ic設(shè)計論壇_IC失效分析培訓(xùn)ppt課件

1、 IC失效分析培訓(xùn)教材 電子發(fā)燒友網(wǎng)elecfans普通概念失效：產(chǎn)品失去規(guī)定的功能。失效分析：為確定和分析失效器件的失效方式，失效機理，失效緣由和失效性質(zhì)而對產(chǎn)品所做的分析和檢查。失效方式：失效的表現(xiàn)方式。失效機理：導(dǎo)致器件失效的物理，化學(xué)變化過程。失效緣由：導(dǎo)致發(fā)生失效的直接緣由，它包括設(shè)計，制造，運用和管理等方面的問題。失效分析的目的：失效分析是對失效器件的事后檢查，經(jīng)過失效分析可以驗證器件能否失效，識別失效方式，確定失效機理和失效緣由，根據(jù)失效分析結(jié)論提出相應(yīng)對策，它包括器件消費工藝，設(shè)計，資料，運用和管理等方面的有關(guān)改良，以便消除失效分析報告中所涉及到的失效方式或機理，防止類似失效的

2、再次發(fā)生。失效分析的設(shè)備和相應(yīng)的用途 電特性測試設(shè)備 包括開短路測試設(shè)備CD318A，S9100，萬用表和各種測試分廠的測試機。 察看丈量設(shè)備 X射線透視機，金相顯微鏡放大倍數(shù)50-1000，丈量顯微鏡帶攝像頭并與顯示器和終端處置電腦相連，放大位數(shù)50-500，立體顯微鏡，掃描電子顯微鏡SEM。 實驗設(shè)備 烘箱，回流焊機，可焊性測試儀，成份分析儀。 解剖設(shè)備和輔助設(shè)備 開帽機，密封電爐，超聲清洗機，鑷子，研磨切割機，玻璃儀器試管，燒杯，玻璃漏斗，滴管等。 任務(wù)間設(shè)備 應(yīng)配有通風(fēng)柜，清洗池，水源，相關(guān)化劑鹽酸，硝酸，硫酸和無水乙醇，丙酮，氫氧化鈉等。分析報告失效分析報告 應(yīng)包括：a, 失效器件的

3、主要失效現(xiàn)場信息。b, 失效器件的失效方式。c, 失效分析程序和各階段的初步的分析結(jié)果。d ,失效分析結(jié)論。e,提出糾正建議措施。報告中應(yīng)附分析圖片和測試數(shù)據(jù)，以及相應(yīng)闡明。分析人員應(yīng)具有的素質(zhì) 具有半導(dǎo)體集成電路的專業(yè)根底知識，熟習(xí)集成電路原理，設(shè)計，制造，測試，運用線路，可靠性實驗，可靠性規(guī)范，可靠性物理和化學(xué)等方面的有關(guān)知識，并有一定的實際閱歷，必需受過專業(yè)培訓(xùn)?？煽啃钥煽啃愿拍?指系統(tǒng)或設(shè)備在規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi)完成規(guī)定功能的才干。有固有可靠性和運用可靠性之分，固有可靠性指經(jīng)過設(shè)計和制造構(gòu)成的內(nèi)在可靠性，運用可靠性指在運用過程中發(fā)揚出來的可靠性。它受環(huán)境條件，運用操作，維修等要素的影

4、響，運用可靠性總小于固有可靠性。可靠性實驗一溫度循環(huán)TCT：判別產(chǎn)品在極高，極低溫度下抗變力及在極高，極低溫度中交替之效應(yīng)。熱沖擊TST：同上，但條件更嚴(yán)酷。高壓蒸煮PCT：利用嚴(yán)峻的壓力，濕氣和溫度加速水汽之浸透來評價非密閉性之固態(tài)產(chǎn)品對水汽浸透之效應(yīng)。加速老化HAST：同上?？煽啃詫嶒灦邷胤雌獺TRB：對產(chǎn)品施加一定的高溫來加速產(chǎn)品電性能的老化?；亓骱窻EFLOW：用于判別器件SMD在回流焊接過程中所產(chǎn)生之熱阻力及效應(yīng)。易焊性SOLDER：判別產(chǎn)品之可焊度。耐焊接熱：判別直插式產(chǎn)品在焊接過程中產(chǎn)生的熱阻力及效應(yīng)。引線彎曲：考核產(chǎn)品管腳抗機械應(yīng)變力之才干?？煽啃詫嶒炄蛔儗嶒灒涸u價產(chǎn)品在經(jīng)

