第一章_常用半導(dǎo)體器件

1、電子系統(tǒng)電子系統(tǒng)基本電路基本電路1基本電路基本電路2基本電路基本電路3基本元器件基本元器件1基本元器件基本元器件2基本元器件基本元器件3子系統(tǒng)子系統(tǒng)1子系統(tǒng)子系統(tǒng)2子系統(tǒng)子系統(tǒng)378 T1T2DZ1Z2DRRRRRRRRRRRRRR123456789101112131415RTTTTTTT TTTTTDDDD3456789101112131412Z3Z4UUIO123+-UFC15pF5763.4k3.9k7.8k13k13k2.84k5.8k5k1002.5k2.23kIO入 地 出UREF基本電路基本電路基本元器基本元器件件RuiRBRCTVCCUOC1C2RL+ +- - -+ + +1

2、.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)1.2 半導(dǎo)體二極管1.3 雙極型三極管 在物理學(xué)中，根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將它們?cè)谖锢韺W(xué)中，根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將它們劃分為劃分為導(dǎo)體導(dǎo)體、絕緣體絕緣體和和半導(dǎo)體半導(dǎo)體( (SemiconductorSemiconductor) )。銅導(dǎo)線銅導(dǎo)線(左上左上)、玻璃絕緣、玻璃絕緣體體(左下左下)和硅晶體和硅晶體(上上)1 51 31 0 1 0A導(dǎo)導(dǎo) 體體: : 電阻率電阻率小于小于1010-3-3cmcm絕緣體絕緣體: : 大于大于10108 8cmcm半導(dǎo)體半導(dǎo)體: : 介于導(dǎo)體和絕緣體之間。介于導(dǎo)體和絕緣體之間。12（300mm）1 1、摻雜性：、摻雜性： 半導(dǎo)

3、體中半導(dǎo)體中摻雜摻雜后，其電阻率大大下降，晶體管。后，其電阻率大大下降，晶體管。2 2、熱敏性：、熱敏性： 電阻率隨著電阻率隨著溫度溫度的變化而變化，熱敏電阻。的變化而變化，熱敏電阻。3 3、光敏性：、光敏性： 電阻率隨著電阻率隨著光照光照增強(qiáng)而下降，光敏元件。增強(qiáng)而下降，光敏元件。半導(dǎo)體的特性半導(dǎo)體的特性 常用半導(dǎo)體材料有常用半導(dǎo)體材料有: : 硅（硅（SiSi）、）、鍺（鍺（GeGe），），也有三也有三- -五族化合物半導(dǎo)體：五族化合物半導(dǎo)體：GaAsGaAs、GaPGaP等等硅原子硅原子S Si i鍺原子鍺原子GeGe簡化模型簡化模型1 . 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體Intrisic Semi

4、conductor本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體化學(xué)成分化學(xué)成分純凈純凈的半導(dǎo)體的半導(dǎo)體晶體晶體硅晶體的結(jié)構(gòu)硅晶體的結(jié)構(gòu)制造半導(dǎo)體器件的硅材料純度制造半導(dǎo)體器件的硅材料純度 “ “九個(gè)九個(gè)9” 9” 99.9999999%99.9999999%Fab18. 90 nm. Pentium 4 CPUa. 單晶硅的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)單晶硅的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)1. 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體Intrisic Semiconductor 在絕對(duì)溫度T=0K時(shí)，所有的價(jià)電子都被共價(jià)鍵緊緊束縛在共價(jià)鍵中,因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，接近絕緣體。價(jià)電子 化學(xué)成分化學(xué)成分純凈純凈的半導(dǎo)體的半導(dǎo)體晶體晶體+4b. 自由電子空穴對(duì)的產(chǎn)生自由電

