《電介質物理》課件電介質的擊穿課件

1、電介質物理課件電介質的擊穿1工程電介質物理學工程電介質物理學電介質的擊穿（電介質的擊穿（4）Breakdown of Dielectrics李建英李建英2012年年4月月5月月 電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment電介質物理課件電介質的擊穿2氣體介質的擊穿氣體介質的擊穿（1 1）負電性氣體的擊穿負電性氣體的擊穿 自持放電的判據(jù)：自持放電的判據(jù)：（2 2）極不均勻電場中氣體的擊穿極不均勻電場中氣體的擊穿電暈起始電壓：針為正極性時高電暈起始電壓：針為正極性時高擊穿電壓：針為負

2、極性時高擊穿電壓：針為負極性時高（3 3）液體介質的擊穿）液體介質的擊穿高純度液體的擊穿理論：碰撞電離高純度液體的擊穿理論：碰撞電離氣泡擊穿理論：熱化氣、電離化氣氣泡擊穿理論：熱化氣、電離化氣雜質擊穿理論：水橋、固體雜質小橋模型雜質擊穿理論：水橋、固體雜質小橋模型電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment()11de 判據(jù)：碰撞電離開始判據(jù)：碰撞電離發(fā)展到一定程度電介質物理課件電介質的擊穿3電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Elect

3、rical Insulation and Power Equipment4.4.固體電介質的擊穿固體電介質的擊穿一一. .概述概述與氣體、液體介質相比，固體介質的擊穿有何與氣體、液體介質相比，固體介質的擊穿有何不同不同： 固體介質的擊穿場強較高固體介質的擊穿場強較高擊穿后在材料中留下有不能恢復的痕跡，如燒焦或溶化擊穿后在材料中留下有不能恢復的痕跡，如燒焦或溶化的通道、裂縫等，去掉外施電壓，不能自行恢復絕緣性能的通道、裂縫等，去掉外施電壓，不能自行恢復絕緣性能 擊穿形式擊穿形式熱擊穿熱擊穿電擊穿電擊穿不均勻介質局部放電引起擊穿不均勻介質局部放電引起擊穿 固體電介質擊穿場強固體電介質擊穿場強與電壓

4、作用時間的關系與電壓作用時間的關系電介質物理課件電介質的擊穿4電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment（一）熱擊穿（一）熱擊穿由于電介質內(nèi)部由于電介質內(nèi)部熱的不穩(wěn)定熱的不穩(wěn)定過程所造成的。過程所造成的。 電場散熱條件不利介質損耗發(fā)熱溫度升高介質分解、炭化擊穿影響因素影響因素與材料的性能有關與材料的性能有關絕緣結構（電極的配置與散熱條件）及電壓種類、環(huán)境溫度等有關絕緣結構（電極的配置與散熱條件）及電壓種類、環(huán)境溫度等有關 因此熱擊穿強度因此熱擊穿強度不能不能看作是電介質材料的本

5、征特性參數(shù)看作是電介質材料的本征特性參數(shù) （二）電擊穿（二）電擊穿 在較低溫度下，采用了消除邊緣效應的電極裝置等嚴格在較低溫度下，采用了消除邊緣效應的電極裝置等嚴格控制的條件下，進行擊穿試驗時所觀察到的一種擊穿現(xiàn)象?？刂频臈l件下，進行擊穿試驗時所觀察到的一種擊穿現(xiàn)象。 電介質物理課件電介質的擊穿5電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment主要特性：主要特性： 擊穿場強高（大致在擊穿場強高（大致在515MV/cm范圍）范圍）在一定溫度范圍內(nèi)，擊穿場強隨溫度升高而增大，或變化不大在

6、一定溫度范圍內(nèi)，擊穿場強隨溫度升高而增大，或變化不大 反映了固體介質耐受電場作用能力的最大限度反映了固體介質耐受電場作用能力的最大限度僅與材料的化學組成及性質有關，材料的特性參數(shù)之一，又稱為耐電僅與材料的化學組成及性質有關，材料的特性參數(shù)之一，又稱為耐電 強度或電氣強度強度或電氣強度 （三）不均勻電介質的擊穿（三）不均勻電介質的擊穿包括固體、液體或氣體組合構成的絕緣結構中的一種擊穿形式。包括固體、液體或氣體組合構成的絕緣結構中的一種擊穿形式。擊穿往往是從耐電強度低的氣體中開始，表現(xiàn)為局部放電，然后或快擊穿往往是從耐電強度低的氣體中開始，表現(xiàn)為局部放電，然后或快或慢地隨時間發(fā)展至固體介質劣化損傷