5、過極高，極低溫度后，再放入溫濕度變化之環(huán)境后產(chǎn)生的效應(yīng)。穩(wěn)態(tài)濕熱THT：評價非密閉性之固態(tài)產(chǎn)品在濕氣環(huán)境下之可靠度，運用溫度條件加速水汽浸透。高溫儲存HTST：判別高溫對產(chǎn)品之效應(yīng)。低溫實驗LT：判別低溫對產(chǎn)品之效應(yīng)。電耐久BURN-IN：對產(chǎn)品施加一定的電壓，電流來加速產(chǎn)品的電老化。可靠性實驗設(shè)備實驗設(shè)備：高低溫循環(huán)箱，高速老化箱，調(diào)溫調(diào)濕箱，可焊性測試儀，高溫烘箱，分立器件綜合老化系統(tǒng)，高溫反偏系統(tǒng)。測試設(shè)備：多功能晶體管挑選儀，晶體管圖性特示儀XJ4810,370B等。失效率失效率指產(chǎn)品任務(wù)到t時辰后在單位時間內(nèi)失效的概率。單位： %/103小時。每任務(wù)1000小時后產(chǎn)品失效的百分?jǐn)?shù)失效

6、曲線 也稱失效浴盆曲線，因外籠統(tǒng)浴盆。早期失效期：t大，隨時間迅速下降。經(jīng)過改良設(shè)計，加強監(jiān)控可減少早期失效，經(jīng)過挑選可減小縮短或去掉早期失效期.工藝缺陷、資料缺陷、挑選不充分引起。 偶爾失效期：t小，為常數(shù)，時間較長，失效帶有偶爾性，是運用的良好時間。很多是靜電損傷、過電損傷引起。有突發(fā)性和明顯性 耗損失效期：產(chǎn)品運用后期，t迅速添加，因老化，磨損，疲勞等使器件失效。元器件老化引起。有時間性和隱蔽性靜電，靜電放電靜電 當(dāng)兩種資料一同摩擦，一種資料喪失電子，另一種那么搜集電子，前者帶正電，后者那么帶負電，假設(shè)兩種摩擦的物體在分別的過程中電荷難以中和，電荷即會積累使物體帶上靜電。靜電就是一種物體

7、上的非挪動的充電。靜電放電 假設(shè)帶靜電的物體遇到適宜的時機，它會將所帶的電荷放掉，又回到中性，此過程即是靜電放電ESD。靜電對電子元件之影響物體放電方式主要經(jīng)過低電阻區(qū)域，放電電流I= Q/t,即靜電電荷變化量與完成這些靜電電荷變化所用的時間之比。當(dāng)I足夠大時，能影響P-N結(jié)熱擊穿接合點，導(dǎo)致氧氣層擊穿，引起即時的和不可逆轉(zhuǎn)的損壞，但這種損壞只需10%可引起產(chǎn)品即時損壞，90%的產(chǎn)品可毫無覺察地經(jīng)過測試，流到客戶手里，但它的可靠性卻大大地降低了，并且靜電可吸附灰塵，降低基片凈化度，使IC廢品率下降。靜電產(chǎn)生的宏觀緣由 環(huán)境如地面，裝修隔間，溫濕度。 工具和資料 清洗機，吸管，鑷子，物流車，周轉(zhuǎn)

