電子技術(shù)及應(yīng)用第一章晶體管放大電路與應(yīng)用課件

1、1.1 應(yīng)用示例 第1章 晶體管放大電路與應(yīng)用 常見(jiàn)擴(kuò)音器有線擴(kuò)音器：功率8W左右，覆蓋范圍在100米以?xún)?nèi)，音色要求高無(wú)線擴(kuò)音器：功率在35W100W之間，傳輸距離較遠(yuǎn)擴(kuò)音器原理圖 話(huà)筒為聲電換能設(shè)備，將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為微弱的電信號(hào)；晶體管小信號(hào)放大器將此電信號(hào)放大，再通過(guò)晶體管功率放大器向揚(yáng)聲器提供較大的輸出功率；揚(yáng)聲器為電聲換能設(shè)備，將放大后的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為較強(qiáng)的聲音信號(hào)。1.2 二極管及其應(yīng)用電路第1章 晶體管放大電路與應(yīng)用（1）半導(dǎo)體材料定義：半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）和 絕緣體（insulator）之間的一種物質(zhì)。 材料： 元素半導(dǎo)體：硅（Si）、鍺（Ge） 化合物

2、半導(dǎo)體：砷化鎵（GaAs）目前最常用的半導(dǎo)體材料是硅和鍺。 重要特性：熱敏特性 光敏特性 摻雜特性1、半導(dǎo)體的基本知識(shí)（2）半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)硅的原子核的最外層有4個(gè)電子，又叫價(jià)電子；受原子核的束縛力最小。共價(jià)鍵中的價(jià)電子不同于自由電子，不能導(dǎo)電。共價(jià)鍵：相鄰原子之間通過(guò)共有價(jià)電子的形式而結(jié)合起來(lái)價(jià)電子公有化運(yùn)動(dòng)，價(jià)電子不同于自由電子，不能導(dǎo)電。硅和鍺原子按一定的規(guī)則整齊的排列（3）本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用本征激發(fā)價(jià)電子得到足夠的能量成為自由電子同時(shí)原來(lái)共價(jià)鍵中流下一個(gè)空位空穴。1.本征半導(dǎo)體：完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體當(dāng)溫度升高或受到光照時(shí)（3）本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作

3、用本征激發(fā)產(chǎn)生自由電子與空穴成對(duì)出現(xiàn)；自由電子與空穴都是可以移動(dòng)的載流子；自由電子帶負(fù)電空穴帶正電2.載流子：可移動(dòng)的帶電粒子復(fù)合Four outer electrons around the nucleusPure Semicoductorholebondselectron本征半導(dǎo)體動(dòng)畫(huà)（4）雜質(zhì)半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體(Negative)摻入五價(jià)元素（雜質(zhì)）雜質(zhì)電離 形成一個(gè)自由電子和不能移動(dòng)的正離子N型半導(dǎo)體：施主雜質(zhì)自由電子多數(shù)載流子空穴少數(shù)載流子P型半導(dǎo)體(Positive)摻入三價(jià)元素B（雜質(zhì)）雜質(zhì)電離 形成一個(gè)空穴和不能移動(dòng)的負(fù)離子P型半導(dǎo)體：空穴多數(shù)載流子自由電子少數(shù)載流子（5）PN結(jié)

4、的形成濃度差空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)少子漂移運(yùn)動(dòng)動(dòng)態(tài)平衡多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)PN結(jié)的形成的動(dòng)態(tài)演示+-+-空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)（2）PN結(jié)的單向?qū)щ娦栽?、正向偏置P加電源、 N加電源外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)，從而促進(jìn)多子的擴(kuò)散，抑制少子的漂移。PN結(jié)中以多子的擴(kuò)散電流為主，方向PN，稱(chēng)為正向電流。正向電流較大，PN結(jié)呈現(xiàn)較小電阻，稱(chēng)PN結(jié)正向?qū)āN結(jié)正向偏置的動(dòng)態(tài)演示2、反向偏置P、 N外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)，從而抑制多子的擴(kuò)散，促進(jìn)少子的漂移。PN結(jié)中以少子的漂移電流為主，方向NP，稱(chēng)為反向電流 Isat。反向電流較小，PN結(jié)呈現(xiàn)較大電阻，稱(chēng)PN結(jié)反向截止。PN結(jié)反向偏置的動(dòng)態(tài)演示PN結(jié)正偏時(shí)，耗盡層變窄具有較大的正