7、逐步擴大，致使介質擊穿?；蚵仉S時間發(fā)展至固體介質劣化損傷逐步擴大，致使介質擊穿。 電介質物理課件電介質的擊穿6電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment二二. .固體電介質的熱擊穿固體電介質的熱擊穿(一一)瓦格納熱擊穿理論瓦格納熱擊穿理論瓦格納熱擊穿模型 設固體介質置于平板電極設固體介質置于平板電極a、b之間，該介質有之間，該介質有一處或幾處的電阻比其周圍小得多，構成電介質一處或幾處的電阻比其周圍小得多，構成電介質中的低阻導電通道中的低阻導電通道 。 設通道的橫截面積設通道的

8、橫截面積S 長度為長度為d導電率導電率 直流電壓直流電壓U 單位時間產(chǎn)生的熱量單位時間產(chǎn)生的熱量: 2210 240 24USQ.URd單位時間散出的熱量單位時間散出的熱量: :20Qttd散熱系數(shù)散熱系數(shù)00et tt又又0t導電通道在溫度導電通道在溫度t0時的電導率；時的電導率；溫度系數(shù)。溫度系數(shù)。電介質物理課件電介質的擊穿7電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment發(fā)熱與散熱曲線 是溫度的函數(shù)，所以發(fā)熱量是溫度的函數(shù)，所以發(fā)熱量Q1也是溫度也是溫度的函數(shù)，因此對于不同的電

9、壓的函數(shù)，因此對于不同的電壓U值，值，Q1與與t的關系是一簇指數(shù)曲線，曲線的關系是一簇指數(shù)曲線，曲線1、2、3分別分別為在電壓為在電壓U1、U2、U3 （U1U2U3）作用下，介質發(fā)熱量與介質導電通道溫度的作用下，介質發(fā)熱量與介質導電通道溫度的關系。而散熱量關系。而散熱量Q2與溫度差（與溫度差（tt0）成正比，）成正比，如圖中曲線如圖中曲線4所示所示 1214QQ高于發(fā)熱量散熱量不會熱平衡溫度不斷升高介質熱擊穿QQ34 12=a與 兩個交點熱平衡點加熱到t 停留在穩(wěn)定狀態(tài)ctt12c124cQtct tQQQ2與 相切不穩(wěn)定熱平衡點溫度上升到溫度繼續(xù)上升擊穿電介質物理課件電介質的擊穿8電力設備

10、電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment在切點在切點t應滿足以下兩個條件應滿足以下兩個條件 12ccQ tQt12ddddcct tt tQQtt將將5-545-54、5555、5656代入上式代入上式00200 24ecttctcS.Uttdd0020 24ecttctS.Udd考慮到考慮到000ett002e0 24etcUd.S熱擊穿臨界電壓熱擊穿臨界電壓 0 0是是00時導電通道的電阻率時導電通道的電阻率 瓦格納熱擊穿理論適用條件：瓦格納熱擊穿理論適用條件：瓦格納熱擊穿理論適

11、用于一些固體介質中存在有電阻率比其周圍小得多的瓦格納熱擊穿理論適用于一些固體介質中存在有電阻率比其周圍小得多的 通道的情況，如絕緣紙、橡膠等材料。通道的情況，如絕緣紙、橡膠等材料。對于玻璃、石英等較均勻的介質，瓦格納理論顯然就不適用了。對于玻璃、石英等較均勻的介質，瓦格納理論顯然就不適用了。此外，瓦格納理論中有關導電通道的本質、大小電導率和散熱系數(shù)等均是此外，瓦格納理論中有關導電通道的本質、大小電導率和散熱系數(shù)等均是 未知數(shù)，要用它來計算固體介質的熱擊穿電壓還是困難的。未知數(shù)，要用它來計算固體介質的熱擊穿電壓還是困難的。 電介質物理課件電介質的擊穿9電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State K

