BJ2939分立器件綜合參數(shù)測(cè)試儀

1、BJ2939分立器件綜合參數(shù)測(cè)試儀使用說明書 北京無線電儀器廠PAGE PAGE 42BJ2939 分立器件綜合參數(shù)測(cè)試儀使用說明書北京無線電儀器 錄第一章 概述 11.1 BJ2939分立器件綜合參數(shù)測(cè)試儀簡介 11.2系統(tǒng)具有的主要技術(shù)特征 11.3系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖 2第二章 測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo) 32.1各個(gè)源及表的技術(shù)指標(biāo) 32.2可測(cè)試器件種類 52.3測(cè)試參數(shù)匯總 62.4基本配置 62.5選用配置 7第三章 測(cè)試儀控制面板介紹 83.1鍵盤 83.2指示燈103.3測(cè)試鍵103.4蜂鳴器103.5復(fù)位鍵103.6串口接口113.7電源插口113.8電源開關(guān)1

2、13.9測(cè)試插座與測(cè)試盒11第四章 測(cè)試儀測(cè)試界面說明 134.1開機(jī)界面 134.2測(cè)試界面 134.2.1測(cè)試界面操作說明 134.2.2“選擇器件”按鈕操作說明 154.2.3“保存器件”按鈕操作說明 154.2.4“選擇測(cè)試結(jié)果”按鈕操作說明 164.2.5“保存測(cè)試結(jié)果”按鈕操作說明 16第五章 器件測(cè)試操作方法及注意事項(xiàng)175.1 晶體管（Transistor） 175.1.1晶體管測(cè)試界面 175.1.2晶體管測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件 175.1.3晶體管測(cè)試參數(shù)定義 195.1.4晶體管參數(shù)測(cè)試 195.2二極管（Diode） 225.2.1二極管測(cè)試界面 225.2.2二極管測(cè)試參

3、數(shù)及測(cè)試條件 225.2.3二極管測(cè)試參數(shù)定 235.2.4二極管參數(shù)測(cè)試 235.3穩(wěn)壓二極管（Zener Diode） 245.3.1穩(wěn)壓二極管測(cè)試界面 245.3.2穩(wěn)壓二極管測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件 245.3.3穩(wěn)壓二極管測(cè)試參數(shù)定義 255.3.4穩(wěn)壓二極管參數(shù)測(cè)試 255.4結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFet）265.4.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試界面 265.4.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件 265.4.3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試參數(shù)定義及測(cè)試條件說明 285.4.4結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試 285.5 MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFet） 295.5.1 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試界面 295.5.2 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試參

4、數(shù)及測(cè)試條件 295.5.3 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試參數(shù)定義及測(cè)試條件說明 305.5.4 MOS場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試 315.6可控硅（晶閘管）（Thyristor） 325.6.1可控硅測(cè)試界面 325.6.2可控硅測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件 325.6.3可控硅測(cè)試參數(shù)定義及測(cè)試條件說明 335.6.4可控硅參數(shù)測(cè)試 335.7光電耦合器（OptoCoupler） 355.7.1光電耦合器測(cè)試界面 355.7.2光電耦合器測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件 355.7.3光電耦合器測(cè)試參數(shù)定義及測(cè)試條件說明 365.7.4光電耦合器參數(shù)測(cè)試 37第六章 存儲(chǔ)器管理 39技術(shù)服務(wù) 41第一章 概 述1.1 BJ2939分

5、立器件綜合參數(shù)測(cè)試儀簡介:BJ2939是我公司推出的一種高端半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)充分吸收國外先進(jìn)測(cè)試系統(tǒng)的特點(diǎn)，采用了先進(jìn)的嵌入式計(jì)算機(jī)技術(shù)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)技術(shù)、12位并行A/D和D/A技術(shù)、多級(jí)開爾文反饋技術(shù)、小信號(hào)精密測(cè)試技術(shù)以及陣列開關(guān)結(jié)構(gòu)技術(shù)。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)、選材、工藝、制作、調(diào)試、校驗(yàn)等諸多方面與國內(nèi)現(xiàn)有同類系統(tǒng)相比均有較大突破，從而大大提高了系統(tǒng)的技術(shù)性能和可靠性，保證了該系統(tǒng)各項(xiàng)技術(shù)性能指標(biāo)處于國際先進(jìn)、國內(nèi)領(lǐng)先的地位。其特點(diǎn)是：側(cè)重于中小功率器件、測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力。系統(tǒng)軟件功能

6、全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指標(biāo)及國標(biāo)要求。系統(tǒng)采用方便易學(xué)的窗口菜單界面，在液晶窗口中，按照相應(yīng)的要求輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件，測(cè)試人員即可輕松快捷地控制系統(tǒng)，完成器件測(cè)試。操作人員不需具備專業(yè)計(jì)算機(jī)編程語言知識(shí)，使用簡捷方便。系統(tǒng)和測(cè)試夾具均采用多級(jí)開爾文結(jié)構(gòu)，自動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng)內(nèi)部產(chǎn)生的任何壓降，保證各種情況下測(cè)試結(jié)果的精度和準(zhǔn)確性。1.2 系統(tǒng)具有的主要技術(shù)特征：采用脈沖法測(cè)試參數(shù)、脈寬可為300S，符合國軍標(biāo)的規(guī)定采用嵌入式計(jì)算機(jī)控制，實(shí)現(xiàn)脫機(jī)運(yùn)行；12位并行D/A、A/D設(shè)計(jì)，測(cè)試速度快、精度高；采用多級(jí)開爾文

