巨磁電阻應(yīng)用

1、關(guān)于巨磁電阻的應(yīng)用第一張，PPT共十頁，創(chuàng)作于2022年6月一、巨磁電阻效應(yīng)的定義 所謂巨磁電阻效應(yīng),是指材料的電阻率將受磁化狀態(tài)的變化而呈現(xiàn)顯著改變的現(xiàn)象。一般定義為 GMR=(P0-PH)/P0100% 其中,PH為在磁場H作用下材料的電阻率,P0指無外磁場作用下材料的電阻率.第二張，PPT共十頁，創(chuàng)作于2022年6月二、巨磁電阻工作原理巨磁阻是一種量子力學(xué)效應(yīng)，它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當(dāng)鐵磁層的磁矩相互平行時(shí)，載流子與自旋有關(guān)的散射最小，材料有最小的電阻。當(dāng)鐵磁層的磁矩為反平行時(shí)，與自旋有關(guān)的散射最強(qiáng)，材料的電阻最大。上下兩層為鐵磁材

2、料，中間夾層是非鐵磁材料。鐵磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁場控制的，因而較小的磁場也可以得到較大電阻變化的材料。 第三張，PPT共十頁，創(chuàng)作于2022年6月 三、巨磁電阻材料的應(yīng)用現(xiàn)狀 1、巨磁電阻傳感器 2、巨磁阻磁記錄讀出磁頭 3、巨磁電阻隨機(jī)存儲器(MRAM) 第四張，PPT共十頁，創(chuàng)作于2022年6月1、巨磁電阻傳感器 巨磁電阻傳感器采用惠斯登電橋和 磁屏蔽技術(shù)，傳感器基片上鍍了一層很厚的磁性材料，這層材料對其下方的巨磁電阻形成屏蔽，不讓任何外加磁場進(jìn)入屏蔽的電阻器?；菟沟请姌蛴杏芍幌嗤木薮烹娮杞M成，其中R1和R3在磁性材料上方，受外加磁場影響是電阻減少，而R2和R4在磁性材料下

3、方，被屏蔽阻值不變。 第五張，PPT共十頁，創(chuàng)作于2022年6月 巨磁電阻傳感器由于具有巨大的GMR值和較大的磁場靈敏度,表現(xiàn)出更強(qiáng)的競爭能力。 它大大提高傳感器的分辨率,靈敏度、精確性等指標(biāo),特別是在微弱磁場的傳感方面,如可用于偽鈔識別器等方面,則顯出更大的優(yōu)勢。更廣泛的應(yīng)用是各類運(yùn)動(dòng)傳感器,如對位置、速度、加速度、角度、轉(zhuǎn)速等的傳感,在機(jī)電自動(dòng)控制、汽車工業(yè)和航天工業(yè)等方面有廣泛的應(yīng)用。第六張，PPT共十頁，創(chuàng)作于2022年6月2、巨磁阻磁記錄讀出磁頭 采用薄膜電阻磁頭讀取信息,磁場的微弱變化對應(yīng)著磁電阻的顯著變化,是讀取高密度磁記錄信息較理想的手段。因此,磁電阻頭及巨磁電阻讀出磁頭是實(shí)現(xiàn)

4、新型超高密度磁記錄的關(guān)鍵技術(shù)及目前唯一有效途徑。第七張，PPT共十頁，創(chuàng)作于2022年6月3、巨磁電阻隨機(jī)存儲器(MRAM) 采用納米制造技術(shù)，以相對兩磁性層的平行磁化狀態(tài)和反平行磁化狀態(tài)分別代表信息“1”和“0”；與半導(dǎo)體存儲器一樣，是用電檢測由磁化狀態(tài)變化產(chǎn)生的電阻值之差進(jìn)行信息讀出的一種新型磁存儲器。MRAM潛在的重要優(yōu)點(diǎn)是非易失性，抗輻射能力強(qiáng)、壽命長，同時(shí)，它又兼有后者具有的大容量、高速存取、低成本、高集成度等特點(diǎn)。第八張，PPT共十頁，創(chuàng)作于2022年6月1 鐘喜春,曾德長,魏興釗,顧正飛. 巨磁電阻材料的研究與應(yīng)用J. 金屬功能材料. 2002(03) 2 趙燕平,由臣,寧保群. 巨磁電阻材料及應(yīng)用J. 天津理工學(xué)院學(xué)報(bào). 2003(03)3 于廣華,朱逢吾,賴武彥. 巨磁電阻材料及其在汽車傳感技術(shù)中的應(yīng)用J. 新材