12、ey Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment（二）均勻固體電介質熱擊穿電壓的確定（二）均勻固體電介質熱擊穿電壓的確定單側散熱無限大一維平板介質模型單側散熱無限大一維平板介質模型厚度為厚度為d的無限大平板介質處于平行板電極之間的無限大平板介質處于平行板電極之間 材料結構是材料結構是完全均勻完全均勻的的 設設只有右側電極向周圍散熱只有右側電極向周圍散熱 導熱系數(shù)導熱系數(shù)K 單位時間內(nèi)流經(jīng)單位時間內(nèi)流經(jīng)x處單位面積的熱量處單位面積的熱量 ddxTQKx負號表示熱量向溫度降低方向流動負號表示熱量向溫度降低方向流動 單位時間內(nèi)流經(jīng)單

13、位時間內(nèi)流經(jīng)xdx處單位面積的熱量處單位面積的熱量 ddddddxxTQKTxxx包括散熱、發(fā)熱和溫升在內(nèi)的熱平衡方程包括散熱、發(fā)熱和溫升在內(nèi)的熱平衡方程 2ddddddvTTcKExxx 考慮到介質材料通常是在長時間作用的交、直流電壓或短時間的脈沖電考慮到介質材料通常是在長時間作用的交、直流電壓或短時間的脈沖電壓下工作，可以近似化為兩種極端情況來討論方程式。壓下工作，可以近似化為兩種極端情況來討論方程式。 電壓作用時間很短，散熱來不及進行的情況電壓作用時間很短，散熱來不及進行的情況脈沖熱擊穿脈沖熱擊穿電壓長時間作用，介質內(nèi)溫度變化極慢的情況電壓長時間作用，介質內(nèi)溫度變化極慢的情況穩(wěn)態(tài)熱擊穿穩(wěn)

14、態(tài)熱擊穿 電介質物理課件電介質的擊穿10電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment1. 脈沖熱擊穿脈沖熱擊穿 電場作用時間很短，導熱過程忽略電場作用時間很短，導熱過程忽略2ddvTcEx如知道如知道EE(t)及及 （E，T），即可求得臨界溫度時的熱擊穿場強），即可求得臨界溫度時的熱擊穿場強 假設脈沖電場為斜角波形電場：假設脈沖電場為斜角波形電場：ccEEttEc熱擊穿場強熱擊穿場強tc至擊穿的時間至擊穿的時間電場不太強時電場不太強時20dedTccvtETEEc由上面幾式可得由

15、上面幾式可得分離變量并積分分離變量并積分 0200eddccTETcTctTEEE c在環(huán)境溫度不高時，熱擊穿臨界場強在環(huán)境溫度不高時，熱擊穿臨界場強 01 222003eTvccc TEt TkTee00tc和和T0的影響的影響電介質物理課件電介質的擊穿11電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment2. 穩(wěn)態(tài)熱擊穿穩(wěn)態(tài)熱擊穿 在外施電壓在外施電壓U U0 0作用下，在介質處于穩(wěn)定狀態(tài)時作用下，在介質處于穩(wěn)定狀態(tài)時 2ddddTEKxx+0電場強度電場強度E（d/dx） 則電流

16、密度則電流密度 ddjEx-代入上式得代入上式得 ddd0dddTjKxxx-+為簡化，僅討論散熱條件極好，電極溫度始終等于周圍環(huán)境溫度為簡化，僅討論散熱條件極好，電極溫度始終等于周圍環(huán)境溫度T0的情況的情況 此時介質中心此時介質中心x0處溫度最高，計為處溫度最高，計為Tc dddddTjKxxxx0處，處，dT/dx00ddTjKx代入代入ddKT ddjEx-電介質物理課件電介質的擊穿12電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment積分得熱擊穿臨界電壓積分得熱擊穿臨界電壓 且

