模擬電子電路第4章答案教材

1、4.1 簡述耗盡型和增強型MOS場效應管結構的區(qū)別；對于適當的電壓偏置（VDS0V，VGSVT），畫出P溝道增強型MOS場效應管，簡要說明溝道、電流方向和產生的耗盡區(qū)，并簡述工作原理。解：耗盡型場效應管在制造過程中預先在襯底的頂部形成了一個溝道，連通了源區(qū)和漏區(qū)，也就是說，耗盡型場效應管不用外加電壓產生溝道。而增強型場效應管需要外加電壓VGS產生溝道。隨著VSG逐漸增大，柵極下面的襯底表面會積聚越來越多的空穴，當空穴數量達到一定時，柵極下面的襯底表面空穴濃度會超過電子濃度，從而形成了一個“新的P型區(qū)”，它連接源區(qū)和漏區(qū)。如果此時在源極和漏極之間加上一個負電壓，那么空穴就會沿著新的P型區(qū)定向地從

2、源區(qū)向漏區(qū)移動，從而形成電流，把該電流稱為漏極電流，記為。當一定，而持續(xù)增大時，則相應的減小，近漏極端的溝道深度進一步減小，直至，溝道預夾斷，進入飽和區(qū)。電流不再隨的變化而變化，而是一個恒定值。4.2 考慮一個N溝道MOSFET，其=50A/V2，Vt=1V，以及W/L=10。求下列情況下的漏極電流：（1）VGS=5V且VDS=1V；（2）VGS=2V且VDS=1.2V；（3）VGS=0.5V且VDS=0.2V；（4）VGS=VDS=5V。(1) 根據條件，該場效應管工作在變阻區(qū)。=1.75mA(2) 根據條件，該場效應管工作在飽和區(qū)。=0.25mA(3) 根據條件，該場效應管工作在截止區(qū)，(

3、4) 根據條件，該場效應管工作在飽和區(qū)=4mA4.3 由實驗測得兩種場效應管具有如圖題4.1所示的輸出特性曲線，試判斷它們的類型，并確定夾斷電壓或開啟電壓值。圖題4.1圖（a）P溝道耗盡型圖 (b) P溝道增強型4.4 一個NMOS晶體管有Vt=1V。當VGS=2V時，求得電阻rDS為1kW。為了使rDS=500W，則VGS為多少？當晶體管的W為原W的二分之一時，求其相應的電阻值。解：由題目可知，該晶體管工作在變阻區(qū)，則有當時，代入上式可得則時，當晶體管的W為原W的二分之一時，當VGS=2V時，當晶體管的W為原W的二分之一時，當VGS=3V時，4.5 （1）畫出P溝道結型場效應管的基本結構。

4、（2）漏極和源極之間加上適當的偏置，畫出VGS=0V時的耗盡區(qū)，并簡述工作原理。解：（1） (2)4.6 用歐姆表的兩測試棒分別連接JFET的漏極和源極，測得阻值為R1，然后將紅棒（接負電壓）同時與柵極相連，發(fā)現歐姆表上阻值仍近似為R1，再將黑棒（接正電壓）同時與柵極相連，得歐姆表上阻值為R2，且R2 R1，試確定該場效應管為N溝道還是P溝道。解：時，低阻抗，時，高阻抗，即時導通，所以該管為P溝道JFET。4.7 在圖題4.2所示電路中，晶體管VT1和VT2有Vt=1V，工藝互導參數=100A/V2。假定l=0，求下列情況下V1、V2和V3的值：（1）(W/L)1=(W/L)2=20；（2）(

5、W/L)1=1.5(W/L)2=20。圖題4.2（1） 解：因為(W/L)1=(W/L)2=20；電路左右完全對稱，則則有，可得該電路兩管工作在飽和區(qū)。則有：（2） 解：因為(W/L)1=1.5(W/L)2=20，同時可求得：則有，可得該電路兩管工作在飽和區(qū)。則有：4.8 場效應管放大器如圖題4.3所示。(W/L)=0.5mA/V2，（1）計算靜態(tài)工作點Q；（2）求Av、Avs、Ri和Ro。 圖題4.3解：（1），考慮到放大器應用中，場效應管應工作在飽和區(qū)，則有：代入上式可得：解得，當時場效應管截止。因此，(2) ，忽略厄爾利效應4.9 圖題4.4所示電路中FET的，靜態(tài)時IDQ=0.64mA

