半導(dǎo)體工藝中的英語詞匯

1、 AAbrupt junction 突變結(jié) Accelerated testing 加速實(shí)驗(yàn)Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 積累、堆積 Accumulating contact 積累接觸Accumulation region 積累區(qū) Accumulation layer 積累層Active region 有源區(qū) Active component 有源元Active device 有源器件 Activation 激活A(yù)ctivation energy 激活能 Active region 有源（放大）區(qū)Admittance 導(dǎo)納 Allowed

2、 band 允帶Alloy-junction device合金結(jié)器件 Aluminum（Aluminium） 鋁Aluminum - oxide 鋁氧化物 Aluminum passivation 鋁鈍化Ambipolar 雙極的 Ambient temperature 環(huán)境溫度Amorphous 無定形的，非晶體的 Amplifier 功放 擴(kuò)音器 放大器Analogue（Analog） comparator 模擬比較器 Angstrom 埃Anneal 退火 Anisotropic 各向異性的Anode 陽極 Arsenic （AS） 砷Auger 俄歇 Auger process 俄歇過

3、程Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩擊穿Avalanche excitation雪崩激發(fā) BBackground carrier 本底載流子 Background doping 本底摻雜Backward 反向 Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流電阻 Ball bond 球形鍵合Band 能帶 Band gap 能帶間隙Barrier 勢(shì)壘 Barrier layer 勢(shì)壘層Barrier width 勢(shì)壘寬度 Base 基極Base contact 基區(qū)接觸 Base stretching 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)Base

4、transit time 基區(qū)渡越時(shí)間 Base transport efficiency基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)Base-width modulation基區(qū)寬度調(diào)制 Basis vector 基矢Bias 偏置 Bilateral switch 雙向開關(guān)Binary code 二進(jìn)制代碼 Binary compound semiconductor 二元化合物半導(dǎo)體Bipolar 雙極性的 Bipolar Junction Transistor （BJT）雙極晶體管Bloch 布洛赫 Blocking band 阻擋能帶Blocking contact 阻擋接觸 Body - centered 體心立方

5、Body-centred cubic structure 體立心結(jié)構(gòu) Boltzmann 波爾茲曼Bond 鍵、鍵合 Bonding electron 價(jià)電子Bonding pad 鍵合點(diǎn) Bootstrap circuit 自舉電路Bootstrapped emitter follower 自舉射極跟隨器 Boron 硼B(yǎng)orosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 邊界條件Bound electron 束縛電子 Breadboard 模擬板、實(shí)驗(yàn)板Break down 擊穿 Break over 轉(zhuǎn)折Brillouin 布里淵 Brillouin zo

6、ne 布里淵區(qū)Built-in 內(nèi)建的 Build-in electric field 內(nèi)建電場(chǎng)Bulk 體/體內(nèi) Bulk absorption 體吸收Bulk generation 體產(chǎn)生 Bulk recombination 體復(fù)合Burn - in 老化 Burn out 燒毀Buried channel 埋溝 Buried diffusion region 隱埋擴(kuò)散區(qū)CCan 外殼 Capacitance 電容Capture cross section 俘獲截面 Capture carrier 俘獲載流子Carrier 載流子、載波 Carry bit 進(jìn)位位Carry-in bit

7、 進(jìn)位輸入 Carry-out bit 進(jìn)位輸出Cascade 級(jí)聯(lián) Case 管殼Cathode 陰極 Center 中心Ceramic 陶瓷（的） Channel 溝道Channel breakdown 溝道擊穿 Channel current 溝道電流Channel doping 溝道摻雜 Channel shortening 溝道縮短Channel width 溝道寬度 Characteristic impedance 特征阻抗Charge 電荷、充電 Charge-compensation effects 電荷補(bǔ)償效應(yīng)Charge conservation 電荷守恒 Charge n

8、eutrality condition 電中性條件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 電荷驅(qū)動(dòng)/交換/共享/轉(zhuǎn)移/存儲(chǔ)Chemmical etching 化學(xué)腐蝕法 Chemically-Polish 化學(xué)拋光Chemmically-Mechanically Polish （CMP） 化學(xué)機(jī)械拋光 Chip 芯片Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位Clamping diode 箝位二極管 Cleavage plane 解理面Clock rate 時(shí)鐘頻率 Clock generator 時(shí)鐘發(fā)生器Clock flip-

9、flop 時(shí)鐘觸發(fā)器 Close-packed structure 密堆積結(jié)構(gòu)Close-loop gain 閉環(huán)增益 Collector 集電極Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 補(bǔ)償運(yùn)放Common-base/collector/emitter connection 共基極/集電極/發(fā)射極連接Common-gate/drain/source connection 共柵/漏/源連接Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模輸入Common-mode rejection ratio （CMRR） 共模抑制比Compatibi