17、假定介質的導熱系數(shù)為常數(shù)，即且假定介質的導熱系數(shù)為常數(shù)，即K（T）K，得，得 若環(huán)境溫度不高時，若環(huán)境溫度不高時，T0，TcT0 由于由于U0c隨隨T0升高而增大遠不如隨升高而增大遠不如隨e1/T0降低快，所以近似為降低快，所以近似為020eTcUA A與材料有關的常數(shù)與材料有關的常數(shù) TkTee00分析：分析：熱擊穿電壓與溫度的關系：熱擊穿電壓與溫度的關系：002clnUln AT電阻率電阻率 001Te00lnlnT熱擊穿電壓的實驗判據(jù)熱擊穿電壓的實驗判據(jù) TcTcdTKU0208TcTTcdTeKU00208022102008TceKTU電介質物理課件電介質的擊穿13電力設備電氣絕緣國家

18、重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment熱擊穿電壓與頻率的關系：熱擊穿電壓與頻率的關系：00112222220000088eeTTcKTKTUA 12208KTA 020eT1g2021sg 熱擊穿電壓與厚度的關系：與厚度無關熱擊穿電壓與厚度的關系：與厚度無關晶體巖鹽熱擊穿電壓、電阻率與溫度的關系1熱擊穿電壓 2電阻率002clgUlg AT001Te00lglgT兩式比較，兩式比較，lgU0C1/T0與與lg1/T0都是直線都是直線關系，僅兩條直線的斜率相差一倍關系，僅兩條直線的斜率相差一倍

19、，圖與理，圖與理論相吻合。論相吻合。常用這一關系作為熱擊穿的實驗判據(jù)常用這一關系作為熱擊穿的實驗判據(jù) 電介質物理課件電介質的擊穿14電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment熱擊穿電壓與頻率的關系式熱擊穿電壓與頻率的關系式0cUA A 常數(shù)常數(shù) 當所加電壓為交變電壓時，上式中的當所加電壓為交變電壓時，上式中的為固體介質的有效電阻率介質在為固體介質的有效電阻率介質在交變電壓下的有效電阻率比直流電阻率要小，因此交流熱擊穿電壓通常低于交變電壓下的有效電阻率比直流電阻率要小，因此交流熱

20、擊穿電壓通常低于直流熱擊穿電壓。直流熱擊穿電壓。 根據(jù)上式，交流熱擊穿電壓與電介質有效電阻率的平方根成正比，而根據(jù)上式，交流熱擊穿電壓與電介質有效電阻率的平方根成正比，而有效電阻率又與電介質的介電常數(shù)有效電阻率又與電介質的介電常數(shù)r、損耗角正切、損耗角正切tg及電壓頻率及電壓頻率f成反比。成反比。 0tgcrBEf玻璃熱擊穿場強與頻率的關系玻璃熱擊穿場強與頻率的關系 可見熱擊穿場強隨頻率升高而降低。這是由可見熱擊穿場強隨頻率升高而降低。這是由于電介質的損耗隨頻率的升高而增大，當所加電于電介質的損耗隨頻率的升高而增大，當所加電壓的值相同時，電介質的發(fā)熱隨頻率而增加，致壓的值相同時，電介質的發(fā)熱隨

21、頻率而增加，致使熱擊穿場強下降。使熱擊穿場強下降。 熱擊穿電壓與電介質厚度無關。電介質厚熱擊穿電壓與電介質厚度無關。電介質厚度增大時，熱擊穿場強表現(xiàn)出降低的趨勢。度增大時，熱擊穿場強表現(xiàn)出降低的趨勢。電介質物理課件電介質的擊穿15電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment三三. .固體電介質的電擊穿固體電介質的電擊穿理論基礎：理論基礎：氣體放電的碰撞電離理論氣體放電的碰撞電離理論 ( ,)eE21er N又又2000固空氣2000ee氣2000bbEE固氣6E3 10 V/mb

22、 氣估算得估算得9E6 10 V/mb固晶格質點晶格質點： 不能自由熱運動；不能自由熱運動； 只能在晶格平衡位置上做微小振動；只能在晶格平衡位置上做微小振動； 這些熱振動相互關聯(lián)；這些熱振動相互關聯(lián)； 形成一系列頻率的晶格振動；形成一系列頻率的晶格振動； 以波的形式在固體介質中傳播以波的形式在固體介質中傳播 晶格波晶格波。電子晶格波電子與晶格波的相互作用：電子與晶格波的相互作用：電子可以失去能量，而被制動電子可以失去能量，而被制動 電子從晶格波得到能量而進一步加速，只有在電場很強時，電子才可電子從晶格波得到能量而進一步加速，只有在電場很強時，電子才可以獲得引起碰撞電離的能量以獲得引起碰撞電離的

