GCMS6890-5975內(nèi)部培訓(xùn)教材 好

1、Slide 1Restricted第一章氣相色譜/質(zhì)譜基礎(chǔ)Slide 2Restricted主要內(nèi)容：MS和GC檢測器的對比MS的基本理論Slide 3Restricted5973 MSD 和和 6890 GCSlide 4Restricted5973MSD 和和 GC6850Slide 5Restricted5975 MSD 和和 6890 GCSlide 6Restricted5975在外觀上與5973的不同Slide 7RestrictedINTERFACEGCMSD10-5 Torr2 mL/min760 Torr0.5 - 15 mL/min傳輸線Slide 8Restricted色

2、譜柱流量控制器穩(wěn)壓器空氣氫氣載氣分子篩脫水管固定進(jìn)樣口檢測器電子部件PC限流器典型的氣相色譜典型的氣相色譜Slide 9Restrictedpptrillionppbppmppthousandpercent1 ppm = 1 ng1 Lm m1 mgLiter1 L m mLiter=TCDFIDECDAEDPIDNPD (N)NPD (P)MSD(SIM)(SCAN)FPD (S)IRDELCDELCD(S or N)(X)10-15fg10-12pg10-9ng10-6m mg10-3mgGC檢測器比較Slide 10Restrictedn保留時(shí)間n用于確定樣品組分，即進(jìn)行樣品定性分析。n

3、峰面積n用于測定樣品的含量，即定量分析。典型色譜圖典型色譜圖Slide 11Restricted柱長 (米)I.D. (mm).5-102-45-100.5305-100.1-.25填充柱530系列柱細(xì)孔徑柱填充柱開管柱（毛細(xì)管柱）壁涂開管柱色譜柱類型色譜柱類型Slide 12Restricted這些氣體必須：n根據(jù)所使用的檢測器類型而選擇n惰性n干燥n純凈使用壓縮氣體的安全性請從貴公司的安全部門或當(dāng)?shù)?氣體供應(yīng)商處獲得安全知識。載氣和檢測器支持氣載氣和檢測器支持氣Slide 13Restricted氧氣捕集器微量的氧氣會破壞色譜柱，特別是對毛細(xì)管柱。 氧氣也會降低ECD檢測器的功能。氧氣捕集

4、器 應(yīng)連接在分子篩干燥器和儀器安裝設(shè)備的進(jìn)樣口之間。分子篩干燥器分子篩干燥器Slide 14Restrictedn須使用GC 專用銅管或不銹鋼管。n塑料管會滲透O2和其它污染物。還可能會釋放其它可被檢測到的干擾物。n管子使用前先用溶劑沖洗，載氣吹干。n根據(jù)工廠的推薦，每用完3瓶氣，應(yīng)更換過濾器，以防止發(fā)生氣體的污染。n每隔一定時(shí)間，應(yīng)對所有外加接頭進(jìn)檢漏（大約每隔 4-6個(gè)月。管路和凈化器管路和凈化器Slide 15Restricted根據(jù)所用的柱類型，載氣壓力應(yīng)在60-100psi (大孔徑柱即取60，細(xì)孔徑柱即取 100)?？諝鈮毫?yīng)為 80 psi。 推薦管線壓力推薦管線壓力氫氣壓力應(yīng)為

5、 60 psi。載氣必須通過控制形成恒定的壓力和恒定的流量。上下游控制器壓差保持1公斤以上。減壓閥和流量控制器減壓閥和流量控制器Slide 16RestrictedAgilent 6890前視圖前視圖Slide 17RestrictedAgilent 6890側(cè)后視圖側(cè)后視圖Slide 18Restricted即時(shí)功能鍵即時(shí)功能鍵功能鍵功能鍵快捷鍵快捷鍵信息鍵信息鍵數(shù)字鍵數(shù)字鍵多功能鍵多功能鍵方法存貯與自動方法存貯與自動運(yùn)行運(yùn)行Agilent 6890鍵盤介紹鍵盤介紹Slide 19Restricted質(zhì)譜基礎(chǔ)Slide 20Restricted質(zhì)譜常用術(shù)語豐度質(zhì)荷比(m/z)基峰分子離子碎片

6、離子母離子 子離子偶電子離子 奇電子離子5101520253035404550556065707580859095 100 10505001000150020002500300035004000450050005500600065007000750080008500900095008541561006727CH3OSlide 21Restricted常見元素同位素表AA+1A+2元素質(zhì)量 %質(zhì)量%質(zhì)量%元素類型H110020.05“A”P31100“A”F19100“A”I127100“A”C12100131.1“A+1”N14100150.37“A+1”O(jiān)16100170.04180.20“