10、lity 兼容性 Compensation 補(bǔ)償Compensated impurities 補(bǔ)償雜質(zhì) Compensated semiconductor 補(bǔ)償半導(dǎo)體Complementary Darlington circuit 互補(bǔ)達(dá)林頓電路Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor（CMOS）互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Complementary error function 余誤差函數(shù)Computer-aided design （CAD）/test（CAT）/manufacture（CAM） 計(jì)算機(jī)

11、輔助設(shè)計(jì)/ 測(cè)試 /制造Compound Semiconductor 化合物半導(dǎo)體 Conductance 電導(dǎo)Conduction band （edge） 導(dǎo)帶（底） Conduction level/state 導(dǎo)帶態(tài)Conductor 導(dǎo)體 Conductivity 電導(dǎo)率Configuration 組態(tài) Conlomb 庫侖Conpled Configuration Devices 結(jié)構(gòu)組態(tài) Constants 物理常數(shù)Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源擴(kuò)散Contact 接觸 Contamination 治

12、污Continuity equation 連續(xù)性方程 Contact hole 接觸孔Contact potential 接觸電勢(shì) Continuity condition 連續(xù)性條件Contra doping 反摻雜 Controlled 受控的Converter 轉(zhuǎn)換器 Conveyer 傳輸器Copper interconnection system 銅互連系統(tǒng) Couping 耦合Covalent 共階的 Crossover 跨交Critical 臨界的 Crossunder 穿交Crucible坩堝 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶體

13、缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 電流密度 Curvature 曲率Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 電流漂移/驅(qū)動(dòng)/共享Current Sense 電流取樣 Curvature 彎曲Custom integrated circuit 定制集成電路 Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立單晶Czochralski technique 切克勞斯基技術(shù)（Cz法直拉晶體J）DDangling bonds 懸掛鍵 Dark current 暗電流Dead time 空載時(shí)間 Debye length 德拜

14、長(zhǎng)度De.broglie 德布洛意 Decderate 減速Decibel （dB） 分貝 Decode 譯碼Deep acceptor level 深受主能級(jí) Deep donor level 深施主能級(jí)Deep impurity level 深度雜質(zhì)能級(jí) Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體 Degeneracy 簡(jiǎn)并度Degradation 退化 Degree Celsius（centigrade） /Kelvin 攝氏/開氏溫度Delay 延遲 Density 密度Density of states 態(tài)密度 Deple

15、tion 耗盡Depletion approximation 耗盡近似 Depletion contact 耗盡接觸Depletion depth 耗盡深度 Depletion effect 耗盡效應(yīng)Depletion layer 耗盡層 Depletion MOS 耗盡MOSDepletion region 耗盡區(qū) Deposited film 淀積薄膜Deposition process 淀積工藝 Design rules 設(shè)計(jì)規(guī)則Die 芯片（復(fù)數(shù)dice） Diode 二極管Dielectric 介電的 Dielectric isolation 介質(zhì)隔離Difference-mode

16、input 差模輸入 Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分電容 Diffused junction 擴(kuò)散結(jié)Diffusion 擴(kuò)散 Diffusion coefficient 擴(kuò)散系數(shù)Diffusion constant 擴(kuò)散常數(shù) Diffusivity 擴(kuò)散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 擴(kuò)散電容/勢(shì)壘/電流/爐Digital circuit 數(shù)字電路 Dipole domain 偶極疇Dipole layer 偶極層 Direct-coupling 直接耦

17、合Direct-gap semiconductor 直接帶隙半導(dǎo)體 Direct transition 直接躍遷Discharge 放電 Discrete component 分立元件Dissipation 耗散 Distribution 分布Distributed capacitance 分布電容 Distributed model 分布模型Displacement 位移 Dislocation 位錯(cuò)Domain 疇 Donor 施主Donor exhaustion 施主耗盡 Dopant 摻雜劑Doped semiconductor 摻雜半導(dǎo)體 Doping concentration 摻

18、雜濃度Double-diffusive MOS（DMOS）雙擴(kuò)散MOS.Drift 漂移 Drift field 漂移電場(chǎng)Drift mobility 遷移率 Dry etching 干法腐蝕Dry/wet oxidation 干/濕法氧化 Dose 劑量Duty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 雙列直插式封裝Dynamics 動(dòng)態(tài) Dynamic characteristics 動(dòng)態(tài)屬性Dynamic impedance 動(dòng)態(tài)阻抗EEarly effect 厄利效應(yīng) Early failure 早期失效Effective mass 有效質(zhì)量 Ein