23、能量 電介質物理課件電介質的擊穿16電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment 在強電場下固體導帶中可能因在強電場下固體導帶中可能因場致發(fā)射或熱發(fā)射場致發(fā)射或熱發(fā)射而存在一些導電電子，這而存在一些導電電子，這些電子在外電場作用下被加速些電子在外電場作用下被加速獲得動能獲得動能，同時在其運動中又與晶格振動相互作，同時在其運動中又與晶格振動相互作用而用而激發(fā)晶格振動激發(fā)晶格振動，把電場的能量傳遞給晶格把電場的能量傳遞給晶格： 1.1.當這兩個過程在一定的溫度和場強下平衡時，固體介質

24、有穩(wěn)定的電導；當這兩個過程在一定的溫度和場強下平衡時，固體介質有穩(wěn)定的電導； 2.2.當電子從電場中得到能量大于損于給晶格振動的能量時，電子的動能就當電子從電場中得到能量大于損于給晶格振動的能量時，電子的動能就越來越大，越來越大， 當電子能量大到一定值后，電子與晶格振動的相互作用便導致電離產(chǎn)生新當電子能量大到一定值后，電子與晶格振動的相互作用便導致電離產(chǎn)生新電子，自由電子數(shù)迅速增加，電導進入不穩(wěn)定階段，擊穿開始發(fā)生。電子，自由電子數(shù)迅速增加，電導進入不穩(wěn)定階段，擊穿開始發(fā)生。碰撞電離理論，本征電擊穿理論碰撞電離理論，本征電擊穿理論碰撞電離開始作為擊穿判據(jù)碰撞電離開始作為擊穿判據(jù)雪崩擊穿理論雪崩

25、擊穿理論碰撞電離開始后，電子數(shù)倍增到一定數(shù)值，足以破壞電介質碰撞電離開始后，電子數(shù)倍增到一定數(shù)值，足以破壞電介質結構為擊穿判據(jù)。結構為擊穿判據(jù)。 按擊穿判定條件不同，電擊穿理論可分為兩大類：按擊穿判定條件不同，電擊穿理論可分為兩大類： 本世紀本世紀30年代，年代，Hippel和和Frohlich以固體物理為基礎，量子力學為工具，以固體物理為基礎，量子力學為工具，發(fā)展起來了固體電介質電擊穿的碰撞電離理論。發(fā)展起來了固體電介質電擊穿的碰撞電離理論。 電介質物理課件電介質的擊穿17電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation

26、 and Power Equipment（一）本征電擊穿理論（一）本征電擊穿理論 在電場在電場E E的作用下，電子被加速，它的平均速度為的作用下，電子被加速，它的平均速度為*eFeEmm電子單位時間從電場獲得的能量電子單位時間從電場獲得的能量 22ee EAFvm松弛時間松弛時間與電子能量有關與電子能量有關 AA Eu，晶格振動的能量是晶格振動的能量是量子化量子化的的 聲子聲子 電子放出聲子的概率總大于電子吸收聲子的概率，所以電子給予晶格振動的電子放出聲子的概率總大于電子吸收聲子的概率，所以電子給予晶格振動的能量總大于它們從晶格振動獲得的能量。能量總大于它們從晶格振動獲得的能量。 設單位時間內(nèi)

27、電子與晶格振動相互作用為設單位時間內(nèi)電子與晶格振動相互作用為1/次，則電子單次，則電子單位時間中損失給晶格振動的能量為位時間中損失給晶格振動的能量為 CB晶格振動與溫度有關，上式可改寫為晶格振動與溫度有關，上式可改寫為 0BB Tu，0A EuB Tu，使該式成立的使該式成立的 maxE為擊穿場強。為擊穿場強。電介質物理課件電介質的擊穿18電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment本征電擊穿理論又分為本征電擊穿理論又分為單電子近似單電子近似和和集合電子近似集合電子近似兩種理論兩