8、箱，烘箱，紙片，任務(wù)機臺等。 任務(wù)者及其活動 人的動作如脫衣，起立，被感應(yīng)，接觸帶電，剝離，沖擊，摩擦。靜電的防護靜電防護原那么： 少產(chǎn)生，不積累，快泄放。靜電防護根本方法：走漏，中和，屏蔽 環(huán)境方面，鋪設(shè)防靜電地毯，地板，臺墊，入口處任務(wù)處接地線等防靜電消除器?？刂茰貪穸?，運用離子風(fēng)機，靜電環(huán)。 器材方面，防靜電任務(wù)服，鞋，腕帶，導(dǎo)電泡沫板，防靜電文件盒，周轉(zhuǎn)箱，物流車，包裝袋，抗靜電劑等。 產(chǎn)品設(shè)計方面，將靜電防護表到達元件和產(chǎn)品設(shè)計中，盡量運用對靜電不敏感的元件，或者在器件內(nèi)部設(shè)置靜電防護元件，對運用的靜電放電敏感器件提供適當(dāng)?shù)妮斎刖S護。 封裝根本流程磨片劃片裝片球焊包封后固化電鍍打印沖

9、切成型測試包裝入庫。上述流程視產(chǎn)品不同有較大的變化。流程簡述一磨片將芯片的反面非布線的一面根據(jù)工藝規(guī)范，客戶要求或一些特殊要求磨去一層，使芯片的厚度到達要求。 劃片用劃片刀或其它手段如激光在圓片上的劃片槽中割劃，使整個大圓片分割成很多細小的晶片單個芯片，以利裝片。 裝片將已劃好片的大圓片上的單個芯片用吸嘴取下后裝在引線框的基島上。此時芯片反面上須用粘接劑粘在基島上。 球焊用金絲在一定的溫度，超聲，壓力下將芯片上某一點壓焊區(qū)與引線框適當(dāng)位置第二點相連。 流程簡述二包封用樹脂體將裝在引線框上的芯片封起來，對芯片起維護作用和支撐作用。 后固化使包封后的樹脂體進一步固化。 電鍍在引線條上一切部位鍍上一

10、層錫，保證產(chǎn)品管腳的易焊性。 打印在樹脂體上打上標(biāo)志，闡明產(chǎn)品的型號和其它相關(guān)信息。 沖切成形將整條產(chǎn)品切割成形為單只產(chǎn)品。 測試挑選出符合功能要求的產(chǎn)品。 包裝，入庫將產(chǎn)品按要求包裝好后進入廢品庫。待機發(fā)往客戶。為何分析？信息反響？一客戶贊揚。如客戶反映良率低，產(chǎn)品的某一參數(shù)不達標(biāo)，開短路，產(chǎn)品運用時功能不良等。普通由業(yè)務(wù)或外經(jīng)部轉(zhuǎn)品管，再轉(zhuǎn)總廠進展失效分析。測試分廠測試良率低，或某批產(chǎn)品開短路產(chǎn)品太多，不符合客戶良率要求，分廠應(yīng)出具測試異常分析報告。品管抽測異常 產(chǎn)品經(jīng)外觀檢后品管開短路抽測異常。通常每批抽100只如次品超越3只，那么加抽300只，仍超標(biāo)那么要分析。對測試分廠已測產(chǎn)品抽測異

11、常。通常測試分廠送樣一只,僅要求開帽分析。測試分廠應(yīng)附失效分析懇求單。為何分析？信息反響？二組裝分廠隔離流到測試或外檢，要求測試或外檢后將測試情況或品管抽測結(jié)果反響組裝。此時出現(xiàn)的一些異常，能夠要求分析。客戶要求的其它分析。如看金絲，布線圖，芯片外表，芯片粘結(jié)方式等。一切的分析終了后，均應(yīng)出報告，且要將報告送到原發(fā)出部門，并做好相應(yīng)分析報告交接任務(wù)。金絲布線和芯片表觀一 金絲導(dǎo)電膠芯片基島管腳樹脂體陰影部份金絲布線和芯片表觀二粉紅色是腐球后的壓區(qū)，本質(zhì)上是氧化硅的顏色。鋁線氧化硅金絲布線和芯片表觀三中測點金球金絲未腐球時的壓區(qū)通常芯片上的白色部分為鋁線 。圖片上黑色的小圓球是金球放大后為金色，