5、子空穴對(duì)的產(chǎn)生b. 自由電子空穴對(duì)的產(chǎn)生自由電子空穴對(duì)的產(chǎn)生本征激發(fā)（熱激發(fā)）v 電子電子和和空穴空穴都是載流子都是載流子v 在本征半導(dǎo)體中在本征半導(dǎo)體中自由電子自由電子和和 空穴空穴的的濃度濃度相等相等( )|BCC E Iif u常 數(shù)自由電子空穴v 空穴帶一個(gè)單位的正電荷空穴帶一個(gè)單位的正電荷c. 空穴導(dǎo)電空穴導(dǎo)電c. 空穴導(dǎo)電空穴導(dǎo)電原來空穴位置原來空穴位置形成共價(jià)鍵共價(jià)鍵，原來原來價(jià)價(jià)電子電子的位置的位置形成空穴空穴。這個(gè)過程叫空穴的移動(dòng)，空穴移動(dòng)方向與價(jià)電子移動(dòng)方向相反。v 當(dāng)產(chǎn)生空穴后，由于熱運(yùn)動(dòng)，空穴周圍當(dāng)產(chǎn)生空穴后，由于熱運(yùn)動(dòng)，空穴周圍 共價(jià)鍵中相近共價(jià)鍵中相近價(jià)電子價(jià)電子很

6、容易填補(bǔ)空穴。很容易填補(bǔ)空穴。v 不加外電場(chǎng)時(shí)，空穴的不加外電場(chǎng)時(shí)，空穴的移動(dòng)移動(dòng)無規(guī)則無規(guī)則v 當(dāng)外加電場(chǎng)時(shí)，空穴的當(dāng)外加電場(chǎng)時(shí)，空穴的填補(bǔ)填補(bǔ)也會(huì)定向也會(huì)定向v 空穴導(dǎo)電本質(zhì)：價(jià)電子的移動(dòng)空穴導(dǎo)電本質(zhì)：價(jià)電子的移動(dòng)d. 自由電子空穴的復(fù)合自由電子空穴的復(fù)合d. 自由電子空穴的復(fù)合自由電子空穴的復(fù)合 當(dāng)自由電子自由電子填補(bǔ)填補(bǔ)共價(jià)鍵中的空位(空穴空穴)時(shí)，自由電子自由電子就會(huì)釋放能量，又形成共價(jià)鍵。 這個(gè)過程叫電子空穴的復(fù)合釋放釋放能量能量v 在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，電合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，電子空穴對(duì)的濃度一定。子空穴對(duì)的濃度一定。v

7、 即使溫度升高或光照即使溫度升高或光照, ,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力仍很差本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力仍很差2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體Extrisic Semiconductor 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入某些微量中摻入某些微量雜質(zhì)元素雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體，的半導(dǎo)體， 稱為稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體. 在一定溫度下在一定溫度下半導(dǎo)體中電子濃度與空穴濃度乘積是半導(dǎo)體中電子濃度與空穴濃度乘積是 恒定的恒定的,與摻雜濃度無關(guān)與摻雜濃度無關(guān).本征半導(dǎo)體中摻入本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)五價(jià)雜質(zhì)元素雜質(zhì)元素( (磷、砷等磷、砷等) )本征半導(dǎo)體中摻入本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)三價(jià)雜質(zhì)元素雜質(zhì)元素( (硼、鎵等硼、鎵等) )N N型半導(dǎo)

8、體型半導(dǎo)體P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體施主原子施主原子多余電子多余電子受主原子受主原子空穴空穴+4+4+4+4+5+5+4+4+4+4+4+4+4+4+3+3+4+4+4+4例：在例：在T=300KT=300K的條件下，本征硅中摻億分之一的的條件下，本征硅中摻億分之一的5 5價(jià)原子，價(jià)原子，硅原子的濃度已知為硅原子的濃度已知為5.15.1101022 22 / /cmcm3 3 ，對(duì)比摻雜前后的自由，對(duì)比摻雜前后的自由電子和空穴濃度。電子和空穴濃度。雜質(zhì)濃度為雜質(zhì)濃度為p n= pi ni = ni2 p = ni2 / n = (1.43 1010 )2 / 5.11014 = 4.1 105 /

9、cm3 5.11022 /108 = 5.11014 /cm3本征半導(dǎo)體中本征半導(dǎo)體中自由電子自由電子空穴空穴的濃度為的濃度為1.43 1010 /cm3 n 5.11014 /cm3 摻入五價(jià)元素的結(jié)果是摻入五價(jià)元素的結(jié)果是自由電子自由電子變變多多，空穴空穴變變少，少， 載流子載流子總的濃度增加，導(dǎo)電能力大大增強(qiáng)總的濃度增加，導(dǎo)電能力大大增強(qiáng), ,而而且導(dǎo)電能力由多子決定且導(dǎo)電能力由多子決定. .摻雜前后的自由電子和空穴濃度對(duì)比摻雜前后的自由電子和空穴濃度對(duì)比v 思考：本征半導(dǎo)體摻雜的目的？思考：本征半導(dǎo)體摻雜的目的？v 結(jié)論：結(jié)論： 在N N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體中，自由電子數(shù)目遠(yuǎn)多于空穴數(shù)目