19、stein relation（ship） 愛因斯坦關(guān)系Electric Erase Programmable Read Only Memory（E2PROM） 一次性電可擦除只讀存儲(chǔ)器Electrode 電極 Electrominggratim 電遷移Electron affinity 電子親和勢(shì) Electronic -grade 電子能Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蝕劑的電子束曝光Electron gas 電子氣 Electron-grade water 電子級(jí)純水Electron trapping center 電子俘獲中心 Electro

20、n Volt （eV） 電子伏Electrostatic 靜電的 Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半導(dǎo)體 Ellipse 橢圓Ellipsoid 橢球 Emitter 發(fā)射極Emitter-coupled logic 發(fā)射極耦合邏輯 Emitter-coupled pair 發(fā)射極耦合對(duì)Emitter follower 射隨器 Empty band 空帶Emitter crowding effect 發(fā)射極集邊（擁擠）效應(yīng)Endurance test =life test 壽命測(cè)試 Energy state 能態(tài)Energy momentum

21、 diagram 能量-動(dòng)量（E-K）圖 Enhancement mode 增強(qiáng)型模式Enhancement MOS 增強(qiáng)性MOS Entefic （低）共溶的Environmental test 環(huán)境測(cè)試 Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延層 Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效電路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多數(shù)/少數(shù)載流子Erasable Programmable ROM （EPROM）可搽取（編程）存儲(chǔ)器Error function c

22、omplement （erfc） 余誤差函數(shù)Etch 刻蝕 Etchant 刻蝕劑Etching mask 抗蝕劑掩模 Excess carrier 過剩載流子Excitation energy 激發(fā)能 Excited state 激發(fā)態(tài)Exciton 激子 Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 雜質(zhì)半導(dǎo)體FFace - centered 面心立方 Fall time 下降時(shí)間Fan-in 扇入 Fan-out 扇出Fast recovery 快恢復(fù) Fast surface states 快界面態(tài)Feedback 反饋

23、 Fermi level 費(fèi)米能級(jí)Fermi-Dirac Distribution 費(fèi)米-狄拉克分布 Femi potential 費(fèi)米勢(shì)Fick equation 菲克方程（擴(kuò)散） Field effect transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管Field oxide 場(chǎng)氧化層 Filled band 滿帶Film 薄膜 Flash memory 閃爍存儲(chǔ)器Flat band 平帶 Flat pack 扁平封裝Flicker noise 閃爍（變）噪聲 Flip-flop toggle 觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)Floating gate 浮柵 Fluoride etch 氟化氫刻蝕Forbidden band

24、 禁帶 Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting正向阻斷/導(dǎo)通Frequency deviation noise頻率漂移噪聲Frequency response 頻率響應(yīng) Function 函數(shù)GGain 增益 Gallium-Arsenide（GaAs） 砷化鉀Gamy ray r 射線 Gate 門、柵、控制極Gate oxide 柵氧化層 Gauss（ian） 高斯Gaussian distribution profile 高斯摻雜分布 Generation-recombination 產(chǎn)生-復(fù)合Geometries 幾何尺寸 Germa

25、nium（Ge） 鍺Graded 緩變的 Graded （gradual） channel 緩變溝道Graded junction 緩變結(jié) Grain 晶粒Gradient 梯度 Grown junction 生長(zhǎng)結(jié)Guard ring 保護(hù)環(huán) Gummel-Poom model 葛謀-潘 模型Gunn - effect 狄氏效應(yīng)HHardened device 輻射加固器件 Heat of formation 形成熱Heat sink 散熱器、熱沉 Heavy/light hole band 重/輕 空穴帶Heavy saturation 重?fù)诫s Hell - effect 霍爾效應(yīng)Hete

26、rojunction 異質(zhì)結(jié) Heterojunction structure 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）異質(zhì)結(jié)雙極型晶體High field property 高場(chǎng)特性High-performance MOS.（ H-MOS）高性能MOS. Hormalized 歸一化Horizontal epitaxial reactor 臥式外延反應(yīng)器 Hot carrior 熱載流子Hybrid integration 混合集成IImage - force 鏡象力 Impact ionization 碰撞電離Impedance 阻抗 Impe

27、rfect structure 不完整結(jié)構(gòu)Implantation dose 注入劑量 Implanted ion 注入離子Impurity 雜質(zhì) Impurity scattering 雜質(zhì)散射Incremental resistance 電阻增量（微分電阻） In-contact mask 接觸式掩模Indium tin oxide （ITO） 銦錫氧化物 Induced channel 感應(yīng)溝道Infrared 紅外的 Injection 注入Input offset voltage 輸入失調(diào)電壓 Insulator 絕緣體Insulated Gate FET（IGFET）絕緣柵FET