12、金球周圍一小塊藍色或白色區(qū)域是壓區(qū)，另有小塊白色區(qū)域是中測點芯片制造廠用來測試芯片合格與否的地方，上圖中芯片外表粉紅色部位為氧化硅。整個芯片外表有一層薄薄的芯片維護層。腐球后的壓區(qū)有不同的顏色，如紅，黃，綠，藍，紫等，這是由于氧化層厚度不同的緣故。 上圖為一例，實踐上視芯片不同各部位顏色或外形有很大區(qū)別。 失效分析的原那么 先無損，后有損。先電測試，外觀檢，后開蓋。開蓋后也要先無損不引入新破壞，后破壞。 失效分析程序失效景象記錄。了解情況，了解失效現(xiàn)場信息，失效樣品的參數(shù)測試結(jié)果，失效樣品的一些產(chǎn)品信息。鑒別失效方式。用現(xiàn)有設(shè)備確認產(chǎn)品失效能否與客戶所述一致，并照實記錄下失效情況。用自已的言語

13、描畫失效特征。按照失效分析程序一一檢查，分析。通常有下述幾步：外觀檢查，電參數(shù)測式，開短路測試，X-RAY檢查，超聲清洗，超聲波離層分析，開帽，內(nèi)部目檢，電子掃描顯微鏡，腐球并檢查壓區(qū)。上面幾步不是每步都要，要有針對性地做，做到哪一步發(fā)現(xiàn)問題了，后面幾步視情況也可省去。歸納分析結(jié)論，提出自已對分析結(jié)果的看法。提出糾正建議措施。出具分析報告。失效信息搜集 產(chǎn)品信息 ：消費日期 ，客戶，封裝方式，型號，批號，良率情況，消費批還是實驗批，失效Bin值，焊絲規(guī)格，圖形密集區(qū)典型線寬，芯片厚度，導(dǎo)電膠，采用的料餅，印章內(nèi)容，能否測試過，測試機臺情況等。失效景象記錄。失效日期，失效地點，數(shù)量，失效環(huán)境，能

14、否任務(wù)過即能否焊在整機上運用過，客戶能否在運用前對產(chǎn)品測試過，任務(wù)條件能否超越規(guī)格范圍。鑒別失效方式電參數(shù)測試。開短路測試。目前有5臺公用開短路測試機：S9100，測試種類有PQFP44，LQFP44，PQFP52，PQFP64，DIP和SDIP中的部份。CD318A，測試種類有，SOP8/SOP16/SOP20/24/28 ，DIP8/14/16，密間距產(chǎn)品，手工機測試DIP系列。測試時要了解對應(yīng)主機電腦中能否有該種類的測試程序，假設(shè)沒有那么要請相關(guān)人員編寫程序。失效分析順序 外部目檢X-RAY檢查超聲清洗復(fù)測SAT即超聲檢查開帽后內(nèi)部目檢腐球檢查X-RAY檢查X-RAY檢查。X-RAY射線

15、又稱倫琴射線，一種波長很短的電磁輻射，由德國物理學(xué)家倫琴在1895年發(fā)現(xiàn)。普通指電子能量發(fā)生很大變化時放出的短波輻射，能透過許多普通光不能透過的固態(tài)物質(zhì)。利用可靠性分析室里的X-RAY分析儀，可檢查產(chǎn)品的金絲情況和樹脂體內(nèi)氣孔情況，以及芯片下面導(dǎo)電膠內(nèi)的氣泡，導(dǎo)電膠的分布范圍情況。X-RAY判別原那么不良情況原因或責(zé)任者 球脫 組裝 點脫 如大量點脫是同一只腳，則為組裝不良。如點脫金絲形狀較規(guī)則，則為組裝或包封之前L/F變形，運轉(zhuǎn)過程中震動，上料框架牽拉過大，L/F打在予熱臺上動作大，兩道工序都要檢查。如點脫金絲弧度和旁邊的金絲弧度差不多，則為組裝造成。 整體沖歪，亂，斷 為包封不良，原因為吹