7、技術(shù)，系統(tǒng)穩(wěn)定性高，測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確；采用三級(jí)保護(hù)技術(shù)，系統(tǒng)可靠，對(duì)被測(cè)器件無損傷；晶體三極管自動(dòng)NPN和PNP 判別能力，防止選錯(cuò)類型；二極管極性自動(dòng)判別選擇，用戶測(cè)試二極管不必注意極性；完整的自檢/自校準(zhǔn)能力；測(cè)試系統(tǒng)需要的其它多種數(shù)據(jù)后處理能力；1.3 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖：圖1.1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖第二章 測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)2.1 各個(gè)源及表的技術(shù)指標(biāo)2.1.1 高壓電源電壓量程電流范圍分辨率(Dgt)電壓加壓精度20V1199V010mA0.293V1SetDgt2.1.2 主極電壓源2.1.2.1加壓檔位電壓量程電流范圍分辨率(Dgt)加壓精度1(0-4.99V)10A2.44mV1%SetDgt

8、2(5-9.99V)10A4.88mV1%SetDgt3(10-19.9V)10A9.76mV1%SetDgt2.1.2.2測(cè)流檔位測(cè)流量程測(cè)流電壓范圍分辨率(Dgt)測(cè)流精度1(1-10uA)5V9.76nA1%Rdg2Dgt2(10uA-100uA)5V97.6nA1%RdgDgt3(100uA-1mA)5V976nA1%RdgDgt4(1mA-10mA)5V9.76uA1%RdgDgt5(10mA-100mA)5V97.6uA1%RdgDgt6(100mA-1A)5V976uA1%RdgDgt7(1A-10A)5V9.76mA1%RdgDgt2.1.3 主極電流源檔位加流量程電壓范圍分辨

9、率(Dgt)測(cè)流精度1(1-10uA)20V4.88nA2%SetDgt2(10uA -100uA)20V48.8nA1%SetDgt3(100uA-1mA)20V0.488uA1%SetDgt4(1mA-10mA)20V4.88uA1%SetDgt5(10mA-100mA)20V48.8uA1%SetDgt6(100mA-1A)20V0.488mA1%SetDgt7(1A-10A)20V4.88mA2%SetDgt2.1.4 控制極電壓源檔位電壓量程電流范圍分辨率(Dgt)加壓精度1(0-4.99V)1A2.44mV1%SetDgt2(5-9.99V)1A4.88mV1%SetDgt3(10

10、-19.9V)1A9.76mV1%SetDgt2.1.5 控制極電流源檔位加流量程電壓范圍分辨率(Dgt)測(cè)流精度1(1uA-10uA)20V4.88nA2%SetDgt2(10uA -100uA)20V48.8nA1%SetDgt3(100uA-1mA)20V0.488uA1%SetDgt4(1mA-10mA)20V4.88uA1%SetDgt5(10mA-100mA)20V48.8uA1%SetDgt6(100mA-1A)20V0.488mA1%SetDgt2.1.6 微電流電流表檔位測(cè)流量程電壓范圍分辨率(Dgt)測(cè)流精度11nA-100nA10V48.8pA1%Rdg1nA2100nA

11、-1uA10V0.488nA1%Rdg4Dgt31uA-100uA10V48.8nA1%RdgDgt4100uA-10mA10V4.88uA1%RdgDgt2.1.7 電壓表一電壓量程分辨率(Dgt)讀取電壓精度10V4.88mV1%RdgDgt2.1.8 電壓表二電壓量程分辨率(Dgt)讀取電壓精度10V4.88mV1%RdgDgt注：Rdg 指實(shí)際真實(shí)值；Set 指實(shí)際設(shè)置值；Dgt 指分辨率（精度后面的數(shù)）；在后面器件指標(biāo)當(dāng)中包含有上述符號(hào)的意義與上面表述相同，不再陳述；2.2 可測(cè)試器件種類BJ2939系統(tǒng)測(cè)試功能強(qiáng)大，可測(cè)試七類中、小功率的半導(dǎo)體分立器件：1 二極管Diode2 穩(wěn)壓

12、（齊納）二極管Zener3 晶體管Transistor（NPN型/PNP型）4 可控硅整流器（普通晶閘管）SCR5 MOS場(chǎng)效應(yīng)管Power MOSFET（N-溝/P-溝）6 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管J-FET （N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型）7 光電耦合器OPTO-COUPLER上述所列類別包括各中、小功率半導(dǎo)體分立器件及其組成的陣列、組合、表貼器件。測(cè)試方法符合國家行業(yè)總規(guī)范、相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)、國家軍用器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。2.3測(cè)試參數(shù)匯總：2.3.1 晶體管參數(shù)： ICEO 、ICES 、ICBO 、IEBO 、VCE(sat）、VBE(sat) 、VBE(VBE(on)、hFE 、V(BR)EBO 、V

13、(BR)CEO 、V(BR)CBO；2.3.2 二極管參數(shù)： VF 、IR 、V(BR) ；2.3.3 穩(wěn)壓二極管參數(shù)： VF 、IR 、VZ ；2.3.4結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù):VGS(off) 、 gfs 、Yfs 、RDS(on) 、VDS(on) 、IGSS 、IDSS 、V(BR)GSS 、V(BR)GDO；2.3.5 MOS場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù):IDSS 、IGSSF 、IGSSR 、V(BR)DSS 、V(BR)GSS 、VGS(th) 、RDS(on) 、VDS(on) 、ID(on) 、gfs；2.3.6 可控硅參數(shù): IGT 、VGT 、IH 、IL 、VTM；2.3.7 光電耦合器參數(shù)