5、向擴(kuò)散電流，呈現(xiàn)低電阻； PN結(jié)導(dǎo)通（仍有由本征激發(fā)引起的很小的反向漂移電流）。PN結(jié)反偏時(shí)，耗盡層加寬僅有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻。 PN結(jié)截止 結(jié)論 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。PN2、半導(dǎo)體二極管按制作工藝:普通二極管發(fā)光二極管光電二極管變?nèi)荻O管穩(wěn)壓二極管按實(shí)際用途:二極管的種類(lèi) 點(diǎn)觸型面結(jié)型平面型普通二極管圖片貼片整流二極管1N41481N4007螺栓式大功率二極管發(fā)光二極管圖片七彩發(fā)光二極管 光電二極管圖片二極管是單個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的器件,也具有單向?qū)щ娦?。?）結(jié)構(gòu)與符號(hào)（2）伏安特性門(mén)限電壓 (開(kāi)啟電壓) ： Uon0.5V(硅) 0.1V(鍺)導(dǎo)通壓降： UVD VD 0.60.

6、8V(硅) 取0.7v VD0.1 0.3V(鍺) 取0.2v反向飽和電流 Isat 0 nA量級(jí) (硅) A量級(jí)(鍺) 反向擊穿特性:反向電壓高到一定程度,反向電流急劇增大,而結(jié)電壓(-UBR)幾乎保持不變。擊穿包括雪崩擊穿和齊納擊穿。1、最大整流電流 IF：最大正向平均電流2、最高反向工作電壓 UR：3、反向電流 IR：越小越好4、最高工作頻率 fM ：取決于結(jié)電容（3）主要參數(shù)（1）等效電路模型+ uD iD （b）等效電路I（mA）U（V）O（a） U-I 特性 正向反向3.二極管基本應(yīng)用電路理想模型恒壓降模型（b）等效電路+ uD iD UD（a） U-I特性 U（V）OI（mA）U

7、D=0.7硅正向反向（2）二極管的應(yīng)用電路整流電路uittouOoabUab = uiui為交流信號(hào)，D為理想二極管ui 0時(shí)， D導(dǎo)通，uo=uiui 0時(shí)， D截止，uo=0b限幅電路D為硅管ui5sintV，E2Vttui/V5uO /V2.7-5-5aUab = uiE(1) Uab = uiE0.7時(shí)，即ui2.7V，D導(dǎo)通，uo2.7V(2) Uab = uiE0.7時(shí)，即ui I2I1 3E，2C，1B IC/IE=I2/I1=0.98 =IC/IB=I2/I1=50 如何用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量三極管的值？hFE e b cS9013NPNe b c注意:晶體管的共發(fā)射極電流 放大系數(shù)

8、在幾十至幾百之間三極管輸入電路: 對(duì)于每一個(gè)給定的uCE，都有一個(gè)相應(yīng)的iB與uBE之間的關(guān)系曲線與之對(duì)應(yīng)。因此，可將uCE作為參變量，從而可得到有若干條（理論上為無(wú)窮條）曲線的iB與uBE之間的共射輸入特性曲線簇。（4）三極管的共射輸入特性曲線iB（A）uBE（V）00.40.820604080uCE 1v uCE=0V 特點(diǎn)：1. uCE =0V時(shí)特性曲線類(lèi)似于一個(gè)二極管2. uCE 1V和uCE =0V的兩條輸入特性曲線可見(jiàn)，uCE 1V的特性曲線向右移動(dòng)了一段距離，且曲線基本重合。3. 發(fā)射結(jié)電壓uBE也存在一個(gè)導(dǎo)通電壓（或死區(qū)電壓、門(mén)坎電壓）Uon，4. 對(duì)于小功率管， 硅管Uon0