6、，(W/L)=0.5mA/V2求：（1）源極電阻R應選多大？（2）電壓放大倍數Av、輸入電阻Ri、輸出電阻Ro；（3）若C3虛焊開路，則Av、Ri、Ro為多少？ 圖題4.4解：（1）(2) ，忽略厄爾利效應（3）=1.24.10 共源放大電路如圖題4.5所示，已知MOSFET的nCoxW/2L=0.25mA/V2，各電容對信號可視為短路，試求：（1）靜態(tài)IDQ、VGSQ和VDSQ；（2）Av、Ri和Ro。 圖題4.5解：（1），考慮到放大器應用中，場效應管應工作在飽和區(qū)，則有：代入上式可得：解得，當時場效應管截止。因此，(2) ，忽略厄爾利效應4.11 對于圖題4.6所示的固定偏置電路：（1）

7、用數學方法確定IDQ和VGSQ；（2）求VS、VD、VG的值。圖題4.6解：（1）假設該JFET工作在飽和區(qū)，則有(2) ， 4.12 對于圖題4.7所示的分壓偏置電路，VD=9V，求：（1）ID；（2）VS和VDS；（3）VG和VGS。 圖題4.7，則=-1.48V, 則4.13 如圖題4.8所示，求該放大器電路的小信號電壓增益、輸入電阻和最大允許輸入信號。該晶體管有Vt=1.5V，(W/L)=0.25mA/V2，VA=50A。假定耦合電容足夠大使得在所關注的信號頻率上相當于短路。 圖題4.8解：等效電路如圖所示則因，其上的交流電流可以忽略，則為了計算輸入電阻，先考慮輸入電流（此處也可用密勒

8、定理），最大允許輸入信號需根據場效應管工作在飽和區(qū)條件來確定，即， 即4.14 考慮圖題4.9所示的FET放大器，其中，Vt=2V，(W/L)=1mA/V2，VGS=4V，VDD= 10V，以及RD=3.6kW。（1）求直流分量ID和VD；（2）計算偏置點處的gm值；（3）計算電壓增益值Av；（4）如果該MOSFET有l(wèi)=0.01V1，求偏置點處的ro以及計算源電壓增益Avs。 圖題4.9解：（1）則（2）（3）（4） 4.15 圖題4.10所示為分壓式偏置電路，該晶體管有Vt=1V，(W/L)=2mA/V2。（1）求ID、VGS；（2）如果VA=100V，求gm和ro；（3）假設對于信號頻率

9、所有的電容相當于短路，畫出該放大器完整的小信號等效電路；（4）求Ri、Ro、vo/vgs以及vo/vsig。 圖題4.10解：（1）假設該電路工作在飽和區(qū)，則有 ， ，則 (2) ， (3) （4） 4.16 設計圖題4.11所示P溝道EMOSFET電路中的RS、RD。要求器件工作在飽和區(qū)，且ID=0.5mA，VDS=1.5V，。已知pCoxW/(2L)=0.5mA/V2，Vt=1V，設l=0。 圖題4.11解： 4.17 在圖題4.12電路中，NMOS晶體管有|Vt|=0.9V，VA=50A，(W/L)=0.25mA/V2并且工作在VD=2V。電壓增益vo/vi為多少？假設電流源內阻為50k

10、W，求、。圖題4.12解：由電路結構可知，該場效應管工作在飽和模式因，其上的交流電流可以忽略，則為了計算輸入電阻，先考慮輸入電流（此處也可用密勒定理），4.18 對于圖題4.13所示的共柵極電路，：（1）確定Av和Gv；（2）RL變?yōu)?.2kW，計算Av和Avs，并說明RL的變化對電壓增益有何影響；（3）Rsig變?yōu)?.5kW（RL為4.7kW），計算Av和Avs，說明Rsig的變化對電壓增益有何影響。 圖題4.13.解：（1）等效電路如下圖所示=3.88(2) RL變?yōu)?.2kW時，=1.52若RL減小，則Av和Avs均減小，反之亦然。（3） Rsig變?yōu)?.5kW（RL為4.7kW）時，若

11、Rsig變減小，則Av不變，Avs增加。反之亦然。4.19 計算圖題4.14所示的級聯放大器的直流偏置、輸入電阻、輸出電阻及輸出電壓。如果輸出端負載為10kW，計算其負載電壓。已知結型場效應管，輸入信號電壓有效值為10mV。圖題4.14解：（1）兩級放大器具有相同的直流偏置。，考慮到放大器應用中，場效應管應工作在飽和區(qū)，則有：代入上式可得：解得， (2) ，由于第二級沒有負載，則 對于第一級放大器，可得到相同的增益則級聯放大器的增益為輸出電壓為負載10kW兩端的輸出電壓為 4.20 圖題4.15所示電路中的MOSFET有Vt=1V，(W/L)=0.8mA/V2，VA=40V，。圖題4.15（1）求靜態(tài)工作點IDQ、VGSQ；（2）求偏置點的gm和ro