28、種理論 。單電子近似理論單電子近似理論假設：假設：略去電介質中導電電子間的相互作用，用強電場下單個電子的平均特略去電介質中導電電子間的相互作用，用強電場下單個電子的平均特性來求取擊穿場強。把導電電子與晶格振動的相互作用，看成是對晶格周期性來求取擊穿場強。把導電電子與晶格振動的相互作用，看成是對晶格周期勢場的微擾，解出相互作用概率，然后通過能量平衡方程求出臨界擊穿場強。勢場的微擾，解出相互作用概率，然后通過能量平衡方程求出臨界擊穿場強。平衡點隨著場強的增加向電子能量平衡點隨著場強的增加向電子能量減小的方向移動，即場強增大，到減小的方向移動，即場強增大，到達平衡時電子具有的能量減小達平衡時電子具有

29、的能量減小 。電介質物理課件電介質的擊穿19電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment1) Hippel低能電擊穿判據(jù)低能電擊穿判據(jù) 4cuu 0HccA EuB Tu，22*He EAm*2Hm BEe4cuuw 低能電子低能電子 希伯爾電擊穿臨界條件意味著，低能電子單位時間從電場獲得的能量超過最希伯爾電擊穿臨界條件意味著，低能電子單位時間從電場獲得的能量超過最大的能量損耗，才能導致碰撞電離的發(fā)生，當然能量大于大的能量損耗，才能導致碰撞電離的發(fā)生，當然能量大于 的其他電子，的

30、其他電子，也一定可以從電場得到足夠的能量而引起碰撞電離。也一定可以從電場得到足夠的能量而引起碰撞電離。 4希伯爾認為擊穿是由低能電子造成的，故稱為低能判據(jù)。希伯爾認為擊穿是由低能電子造成的，故稱為低能判據(jù)。 電介質物理課件電介質的擊穿20電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment2)Frohlich高能電擊穿判據(jù)高能電擊穿判據(jù) 以電子能量以電子能量uu1時的平衡條件作為時的平衡條件作為擊穿的臨界條件擊穿的臨界條件 Frohlich臨界擊穿場強臨界擊穿場強 晶格電離能晶格電離能

31、*2Fm BEe得得IuuFrohlich認為，晶體導帶中的電子是按能量以一定幾率分布的，具有各認為，晶體導帶中的電子是按能量以一定幾率分布的，具有各種能量的電子都以一定幾率存在，其中大多數(shù)電子能量較低，少數(shù)是種能量的電子都以一定幾率存在，其中大多數(shù)電子能量較低，少數(shù)是高能量電子。如果加速高能量電子。如果加速 附近的電子，就能引起碰撞電離。附近的電子，就能引起碰撞電離。 IuFrohlich認為擊穿是由高能電子造成的，故稱為高能判據(jù)認為擊穿是由高能電子造成的，故稱為高能判據(jù) ),(),(0IIFuTBuEA電介質物理課件電介質的擊穿21電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Labo

32、ratory of Electrical Insulation and Power EquipmentHippel和和Frohlich判據(jù)的區(qū)別：判據(jù)的區(qū)別： Hippel： 電場開始加速電場開始加速 4的低能電子引起的，這電場可以加速幾乎所有的低能電子引起的，這電場可以加速幾乎所有充分條件，充分條件， HE高高 Frohlich：電場開始加速能量接近電場開始加速能量接近 Iu的高能電子引起的，這電場可以加速少的高能電子引起的，這電場可以加速少部分電子部分電子必要條件，必要條件， FE低低 FHEEFHEEE實驗值表表5-10中，中， 的電子的電子由實驗規(guī)律知：電擊穿在由實驗規(guī)律知：電擊穿在T

33、0較低時，較低時，0bdEdT這是因為低溫時，含雜質晶體這是因為低溫時，含雜質晶體或非晶態(tài)電介質中，存在于雜或非晶態(tài)電介質中，存在于雜質能級上的電子很少，它們之質能級上的電子很少，它們之間的間的相互作用可以忽略不計。相互作用可以忽略不計。 但高溫時，雜質能級激發(fā)態(tài)上的電子數(shù)但高溫時，雜質能級激發(fā)態(tài)上的電子數(shù)目增多，不僅同導電電子相互作用，且目增多，不僅同導電電子相互作用，且自相作用，形成自相作用，形成電子系電子系。 電介質物理課件電介質的擊穿22電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equi