9、.5V，鍺管Uon0.1V。此外，三極管正常工作時(shí)，小功率管的iB一般為幾十微安到幾百微安，對(duì)于每一個(gè)給定的iB，都有一個(gè)相應(yīng)的iC與uCE之間的關(guān)系曲線與之對(duì)應(yīng)。因此，可將iB作為參變量，從而可得到有若干條（理論上為無(wú)窮條）曲線的iC與uCE之間的共射輸出特性曲線簇。（5）三極管的共射輸出特性曲線共射輸出特性分析 :不同的iB可以得到不同的曲線曲線起始部分較陡，逐漸趨于平坦 分為四個(gè)工作區(qū)：放大區(qū)、截止區(qū)、飽和區(qū)、擊穿區(qū)。放大區(qū) iB恒定時(shí)，uCE變化，iC亦近似不變恒流特性特點(diǎn)：發(fā)射結(jié)正偏, 集電結(jié)反偏（uBE 0， uBC0， uBC0 (NPN) ）飽和區(qū) 特點(diǎn)：2、iC 受uCE控制

10、，iC iB 3、三極管飽和時(shí)， uCEVCES 0.3V （深度飽和壓降） 壓降很低視為短路,4、 uCE=uBE（即uBC=0，集電結(jié)零偏）時(shí)的狀態(tài)稱(chēng)臨界飽和臨界飽和線是飽和區(qū)和放大區(qū)的分界線 UCE, sat 深度飽和壓降：小功率硅管0.3V左右，鍺管約0.1V1、發(fā)射結(jié)反偏, 集電結(jié)反偏 （uBE 0， uBC0 （NPN） iB =0 , iC = ICEO 0 三極管截止時(shí)，C、E間電流等于0，電阻很大，視為斷路 截止區(qū) ICEO =(1 +)ICBO穿透電流2.擊穿區(qū)：集電極反偏，電壓大于反向擊穿電壓特點(diǎn)：三個(gè)工作區(qū)的特點(diǎn)(NPN)工作區(qū)電 壓電 流放大UBE = 0.7 V ；

11、UBC UB UE ) ; UCES UCE0 ; UC UB ; UCE=UCES = 0.3 V發(fā)射結(jié)正偏, 集電結(jié)正偏I(xiàn)B IC截止UBE, 0 ；UCE =VCC發(fā)射結(jié)反偏, 集電結(jié)反偏 IB = IC = 0小結(jié)：例1、判斷圖示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。（a）可能 ；因?yàn)槭荘NP管，電路滿(mǎn)足：UCUBUBUE（c）不能；因?yàn)閁C=UB，不滿(mǎn)足UCUBUE的條件(d) 不能; 基極沒(méi)有保護(hù)電阻BE結(jié)會(huì)因電流過(guò)大而損壞。 例2、分別判斷圖示各電路中晶體管工作哪個(gè)工作區(qū)。 PNP 管，發(fā)射結(jié)正偏， 集電結(jié)反偏， 工作在放大區(qū)（a）NPN管,工作在放大區(qū) 解：（b） NPN管，

12、不在放大區(qū)。工作在截止區(qū)（c）NPN管，不在放大區(qū)。工作在飽和區(qū)(d)2.共射放大電路（1）共射放大電路的組成uiib ic=ibuoC1 、C2稱(chēng)為隔直電容或 耦合電容，該電路又稱(chēng)為阻容耦合共射放大電路。耦合電容的容量應(yīng)足夠大（一般為幾十微法，即對(duì)于交流信號(hào)近似為短路 ，其作用為“隔直流、通交流”。 共射固定偏流式放大電路(1)、三極管：放大器件 (3)、RB：基極偏置電阻 (4)、RC：集電極偏置電阻 (5)、RL：負(fù)載 (6)、C1和C2 ：耦合電容 (2)、直流電源Vcc：提供能源 通常、放大電路中直流電源的作用和交流信號(hào)的作用共存，這使得電路的分析復(fù)雜化，為簡(jiǎn)化分析，將他們分開(kāi)作用，