16、模不盡，料餅沾有生粉，予熱不當(dāng)或不均勻，工藝參數(shù)不當(dāng)，洗模異常從而導(dǎo)致模塑料在型腔中流動異常。 個別金絲斷 組裝擦斷或產(chǎn)品使用時金絲熔斷。 只有局部沖歪 多數(shù)為包封定位時動作過大，牽拉上料框架時造成，也有部份為內(nèi)部氣泡造成。 金絲相碰 弧度正常，小于正常沖歪率時，為裝片或焊點位置欠妥 內(nèi)焊腳偏移 多數(shù)為組裝碰到內(nèi)引腳。 塌絲 多數(shù)為排片時碰到。 導(dǎo)電膠分布情況 應(yīng)比芯片面積稍大，且呈基本對稱情形。 超聲清洗 清洗僅用來分析電性能有異常的，失效能夠與外殼或芯片外表污染有關(guān)的器件。此時應(yīng)確認封裝無走漏，目的是去除外殼上的污染物。清洗前應(yīng)去除外表上任何雜物，再重測電參數(shù)，如仍失效再進展清洗，清洗后現(xiàn)

17、測電參數(shù)，對比清洗前后的電參數(shù)變化。清洗劑應(yīng)選用不損壞外殼的，通常運用丙酮，乙醇，甲苯，清洗后再運用純水清洗，最后用丙酮，無水乙醇等脫水，再烘干。清洗要確保不會帶來由于清洗劑而引起的失效。超聲檢測分析。 SAT即超聲波形顯示檢查。超聲波，指頻率超越20KHZ的聲波人耳聽不見，頻率低于HZ的聲波稱為次聲波，它的典型特征：碰到氣體100%反射，在不同物質(zhì)分界面產(chǎn)生反射,和光一樣直線傳播。SAT就是利用這些超聲波特征來對產(chǎn)品內(nèi)部進展檢測，以確定產(chǎn)品密封性能否符合要求，產(chǎn)品能否有內(nèi)部離層。超聲判別原那么 芯片外表不可有離層 鍍銀腳精壓區(qū)域不可有離層內(nèi)引腳部分離層相連的面積不可超越膠體正面面積的20%或

18、引腳經(jīng)過離層相連的腳數(shù)不可超越引腳總數(shù)的1/5芯片周圍導(dǎo)電膠呵斥的離層在做可靠性實驗經(jīng)過或做Bscan時未超出芯片高度的2/3應(yīng)以為正常。判別超聲圖片時要以波形為準(zhǔn)，要留意對顏色黑白異常區(qū)域的波形檢查 超聲檢查時應(yīng)留意 對焦一定要對好，可反復(fù)調(diào)整，直到掃描出來的圖像很“干脆，不出現(xiàn)那種零零碎碎的紅點。留意增益，掃描出來的圖像不能太亮，也不能太暗。留意產(chǎn)品不能放反，產(chǎn)品外表不能有任何如印記之類呵斥的坑坑洼洼，或其它雜質(zhì)，氣泡。探頭有高頻和低頻之分，針對不同產(chǎn)品選用不同的探頭由分析室任務(wù)人員調(diào)整。通常樹脂體厚的產(chǎn)品，采用低頻探頭，否那么采用高頻探頭。因頻率高穿透才干差。開帽 高分子的樹脂體在熱的濃