14、: VF 、IR 、VCE(sat) 、CTR 、hFE 、V(BR)ECO 、V(BR)EBO 、ICEO 、ICBO 、V(BR)CEO、V(BR)CBO；2.4基本配置BJ2939分立器件綜合參數(shù)測(cè)試儀 1臺(tái)常用測(cè)試夾具 5個(gè)測(cè)試夾線 1套2.5選用配置主控PC機(jī)(可選) 1臺(tái)其它測(cè)試夾具（可選）第三章 測(cè)試儀控制面板介紹3.1 鍵盤3.1.1 鍵盤如圖3.1所示：圖3.1 測(cè)試儀鍵盤（1） 按鍵數(shù)量為20個(gè)；（2） 按鍵類型：數(shù)字與字符共用按鍵： 9個(gè)；數(shù)字“0”與字符“-”共用按鍵：1個(gè)；方向鍵： 4個(gè)；上下翻頁鍵： 2個(gè)；清除與返回鍵：1個(gè)；確認(rèn)鍵：1個(gè)；“TAB”鍵：1個(gè)；小數(shù)點(diǎn)

15、鍵：1個(gè)；3.1.2 鍵盤使用說明：（1） 數(shù)字按鍵：數(shù)字按鍵共有10個(gè)，分別為數(shù)字09，向編輯框中輸入數(shù)字（編輯框處于編輯狀態(tài)時(shí)，這些按鍵有效）；（2） 字母按鍵：字母按鍵與數(shù)字按鍵的19共用，只有向器件類型名稱編輯框內(nèi)輸入器件型號(hào)時(shí)這些字母按鍵才有效，使用方法舉例：當(dāng)器件名稱編輯框處于編輯狀態(tài)時(shí)，按下數(shù)字1按鍵，此時(shí)輸入字符1，當(dāng)再次按下數(shù)字1按鍵時(shí)，輸入字符A，依次分別為字符B、C，四個(gè)字符循環(huán)輸入；當(dāng)某一位置的字符輸入完成后，用左右方向鍵移動(dòng)到其它位置，再輸入字符，直到輸入完成后，按“Enter”按鍵則器件型號(hào)輸入完成；（3） .按鍵：此按鍵與符號(hào)共用，用來向數(shù)據(jù)編輯框中輸入小數(shù)點(diǎn)符號(hào)

16、或者向器件型號(hào)編輯框內(nèi)輸入符號(hào)（編輯框處于編輯狀態(tài)時(shí)，此按鍵有效）；（4） 方向按鍵：方向鍵用來控制界面上的編輯框、選擇框及按鈕之間的移動(dòng)（編輯框處于編輯狀態(tài)時(shí)，這些方向鍵無效），當(dāng)向器件型號(hào)編輯框內(nèi)輸入型號(hào)時(shí)，左右方向鍵用來移動(dòng)輸入字符的位置；（5） 翻頁按鍵：右側(cè)上方兩個(gè)按鍵“Page Up”和“Page Down”用來控制界面的上下翻頁；（在編輯框處于編輯狀態(tài)時(shí)，這兩個(gè)按鍵無效；有的界面沒有上下翻頁時(shí)，這兩個(gè)按鍵也無效）；（6） “TAB”按鍵：此按鍵與方向按鍵類似，不同的是這個(gè)按鍵只向前移動(dòng)（編輯框處于編輯狀態(tài)時(shí)，此按鍵無效）；（7） “Return CLR”按鍵：這個(gè)按鍵有兩個(gè)作用；

17、一是在向編輯框內(nèi)輸入字符或者數(shù)字時(shí)，此按鍵用來清除輸入的字符或者數(shù)字（編輯框處于編輯狀態(tài)）；另一個(gè)是當(dāng)處于某一個(gè)界面時(shí)，按下此鍵可向上返回，直到返回開機(jī)主界面（編輯框處于非編輯狀態(tài)）；（8） “Enter”按鍵：此按鍵是確定鍵，功能比較多，分別用于對(duì)編輯框、選擇框及按鈕的確定操作；一是當(dāng)要向編輯框中輸入字符時(shí)請(qǐng)先按下此鍵，使編輯框處于可編輯狀態(tài)，當(dāng)編輯完成后再一次按下此鍵，表明字符或者數(shù)據(jù)輸入完成；二是用來選擇相應(yīng)的選擇框，例如測(cè)試選擇框當(dāng)按下此鍵時(shí)，選擇框內(nèi)會(huì)顯示一個(gè)“”，表明處于選擇狀態(tài)，再按一次則“”消失，表明沒有選擇；三是用來對(duì)單位按鍵進(jìn)行單位變化，例如當(dāng)光標(biāo)正移動(dòng)到一個(gè)單位按鈕時(shí)，按

18、下此鍵，則單位會(huì)發(fā)生變化；3.2 指示燈本機(jī)在前面板上共有四個(gè)指示燈：1：通過指示燈，綠色，當(dāng)測(cè)試完結(jié)果全部正確時(shí)此燈亮；2：失效指示燈，紅色，當(dāng)測(cè)試完結(jié)果有錯(cuò)誤時(shí)此燈亮；3：高壓指示燈，紅色，當(dāng)測(cè)試電壓大于30V時(shí)此燈亮，以警示測(cè)試人員，不要在此時(shí)觸碰測(cè)試插座；4：測(cè)試指示燈，橙色，當(dāng)測(cè)試時(shí)此燈亮，表示在測(cè)試器件，此時(shí)不要關(guān)閉電源，不要插撥測(cè)試器件及測(cè)試插座；3.3 測(cè)試鍵本機(jī)在前面板上有一個(gè)測(cè)試鍵，此鍵與測(cè)試指示燈共用，當(dāng)測(cè)試時(shí)請(qǐng)按此鍵，在測(cè)試過程中請(qǐng)不要再按下此鍵。3.4 蜂鳴器本機(jī)內(nèi)置一個(gè)蜂鳴器，當(dāng)開機(jī)及出現(xiàn)故障時(shí)蜂鳴器會(huì)發(fā)出響聲。3.5 復(fù)位鍵在本機(jī)背面有一個(gè)黑色的復(fù)位鍵，當(dāng)機(jī)器由于

