(shí)的漏極電流時(shí)的漏極電流2)( )-1 (offGSGSDSSDUuIi 實(shí)驗(yàn)證明實(shí)驗(yàn)證明，當(dāng)管子工作在恒流區(qū)，當(dāng)管子工作在恒流區(qū)，iD可近似表示可近似表示為：為：3.23.2 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 絕緣柵型絕緣柵型(IGFET)場(chǎng)效應(yīng)管又稱金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管又稱金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET( Metal Oxide Sem

13、iconductor FET)，簡(jiǎn)稱，簡(jiǎn)稱MOS管是一種利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)，由感應(yīng)電荷的多少管是一種利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)，由感應(yīng)電荷的多少改變導(dǎo)電溝道來控制漏極電流的器件，它的柵極與半導(dǎo)體改變導(dǎo)電溝道來控制漏極電流的器件，它的柵極與半導(dǎo)體之間是絕緣的，其電阻大于之間是絕緣的，其電阻大于109 .它也有它也有N溝道溝道和和P溝道溝道兩種，兩種，其中每類又分為其中每類又分為增強(qiáng)型增強(qiáng)型和和耗盡型耗盡型兩種。兩種。增強(qiáng)型增強(qiáng)型：uGS=0時(shí)，漏源之間沒有導(dǎo)電溝道，時(shí)，漏源之間沒有導(dǎo)電溝道， 在在uDS作用下無作用下無iD。耗盡型耗盡型：u uGSGS=0=0時(shí)，漏源之間有導(dǎo)電溝道，時(shí)，漏源

14、之間有導(dǎo)電溝道， 在在u uDSDS作用下有作用下有i iD D。3.2.13.2.1 N N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOSFETMOSFET一、結(jié)構(gòu)和符號(hào)一、結(jié)構(gòu)和符號(hào) N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)左右對(duì)稱，是在一拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)左右對(duì)稱，是在一塊濃度較低的塊濃度較低的P型硅上生成一層型硅上生成一層SiO2 薄膜絕緣層，然后薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的的N型區(qū)，從型區(qū)，從N型區(qū)型區(qū)引出電極引出電極作為作為D和和S，在絕緣層上鍍一在絕緣層上鍍一層金屬鋁并引出一個(gè)電極作為層金屬鋁并引出一個(gè)電極作為G二、工作原理與特性曲線二、工作原理與特性曲線(a) uGS

15、=0時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的靠背的 二極管，在二極管，在D、S之間加上之間加上電壓，不管電壓，不管VDS極性如何，其中總極性如何，其中總有一個(gè)有一個(gè)PN結(jié)反向，所以不存在導(dǎo)電結(jié)反向，所以不存在導(dǎo)電溝道。溝道。 uGS =0， iD =0(b) 當(dāng)當(dāng) 0uGSUGS(th) (開啟電壓開啟電壓)時(shí)時(shí)， 但由于電場(chǎng)強(qiáng)度有限，但由于電場(chǎng)強(qiáng)度有限，數(shù)量有限，不足以形成溝道，將漏極和源極溝通，所以數(shù)量有限，不足以形成溝道，將漏極和源極溝通，所以不可能不可能形成漏極電流形成漏極電流iD。(c)進(jìn)一步增加uGS，當(dāng)uGSUGS(th)時(shí)，由于此時(shí)的柵極電壓已經(jīng)比較強(qiáng)，柵極下方的P型

16、半導(dǎo)體表層中聚集較多的電子，將漏極和源極溝通，形成溝道。如果此時(shí)uDS0，就可以形成漏極電流ID。在柵極下方導(dǎo)電溝道中的電子，因與P型區(qū)的載流子空穴極性相反，故稱為反型層。隨著uGS的繼續(xù)增加，反型層變厚，iD增加 把把開始形成反型層的開始形成反型層的uGS值值稱為該管的稱為該管的開啟電開啟電壓壓UGS(th)。UDS 這時(shí)，若在漏源間加電壓 uDS，就能產(chǎn)生漏極電流 iD，即管子開啟。uGS值越大，溝道內(nèi)自由電子越多，溝道電阻越小，在同樣 uDS 電壓作用下， i D 越大。這樣，就實(shí)現(xiàn)了輸入電壓 uGS 對(duì)輸出電流 i D 的控制。 把把開始形成反型層的開始形成反型層的uGS值值稱為該管的