13、引入直流通路和交流通路的概念 。輸入信號(hào)為零（ui= 0 或 ii= 0）時(shí)，放大電路的工作狀態(tài) 靜態(tài)（直流工作狀態(tài)）輸入信號(hào)不為零時(shí)，放大電路的工作狀態(tài) 動(dòng)態(tài)（交流工作狀態(tài)） 電路處于靜態(tài)時(shí)，三極管各電極有確定不變的電壓、電流，在特性曲線上表現(xiàn)為一個(gè)確定點(diǎn)，稱(chēng)為靜態(tài)工作點(diǎn)，即Q點(diǎn)。 一般用IB、 IC和UCE （或IBQ、ICQ和UCEQ ）表示。uit0iBt0iCt0uCEt0uOt0uit0iBt0uBEt0iCt0uCEt0uot0uCE = VCC - iC RCuBE = UBE + ui uo = uCE - UCE直流通路作圖原則電容開(kāi)路；電感短路； 保留直流電源VCC（2）

14、直流通路與交流通路交流通路作圖原則電容短路；電感開(kāi)路；直流電源VCC置0（接地） 組成放大器時(shí)應(yīng)遵循的原則1.要有直流通路：E結(jié)正偏、C結(jié)反偏（放大狀態(tài)）并保證有合適的直流工作點(diǎn)2.要有交流通路：信號(hào)能輸入，信號(hào)能輸出交直流相互兼容，互不影響； 合適的元器件參數(shù)選擇。符號(hào)表示規(guī)范：基本符號(hào)+下標(biāo)符號(hào)（1）、大大：直流分量 IB（2）、小小：交流分量 ib（3）、大小：交流有效值 Ib（4）、小大：瞬時(shí)值(總值)=直流分量+交流分量 iB=IB+ib（3）符號(hào)使用規(guī)定（4）放大電路的靜態(tài)分析靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)輸出波形的影響飽和失真截止失真 注意：對(duì)于PNP管，由于是負(fù)電源供電，失真的表現(xiàn)

15、形式，與NPN管正好相反。由于放大電路的工作點(diǎn)達(dá)到了三極管的飽和區(qū)而引起的非線性失真。對(duì)于NPN管，輸出電壓表現(xiàn)為底部失真。由于放大電路的工作點(diǎn)達(dá)到了三極管的截止區(qū)而引起的非線性失真。對(duì)于NPN管，輸出電壓表現(xiàn)為頂部失真。靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)波形的影響：靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置對(duì)放大電路很重要，工作點(diǎn)選擇不當(dāng)可能引起波形失真。wtwtuce工作點(diǎn)太低頂部失真截止失真uceiCiCwtwt工作點(diǎn)太高底部失真飽和失真 對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的要求：一是合適，二是穩(wěn)定。 靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置對(duì)放大電路很重要，工作點(diǎn)選擇不當(dāng)可能引起波形失真。圖P2.37 共射基本放大電路問(wèn)題： 電路中各元器件對(duì)輸出信號(hào)的影響RB IB IC UC

16、E 輸出信號(hào)有可能產(chǎn)生飽和失真反之可能產(chǎn)生截止失真 電路中各元器件對(duì)輸出信號(hào)的影響RC IC 不變UCE 輸出信號(hào)有可能產(chǎn)生飽和失真 電路中各元器件對(duì)輸出信號(hào)的影響基極偏置電阻RB一旦確定IB確定IC、 UCE確定稱(chēng)此電路為固定偏置放大器（或者恒流式偏置放大器）一般通過(guò)調(diào)節(jié)RB來(lái)調(diào)節(jié)靜態(tài)工作點(diǎn)（5）放大電路的動(dòng)態(tài)分析放大電路考慮的因素：1. 輸出信號(hào)的幅度和功率要較輸入信號(hào)大(放大多少?)2. 放大器對(duì)信號(hào)源的影響(對(duì)前級(jí)的影響)3. 放大器對(duì)負(fù)載的影響(對(duì)后級(jí)的影響)+共射放大電路的性能指標(biāo)放大倍數(shù)（增益）衡量放大電路放大能力的指標(biāo)電流放大倍數(shù)：電壓放大倍數(shù)：功率放大倍數(shù): 電壓放大倍數(shù)（v