7、A+2”S32100330.80344.4“A+2”Si28100295.1303.4“A+2”Cl351003732.5“A+2”Br791008198.0“A+2”Slide 22RestrictedM/ZAbundance8216618230350100150200250 1000000Scan 32 (5.281 min): ALKDEMO.DM/ZAbundance8216618230350100150200250 1000000Scan 33 (5.289 min): ALKDEMO.DM/Z Abundance8216618230350100150200250 1000000Sc

8、an 34 (5.297 min): ALKDEMO.DM/ZAbundance8216618230350100150200250 1000000Scan 35 (5.305 min): ALKDEMO.DTimeAbundance5.255.265.275.285.295.305.315.325.33 2000000 4000000 6000000 8000000TIC: ALKDEMO.D32333435313630總離子色譜Slide 23RestrictedSlide 24Restricted125010015020025030011109876Time minutesMass dal

9、tons氣質(zhì)聯(lián)用數(shù)據(jù)是三維的Slide 25Restricted出口氣相高真空泵傳輸線化學(xué)工作站軟件（電腦）離子源質(zhì)量分析器質(zhì)量分析器機(jī)械泵檢測器質(zhì)譜儀器內(nèi)部連接示意圖儀器內(nèi)部連接示意圖Slide 26Restricted質(zhì)譜儀器分類磁質(zhì)譜射頻質(zhì)譜（四極質(zhì)譜，離子阱質(zhì)譜）飛行時(shí)間質(zhì)譜傅立葉變換質(zhì)譜Slide 27Restricted飛行時(shí)間質(zhì)譜Slide 28Restricted離子阱質(zhì)譜Slide 29Restricted傅立葉變換質(zhì)譜Slide 30Restricted磁質(zhì)譜Slide 31RestrictedSlide 32Restricted+ + + +- -四級桿檢測器離子聚焦高能

10、打拿極電子倍增器電子正離子信號輸出高能打拿極和電子倍增器Slide 33Restricted(0 to -3000 V)+Incoming IonX-Ray Lens(0 to 218 V)Signal OutEM Voltage電子倍增器電壓有使用上限（3000伏）電壓的提高，可以提高檢測器的信號Slide 34Restricted電子倍增器的壽命曲線Slide 35Restricted提供足夠的平均自由程提供無碰撞的離子軌道減少離子-分子反應(yīng)減少背景干擾延長燈絲壽命消除放電增加靈敏度 Slide 36Restricted電離技術(shù)簡介Slide 37RestrictedREPELLER FI

11、LAMENTeeeeeeeeeMMMMM+.M+.FF+.12Meee eeeeeeeeeeeeeeeeeee電子電離（EI）Slide 38Restricted化學(xué)電離（CI） 化學(xué)式 觀測M/Z電荷轉(zhuǎn)移X+ + M X + M+ M電子捕獲M + e- (熱) M- M質(zhì)子轉(zhuǎn)移CH5+ + M CH4 + MH+ M+1CH3+ + M CH4 + M-H+M-1OH- + M H2O + M-H-M-1加成C2H5+ + M MC2H5+M+29Slide 39RestrictedPCI 甲烷反應(yīng)機(jī)理甲烷反應(yīng)機(jī)理CH4e-(熱電子熱電子)HCH3CH4CH4+CH3+MMM-H+CH5+

12、CH3CH4M+H+230eVSlide 40RestrictedPCISpectraSlide 41RestrictedNCISpectraSlide 42Restricted第二章第二章開機(jī)關(guān)機(jī)與工作站簡介開機(jī)關(guān)機(jī)與工作站簡介Slide 43Restricted質(zhì)譜的本地控制面板 診斷 放空 / 抽真空 調(diào)諧 運(yùn)行 / 停止Slide 44Restricted開機(jī)與關(guān)機(jī)Slide 45Restricted真空系統(tǒng)Slide 46Restricted高真空泵（擴(kuò)散泵）高真空泵（擴(kuò)散泵）加熱區(qū). . . . .出口(到機(jī)械泵)機(jī)械泵機(jī)械泵轉(zhuǎn)子吸油阱進(jìn)油口油液面排油口定子泵腔油液面觀察窗10-1

13、 - 10-2 torr10-5 - 10-6 torr真空泵Slide 47Restricted到前級泵軸轉(zhuǎn)速可達(dá) 60,000 每分鐘旋轉(zhuǎn)葉片固定葉片MOTORMOTORLubricating Wick分子渦輪泵Slide 48Restricted開機(jī)前的準(zhǔn)備: 放氣閥須關(guān)好 MSD連接到接地的電源上 MSD的接口伸入柱溫箱 老化好的毛細(xì)柱接好兩端 99.999%的氦載氣接到GC上,推薦使用凈化器.Slide 49Restricted597X MSD開機(jī)順序 打開計(jì)算機(jī) 打開氣相色譜及597X質(zhì)譜電源。待氣相色譜完成自檢， 597X質(zhì)譜真空泵工作正常（如果機(jī)械泵聲音不正常，檢查側(cè)門和放空閥