17、稱為該管的開啟電開啟電壓壓UGS(th)。UDS 這時(shí)，若在漏源間加電壓 uDS，就能產(chǎn)生漏極電流 iD，即管子開啟。uGS值越大，溝道內(nèi)自由電子越多，溝道電阻越小，在同樣 uDS 電壓作用下， i D 越大。這樣，就實(shí)現(xiàn)了輸入電壓 uGS 對(duì)輸出電流 i D 的控制。N N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOSFETMOSFET特性曲線特性曲線輸出特性輸出特性轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線值值時(shí)時(shí)的的是是在在恒恒流流區(qū)區(qū)，DGGSDthGSGSDDiuIUuIiS(th)02)(0U2 )1-( Uuuuuuuuiuui3.2.23.2.2 N N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFETMOSFET N溝道耗盡型溝道

18、耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖所示，制造時(shí)在柵極和符號(hào)如圖所示，制造時(shí)在柵極下方的絕緣層中摻入了大量的金下方的絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。所以當(dāng)屬正離子。所以當(dāng)uGS=0時(shí)，這時(shí)，這些正離子已經(jīng)在感應(yīng)出反型層，些正離子已經(jīng)在感應(yīng)出反型層，在漏源之間形成了溝道。于是在漏源之間形成了溝道。于是只只要有漏源電壓，就有漏極電流存要有漏源電壓，就有漏極電流存在。在。無須加開啟電壓（無須加開啟電壓（uGS=0）。）。 當(dāng)當(dāng)u uGSGS0 0 時(shí)，將使時(shí)，將使i iD D進(jìn)一步增加。進(jìn)一步增加。u uGSGS0 0時(shí)，隨著時(shí)，隨著u uGS GS 的減小的減小i iD D 逐漸減小，直至逐漸

19、減小，直至 i iD D=0=0。對(duì)應(yīng)。對(duì)應(yīng)i iD D=0=0 的的 u uGSGS 值為夾值為夾斷電壓斷電壓 U UGS(off)GS(off) 。轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線輸出特性曲線輸出特性曲線3.2.33.2.3 P P溝道溝道MOSFETMOSFET簡(jiǎn)介簡(jiǎn)介 P P溝道溝道MOSMOS管和管和N N溝道溝道MOSMOS管的主要管的主要區(qū)別區(qū)別在于在于作為襯底作為襯底的半導(dǎo)體材料的類型不同的半導(dǎo)體材料的類型不同，PMOSPMOS管是以管是以N N型硅作為襯底，而型硅作為襯底，而漏極和源極從漏極和源極從P P區(qū)引出，形成的反型層為區(qū)引出，形成的反型層為P P型，相應(yīng)的溝道型，相應(yīng)的溝道為

20、為P P型溝道。對(duì)于耗盡型型溝道。對(duì)于耗盡型PMOSPMOS管，在二氧化硅絕緣層中摻入管，在二氧化硅絕緣層中摻入的是負(fù)離子。的是負(fù)離子。 使用時(shí)，使用時(shí)，u uGSGS的極性與的極性與NMOSNMOS管相反管相反。增強(qiáng)型。增強(qiáng)型PMOSPMOS管的開管的開啟電壓?jiǎn)㈦妷篣 UGSGS（thth）是負(fù)值，而耗盡型的是負(fù)值，而耗盡型的P P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電溝道場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓壓U UGS(off)GS(off)是正值。是正值。3.33.3 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)、特點(diǎn)及注意事項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)、特點(diǎn)及注意事項(xiàng)3.3.13.3.1 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)一、性能參數(shù)一、性能參數(shù)1.

21、1. 開啟電壓開啟電壓U UGS(thGS(th) )開啟電壓是開啟電壓是MOSMOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對(duì)值啟電壓的絕對(duì)值, , 場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。2. 2. 夾斷電壓夾斷電壓U UGS(off)GS(off) 夾斷電壓是耗盡型夾斷電壓是耗盡型FETFET的參數(shù)，當(dāng)?shù)膮?shù)，當(dāng)u uGSGS= =U UGS(pffGS(pff) )時(shí)時(shí), ,漏極漏極 電電流為零。流為零。3. 飽和漏極電流飽和漏極電流IDSS 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管, 當(dāng)當(dāng)uGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。4.4.直流輸入電阻直流

22、輸入電阻R RGSGS結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)R RGSGS約大于約大于107107；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管三極管, , R RGSGS約是約是10910910151015。5.5.低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo) g gm m ：表示：表示u uGSGS對(duì)對(duì)i iD D的控制作用。的控制作用。DSGSDmUudidg 在轉(zhuǎn)移特性曲線上，在轉(zhuǎn)移特性曲線上， g gm m 是曲線在某點(diǎn)上的斜率，也可由是曲線在某點(diǎn)上的斜率，也可由i iD D的表達(dá)式求導(dǎo)得出，單位為的表達(dá)式求導(dǎo)得出，單位為 S S 或或 mSmS。二、極限參數(shù)二、極限參數(shù)1、最大漏極電流最大漏極電流IDM 是