19、硝酸98%或濃硫酸作用下，被腐去變成易溶于丙酮的低分子化合物，在超聲作用下，低分子化合物被清洗掉，從而顯露芯片表層。 開帽方法一：取一塊不銹鋼板，上鋪一層薄薄的黃沙也可不加沙產(chǎn)品直接在鋼板上加熱，放在電爐上加熱，砂溫要達100-10度，將產(chǎn)品放在砂子上，芯片正面方向向上，用吸管汲取少量的發(fā)煙硝酸濃度98%。滴在產(chǎn)品外表，這時樹脂外表起化學(xué)反響，且冒出氣泡，待反響稍止再滴，這樣連滴5-10滴后，用鑷子夾住，放入盛有丙酮的燒杯中，在超聲機中清洗2-5分鐘后，取出再滴，如此反復(fù)，直到顯露芯片為止，最后必需以干凈的丙酮反復(fù)清洗確保芯片外表無殘留物。開帽方法二將一切產(chǎn)品一次性放入98%的濃硫酸中煮沸。這

20、種方法對于量多且只需看芯片能否破裂的情況較適宜。缺陷是操作較危險。要掌握要領(lǐng)。開帽留意點一切一切操作均應(yīng)在通風(fēng)柜中進展，且要戴好防酸手套。產(chǎn)品開帽越到最后越要少滴酸，勤清洗，以防止過腐蝕。清洗過程中留意鑷子勿碰到金絲和芯片外表，以免擦傷芯片和金絲。根據(jù)產(chǎn)品或分析要求有的開帽后要顯露芯片下面的導(dǎo)電膠.,或者第二點.另外，有的情況下要將已開帽產(chǎn)品按排重測。此時應(yīng)首先放在80倍顯微鏡下察看芯片上金絲能否斷，塌絲，如無那么用刀片刮去管腳上黑膜后送測。留意控制開帽溫度不要太高。附:分析中常用酸1，濃硫酸。這里指98%的濃硫酸,它有劇烈的脫水性,吸水性和氧化性。開帽時用來一次性煮大量的產(chǎn)品，這里利用了它的

21、脫水性和強氧化性。濃鹽酸。指37%V/V的鹽酸，有劇烈的揮發(fā)性，氧化性。分析中用來去除芯片上的鋁層。發(fā)煙硝酸，指濃度為98%V/V的硝酸。用來開帽。有劇烈的揮發(fā)性，氧化性，因溶有NO2而呈紅褐色。王水，指一體積濃硝酸和三體積濃鹽酸的混合物。分析中用來腐金球，因它腐蝕性很強可腐蝕金。 內(nèi)部目檢 視產(chǎn)品不同分別放在200倍或500倍金相顯微鏡下或立體顯微下仔細察看芯片外表能否有裂痕，斷鋁，擦傷，燒傷，沾污等異常。對于芯片裂痕要從反面開帽以察看芯片反面有否裝片時頂針頂壞點，由于正面開帽取下芯片時易使芯片破裂。反面的導(dǎo)電膠可用硝酸漸漸腐，再用較軟的細銅絲悄然刮去。腐球分析將已開帽的產(chǎn)品放在加熱到沸騰的

22、10%20%的KOH或NaOH溶液中或加熱到沸騰的王水即3：1的濃鹽酸和濃硝酸混合溶液中。浸泡約3到5分鐘個別產(chǎn)品浸泡時間要求較長，達10分鐘以上。在100到200倍顯微鏡下用細針頭悄然將金絲從芯片上移開留意勿碰到芯片，如發(fā)現(xiàn)金球仍牢牢地粘在芯片上，那么闡明還需再腐球，千萬不要硬拉金絲，以免呵斥人為的凹坑，呵斥誤判。分析過程中要檢查的內(nèi)容 外部目檢。能否有樹脂體裂痕，管腳間雜物致短路，管腳能否被拉出樹脂體，管腳根部能否露銅，管腳和樹脂體能否被沾污，管腳能否彎曲變形等不良。 X-RAY 能否有球脫、點脫、整體沖歪，金絲亂，斷、部分沖歪、塌絲、金絲相碰、焊腳偏移、膠體空洞、焊料空洞，焊料覆蓋面積，