14、是否關(guān)閉） 進(jìn)入化學(xué)工作站 從view菜單選tune/vacuum control 從vacuum 菜單選pump downSlide 50Restricted開機(jī)圖標(biāo)開機(jī)圖標(biāo)Slide 51Restricted系統(tǒng)放氣,關(guān)機(jī)Slide 52Restricted系統(tǒng)放氣（續(xù)）打開蓋子打開放氣閥旋鈕放氣閥旋鈕5975 的位置的位置5975開蓋裝置開蓋裝置Slide 53Restricted放空閥和調(diào)諧液的位置不同放空閥和調(diào)諧液的位置不同Slide 54Restricted工作站介紹注意：所有窗口之間的切換均通過 viewviewSlide 55Restricted進(jìn)入工作站 用于編輯運(yùn)行方法、序

15、列、設(shè)定工作站控制級別等Slide 56RestrictedSlide 57RestrictedQualify下拉菜單包括儀器性能檢驗(yàn)（靈敏度測試、調(diào)諧評價(jià)等）下拉菜單包括儀器性能檢驗(yàn)（靈敏度測試、調(diào)諧評價(jià)等）Slide 58Restricted調(diào)諧與真空控制窗口Slide 59RestrictedData Analysis 數(shù)據(jù)分析窗口用于數(shù)據(jù)后處理（積分、本底扣除、譜庫檢索、定量分析等）Slide 60RestrictedParametric Retrival 參數(shù)檢索窗口用于反向檢索、結(jié)構(gòu)庫編輯等Slide 61RestrictedReview Peak Purity 峰純度檢測窗口用于

16、判斷色譜峰的純度Slide 62Restricted化學(xué)工作站文件夾Slide 63Restricted第三章第三章調(diào)調(diào) 諧諧Slide 64Restricted本節(jié)內(nèi)容 MS調(diào)諧的基本原理 化學(xué)工作站中的不同調(diào)諧Slide 65Restricted調(diào)諧做什么? 設(shè)定離子源部件的電壓,以得到良好的靈敏度 設(shè)定 amu gain 和 offset 以得到正確峰寬 設(shè)定 mass gain 和mass offset以保證正確的質(zhì)量分配 設(shè)定 EM 電壓Slide 66Restricted 穩(wěn)定 可揮發(fā) 碎片涵蓋質(zhì)量范圍寬 僅有C-13 和 N-15同位素 無質(zhì)量缺陷全氟三丁胺(PFTBA)650S

17、can: 10.00 - 650.00 Samples: 16 Thresh: 500 117 peaks Base: 69.00 Abundance: 1974784 Mass Abund Rel Abund Iso Mass Iso Abund Iso Ratio 69.00 1974784 100.00 70.00 20344 1.03 219.00 1161216 58.80 219.95 45968 3.96 502.00 56648 2.87 503.00 5690 10.0450100150200250300350400450500550600050100131219264694

18、14502614F CF CF CF CN CF CF CF CF . 3 2 2 2 F CF CF CF C 3 2 2 2 2 2 2 3調(diào)諧標(biāo)樣Slide 67RestrictedAMU gain, offset高能打拿極電子倍增器入口透鏡推斥極離子化區(qū)域樣品入口燈絲燈絲拉出極離子聚焦Mass axis gain, offset補(bǔ)償調(diào)諧參數(shù) EI部件部件電壓電壓影響影響燈絲通常為70ev電子束能量推斥極0 42.7 volts推離子出離子源拉出極不加電孔徑入口離子聚焦0 242.0 volts相對豐度入口透鏡0 128 mV / amu相對豐度入口透鏡補(bǔ)償t0 127.5 volts相

19、對豐度AMU Gain0 4095AMU Offset0 255HED-10,000 volts將離子轉(zhuǎn)換為電子電子倍增器0 3000 volts靈敏度Mass Axis Gain2047質(zhì)量分配Mass Axis Offset499質(zhì)量分配Slide 68Restricted離子源結(jié)構(gòu) 電離室：永久磁鐵、燈絲、靶 透鏡：推斥極、拉出極、離子聚焦、入口透鏡Slide 69RestrictedParameter RampsSlide 70Restricted四極桿質(zhì)譜0+-RF 振幅振幅DC 振幅振幅極性極性RF 頻率頻率Slide 71Restricted-0+負(fù)棒負(fù)棒RF 振幅振幅0+-正棒