10、自由電子自由電子為多數(shù)載流子(majority carriermajority carrier)，簡稱：多子多子 空穴空穴為少數(shù)載流子(minority carrierminority carrier)，簡稱：少子少子v P P型半導(dǎo)體剛好相反，自由電子為少子，空穴為多子型半導(dǎo)體剛好相反，自由電子為少子，空穴為多子v 思考：本征半導(dǎo)體中存在多子少子嗎？思考：本征半導(dǎo)體中存在多子少子嗎？N N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體施主原子施主原子自由電子自由電子受主原子受主原子空穴空穴+4+4+4+4+5+5+4+4+4+4+4+4+4+4+3+3+4+4+4+4N N型半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)型半導(dǎo)體

11、共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)N N型半導(dǎo)體簡化示意圖型半導(dǎo)體簡化示意圖P P型半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)型半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)P P型半導(dǎo)體簡化示意圖型半導(dǎo)體簡化示意圖- - - - - - - - - - - - - - - -受主原子受主原子空穴空穴電子空穴對(duì)電子空穴對(duì)+ + + + + + + + + + + + + + + +施主原子施主原子自由電子自由電子電子空穴對(duì)電子空穴對(duì)如何如何產(chǎn)生？產(chǎn)生？硅原子在硅原子在哪里？哪里？自由電子自由電子空穴空穴+4+4+4+4+5+5+4+4+4+4+4+4+4+4+3+3+4+4+4+43. PN3. PN結(jié)的形成結(jié)的形成PN Junction- - - - - - - - -

12、 - - - - - - -+ + + + + + + + + + + + + + + +P P區(qū)區(qū)N N區(qū)區(qū)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：載流子濃度差濃度差引起的運(yùn)動(dòng)引起的運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)：載流子在漂移運(yùn)動(dòng)：載流子在電場(chǎng)力電場(chǎng)力作用下的運(yùn)動(dòng)作用下的運(yùn)動(dòng)P P、N N半導(dǎo)體結(jié)合半導(dǎo)體結(jié)合3. PN3. PN結(jié)的形成結(jié)的形成PN JunctionP P區(qū)區(qū)N N區(qū)區(qū)復(fù)合復(fù)合- - - - - - - - - - - - - - - -+ + + + + + + + + + + + + + + +載流子濃度差載流子濃度差多子的多子的擴(kuò)散擴(kuò)散 diffusion空間電荷區(qū)空間電荷區(qū) space-charge

13、 形成內(nèi)建電場(chǎng)形成內(nèi)建電場(chǎng) built-in electric field阻礙阻礙多子多子擴(kuò)散，擴(kuò)散，促進(jìn)促進(jìn)少子少子漂移漂移+- 空間電荷區(qū)（耗盡層、空間電荷區(qū)（耗盡層、PN結(jié)）結(jié)）v隨著空間電荷區(qū)隨著空間電荷區(qū)的的增加增加3. PN3. PN結(jié)的形成結(jié)的形成PN JunctiondriftIdiffusionIv最后達(dá)到最后達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡：擴(kuò)散電流漂移電流擴(kuò)散電流漂移電流- - - - - - - - - - - - - - - -+ + + + + + + + + + + + + + + +-多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)減弱減弱少子漂移運(yùn)動(dòng)少子漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)增強(qiáng)P P區(qū)區(qū)N N區(qū)區(qū)3.

14、PN3. PN結(jié)的形成結(jié)的形成PN Junction4. PN4. PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦约诱螂妷杭诱螂妷? (forward biasforward bias)電源正極接電源正極接P P區(qū)區(qū), ,負(fù)極接負(fù)極接N N區(qū)區(qū)+- 耗盡層變窄耗盡層變窄外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反, ,外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)：擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)FI多子多子擴(kuò)散形成擴(kuò)散形成正向電流正向電流 ( (大大) )4. PN4. PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦约臃聪螂妷杭臃聪螂妷? (reverse biasreverse bias)電源正極接電源正極接N N