19、一些故障或者其它原因出現(xiàn)死機(jī)等問題的時(shí)候，請(qǐng)按下此復(fù)位鍵，使測(cè)試儀重新復(fù)位。警告：當(dāng)正在進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，請(qǐng)不要按下此復(fù)位鍵；3.6 串口接口在本機(jī)背面有二個(gè)RS232串口接口，分別為一個(gè)公口的一個(gè)母口，內(nèi)部對(duì)應(yīng)相同的接口；作用：用來與上位機(jī)連接調(diào)試、校準(zhǔn)及數(shù)據(jù)傳輸；3.7 電源插口在本機(jī)背面有一個(gè)電源線插口，內(nèi)置過載保護(hù)；3.8 電源開關(guān)在本機(jī)背面有一個(gè)電源開關(guān)，用來接通電源；注意：當(dāng)關(guān)掉電源后請(qǐng)不要立即開啟電源，等待30秒后再開啟電源；3.9 測(cè)試插座與測(cè)試盒3.9.1測(cè)試插座如圖3.2所示圖3.2 測(cè)試插座示意圖3.9.2 測(cè)試插座共有六個(gè)插孔，與各類器件引腳對(duì)照如表3.1所示CBE其它兩

20、孔GND晶體管集電極(C)基極(B)發(fā)射極(E)空屏敝地二極管一端空另一端空屏敝地穩(wěn)壓二極管正向空反向空屏敝地結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管漏極(D)門極(G)源極(S)空屏敝地MOS場(chǎng)效應(yīng)管漏極(D)門極(G)源極(S)空屏敝地可控硅陽極（A）門極(G)陰極(K)空屏敝地光電耦合器集電極(C)基極(B)發(fā)射極(E)輸入端屏敝地表3.1 各類器件引腳與測(cè)試插座插孔對(duì)照表注：“空”代表在相應(yīng)器件測(cè)試時(shí)，沒有用到該測(cè)試插孔；“GND”為屏敝地；3.9.3 測(cè)試盒3.9.3.1 本儀器基本配置中共有四個(gè)測(cè)試盒；3.9.3.2 測(cè)試盒用途測(cè)試盒一專用于光電耦合器測(cè)試；測(cè)試盒二專用于二極管和穩(wěn)壓二極管的測(cè)試；測(cè)試盒三專用

21、于封裝類似TO-220的晶體管、J-FET、MOSFET及可控硅的測(cè)試；測(cè)試盒四專用于封裝類似TO-3的晶體管、J-FET、MOSFET及可控硅的測(cè)試；3.9.3.3 測(cè)試盒插入測(cè)試插座的時(shí)候，不用考慮方向；3.9.4 測(cè)試夾子線當(dāng)有的被測(cè)器件形狀比較特殊或者比較大，無法使用上述四個(gè)測(cè)試盒時(shí)，請(qǐng)用夾子線按照表3.1進(jìn)行連接測(cè)試；第四章 測(cè)試儀測(cè)試界面說明4.1 開機(jī)界面開機(jī)以后，顯示圖4.1所示的開機(jī)界面，此時(shí)“晶體管”按鈕默認(rèn)處于選擇狀態(tài)，此時(shí)可以通過方向鍵來選擇相應(yīng)的按鈕，當(dāng)選中需要使用的按鈕后，再按鍵盤中的“Enter ”鍵，則進(jìn)入相應(yīng)的測(cè)試界面或者管理界面。圖4.1 開機(jī)界面4.2 測(cè)

22、試界面如圖4.2所示（以晶體管測(cè)試界面為例）4.2.1測(cè)試界面操作說明（1）界面中白色長條框?yàn)榫庉嬁颍上蚱渲休斎胱址y(cè)試結(jié)果列的編輯框均不可編輯，光標(biāo)也無法移到）；（2）界面當(dāng)中白色小方框?yàn)檫x擇框，用來選擇測(cè)試條件和器件類型；（3）上方區(qū)域用來確定器件型號(hào)與類型，下方區(qū)域分為四列，分別用來設(shè)置器件測(cè)試條件、選擇測(cè)試參數(shù)、設(shè)置器件測(cè)試結(jié)果的最大值最小值、顯示測(cè)試結(jié)果；（4）上方區(qū)域的四個(gè)綠色按鈕用來打開相應(yīng)的界面，分別為“選擇器件”、“保存器件”、“查看測(cè)試結(jié)果”及“保存測(cè)試結(jié)果”界面；圖4.2 測(cè)試界面（5）下方區(qū)域的小綠色按鈕用來改變相應(yīng)測(cè)試條件及結(jié)果范圍的單位，若單位是電壓的，則在“V