20、正棒DC 振幅振幅兩對電極上的復(fù)合電壓大小相等，直流電壓極性相反兩對電極上的復(fù)合電壓大小相等，直流電壓極性相反Slide 72Restricted過濾高質(zhì)量過濾高質(zhì)量-0+負(fù)棒電位負(fù)棒負(fù)棒M+*Slide 73RestrictedM+*Positive RodPositive Rod正棒電位正棒電位過濾低質(zhì)量過濾低質(zhì)量0+-Slide 74RestrictedRF 電壓掃描線50221969DC 電壓斜率 = AMU GAINMathieu Stability DiagramAMUOFFSETAMU Gain 及其偏移Slide 75RestrictedAMU GAIN69219502AMU

21、OFFSET69219502AMU Gain 漸增會:峰寬受影響大的是 影響高質(zhì)量和低質(zhì)量區(qū)AMU Offset 漸增會:減小 AMU Gain 及其偏移如何 影響峰寬?Slide 76Restricted予期質(zhì)量觀測質(zhì)量MassAxisGain10020030040050050040030020010069219502質(zhì)量軸校正MassAxis offsetSlide 77RestrictedMethods of Tuning an MSD方法方法調(diào)諧文件調(diào)諧文件AutotuneATUNE.UStandard Spectra TuneSTUNE.UQuick TuneATUNE.ULow M

22、ass AutotuneLOMASS.UManual TuneUser DefinedTarget TuneBFB.UDFTPP.UTARGET.UPCI Tune (with CI option)PCICH4.UNCI Tune (with CI option)NCICH4.USlide 78Restricted化學(xué)工作站中提供的調(diào)諧方法Slide 79Restricted為什么做自動調(diào)諧?提供:1. 診斷2. 編寫系統(tǒng)性能變化表3. 提高靈敏度Slide 80Restricted 尋找質(zhì)量峰 粗調(diào)EM電壓和峰寬 調(diào)節(jié)離子源部件使502達(dá)到最佳 調(diào)節(jié)EM和峰寬達(dá)到最佳 質(zhì)量軸校正 保存文件自

23、動調(diào)諧流程圖Slide 81Restricted例如例如: :* This is known as AutoTuneAutoTune on the HP5973 MSD on the HP5973 MSD上述豐度值不是精確值，只做演示用(Default Value)mVamu( )69 502m/zEnt.LensOffset入口透鏡電壓ENTR(Set to Maximize m/z 69)m/z69 502Ent.LensOffsetEntrance Lens VoltageENTRmV(amu)最大靈敏度調(diào)諧標(biāo)準(zhǔn)譜圖調(diào)諧使用最大靈敏度調(diào)諧對不同M/Z的增大EMV1600 V1600 Vm

24、/z 691,000,000250,0004Xm/z 219350,000125,5002 - 3Xm/z 50210,00010,0001X自動調(diào)諧與標(biāo)準(zhǔn)譜圖調(diào)諧比較Slide 82Restricted 相近的峰寬平滑對稱的峰形適當(dāng)?shù)腅M電壓合適的豐度值Low water and air正確的質(zhì)量分配典型的相對豐度自動調(diào)諧報(bào)告合適的同位素比例Slide 83Restricted 質(zhì)量數(shù)的峰寬平滑對稱的峰合適的電子倍增器電壓適當(dāng)?shù)呢S度值低水峰及空氣峰正確的質(zhì)量分配合適的相對豐度合適的同位素比例標(biāo)準(zhǔn)譜圖調(diào)諧報(bào)告Slide 84RestrictedAmu gain 和 offset, EM 電壓

25、及質(zhì)量 軸校正 調(diào)整所有其它源參數(shù)不變調(diào)諧69，219，502三個(gè)質(zhì)量數(shù)快速調(diào)諧Slide 85Restricted69 131 219 502m/zEntrance Lens Offset項(xiàng)目項(xiàng)目調(diào)諧方法調(diào)諧方法目的目的文件文件DFTPPTune調(diào)整PFTBA譜圖中m/z131,219, 和502的比例達(dá)到目標(biāo)值滿足于 EPA625方法需要DFTPP.TGTDFTPP.UBFB Tune 調(diào)整PFTBA譜圖中m/z131,219, 和502的比例達(dá)到目標(biāo)值滿足于 EPA524方法需要BFB.TGTBFB.UTargetTune調(diào)整調(diào)諧質(zhì)量之間的相對豐度使之符合由用戶設(shè)定的目標(biāo)值使調(diào)諧質(zhì)量之間