23、管腳間能否有雜物導(dǎo)致管腳短路等異常。 超聲檢測。能否有芯片外表、焊線第二點、膠體與引線框之間等的內(nèi)部離層。 開帽后的內(nèi)部目檢。41，用30-50倍立體顯微鏡檢查：鍵合線過長而下塌碰壞芯片；鍵合線尾部過長而引起短路；鍵合線頸部損傷或引線斷裂；鍵合點或鍵合線被腐蝕；鍵合點盡寸或位置不當(dāng)；芯片粘接資料用量不當(dāng)或裂痕；芯片抬起，芯片取向不當(dāng)，芯片裂痕；多余的鍵合線頭或外來顆粒等。4.2，金屬化，薄膜電阻器缺陷在50-200倍顯微鏡下檢查，主要有腐蝕，燒毀，嚴(yán)重的機械損傷；光刻缺陷，電遷移景象，金屬化層過薄，臺階斷鋁，外表粗糙發(fā)黑，外來物沾污等。4.3 金屬化覆蓋接觸孔不全，氧化層/鈍化層缺陷出如今金屬

24、化條下面或有源區(qū)內(nèi)，鈍化層裂紋或劃傷。 腐球分析。 主要目的是檢查球焊時采用的工藝能否對壓焊區(qū)呵斥不良影響如彈坑即壓區(qū)破裂。此時對其它部位可檢查可忽略。鏡檢能發(fā)現(xiàn)的問題一尋覓多余物和外來沾污物如殘留金絲，芯片邊緣碎裂留下的硅碴，焊料碴，口水星子高溫存放后常呈現(xiàn)棕黃色小圓點，水漬，殘存光刻膠，灰塵。 判別金屬化層外表有無鈍化層。假設(shè)方形鍵合電極周圍有方框那么闡明外表有鈍化層，與鍵合點下的電極相比有明顯的色差。同時有鈍化層時的芯片各分散區(qū)之間的顏色不如無鈍化層時艷麗，假設(shè)鈍化層呈現(xiàn)淺黃色，闡明鈍化層是聚酰亞胺有機涂層。根據(jù)顏色尋覓工藝缺陷。芯片外表的二氧化硅鈍化層不同的厚度有不同的干涉顏色，如灰0

25、.01微米，黃褐色0.03微米，茶色0.05微米,藍0.08微米，紫色0.1微米,綠色0.18微米,黃色0.21微米,橙色0.22微米,紅色0.25微米(指一次干涉顏色)，故根據(jù)芯片外表的顏色可判別不同分散區(qū)，或根據(jù)芯片外表上反常的顏色斑點來判別鈍化層和光刻/分散缺陷。鏡檢能發(fā)現(xiàn)的問題二根據(jù)幾何外形判別。 可判別線路設(shè)計構(gòu)造缺陷，金屬化傷痕和裂斷，金屬化燒毀，鍵合點外形和位置，鍵合線與芯片的夾角，MOS管的溝道顯露，接觸孔的覆蓋情況，芯片缺口或裂痕接近有源區(qū)，芯片安裝方向和焊料多少。 通?？设b別出的失效方式或機理如下：過電應(yīng)力引起的鍵合線或金屬化的開路或短路，以及較輕的電損傷痕跡如靜電擊穿點。鍵合線或金屬化焊接區(qū)的開路及短路。金屬電遷移。金屬化缺損或剝皮。封裝內(nèi)部的金屬腐蝕。氧化層污染，變色，缺陷，裂痕。芯片外表或芯片襯底的裂痕。掩模未套準(zhǔn)。外來多余物，特別是導(dǎo)電的可動多余物。鍵合位置不良。管腳腐蝕或鍍層零落。經(jīng)過介質(zhì)層或氧化層的短路。內(nèi)涂料的去除開帽后目檢時要去除芯片外表的鈍化層或內(nèi)涂料我們所說的點膠，內(nèi)涂料去除：聚脂涂料6235，1730，1152等可用甘油熱裂解的方法甘油加熱到沸騰堅持一定時間GN521，6235，1152用低分子的溶劑如二甲基甲酰胺浸泡12-24小時1152，6235用環(huán)