23、”、“mV”、“uV”之間轉(zhuǎn)換，根據(jù)電壓范圍不同，其中一些電壓單位可能沒有；若單位是電流的，則在“A”、“mA”、“uA”之間轉(zhuǎn)換，根據(jù)電流范圍不同，其中一些電流單位可能沒有；（6）下方有向下藍(lán)色箭頭的表明有下一頁內(nèi)容，可以用下翻頁鍵來翻頁；同理，下方有藍(lán)色向上箭頭的表明有上一頁內(nèi)容，可以用上翻頁鍵來翻頁；（7） 當(dāng)打開晶體管測(cè)試界面時(shí)顯示圖4.2，此時(shí)顯示最后一次測(cè)試時(shí)的晶體管數(shù)據(jù)，若器件庫中沒有晶體管數(shù)據(jù)，則此時(shí)名稱框內(nèi)顯示為空、測(cè)試條件和測(cè)試結(jié)果都顯示為0（其它類型器件與此相同）；（8） 晶體管型號(hào)編輯框，用來輸入和顯示器件型號(hào)，打開此界面時(shí)默認(rèn)光標(biāo)在此位置，此時(shí)按下“Enter”鍵，即

24、可輸入器件名稱（其它類型器件勻與此相同）；（9） “NPN”與“PNP”用來選擇晶體管類型，默認(rèn)為“NPN”的，通過上下方向鍵和“Enter”按鍵可以改變；（其它種類器件有的有型號(hào)選擇，但功能不同，請(qǐng)參照相應(yīng)種類器件的說明；有的無此類型選擇功能，則不用考慮）（10） “選擇器件”按鈕用來選擇已經(jīng)存儲(chǔ)在機(jī)器內(nèi)的晶體管型號(hào)數(shù)據(jù)；（11） “保存器件”按鈕用來保存正在顯示的晶體管型號(hào)數(shù)據(jù)；（12） “查看測(cè)試結(jié)果”按鈕用來顯示已經(jīng)測(cè)試完成的晶體管測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)；（13） “保存測(cè)試結(jié)果”按鈕用來保存剛測(cè)試完成的晶體管測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)；4.2.2“選擇器件”按鈕操作說明（其它種類器件操作與此相同)：圖4.3

25、 “選擇器件”界面4.2.2.1 若器件庫中沒有晶體管數(shù)據(jù)，則按下此按鈕后無任何反應(yīng)；4.2.2.2 若器件庫中有晶體管數(shù)據(jù)，則按下此按鈕后會(huì)顯示如圖4.3，此時(shí)默認(rèn)處于最后調(diào)用晶體管的位置，移動(dòng)方向鍵來選擇相應(yīng)型號(hào)的晶體管，當(dāng)移動(dòng)到相應(yīng)型號(hào)晶體管位置時(shí)，按下“Enter”鍵，則把此型號(hào)晶體管的數(shù)據(jù)調(diào)入到當(dāng)前晶體管測(cè)試界面；若按下“Return ”鍵，則返回到測(cè)試界面，不進(jìn)行任何操作；若此時(shí)按下“.”鍵，則刪除選擇型號(hào)的晶體管數(shù)據(jù)；4.2.2.3 在此界面的上方會(huì)顯示出晶體管的總數(shù)，總頁數(shù)及當(dāng)前頁碼，若頁碼大于1時(shí)，可以通過上下翻頁鍵翻頁查看；4.2.3“保存器件”按鈕操作說明（其它種類器件操

26、作與此相同)：4.2.3.1 當(dāng)按下“保存器件”按鈕后，當(dāng)前晶體管測(cè)試界面的數(shù)據(jù)會(huì)保存到存儲(chǔ)器中；4.2.3.2 若晶體管數(shù)據(jù)庫已經(jīng)有此型號(hào)的數(shù)據(jù)，此時(shí)會(huì)發(fā)出警告，是否覆蓋此前的數(shù)據(jù)，這時(shí)用戶根據(jù)情況自己選擇；4.2.3.3 晶體管數(shù)據(jù)庫中可以存放1110個(gè)不同型號(hào)的晶體管數(shù)據(jù)，超過時(shí)不能保存成功，請(qǐng)按照4.2.2.2說明刪除多余的數(shù)據(jù)或者在“存儲(chǔ)器管理”當(dāng)中刪除所有數(shù)據(jù)；4.2.4“查看測(cè)試結(jié)果”按鈕操作說明（其它種類器件操作與此相同)：4.2.4.1 若存儲(chǔ)器中沒有晶體管測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)，則按下此按鈕后無任何反應(yīng)；4.2.4.2 若存儲(chǔ)器中有晶體管測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)，則按下此按鈕后會(huì)顯示如圖4.3，

27、此時(shí)默認(rèn)處于最后調(diào)用晶體管的位置，移動(dòng)方向鍵來選擇相應(yīng)型號(hào)的晶體管，當(dāng)移動(dòng)到相應(yīng)型號(hào)晶體管位置時(shí)，按下“Enter”鍵，則把此型號(hào)晶體管的測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)調(diào)入到當(dāng)前晶體管測(cè)試界面；若按下“Return ”鍵，則返回到測(cè)試界面，不進(jìn)行任何操作；若此時(shí)按下“.”鍵，則刪除選擇型號(hào)的晶體管測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)；4.2.4.3 在此界面的上方會(huì)顯示出晶體管的測(cè)試結(jié)果的總數(shù)，總頁數(shù)及當(dāng)前頁碼，若頁碼大于1時(shí)，可以通過上下翻頁鍵翻頁查看；4.2.5“保存測(cè)試結(jié)果”按鈕操作說明（其它種類器件操作與此相同)：4.2.5.1 當(dāng)按下“保存測(cè)試結(jié)果”按鈕后，當(dāng)前晶體管測(cè)試界面的測(cè)試結(jié)果會(huì)保存到存儲(chǔ)器中；4.2.5.2 晶體管