26、的相對豐度符合由用戶設(shè)定的目標(biāo)值TARGETS.TGTTARGET.U目標(biāo)調(diào)諧Slide 86RestrictedBFBBFB調(diào)諧的評價(jià)調(diào)諧的評價(jià)BrFSlide 87RestrictedDFTPP（十氟三苯磷）（十氟三苯磷）調(diào)諧評價(jià)調(diào)諧評價(jià)基峰基峰 m/z = 198.00可替換基峰可替換基峰 m/z = 442MassRel. to m/z% Low%HighAlt. Base51.00198.0030.080.0N68.0069.000.02.0N69.00198.000.0100.0N70.00198.000.02.0N127.00198.0025.075.0N197.00198.00

27、0.01.0N199.00198.005.09.0N275.00198.0010.030.0N365.00198.000.75100.0N441.00443.000.01100.0N442.00198.0040.0110.0Y443.00442.0015.024.0NPFFFFFFFFFFSlide 88Restricted有權(quán)使用MS參數(shù)易于建立用戶調(diào)諧文件診斷手動調(diào)諧Slide 89Restricted手動調(diào)諧電離室參數(shù)四極桿參數(shù)離子源參數(shù)電子倍增器電壓輪廓圖連續(xù)掃描離子豐度隨離子源參數(shù)離子源參數(shù)變化曲線Slide 90Restricted影響質(zhì)量軸影響峰寬(分辨與靈敏度)影響靈敏度(傳輸

28、效率)Slide 91Restricted通過手動調(diào)諧檢漏Slide 92RestrictedVacuum 菜單Slide 93RestrictedExecute菜單Slide 94RestrictedCalibrate菜單Slide 95RestrictedParameters 菜單Slide 96RestrictedEdit tune and display parametersSlide 97Restricted選擇參數(shù)把當(dāng)前修改納入調(diào)諧參數(shù)Slide 98RestrictedStatus菜單Slide 99Restricted第四章色譜進(jìn)樣技術(shù)Slide 100Restricted分流

29、分流/ /不分流毛細(xì)管柱進(jìn)樣口分解圖不分流毛細(xì)管柱進(jìn)樣口分解圖插入件組件插入件組件襯管襯管絕緣層絕緣層墊圈墊圈變徑接頭變徑接頭保溫層保溫層墊圈墊圈柱螺母柱螺母進(jìn)樣墊固定螺母進(jìn)樣墊固定螺母進(jìn)樣墊進(jìn)樣墊O形環(huán)形環(huán)分流出口管線分流出口管線分流分流/不分流不分流進(jìn)樣口實(shí)體進(jìn)樣口實(shí)體固定螺母固定螺母分流平板分流平板保溫套保溫套Slide 101Restricted襯管的作用 保護(hù)色譜柱：不揮發(fā)組分滯留在襯管內(nèi)。但當(dāng)污染物積攢到一定量時(shí)，會吸附樣品造成峰拖尾/分裂或出現(xiàn)鬼峰 襯管內(nèi)少量經(jīng)硅烷化處理的石英玻璃毛可防止注射器針尖的歧視（即針尖內(nèi)的溶劑和易揮發(fā)組分首先汽化）；加速樣品汽化；避免固體物質(zhì)進(jìn)入并堵塞

30、色譜柱等硅烷化處理可以選用DMDCS（二甲基二氯硅胺）如果使用ECD檢測器或CI源，一定要選擇不含鹵素的硅烷化試劑。如：HMDS、BSTFA、BSA、TSIM等。如果襯管太臟，可以用鹽酸或硝酸浸泡8小時(shí)，清洗烘干后用硅烷化試劑配制成10甲苯溶液，浸泡8小時(shí)，再依次用甲苯、甲醇清洗。注意：高溫下工作3，硅烷化的有效期只有幾天。因此襯管需要及時(shí)清洗或更換。Slide 102Restricted溶劑膨脹方程溶劑蒸汽體積溶劑蒸汽體積 = 22,400 x A x B x C x IA = 溶劑密度/溶劑分子量B = 15/(15 + 柱頭壓 in psi)C = (進(jìn)樣口溫度C + 273)/273I

31、 = 液體進(jìn)樣體積 mL例如例如1 mL 水于 250 C 15 psi 柱頭壓產(chǎn)生22,400 x 1/18 x 15/30 x 523/273 x 1 = 1,192 mL 蒸汽Slide 103Restricted18740 - 8022019251 - 6054018740 - 60840900 uL250 uL1000 uL100C)時(shí)使用。n 減少分析時(shí)間并使峰變窄。n 增加柱流失，引起基線漂移。n 可設(shè)多階程序升溫。n HP6890 可設(shè)“快速變化速率”至 120C/min。柱溫操作柱溫操作Slide 139Restricted色譜柱類型載氣條件色譜爐條件進(jìn)樣參數(shù)檢測器參數(shù)樣品信

