第1章常用半導體器件

1、 322gE-kTiin = p = BTe53 )TST=(-1=26mV(= 300K)uUiIekTUTq SiGe)TS=(-1uUiIeTST()線uUiI euU正正向向特特性性曲曲-ST( 0,)線iIuuU反反向向特特性性曲曲 國外型號硅國外型號硅整流二極管整流二極管 5 5 = 0.7V= 0.7+(-2) = -1.3VUUU/D1onD2onD1onO= 2V = 0.7V= 2-(-2) = 4V = 0.7V= 0.7+(-2) = -1.3V = 0.7V= 2V = 0.7V= 2.1-5 = -2.9V = 0.7V= 0.7+0.7 =1.4VUUUUUUUU

2、U2onRV -3=1.3mAUIR-1-1DTDTuUsDDTTTduDDTDDUQQQsQQI edudiUUUr =diduUiII e 26mV(300K)dDr =T =IDDDon-=V UIRUUdDdd26mV=irIuirDDdDDd=+=+iIiuUu幾種典型穩(wěn)壓管的主要參數(shù)幾種典型穩(wěn)壓管的主要參數(shù)型號型號UZ(V)rZ()IZ(mA)IZM(mA)PZM(W)2CW523.24.57010550.252CW6011.512.5+= 6V= 5mA =RUURRUUIIII ZLDZLLO2L=10V = 5V = 7V2k+2k= 7V = 6V=-= 1VUUUUUUU

3、UUU Z1Z2DZ1DZ2=18V = 7V=18V = 6VUUUUIIOIOO=( 10%) =1.5V/=0.094V( /)0.094=1%9zLzLUUrRUUR+ rRUU ZDZOZ=15V =11.25V += 9VLLRUURRUU 小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管1 EBCCBCBEB=+(1+)IIIIIIIII ebcCcBbcbeb=+=(1+)iiiiiiiiii i CEOCBO(1+)I=I 工程上常用工程上常用UCE1V的任何一條曲線來近似表示的任何一條曲線來近似表示UCE1V的所有曲線。的所有曲線。uBEiCuCE截止截止UonICEO u

4、BE放大放大 UoniB uBE飽和飽和 UoniB uBEuCE較小時較小時iC隨隨uCE變化很大？變化很大？ 為什么放大區(qū)曲線幾乎與橫軸平行？為什么放大區(qū)曲線幾乎與橫軸平行？CECBUii uBEiCuCE截止截止UonICEO uBE放大放大 UoniB uBE飽和飽和 UoniB uBET1T2T3T4UB/V0.71-10UE/V00.3-1.70UC/V50.7 015工作狀態(tài)工作狀態(tài)放大放大飽和飽和放大放大截止截止UBUEPNP:UC UBUECBOCEO()、 II T、fCBOCE0III CBCEUii (BR)CEO、CMCMPIU11 =+ =-11 =+ =-幾種典型

5、小功率三極管的主要參數(shù)幾種典型小功率三極管的主要參數(shù)類別類別型號型號PZM(mW)ICM(mA)U (BR)CEO(V)ICBO(A)ICEO(A)fT(MHz)低頻小功低頻小功率鍺管率鍺管3AX31A1251251240180201000高頻小功高頻小功率硅管率硅管3DG100C3DG6C1002020202000.1250PNP型型硅管硅管901262550020642000.10.1500NPN型型硅管硅管901362550020642000.10.1100如何確定如何確定 、PCM、ICM、U(BR)CEO？ 2.5CE2-1=1000.02-0.01CBUii U(BR)CEO25V

6、CECMC=1V=uIi 增增 加大約（加大約（0.51）%/ /oCT1T2T3ICBO/A0.010.10.05UCEO/V50502015100 100ICBO越小，溫度穩(wěn)定性越好。越小，溫度穩(wěn)定性越好。 UCEO越大，耐壓能力越強。越大，耐壓能力越強。越大越大 2GSDDSSGS(off)GSGS(off)=(1-)()區(qū)恒恒流流：uiIuUU2GSDDSSGSGS(off)GS(off)=(1-)()區(qū)恒恒流流：uiIuUU夾斷電壓夾斷電壓P-JFETN-JFETP-增強型增強型N-耗盡型耗盡型半導體材料半導體材料單質(zhì)單質(zhì) 特性特性 化合物化合物 PN結(jié)結(jié)半導體半導體半導體器件半導體器件電子電路系統(tǒng)電子電路系統(tǒng)絕緣體絕緣體導體導體半導體半導體本征半導體本征半導體 雜質(zhì)半導體雜質(zhì)半導體 n=p=niN型半導體型半導體 P型半導體型半導體多子多子-電子電子多子多子-空穴空穴PN結(jié)結(jié)V-I特性特性 溫度特性溫度特性 電容效應(yīng)電容效應(yīng)半導體器件半導體器件半導體器件半導體器件二極管二極管BJTFET電路模型電路模型 應(yīng)用電路應(yīng)用電路NPN PNP結(jié)型結(jié)型 絕緣柵型絕緣柵型耗盡型耗盡型 增強型增強型N溝道溝道 P溝道溝道理想開關(guān)模型理想開關(guān)模型恒壓源模型恒壓源模型折線近似模型折線近似模型小信號模型小信號模型整流整流限幅限幅穩(wěn)壓穩(wěn)