28、數(shù)據(jù)庫中可以存放4900個(gè)晶體管測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)，超過此數(shù)時(shí)不能保存成功，請(qǐng)按照4.2.4.2的說明刪除多余的測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)或者在“存儲(chǔ)器管理”當(dāng)中刪除所有測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)；4.2.5.3 為了使用方便、靈活請(qǐng)不要保存過多的測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)，造成操作不便；對(duì)于過時(shí)的測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)請(qǐng)及時(shí)刪除；第五章 器件測(cè)試操作方法及注意事項(xiàng)5.1 晶體管（Transistor）5.1.1 晶體管測(cè)試界面5.1 晶體管測(cè)試界面上5.2 晶體管測(cè)試界面下5.1.2 晶體管測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件晶體管共有11個(gè)測(cè)試參數(shù)，如表5.1所示：測(cè)試參數(shù)測(cè)試條件測(cè)試范圍測(cè)試精度名稱施加范圍ICEOICESICBOVCEVCEVCB0.1V-11

29、99V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAIEBOVEB0.10V-19.99V10uA-100uA100uA-1mA1mA-10mA10mA-100mA2%Rdg100nA2%Rdg1uA2%Rdg10uA2%Rdg100uAVCE(sat）VBE(sat)IB10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVIC10uA-1AVBE(VBE(on)VCE0.10V-19.99V0.10V-19.99V2%Rdg10mVIC10uA-10AhFEVCE0.10V-19.99V199

30、9992%Rdg1(取整)IC10uA-10AV(BR)EBOIB10uA-1A0.10V-19.99V2%Rdg10mVV(BR)CEO V(BR)CBOIC10nA-10mA0.10V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.5V5.1 晶體管測(cè)試參數(shù)表注1:表中測(cè)試條件范圍、測(cè)試范圍及測(cè)試精度均為絕對(duì)值，向測(cè)試界面編輯框中輸入數(shù)據(jù)時(shí)，不需要考慮正負(fù)，器件測(cè)試數(shù)據(jù)的正負(fù)均由所選擇的器件種類及器件類型由CPU處理器決定（以下所有種類器件測(cè)試均與此相同，不再陳述）；注2:表中測(cè)試條件施加范圍即是向界面數(shù)據(jù)編輯框內(nèi)輸入數(shù)據(jù)時(shí)的范圍，輸入數(shù)據(jù)時(shí)不要超出表中范圍（以下所有種類器件測(cè)試

31、均與此相同，不再陳述）；注3：晶體管的維持電壓參數(shù)VCEO(sus) 和VCER(sus) 兩個(gè)參數(shù)不能測(cè)試，請(qǐng)不要把這兩個(gè)參數(shù)誤認(rèn)為是擊穿電壓；5.1.3 晶體管測(cè)試參數(shù)定義 ICEO 基極開路時(shí)集電極-發(fā)射極截止電流； ICES 基極發(fā)射極短路時(shí)集電極-發(fā)射極截止電流； ICBO 發(fā)射極開路時(shí)集電極-基極截止電流； IEBO 集電極開路時(shí)發(fā)射極-基極截止電流； VCE(sat) 集電極-發(fā)射極飽合壓降； VBE(sat) 基極-發(fā)射極飽合壓降； VBE(VBE(on) 基極-發(fā)射極直流（開啟）電壓； hFE 正向電流傳輸比（放大倍數(shù)）； V(BR)EBO 發(fā)射極-基極擊穿電壓； V(BR)

32、CEO 集電極-發(fā)射極擊穿電壓； V(BR)CBO 集電極-發(fā)基極擊穿電壓；5.1.4 晶體管參數(shù)測(cè)試5.1.4.1 界面參數(shù)介紹界面當(dāng)中的每一個(gè)參數(shù)占用一行或者兩行，從左至右依次為測(cè)試條件、參數(shù)測(cè)試選擇框、測(cè)試結(jié)果的范圍（有的只有最小值，有的只有最大值，有的兩都皆有）以及測(cè)試結(jié)果（其它器件測(cè)試界面布局與此相同）；5.1.4.2 飽合壓降參數(shù)左側(cè)的兩個(gè)測(cè)試條件Ic和Ib為飽合壓降的測(cè)試條件，對(duì)于這兩個(gè)測(cè)試參數(shù)，因?yàn)闂l件相同，所以放在了一起；5.1.4.3 Vbe開啟電壓參數(shù)的測(cè)試條件有兩個(gè)，分別在其左側(cè)的Vce和左側(cè)下方的Ic（其它類型器件有兩個(gè)條件的測(cè)試參數(shù)布局與此相同）；5.1.4.4 在

33、測(cè)試之前請(qǐng)先選擇相應(yīng)的測(cè)試器件，或者輸入相應(yīng)的測(cè)試條件；5.1.4.5 晶體管的極性判別功能：測(cè)試之前請(qǐng)先選擇晶體管的類型，默認(rèn)為NPN型；晶體管的測(cè)試有極性判別功能，能夠檢測(cè)出器件是NPN型，還是PNP型，當(dāng)插錯(cuò)時(shí)，測(cè)試不會(huì)進(jìn)行；當(dāng)極性判別出錯(cuò)時(shí)會(huì)出現(xiàn)下圖提示信息：5.3 晶體管極性判別錯(cuò)誤提示信息此時(shí)可能出現(xiàn)的問題：1：界面當(dāng)中晶體管極性設(shè)置與被測(cè)晶體管極性不一致；2：測(cè)試插座中的晶體管沒有插緊；3：測(cè)試插座中的晶體管沒有插對(duì)位置；4：被測(cè)晶體管已經(jīng)損壞，無法測(cè)試；此時(shí)單擊“Enter”按鍵并檢查后再重新測(cè)試；5.1.4.6 選擇測(cè)試參數(shù)；若沒有選擇測(cè)試參數(shù)，則只會(huì)進(jìn)行極性判別而不進(jìn)行測(cè)試