32、息應(yīng)用舉例說明：應(yīng)用舉例說明：Slide 140Restrictedn固定相商品名稱n固定相化學(xué)名稱n可替代的固定相n溶劑n最低溫度和最高溫度n應(yīng)用舉例消耗品手冊提供的信息消耗品手冊提供的信息:Slide 141Restricted第六章樣品采集技術(shù)Slide 142Restricted討論主題:4SCAN采集方式的適用性4各種數(shù)據(jù)采集參數(shù)對數(shù)據(jù)的影響Scan 采集原理Slide 143RestrictedTime - Abundance4.765.775.886.436.807.074.505.005.506.006.507.007.50 0 2000000 4000000 6000000

33、8000000 1e+007 1.2e+007TIC: DRUGDEMO.D總離子色譜Slide 144RestrictedMASSTIMEMS 采集參數(shù)質(zhì)量范圍e.g. 35 - 350A/D se.g. N = 2or 4 samplesper 0.1 amu Scan high low, 0.1 amu steps Signal averaging with 2 determinations per 0.1 amu data pointMASSTIME質(zhì)量峰檢測Slide 145Restricted影響掃描時(shí)間的因素:平均每 0.1 amu 增加 數(shù)據(jù)點(diǎn)的數(shù)目(sampling rate

34、) 掃描質(zhì)量范圍 離子檢測的真實(shí)數(shù)目 (scan threshold)每個(gè)色譜峰通過5-10次掃描可以很好地 定性定性!每個(gè)色譜峰通過10-20次掃描可以很好地 定量定量!MASSTIME程序時(shí)間回掃時(shí)間掃描時(shí)間掃描循環(huán)時(shí)間數(shù)字式掃描過程Slide 146Restricted1E22E23E24E25E26E27E28E29E21E31E3ABUNDANCE150.0151.0152.0153.0154.0155.0M/Z1.1E3閾值321451234532145STORES: 154.10, 1137 用五個(gè)鄰近的數(shù)據(jù)點(diǎn)平滑 確定中心質(zhì)量 (質(zhì)量峰最大). 質(zhì)量中心的水平應(yīng)超過質(zhì)量閾值 數(shù)

35、據(jù)文件同時(shí)儲存質(zhì)量和豐度閾 值Slide 147Restricted閾值過高82182M/Z相對強(qiáng)度M/Z相對強(qiáng)度82303182閾值設(shè)置適當(dāng)閾值對質(zhì)譜圖質(zhì)量的影響Slide 148Restricted本章將學(xué)到 如何輸入 GC 參數(shù) 如何輸入 MS (scan) 參數(shù) 如何輸入 MS (SIM) 如何輸入 如何設(shè)置系統(tǒng)監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)采集設(shè)置Slide 149Restricted method 是為儀器和計(jì)算機(jī)設(shè)定的采集和處理數(shù)據(jù)的一個(gè)完整指示數(shù)據(jù)采集采集方式調(diào)諧文件MS 質(zhì)譜應(yīng)用參數(shù)GC 質(zhì)譜應(yīng)用參數(shù) 進(jìn)樣口參數(shù)Methods Methods 在在 HPCHEMnMethodsHPCHEMnMet

36、hods 子目錄下子目錄下 由由 “ “.m” .m” 擴(kuò)展名識別擴(kuò)展名識別. .數(shù)據(jù)文件在數(shù)據(jù)文件在 HPCHEMnDATA HPCHEMnDATA 子目錄下子目錄下 由由 “ “.d” .d” 擴(kuò)展名識別擴(kuò)展名識別. .n n 表示儀器編號表示儀器編號什么是方法?Slide 150Restricted儀器控制 所有的儀器控制界面都可以從這一界面看到 當(dāng)前的方法和序列可以在標(biāo)題欄看到Slide 151Restricted數(shù)據(jù)分析界面 用快照功能處理正在采集的數(shù)據(jù) 用于定性和定量分析Slide 152Restricted 選擇方法的某部分進(jìn)行編輯 方法/編輯完整方法編輯方法Slide 153R

37、estricted 填入關(guān)于方法的說明 選擇acquisitions 和 analysis方法信息Slide 154Restricted進(jìn)樣方式 選擇樣品來源 (GC or other) 選擇進(jìn)樣方式 (manual, ALS, or valve) 如果是手動 manual, 選擇進(jìn)樣口的位置 選擇 “Use MS”如果用質(zhì)譜采集數(shù)據(jù)；如果用GC檢測器就不選Slide 155Restricted自動進(jìn)樣器 進(jìn)樣體積及進(jìn)樣體積及洗針次數(shù)洗針次數(shù) 按按 Configure . . . 設(shè)定進(jìn)樣設(shè)定進(jìn)樣針體積針體積 按按 More . . . 設(shè)定取樣位設(shè)定取樣位置等置等Slide 156Restr