17、oltage gain）Au（dB）= 20lgAu工程上一般有源電壓放大倍數(shù)： 電流放大倍數(shù)（current gain）Ai（dB）= 20lgAi工程上一般有功率放大倍數(shù)（或功率增益，power gain）Ap（dB）= 10lgAp工程上一般有例：測(cè)得某共射放大電路輸入電壓Ui=3mV，輸出電壓 Uo=3V，則電壓放大倍數(shù)Au？分貝值？ 分貝值表示法：Au =1000000，用分貝表示則為Au =120 dB。 Au（dB）=60dB Au= 1000， Au（dB）=60dBAu（dB）= 20lgAuAi（dB）= 20lgAiAp（dB）= 10lgAp 在輸出信號(hào)不失真的前提下，

18、放大器對(duì)輸入信號(hào)放大的能力 放大倍數(shù)Au0時(shí)，說(shuō)明輸出、輸入信號(hào)的相位相反 Au的絕對(duì)值越大，說(shuō)明放大器的放大能力越強(qiáng)Ainout輸入電阻Ri：從輸入端向放大器看進(jìn)去的等效電阻雙極型晶體管的輸入電阻較低，約幾千歐。 JFET輸入電阻可達(dá)108以上，MOSFET輸入電阻可達(dá)1010以上；放大電路的性能指標(biāo)之二輸入電阻 Ri 1、放大器的輸入電阻相當(dāng)于信號(hào)源的負(fù)載電阻，輸入電阻表明了放大器對(duì)信號(hào)源的影響程度，顯然，Ri越大，ui 越接近uS ,信號(hào)源衰減越小，對(duì)信號(hào)源（電壓源）的影響就越小2、輸入電阻中不包括RSuo為開(kāi)路電壓Ro為戴維南等效輸出電阻放大電路的性能指標(biāo)之三輸出電阻對(duì)于負(fù)載RL來(lái)說(shuō)，

19、放大器的輸出端口相當(dāng)于一個(gè)信號(hào)源，這個(gè)等效信號(hào)源的內(nèi)阻就是放大器的輸出電阻Ro?；蛘哒f(shuō)，輸出電阻Ro就是從輸出端口向放大器看進(jìn)去的等效電阻。-UORO+（US） 1、在放大器和負(fù)載之間，放大器的輸出電阻相當(dāng)于信號(hào)源的內(nèi)阻，放大器的開(kāi)路輸出電壓相當(dāng)于信號(hào)源的電壓2、輸出電阻的大小反映了放大器帶負(fù)載能力的強(qiáng)弱，Ro越小，uo越接近uo ，輸出電壓越大，電路帶動(dòng)負(fù)載能力越強(qiáng)3、 Ro中不包含RL例：某放大電路，空載時(shí)測(cè)得輸出端電壓為6V，接上RL=4k 的負(fù)載，輸出端電壓為3V，則輸出電阻Ro=？ Ro=4k注意: 三項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都為交流量 當(dāng)放大電路的輸入信號(hào)電壓很小時(shí)，就可以把三極管小范圍內(nèi)的特性

20、曲線近似地用直線來(lái)代替，從而可以把三極管這個(gè)非線性器件所組成的電路當(dāng)作線性電路來(lái)處理。iB/AuBE/V0Q小信號(hào)等效電路分析法其中rbe 為幾百歐幾千歐 ;小信號(hào)模型僅適用于低頻小信號(hào)交流量；只能用于動(dòng)態(tài)分析，不能用于靜態(tài)分析。三極管的小信號(hào)等效電路 步驟求放大電路的Q點(diǎn)求rbe根據(jù)交流通路，畫(huà)出放大電路的小信號(hào)等效電路求出放大電路的性能指標(biāo)放大電路的小信號(hào)等效電路分析法例 如圖所示為共射基本放大電路，設(shè)三極管的 = 40，電路中各元件參數(shù)值分別為VCC =12V，RB =300k，RC =4k，RL =4k。試求放大電路的Au，Ri和RO。 解：BJT放大器微變等效電路圖io對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)