34、；5.1.4.7 按開始測(cè)試鍵開始測(cè)試，注意：1：測(cè)試時(shí)間隨著器件不同時(shí)間也會(huì)不相同； 2：測(cè)試期間請(qǐng)勿再按測(cè)試鍵；3：測(cè)試期間若高壓指示燈亮，請(qǐng)不要觸碰測(cè)試盒及被測(cè)器件；4：測(cè)試期間不要按下復(fù)位鍵；5：測(cè)試期間不要隨意停電或者關(guān)機(jī)；6：測(cè)試期間若出現(xiàn)不正常的響聲，或者有異常的氣味，請(qǐng)立即關(guān)機(jī)停電；7：測(cè)試期間若出現(xiàn)死機(jī)現(xiàn)象，請(qǐng)按復(fù)位鍵重新復(fù)位；8：其它器件測(cè)試注意事項(xiàng)與此相同，不再陳述；5.1.4.8 測(cè)試結(jié)果返回到測(cè)試界面的結(jié)果列表當(dāng)中；若沒有填寫測(cè)試結(jié)果范圍，則測(cè)試結(jié)果沒有正確與否的分別，若有測(cè)試結(jié)果范圍，則測(cè)試結(jié)果超出測(cè)試結(jié)果范圍后，則認(rèn)為錯(cuò)誤，顯示為紅色；（其它類型器件與此相同，不再

35、陳述）5.1.4.9 測(cè)試結(jié)果保存，請(qǐng)參照4.2.5章節(jié)；5.2 二極管（Diode）5.2.1 二極管測(cè)試界面5.4 二極管測(cè)試界面5.2.2 二極管測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件二極管共有3個(gè)測(cè)試參數(shù)，如表5.2所示：測(cè)試參數(shù)測(cè)試條件測(cè)試范圍測(cè)試精度名稱施加范圍IRVR1V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAVFIF10uA -10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVV(BR)IR10uA 10mA1V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.3V5.2 二極管測(cè)

36、試參數(shù)表5.2.3 二極管測(cè)試參數(shù)定義 VF正向直流電壓； IR 反向直流電流； V(BR) 擊穿電壓；5.2.4 二極管參數(shù)測(cè)試5.2.4.1 極性判別二極管具有方向自動(dòng)判別功能，能夠自動(dòng)識(shí)別二極管的正向和反向；當(dāng)判別出錯(cuò)后會(huì)出現(xiàn)下圖所示的提示信息：5.5 二極管方向判別錯(cuò)誤提示信息此時(shí)可能出現(xiàn)的問題：1：測(cè)試插座中的二極管沒有插緊；2：被測(cè)二極管已經(jīng)損壞，無法測(cè)試；此時(shí)單擊“Enter”按鍵并檢查后再重新測(cè)試；5.2.4.2 測(cè)試測(cè)試過程與晶體管相同，不再陳述。5.3 穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）5.3.1 穩(wěn)壓二極管測(cè)試界面5.6 穩(wěn)壓二極管測(cè)試界面5.3.2 穩(wěn)壓二極管測(cè)試參數(shù)

37、及測(cè)試條件穩(wěn)壓二極管共有3個(gè)測(cè)試參數(shù)，如表5.3所示：測(cè)試參數(shù)測(cè)試條件測(cè)試范圍測(cè)試精度名稱施加范圍IRVR0.10V-200V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAVFIF10uA -10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVVZIZT10uA 10A0.10V-20V2%Rdg10mV10uA 10mA20V-100V2%Rdg0.3V5.3 穩(wěn)壓二極管測(cè)試參數(shù)表5.3.4 穩(wěn)壓二極管測(cè)試參數(shù)定義 VF正向直流電壓； IR 反向直流電流； VZ 齊納電壓；5.3.4 穩(wěn)壓二極管參數(shù)測(cè)試

38、注意：1.穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值Vz的測(cè)試分為兩個(gè)檔位，當(dāng)Vz超20V的時(shí)候，測(cè)試電流小于10mA，若給出的測(cè)試條件大于10mA，且穩(wěn)壓值大于20V，則不能測(cè)試；2.穩(wěn)壓二極管無正反向判別功能，不要插反，其它與二極管相同，不再陳述。5.4 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFet）5.4.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試界面5.7 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試界面上5.8 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試界面下5.4.2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管共有9個(gè)測(cè)試參數(shù)，如表5.4所示：測(cè)試參數(shù)測(cè)試條件測(cè)試范圍測(cè)試精度名稱施加范圍VGS(off)VDS0.10V-19.99V0.10V-19.99V2%Rdg10mVID10uA-10AgfsV

39、DS0.10V-19.99V0.1mS-1000S2%Rdg0.1mSID10uA-10AYfsVDS0.10V-19.99V0.1mS-1000S2%Rdg0.1mSRDS(on)ID10uA-10A10m-100K2%Rdg0.1mVDS(on)ID10uA-10A0.10V-19.99V1%Rdg10mVIGSSVGS0.10V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAIDSSVDS0.10V-20V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-10