34、pment集合電子近似理論集合電子近似理論由由Frohlich針對無定形固體電介質的高溫擊穿提出來的針對無定形固體電介質的高溫擊穿提出來的 以以nC、nS和和nD分別表示導帶、淺陷阱和分別表示導帶、淺陷阱和深陷阱上的電子數(shù)深陷阱上的電子數(shù) 假設假設 則有則有eeV kTCSnn 導帶底部和淺陷阱底部附近能級密度之比導帶底部和淺陷阱底部附近能級密度之比 單位時間自由電子獲得能量為單位時間自由電子獲得能量為 能量損失主要是能量損失主要是由雜質能級激發(fā)態(tài)上電子傳給晶格由雜質能級激發(fā)態(tài)上電子傳給晶格，它是由，它是由吸收吸收和放出聲子和放出聲子來實現(xiàn)的。來實現(xiàn)的。0eBB TT，A、B都是通過雜質能級激

35、發(fā)態(tài)上的電子數(shù)都是通過雜質能級激發(fā)態(tài)上的電子數(shù)nS來實現(xiàn)的來實現(xiàn)的 00eeA ETTTT， ，B，平衡關系平衡關系 22220eeV kTceCcsee EA ETTnnEmm， ，DSCnnnWVkTeT0-晶格溫度，Te-電子系溫度電介質物理課件電介質的擊穿23電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment能量增益速率能量增益速率A A，B B能量損失速率能量損失速率與電子系溫度與電子系溫度TeTe的關系的關系由圖中可以看出，電子系從電場獲得由圖中可以看出，電子系從電場獲得的

36、能量隨電子系溫度升高而迅速增大，的能量隨電子系溫度升高而迅速增大，而傳遞給晶格的能量也隨電子系溫度而傳遞給晶格的能量也隨電子系溫度升高而增加，但升高而增加，但增加速率愈來愈慢增加速率愈來愈慢。 00eeA ETTTT， ，B， Ec集合電子近似的臨界擊穿場強集合電子近似的臨界擊穿場強 0ln2cVECkT解得解得上式表明，隨著上式表明，隨著晶格溫度晶格溫度T0的增加，擊穿場強的增加，擊穿場強Ec下降下降。這與固體電介質。這與固體電介質的高溫電擊穿場強隨著電介質溫度升高而下降的實驗規(guī)律是一致的。的高溫電擊穿場強隨著電介質溫度升高而下降的實驗規(guī)律是一致的。 電介質物理課件電介質的擊穿24電力設備電

37、氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment場致發(fā)射擊穿場致發(fā)射擊穿 （2）雪崩擊穿理論）雪崩擊穿理論根據(jù)雪崩激勵的不同，分為：根據(jù)雪崩激勵的不同，分為：場致發(fā)射擊穿場致發(fā)射擊穿碰撞電離雪崩擊穿碰撞電離雪崩擊穿 2/B EjAE e價帶向導帶場致發(fā)射電子價帶向導帶場致發(fā)射電子電子雪崩電子雪崩 j 向晶格注入能量向晶格注入能量 0T (if 00TT臨界溫度）導致?lián)舸┡R界溫度）導致?lián)舸﹫鲋掳l(fā)射擊穿場致發(fā)射擊穿 Zener用量子力學計算用量子力學計算FranZ再修正再修正應用脈沖熱擊穿的標準作

38、為臨界條件，忽略傳導熱應用脈沖熱擊穿的標準作為臨界條件，忽略傳導熱 電介質物理課件電介質的擊穿25電力設備電氣絕緣國家重點實驗室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment73 2202l4 1010nccIEt電離能（即禁帶寬度）電離能（即禁帶寬度） 至擊穿的時間至擊穿的時間 式中式中I 的單位為的單位為eV，tc單位為單位為s。對于大多數(shù)電介質來說，。對于大多數(shù)電介質來說，I約為約為27eV，在加壓時間為在加壓時間為s的寬廣范圍內(nèi)的寬廣范圍內(nèi),上式給出的臨界擊穿場強為上式給出的臨界擊穿場強為109V/m。 碰撞電離雪崩擊穿碰撞電離雪崩擊穿基礎基礎:導帶中的電子導帶中的電子 E 發(fā)生碰撞電離發(fā)生碰撞電離由陰極向陽