21、置要求：一是合理，二是穩(wěn)定。電源電壓變化電路參數(shù)變化管子、元件老化或更換溫度變化3、工作點(diǎn)穩(wěn)定的放大電路VCC和RB確定，IB即為固定“固定偏流電路”或“恒流式偏置電路 當(dāng)更換管子、環(huán)境溫度變化時(shí)，變化工作點(diǎn)不穩(wěn)定 溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響固定偏流電路不能滿(mǎn)足要求溫度變化：TICBO；T；TuBEIcQ點(diǎn)上移分壓式偏置電路 一種能自動(dòng)穩(wěn)定工作點(diǎn)的偏置電路如圖所示，該電路稱(chēng)為分壓式偏置電路或射極偏置電路。分壓式偏置電路是目前應(yīng)用最廣泛的一種偏置電路 圖 分壓式偏置電路 穩(wěn)定工作點(diǎn)原理目標(biāo)：溫度變化時(shí)，使IC維持恒定。 如果溫度變化時(shí)，b點(diǎn)電位能基本不變，則可實(shí)現(xiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定。T 穩(wěn)定原理： I

22、C IEIC UE、UB不變 UBE IB（反饋控制）b點(diǎn)電位基本不變的條件：I1 IB ，此時(shí)，不隨溫度變化而變化。UB UBE 且Re可取大些，反饋控制作用更強(qiáng)。 一般取 I1 =(510)IB ， UB =3V5V 實(shí)際常用電路問(wèn)題: 在實(shí)際應(yīng)用中，由于RE的接入，雖然帶來(lái)了穩(wěn)定工作點(diǎn)的好處，但卻使Au大大下降（RE對(duì)交流信號(hào)也產(chǎn)生負(fù)反饋）。實(shí)際常用電路問(wèn)題解決：通常在RE兩端并聯(lián)一個(gè)大電容CE（幾十至幾百F），由于CE對(duì)于交流信號(hào)而言相當(dāng)于短路（稱(chēng)為旁路電容），因此該電路的交流通路與共射基本放大電路完全相同。靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算+VCC只取決于外電路，和晶體管參數(shù)無(wú)關(guān)1、以分壓方式求基極電

23、壓UB2、由基極電壓求發(fā)射極電壓UE3、由發(fā)射極電壓求發(fā)射極電流IE4、由發(fā)射極電流求集電極電流IC5、最后求CE結(jié)壓降UCE6、由發(fā)射極電流求基極電流IB靜態(tài)參數(shù)求解方法-例1：放大電路如圖，已知=50，UBE=0.7V，（1）求靜態(tài)工作點(diǎn)IC 、UCE； 解:(1)靜態(tài)參數(shù): Re=Re1+Re2動(dòng)態(tài)分析一、BJT放大器三種組態(tài) 1. 共發(fā)射極接法：發(fā)射極作為輸入、輸出回路的公共電極，用CE表示；+-+-輸入回路輸出回路ibic4、共集電極放大電路一、BJT放大器三種組態(tài) 2. 共基極接法：基極作為輸入、輸出回路的公共電極，用CB表示；+-+-輸入回路輸出回路ieic 3. 共集電極接法：

24、集電極作為輸入、輸出回路的公共電極，用CC表示。一、BJT放大器三種組態(tài)+-+-輸入回路輸出回路ieib共集電極放大器分析求靜態(tài)工作點(diǎn)由得共集電極放大器分析小信號(hào)等效電路圖求電壓增益小信號(hào)等效電路圖輸出回路：輸入回路：電壓增益：其中一般，則電壓增益接近于1，即共集電極放大器分析求輸入電阻小信號(hào)等效電路圖根據(jù)定義由電路列出方程則輸入電阻當(dāng) ，時(shí)，輸入電阻大共集電極放大器分析求輸出電阻求RO的等效電路由電路列出方程其中則輸出電阻當(dāng)，時(shí)，輸出電阻小共集電極電路特點(diǎn)： 電壓增益小于1但接近于1， 輸入電阻大，對(duì)電壓信號(hào)源衰減小 輸出電阻小，帶負(fù)載能力強(qiáng)共集電極放大器分析1.4 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 第1章 晶體管放大電路與應(yīng)用 場(chǎng)效應(yīng)管是繼三極管之后發(fā)展起來(lái)的另一類(lèi)具有放大作用的半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單、低電源下工作，在集成電路中占有重要地位。本章講述場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型、工作原理、特性及其三組態(tài)電路等基本知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管概述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ6系列MOS3DJ6MOSMOS按溝道分為：N溝道P溝道結(jié) 型（JFET）SDG按工藝結(jié)構(gòu)分為