23、指管子在工作時(shí)允許的最大漏極電流。是指管子在工作時(shí)允許的最大漏極電流。2、最大耗散功率最大耗散功率PDM PDM=uDSiD，它受管子的最高工作溫度的限制。，它受管子的最高工作溫度的限制。3、漏源擊穿電壓漏源擊穿電壓U（BR）DS 漏、源極間所能承受的最大電壓。漏、源極間所能承受的最大電壓。4、柵源擊穿電壓柵源擊穿電壓U（BR）GS 漏、源極間所能承受的最高電壓。漏、源極間所能承受的最高電壓。3.3.23.3.2 場(chǎng)效應(yīng)管的主要特點(diǎn)及使用注意事項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管的主要特點(diǎn)及使用注意事項(xiàng)一、一、特點(diǎn)和選管原則特點(diǎn)和選管原則 1 1、電壓控制器件，柵極基本上不取電流，輸入電阻高。所以，電壓控制器件，柵極基

24、本上不取電流，輸入電阻高。所以， 常用在那些只允許信號(hào)源戲曲小電流的高精度、高靈敏度常用在那些只允許信號(hào)源戲曲小電流的高精度、高靈敏度 的測(cè)量?jī)x器、儀表等。的測(cè)量?jī)x器、儀表等。2 2、參與導(dǎo)電的只是多子。所以不易受溫度、輻射等外界因素參與導(dǎo)電的只是多子。所以不易受溫度、輻射等外界因素 影響，用在環(huán)境條件變化較大的場(chǎng)合。影響，用在環(huán)境條件變化較大的場(chǎng)合。3 3、噪聲較小。對(duì)于低噪聲、穩(wěn)定性要求高的線性放大電路宜噪聲較小。對(duì)于低噪聲、穩(wěn)定性要求高的線性放大電路宜 采用。采用。4 4、制造工藝簡(jiǎn)單，所占的芯片面積小，功耗很小，使用于制造工藝簡(jiǎn)單，所占的芯片面積小，功耗很小，使用于大規(guī)模集成。大規(guī)模集

25、成。5 5、 源極和漏極結(jié)構(gòu)對(duì)稱，可以互換使用。源極和漏極結(jié)構(gòu)對(duì)稱，可以互換使用。二、二、使用注意事項(xiàng)使用注意事項(xiàng)1 1、使用時(shí)，各極電源極性應(yīng)按規(guī)定接入使用時(shí)，各極電源極性應(yīng)按規(guī)定接入; ;各極限參數(shù)規(guī)定的各極限參數(shù)規(guī)定的數(shù)值絕對(duì)不能超過。數(shù)值絕對(duì)不能超過。2 2、MOSMOS管的襯底和源極通常連接在一起，若需分開，則襯源管的襯底和源極通常連接在一起，若需分開，則襯源間的電壓要保證襯源間間的電壓要保證襯源間PNPN結(jié)反向偏置。結(jié)反向偏置。3 3、貯存時(shí)，應(yīng)將管子的三個(gè)電極短路；把管子焊接到電路上貯存時(shí)，應(yīng)將管子的三個(gè)電極短路；把管子焊接到電路上或取下時(shí)，應(yīng)先用導(dǎo)線將各電極繞在一起；焊接管子，

26、最好或取下時(shí)，應(yīng)先用導(dǎo)線將各電極繞在一起；焊接管子，最好斷電利用余熱焊接。斷電利用余熱焊接。4 4、JFETJFET可在柵源極開路狀態(tài)下貯存，用萬用表檢查；可在柵源極開路狀態(tài)下貯存，用萬用表檢查；MOSMOS管管必須用測(cè)試儀，良好接地。必須用測(cè)試儀，良好接地。3.43.4 場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路3.5.1 FET的偏置電路及靜態(tài)分析的偏置電路及靜態(tài)分析一、自偏壓電路一、自偏壓電路 耗盡型耗盡型NMSFETNMSFET的柵偏壓是依靠自身電流的柵偏壓是依靠自身電流I ID D產(chǎn)生的，故稱為產(chǎn)生的，故稱為自偏壓電路。自偏壓電路。2)()1 (offGSGSDSSDSDGSUUIIRIU則：則：)(SDDDDDSRRIUU二、分壓式自偏壓電路二、分壓式自偏壓電路 RG RG1 RG2 RS RD RL +UDD C1 C2 CS + ui + uo G D S V + + + DDG2G1G2GSURRRUUSDgggDDGSRIRRRUU212設(shè)設(shè)U UGSGS=0=0，則：，則：特點(diǎn)：特點(diǎn)：能夠穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，而且適用于由各種類型能夠穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)