38、icted黏度：最后一次泵起至進(jìn)樣的時(shí)間有效值0-7樣品深度：0.00表示針尖與標(biāo)準(zhǔn)瓶底距離3.6mm有效值 -230.0進(jìn)樣前注射器在進(jìn)樣口停留時(shí)間,有效值0.00-1.00進(jìn)樣后注射器在進(jìn)樣口停留時(shí)間,有效值0.00-1.00進(jìn)針?biāo)俣茸⑸淦骺刂疲∕ore)Slide 157Restricted閥進(jìn)樣必須先配置閥(如果安裝了)用RunTime 對話框，控制閥的運(yùn)行事件Slide 158Restricted分流模式 選擇 Split 輸入所有的設(shè)置Slide 159Restricted不分流模式 選擇 Splitless 輸入所以的設(shè)置Slide 160Restricted脈沖不分流模式 選擇

39、 Pulsed Splitless 輸入所有設(shè)置Slide 161Restricted脈沖分流模式 選擇 Pulsed Split 輸入所有設(shè)置Slide 162Restricted流量模式 色譜柱流量和壓力都可以隨時(shí)間程序變化Slide 163Restricted色譜柱 設(shè)定流量模式，連接方式等參數(shù)Slide 164Restricted安裝柱子Slide 165Restricted輸入柱子編號，點(diǎn)擊OKSlide 166Restricted在目錄中添加新柱子 從目錄中選擇柱子 在目錄中增加柱子 從目錄中刪除柱子Slide 167Restricted 從目錄中選擇柱子 在目錄中增加柱子 從目錄

40、中刪除柱子更換柱子 (添加新柱子于目錄中)使用其他廠家柱子Slide 168Restricted柱安裝 選擇欲安裝的柱子從目錄中刪除柱子Slide 169Restricted校正柱長步驟1首先用1微升空氣進(jìn)樣，記錄其保留時(shí)間。點(diǎn)擊 change/calibrate步驟2Slide 170Restricted輸入空氣峰的真實(shí)保留時(shí)間步驟3步驟4步驟5Slide 171Restricted 輸入爐溫設(shè)定值爐溫Slide 172Restricted 輸入 GC 檢測器溫度設(shè)定值 (如果有GC檢測器)檢測器Slide 173Restricted 保存 GC 檢測器數(shù)據(jù) (如果有GC檢測器) 監(jiān)控溫度

41、監(jiān)視流量或壓力信號Slide 174Restricted 輸入輔助部件（MS接口）溫度 輸入輔助部件壓力輔助部件Slide 175Restricted 運(yùn)行期間可自動運(yùn)行25個(gè)時(shí)間表運(yùn)行時(shí)間表Slide 176Restricted 為方法定義壓力單位 鎖住 HP6890 鍵盤 GC 檢測器柱補(bǔ)償 (如果有GC檢測器)選項(xiàng)Slide 177Restricted 從儀器控制面板監(jiān)視信號時(shí)觀察GC檢測器保留時(shí)間（ 如果有GC檢測器）GC 實(shí)時(shí)繪圖Slide 178Restricted 選擇用于MS采集的調(diào)諧文件MS 調(diào)諧文件Slide 179Restricted更改EM電壓溶劑延遲采集方式編輯采集參

42、數(shù)離子源與四極桿溫度編輯時(shí)間事件表 MS采集參數(shù)（SCAN）Slide 180RestrictedMS采集參數(shù)（續(xù)）Slide 181Restricted掃描范圍閾值與采樣點(diǎn)數(shù) MS采集參數(shù)（時(shí)間和掃描范圍）Slide 182RestrictedMS 掃描參數(shù) （閾值和取樣率） 為每一組定義閾值和取樣率Slide 183RestrictedMS 掃描參數(shù)（繪圖）定義要繪圖的量和范圍激活由 MS SIM/Scan 參數(shù)面板的“實(shí)時(shí)繪圖”控制的區(qū)域Slide 184Restricted定時(shí)事件檢測器 on/off 時(shí)間程序倍增電壓隨時(shí)間變化程序閥時(shí)間程序Slide 185Restricted 用于

43、監(jiān)視 MS 源壓力, 閥 和 MS 溫度范圍.MS 監(jiān)控Slide 186Restricted 適用于遠(yuǎn)距離控制監(jiān)控警告器Slide 187Restricted采集數(shù)據(jù) 選擇 Method/Run點(diǎn)擊樣品瓶圖標(biāo)Slide 188Restricted 選擇 Method/Run 樣品瓶標(biāo)識采集數(shù)據(jù)樣品總量稀釋倍數(shù)Slide 189Restricted討論主題:選擇離子檢測（SIM）與掃描的區(qū)別SIM 采集參數(shù)如何影響數(shù)據(jù)SIM 方式如何進(jìn)行數(shù)據(jù)采集選擇離子檢測的原則Slide 190RestrictedSIMSIM是什么是什么? ?只監(jiān)視所選擇信息的質(zhì)荷比它如何做它如何做? ?控制質(zhì)量分析器，僅

