![如圖所示一厚度為a的無限大帶電平板其電荷體密度分布為kx_第1頁](http://file4.renrendoc.com/view/e75561c92e87f4081630eedb3b81fd5d/e75561c92e87f4081630eedb3b81fd5d1.gif)
![如圖所示一厚度為a的無限大帶電平板其電荷體密度分布為kx_第2頁](http://file4.renrendoc.com/view/e75561c92e87f4081630eedb3b81fd5d/e75561c92e87f4081630eedb3b81fd5d2.gif)
![如圖所示一厚度為a的無限大帶電平板其電荷體密度分布為kx_第3頁](http://file4.renrendoc.com/view/e75561c92e87f4081630eedb3b81fd5d/e75561c92e87f4081630eedb3b81fd5d3.gif)
![如圖所示一厚度為a的無限大帶電平板其電荷體密度分布為kx_第4頁](http://file4.renrendoc.com/view/e75561c92e87f4081630eedb3b81fd5d/e75561c92e87f4081630eedb3b81fd5d4.gif)
![如圖所示一厚度為a的無限大帶電平板其電荷體密度分布為kx_第5頁](http://file4.renrendoc.com/view/e75561c92e87f4081630eedb3b81fd5d/e75561c92e87f4081630eedb3b81fd5d5.gif)
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文檔簡介
1、1、一點電荷放在球形高斯面的中心處,下列哪一種情況,通過高斯面的電通量發(fā)生變化?()、將另一點電荷 放在高斯面外;()、將另一點電荷 放在高斯面內(nèi);()、將球心處的點電荷移動,但還在高斯面內(nèi);()、將高斯面半徑縮小2、點電荷 被曲面所包圍,從無窮遠處引入另一點電荷 q到曲面外一點,如圖所示,則引入前后:()、曲面的電通量不變,曲面上各點的場強不變;()、曲面的電通量變化,曲面上各點的場強不變;(C)、曲面的電通量變化,曲面上各點的場強變化;(D)、曲面的電通量不變,曲面上各點的場強變化。 QqS B D 3、已知一高斯面所包圍的體積內(nèi)電量代數(shù)和為零,則可以肯定:()高斯面上各點場強均為零;()
2、穿過高斯面上每一面元的電通量為零;()穿過整個高斯面上的電通量為零;()以上說法均不對4、如圖所示,兩個無限長的半徑分別為和的共軸圓柱面,均勻帶電,沿軸線方向單位長為度上的帶電量分別為1,、2,則在外圓柱外面,距離軸線為r處的點的電場強度大小為:rP12答案: C 5、如圖所示,一個帶電量為q的點電荷位于立方體的角上,則通過側(cè)面abcd的電通量為:qabcd如果放在中心處,則又是多少?cAabdq6、設(shè)電荷 體密度沿 x 軸方向按余弦規(guī)律cosx分布在整個間,試求間場強分布。Yoz平面xESx-x解:如圖所示,由于cosx為偶函數(shù),故其電荷分布關(guān)于yoz平面對稱,電場強度亦關(guān)于yoz平面對稱,
3、作面積為,高為2x的長方體(或柱體),則利用高斯定理得:7、有一帶球殼,內(nèi)外半徑分別為a和b,電荷 密度=A/r,在球心處有一 點電荷 ,證明當(dāng)=Q/2a2 時,球殼區(qū)域內(nèi)的場強的大小與r無關(guān)。r 證明: 以為圓心,半徑 r作一球面為高斯面,則利用定理與場分 布具有球?qū)ΨQ性的特點可得S8、圖示為一個均勻帶電球?qū)?,其電荷體密度為,球殼內(nèi)半徑為,外半徑為,為零點。求球內(nèi)外電場分布。0rS 解:以o為圓心,半徑 r作一球面為高斯面,則利用定理與場分 布具有球?qū)ΨQ性的特點可得9、如圖,求空腔內(nèi)任一點的場強。解:求空腔內(nèi)任一點場強,挖 去體密度為的小球,相當(dāng)于不挖,而在同一位置處,放一體密度為- 的小球產(chǎn)生的場強的迭加。010213 如圖所示,一厚度為a的無限大帶電平板,其電荷體密度分布為 kx (0 x a)式中k 為正常數(shù),試證明:(1) 平板外空間的場強為均勻電場,大小為 (2) 平板內(nèi) 處E=0解(1)據(jù)分析可知平板外的電場是均勻電場,作如圖封閉圓柱面為高斯面 x0axdxES(2)xa x0axE1S解: (1) 以O(shè)為對稱點作垂直于平板平面的圓柱面為高斯面,設(shè)底面積為S,長度為2x,如圖所示。高斯面內(nèi)所包含的電量為:高斯面內(nèi)所包含的電通量為:由高斯定理:OQP設(shè)電荷密度均勻,求電場分布對于Q點:以Q為對稱點作
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