15、區(qū)區(qū), ,負(fù)極接負(fù)極接P P區(qū)區(qū)- - - - - - - - - - - - - - - -+ + + + + + + + + + + + + + + +內(nèi)建電場(chǎng)內(nèi)建電場(chǎng)RwEP型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體空間電荷區(qū)空間電荷區(qū) 外加電場(chǎng) 外加電場(chǎng)RI-+外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相同外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相同, ,外電場(chǎng)增強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)：外電場(chǎng)增強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)：RI 耗盡層變寬耗盡層變寬 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 集電區(qū)摻雜濃度。集電區(qū)摻雜濃度。 2 2、基區(qū)基區(qū)很薄很薄(1(1mm幾幾mm) )且且濃度濃度很低很低。 3 3、集電區(qū)面積集電區(qū)面積 基區(qū)面積基區(qū)面積 發(fā)射區(qū)面積。發(fā)射區(qū)面積。b bc

16、ce eN NP PN NR Rb bR Rc cV VB BB BV VC CC C發(fā)發(fā) 射射 區(qū)區(qū)基基 區(qū)區(qū)集集 電電 區(qū)區(qū)共共 發(fā)發(fā) 射射 極極 接接 法法b bc ce eN NP PN NR Rb bR Rc cV VB BB BV VC CC C發(fā)發(fā) 射射 區(qū)區(qū)基基 區(qū)區(qū)集集 電電 區(qū)區(qū)共共 發(fā)發(fā) 射射 極極 接接 法法NPN管的符號(hào)管的符號(hào)PNP管的符號(hào)管的符號(hào)1 51 31 0 1 0 Ae b c ebc80501.3.2 1.3.2 BJTBJT的電流分配與放大原理的電流分配與放大原理外部條件外部條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 三極管的放大作用是在一

17、定的三極管的放大作用是在一定的外部條件外部條件控制下，通過控制下，通過載載流子傳輸流子傳輸體現(xiàn)出來的。體現(xiàn)出來的。1. 1. 各極的作用：各極的作用：發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：收集載流子集電區(qū)：收集載流子基基 區(qū)：傳送和控制載流子區(qū)：傳送和控制載流子1 5 1 31 0 1 0A 80501 5 1 31 0 1 0A 發(fā)射區(qū)：發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏正偏多多數(shù)載流子參與導(dǎo)電數(shù)載流子參與導(dǎo)電集電區(qū)：集電結(jié)集電區(qū)：集電結(jié)反偏反偏少少數(shù)載流子參與導(dǎo)電數(shù)載流子參與導(dǎo)電基基 區(qū)：區(qū)：多數(shù)、少數(shù)多數(shù)、少數(shù)載流子都參與導(dǎo)電載流子都參與導(dǎo)電 各極的導(dǎo)電各極的導(dǎo)電載流子載流子外部條件外部條件

18、：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏電流分配關(guān)系電流分配關(guān)系根據(jù)載流子的運(yùn)動(dòng)過程載流子的運(yùn)動(dòng)過程可知:其值約為：0.90.99。15131010 A:CNEIICECBOEIIII1 51 31 0 1 0A:C NCC B OBBC B OIIIIII共基直流電流放大系數(shù)共基直流電流放大系數(shù)Common-base DC current gain定義定義: (1)CEOCBOIIENCNBNIII載流子的運(yùn)動(dòng)過程載流子的運(yùn)動(dòng)過程(1)C B OC ECOBBBIIIIII定義：定義：共射直流電流放大系數(shù)共射直流電流放大系數(shù)Common-emitter DC current gainC

19、ommon-emitter DC current gain（當(dāng)當(dāng) 時(shí)，時(shí)， ）穿透電流穿透電流C-E cut-off currentC-E cut-off currentCCB OBCB OIIIIBBNEPBCBOIIIII1 51 31 0 1 0A1 51 31 0 1 0 ACECBOEIIII 由材料、摻雜濃度以及工藝有關(guān)由材料、摻雜濃度以及工藝有關(guān), ,反映三極管電流放大能力反映三極管電流放大能力定義定義：CBCEOIII:CBii共射交流電流放大系數(shù)共射交流電流放大系數(shù)Common-emitter current gainCommon-emitter current gain假設(shè)