28、Integrated injection logic集成注入邏輯Integration 集成、積分 Interconnection 互連Interconnection time delay 互連延時(shí) Interdigitated structure 交互式結(jié)構(gòu)Interface 界面 Interference 干涉International system of unions國(guó)際單位制 Internally scattering 谷間散射Interpolation 內(nèi)插法 Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半導(dǎo)體 Inverse operation 反

29、向工作Inversion 反型 Inverter 倒相器Ion 離子 Ion beam 離子束Ion etching 離子刻蝕 Ion implantation 離子注入Ionization 電離 Ionization energy 電離能Irradiation 輻照 Isolation land 隔離島Isotropic 各向同性JJunction FET（JFET） 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 Junction isolation 結(jié)隔離Junction spacing 結(jié)間距 Junction side-wall 結(jié)側(cè)壁LLatch up 閉鎖 Lateral 橫向的Lattice 晶格 Layout

30、 版圖Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格結(jié)合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸變Leakage current （泄）漏電流 Level shifting 電平移動(dòng)Life time 壽命 linearity 線性度Linked bond 共價(jià)鍵 Liquid Nitrogen 液氮Liquidphase epitaxial growth technique 液相外延生長(zhǎng)技術(shù)Lithography 光刻 Light Emitting Diode（LED） 發(fā)光二極管Load line or Variable 負(fù)載線 Lo

31、cating and Wiring 布局布線Longitudinal 縱向的 Logic swing 邏輯擺幅Lorentz 洛淪茲 Lumped model 集總模型MMajority carrier 多數(shù)載流子 Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序號(hào) Mask set 掩模組Mass - action law質(zhì)量守恒定律 Master-slave D flip-flop主從D觸發(fā)器Matching 匹配 Maxwell 麥克斯韋Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction梳狀發(fā)射極結(jié)Mean time before fail

32、ure （MTBF） 平均工作時(shí)間Megeto - resistance 磁阻 Mesa 臺(tái)面MESFET-Metal Semiconductor金屬半導(dǎo)體FETMetallization 金屬化 Microelectronic technique 微電子技術(shù)Microelectronics 微電子學(xué) Millen indices 密勒指數(shù)Minority carrier 少數(shù)載流子 Misfit 失配Mismatching 失配 Mobile ions 可動(dòng)離子Mobility 遷移率 Module 模塊Modulate 調(diào)制 Molecular crystal分子晶體Monolithic

33、IC 單片IC MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Mos. Transistor（MOST ）MOS. 晶體管 Multiplication 倍增Modulator 調(diào)制 Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module（MCM） 多芯片模塊 Multiplication coefficient倍增因子NNaked chip 未封裝的芯片（裸片） Negative feedback 負(fù)反饋Negative resistance 負(fù)阻 Nesting 套刻N(yùn)egative-temperature-coefficient 負(fù)溫度系數(shù) Noise margin 噪聲容限

34、Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非揮發(fā)（易失）性Normally off/on 常閉/開 Numerical analysis 數(shù)值分析OOccupied band 滿帶 Officienay 功率Offset 偏移、失調(diào) On standby 待命狀態(tài)Ohmic contact 歐姆接觸 Open circuit 開路Operating point 工作點(diǎn) Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP）運(yùn)算放大器Optical photon =photon 光子 Optical quenching光猝滅Optic

35、al transition 光躍遷 Optical-coupled isolator光耦合隔離器Organic semiconductor有機(jī)半導(dǎo)體 Orientation 晶向、定向Outline 外形 Out-of-contact mask非接觸式掩模Output characteristic 輸出特性 Output voltage swing 輸出電壓擺幅Overcompensation 過補(bǔ)償 Over-current protection 過流保護(hù)Over shoot 過沖 Over-voltage protection 過壓保護(hù)Overlap 交迭 Overload 過載Oscil

36、lator 振蕩器 Oxide 氧化物Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化層鈍化PPackage 封裝 Pad 壓焊點(diǎn)Parameter 參數(shù) Parasitic effect 寄生效應(yīng)Parasitic oscillation 寄生振蕩 Passination 鈍化Passive component 無源元件 Passive device 無源器件Passive surface 鈍化界面 Parasitic transistor 寄生晶體管Peak-point voltage 峰點(diǎn)電壓 Peak voltage 峰值電壓Permanent-storage cir