44、僅對感興趣的質(zhì)量進(jìn)行分析為什么做為什么做? ?提高靈敏度改善峰形改善精確度應(yīng)用應(yīng)用痕量分析復(fù)雜基質(zhì)常規(guī)定量選擇離子檢測Slide 191RestrictedSIM 數(shù)據(jù)采集DwelltimeSIMmass 1SIMmass 2SIM 循環(huán)時(shí)間四極桿電壓(amu)TIMESIMmass 3空中時(shí)間掃描數(shù)據(jù)采集掃描時(shí)間掃描循環(huán)時(shí)間空中時(shí)間四極桿電壓(amu)TIMESIM 與SCAN比較Slide 192Restricted 選擇: 離子/組數(shù)目 每個(gè)離子駐留時(shí)間 以便獲得良好的數(shù)據(jù)采集所需的循環(huán)/峰數(shù)目 目標(biāo): 每個(gè)峰通過 15-25 次循環(huán) 每個(gè)離子駐留時(shí)間相同 運(yùn)用時(shí)間規(guī)劃 (SIM Gro

45、ups) 使 采集/循環(huán)離子數(shù)目最少設(shè)置 SIM 采集Slide 193Restricted該 SIM質(zhì)譜圖是 9-羧基 THC的離子以 0.1 amu 增加量. 選擇最大豐度的質(zhì)量數(shù)做SIM采集動態(tài)質(zhì)量校正9-CarboxyTHC TMS DerivativeMass to charge ratio in 0.1 amu increments020406080100120.7 .8 .9 .0 .1 .2 .3 .4 .5.7 .8 .9 .0 .1 .2 .3 .4 .5.7 .8 .9 .0 .1 .2 .3 .4 .5.7 .8 .9 .0 .1 .2 .3 .4 .573.0488.

46、3473.3371.2Normalized Abundance371.0473.0488.0動態(tài)質(zhì)量校正Slide 194Restricted在左圖的三種可能性中選擇最大豐度質(zhì)量, 不會導(dǎo)致 來源于調(diào)諧與調(diào)諧之間不正確比率的錯(cuò)誤負(fù)峰COMPARISON OF EXACT AND INTEGER MASS RATIOS9-CarboxyTHC TMS Derivative peak ratiosAUTOTUNE HAS +/-0.1 amu VARIANCE OF MASS AXIS......+-mass 0.

47、1 amuInteger mass 0.1 amu+-+-ApexNormalized Abundancem/z-73.0371.2473.3488.373.0371.0473.0488.0選擇精確質(zhì)量和整數(shù)質(zhì)量對照Slide 195Restricted如果自動調(diào)諧質(zhì)量軸為 -0.1amu 離子比率將如何？ 左圖為精確質(zhì)量，右圖為整數(shù)質(zhì)量 二者化合物相同但測定結(jié)果不同9-CarboxyTHC TMS Derivative peak ratios.9 .0 .1.1 .2 .3.2 .3 .4.2 .3 .4.9 .0 .1.9 .0 .1.9 .0 .1.9 .0 .1mass -0.1 am

48、uInteger mass 0.1 amu-ApexNormalized Abundancem/z-72.9371.1473.2488.272.9370.9472.9487.91001002040608020406080-9-羧基 THC TMS 衍生物峰比率Slide 196Restricted4可以監(jiān)視 30 離子/組, 50 組/采集4使用最小數(shù)目的 離子/組 以獲得最大靈敏度和精度4選擇最有特征的離子高質(zhì)量豐度化合物特有的4可以選擇化合物的特征離子以達(dá)到分類目的選擇 SIM 離子Slide 197RestrictedRF 電壓DC 電壓掃描線選擇153151152高 - 維持質(zhì)量峰寬

49、為 0.6 amu低 (默認(rèn)值) - 質(zhì)量峰寬增大到 0.9 amu選擇 “LOW” 可增加靈敏度低分辨方式不適合于質(zhì)量差別低分辨方式不適合于質(zhì)量差別 3 amu10 %69峰高通過 Manual Tune/Repeat Profile 檢查泄漏部位:氬 - 質(zhì)量數(shù) 40二氧化碳 - 質(zhì)量數(shù) 44真空故障排除Slide 394Restricted2530354045354045MASS 28.25AB 1124041 PW 0.50MASS 40.00AB 832280 PW 0.52MASS 40.10AB 859801 PW 0.53MASS 28.05AB 1183462 PW 0.51MASS 40.00AB 609454