20、假設(shè)： 變化時(shí)， 不隨之變化，則：CI1 5 1 31 0 1 0 A 事實(shí)上事實(shí)上是與是與IcIc有關(guān)的：有關(guān)的：CBdIdI其值約為：幾十?dāng)?shù)千 常用：幾十幾百1.3.3 1.3.3 BJTBJT的特性曲線的特性曲線UCE 1VIBAUBE204060800. 40. 8/ / VUCE=0VUCE=0. 5V15131010A一、共發(fā)射極輸入特性：一、共發(fā)射極輸入特性：uCE/ /V481201234飽飽和和區(qū)區(qū)截止區(qū)IB40 A30 A20 A10 A0A放放大大區(qū)區(qū)iC/ /mA uCEuBE共共射射輸輸出出特特性性曲曲線線00AIBIBIBIBUCE 1VIBAUBE20406080

21、0. 40. 8/ / VUCE=0VUCE=0. 5V共發(fā)射極輸入特性曲線共發(fā)射極輸入特性曲線 共射輸入特性曲線是以u(píng)CE為參變量參變量時(shí)，iB與uBE間的關(guān)系曲線，即二、共發(fā)射極輸出特性：二、共發(fā)射極輸出特性：15131010A 共射輸出特性曲線是以iB為參變量參變量時(shí)，iC與uCE間的關(guān)系曲線，即1 5 1 31 0 1 0A輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn)輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn)(1) (1) 放大區(qū)：放大區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 (2) (2) 截止區(qū)：截止區(qū)： 發(fā)射結(jié)截止，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)截止，集電結(jié)反偏。 (3) (3) 飽和區(qū)：飽和區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正

22、偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 ,CEBEBCuuIiuC E/ /V481201234IB40 A30 A20 A10 A0 A放放大大區(qū)區(qū)iC/ /m A uC EuB E共共 射射 輸輸 出出 特特 性性 曲曲 線線00 AIBIBIBIB0.7,0 ,0BEONCEBEBCCEOuUuUIiI0 .7C E SUVBCEBEBCIIIIIII 1 15131010 A深度飽和深度飽和15131010 A臨界飽和臨界飽和三極管工作狀態(tài)總結(jié)三極管工作狀態(tài)總結(jié)三極管處于放大狀態(tài)的特點(diǎn)三極管處于放大狀態(tài)的特點(diǎn)電流關(guān)系電流關(guān)系1 51 31 0 1 0A電位關(guān)系電位關(guān)系:CEBNPVVPV:CEB

23、PNVVNV1.3 1.3 雙極型晶體管雙極型晶體管三極管舉例三極管舉例 電路如圖所示，電路如圖所示，=50=50，V VCC CC =12V=12V，R RB B =50k=50k，R RC C =5k=5k。 當(dāng)當(dāng)V VBB BB =-1V=-1V，2V2V，4V4V時(shí)，求晶體管的工作狀態(tài)？時(shí)，求晶體管的工作狀態(tài)？CCEOCBBIIIII思路：求出思路：求出BJT各極電位各極電位,從而從而得出得出BE結(jié)和結(jié)和BC結(jié)偏置關(guān)系，結(jié)偏置關(guān)系，再判斷工作狀態(tài)再判斷工作狀態(tài)2121CCCBBBiiiiiiCC B OCEEIIIII1.3.4 1.3.4 BJTBJT的主要參數(shù)的主要參數(shù)1. 1.

24、電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)共射共射交流交流電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)共基共基直流直流電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)共基共基交流交流電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)共射共射直流直流電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)2121CCCEEEiiiiiiNoImageNoImageNoImage,50 300的典型值為,5 0.995的典型值為0.9集電結(jié)反向飽和電流I ICBOCBO 指E開路，C與B之間加反向電壓時(shí)的反向飽和電流(A級(jí))。穿透電流 I ICEOCEO 指基極開路，集電極與發(fā)射極之間加反向電壓時(shí)，從集電極穿過基區(qū)流入發(fā)射極的反向飽和電流。 I ICEOCEO = (1+ )I = (1+ )ICBOCBO2. 2. 極間反向電流極間反向電流v I ICEOCEO是衡量三極管是衡量三極管性能穩(wěn)定性能穩(wěn)定與否的重要參數(shù)之一，與否的重要參數(shù)之一，其值愈其值愈小愈好小愈好。 I ICBOCBO和和I ICEOCEO與與溫度溫度密切相關(guān)。密切相關(guān)。特征頻率f fT T是指下降到1時(shí)的信號(hào)頻率（失去電流放大能力）。3. 3. 頻率特性頻率特性 集電極最