37、cuit 永久存儲(chǔ)電路 Period 周期Periodic table 周期表 Permeable - base 可滲透基區(qū)Phase-lock loop 鎖相環(huán) Phase drift 相移Phonon spectra 聲子譜Photo conduction 光電導(dǎo) Photo diode 光電二極管Photoelectric cell 光電池Photoelectric effect 光電效應(yīng)Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工藝（photo） resist （光敏）抗腐蝕劑 Pin 管腳Pinch off 夾斷 Pinni

38、ng of Fermi level 費(fèi)米能級(jí)的釘扎（效應(yīng)）Planar process 平面工藝 Planar transistor 平面晶體管Plasma 等離子體 Plezoelectric effect 壓電效應(yīng)Poisson equation 泊松方程 Point contact 點(diǎn)接觸Polarity 極性 Polycrystal 多晶Polymer semiconductor聚合物半導(dǎo)體 Poly-silicon 多晶硅Potential （電）勢(shì) Potential barrier 勢(shì)壘Potential well 勢(shì)阱 Power dissipation 功耗Power tra

39、nsistor 功率晶體管 Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面 Principal axes 主軸Print-circuit board（PCB） 印制電路板 Probability 幾率Probe 探針 Process 工藝Propagation delay 傳輸延時(shí) Pseudopotential method 膺勢(shì)發(fā)Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脈沖觸發(fā)/調(diào)制Pulse Widen Modulator（PWM） 脈沖寬度調(diào)制punchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽級(jí)Q

40、Quality factor 品質(zhì)因子 Quantization 量子化Quantum 量子 Quantum efficiency量子效應(yīng)Quantum mechanics 量子力學(xué) Quasi - Fermilevel準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)Quartz 石英RRadiation conductivity 輻射電導(dǎo)率 Radiation damage 輻射損傷Radiation flux density 輻射通量密度 Radiation hardening 輻射加固Radiation protection 輻射保護(hù) Radiative - recombination輻照復(fù)合Radioactive 放射性

41、Reach through 穿通Reactive sputtering source 反應(yīng)濺射源 Read diode 里德二極管Recombination 復(fù)合 Recovery diode 恢復(fù)二極管Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢復(fù)時(shí)間Rectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接觸Reference 基準(zhǔn)點(diǎn) 基準(zhǔn) 參考點(diǎn) Refractive index 折射率Register 寄存器 Registration 對(duì)準(zhǔn)Regulate 控制 調(diào)整 Relaxation lifetime 馳豫時(shí)間Reliabili

42、ty 可*性 Resonance 諧振Resistance 電阻 Resistor 電阻器Resistivity 電阻率 Regulator 穩(wěn)壓管（器）Relaxation 馳豫 Resonant frequency共射頻率Response time 響應(yīng)時(shí)間 Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置SSampling circuit 取樣電路 Sapphire 藍(lán)寶石（Al2O3）Satellite valley 衛(wèi)星谷 Saturated current range電流飽和區(qū)Saturation region 飽和區(qū) Saturation 飽和的Scaled down 按

43、比例縮小 Scattering 散射Schockley diode 肖克萊二極管 Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基勢(shì)壘 Schottky contact 肖特基接觸Schrodingen 薛定厄 Scribing grid 劃片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝Selectivity 選擇性 Self aligned 自對(duì)準(zhǔn)的Self diffusion 自擴(kuò)散 Semiconductor 半導(dǎo)體Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity

44、靈敏度Serial 串行/串聯(lián) Series inductance 串聯(lián)電感Settle time 建立時(shí)間 Sheet resistance 薄層電阻Shield 屏蔽 Short circuit 短路Shot noise 散粒噪聲 Shunt 分流Sidewall capacitance 邊墻電容 Signal 信號(hào)Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide （SiO2） 二氧化硅Silicon Nitride（Si3N4） 氮化硅 Silicon On Insulator 絕緣硅Siliver whiske

45、rs 銀須 Simple cubic 簡(jiǎn)立方Single crystal 單晶 Sink 沉Skin effect 趨膚效應(yīng) Snap time 急變時(shí)間Sneak path 潛行通路 Sulethreshold 亞閾的Solar battery/cell 太陽能電池 Solid circuit 固體電路Solid Solubility 固溶度 Sonband 子帶Source 源極 Source follower 源隨器Space charge 空間電荷 Specific heat（PT） 熱Speed-power product 速度功耗乘積 Spherical 球面的Spin 自旋 Split 分裂Spontaneous emission 自發(fā)發(fā)射 Spreading resistance擴(kuò)展電阻Sputter 濺射 Stacking fault 層錯(cuò)Static character