40、0uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uA10mA-100mA2%Rdg20uA20V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAV(BR)GSSIG10nA-10mA0.10V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.5VV(BR)GDOIG10nA-10mA0.10V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.5V5.4 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試參數(shù)表5.4.3 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試參數(shù)定義及測(cè)試條件說明 VGS(off) 柵-源截止電壓，測(cè)試條件

41、：VDS ，ID為規(guī)定值； gfs 正向傳輸跨導(dǎo)，測(cè)試條件：VDS ，ID為規(guī)定值； Yfs 正向傳輸導(dǎo)納，測(cè)試條件：VDS為規(guī)定值，VGS=0； RDS(on) 漏-源通態(tài)電阻，測(cè)試條件：ID為規(guī)定值，VGS=0； VDS(on) 漏-源通態(tài)電壓，測(cè)試條件：ID為規(guī)定值，VGS=0； IGSS 漏-源短路時(shí)的柵極截止電流，測(cè)試條件：VGS為規(guī)定值，VDS=0； IDSS 柵-源短路時(shí)的漏極電流，測(cè)試條件：VDS為規(guī)定值，VGS=0； V(BR)GSS 漏-源短路時(shí)的柵源擊穿電壓，測(cè)試條件：IG為規(guī)定值，VDS=0； V(BR)GDO 漏極開路時(shí)的柵-源擊穿電壓，測(cè)試條件：IG為規(guī)定值；5.4

42、.4 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試gfs和Yfs兩個(gè)參數(shù)，在同一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效管器件手冊(cè)當(dāng)中一般不會(huì)同時(shí)存在，選擇手冊(cè)當(dāng)中有的參數(shù)進(jìn)行測(cè)試；注意：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)無極性判別功能，安裝時(shí)不要插反，其它與晶體管相同，不再陳述。5.5 MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFet）5.5.1 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試界面5.9 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試界面上5.10 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試界面下5.5.2 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件MOS場(chǎng)效應(yīng)管共有10個(gè)測(cè)試參數(shù)，如表5.5所示：測(cè)試參數(shù)測(cè)試條件測(cè)試范圍測(cè)試精度名稱施加范圍IDSSVDS 與表5.4中相同參數(shù)的范圍、精度相同IGSSFVGS 與表5.4中IGSS參數(shù)的范圍、精度相同IGSSR

43、VSG 與表5.4中IGSS參數(shù)的范圍、精度相同V(BR)DSSID 與表5.4中V(BR)GSS參數(shù)的范圍、精度相同V(BR)GSSIG 與表5.4中相同參數(shù)的范圍、精度相同VGS(th)ID10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVRDS(on)VGS0.10V-19.99V與表5.4中相同參數(shù)的范圍、精度相同ID10uA-10AVDS(on)VGS0.10V-19.99V與表5.4中相同參數(shù)的范圍、精度相同ID10uA-10AID(on)VGS0.10V-19.99V10uA-10A2%Rdg2Dgt(Dgt 參考2.1.3)VDS0.10V-19.99VgfsVDS 與

44、表5.4中相同參數(shù)的范圍、精度相同ID5.5 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試參數(shù)表5.5.3 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試參數(shù)定義及測(cè)試條件說明 IDSS 柵-源短路時(shí)的漏極電流，測(cè)試條件：VDS為規(guī)定值，VGS =0； IGSSF 漏-源短路時(shí)，柵極正向漏電流，測(cè)試條件：VGS為規(guī)定值，VDS =0； IGSSR 漏-源短路時(shí)，柵極反向漏電流，測(cè)試條件：VGS為規(guī)定值，VDS=0； V(BR)DSS 柵-源短路時(shí)的漏源擊穿電壓，測(cè)試條件：ID為規(guī)定值，VGS =0； V(BR)GSS 漏-源短路時(shí)的柵源擊穿電壓，測(cè)試條件：IG為規(guī)定值，VDS =0； VGS(th) 柵-源閾值電壓，測(cè)試條件：ID為規(guī)定值，VGS

45、 =0； RDS(on) 靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻；測(cè)試條件：VGS ,ID為規(guī)定值； VDS(on) 靜態(tài)漏-源通態(tài)電壓，測(cè)試條件：VGS ,ID為規(guī)定值； ID(on) 靜態(tài)源極通態(tài)電流，測(cè)試條件：VGS , VDS為規(guī)定值；gfs 正向跨導(dǎo)，測(cè)試條件：VDS ,ID為規(guī)定值；5.5.4 MOS場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試本測(cè)試儀只測(cè)試增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管；在測(cè)試MOS管之前請(qǐng)選擇MOS管的類型（默認(rèn)是N溝道增強(qiáng)型），否則容易造成測(cè)試錯(cuò)誤，甚至機(jī)器損壞；注意：MOS場(chǎng)效應(yīng)無極性判別功能，安裝時(shí)不要插反，其它與晶體管相同，不再陳述。5.6 可控硅（晶閘管）（SCR）5.6.1可控硅測(cè)試界面5.11 可控硅測(cè)試

46、界面5.6.2 可控硅測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件可控硅共有5個(gè)測(cè)試參數(shù)，如表5.6所示：測(cè)試參數(shù)測(cè)試條件測(cè)試范圍測(cè)試精度名稱施加范圍IGTVD 0.10V-19.99V10uA-200mA2%Rdg2Dgt(Dgt 參考2.1.5)RL10-1000IL10uA-1AVGTVD 0.10V-19.99V0.10V-19.99V2Rdg2Dgt(Dgt 參考2.1.4)RL10-1000IL10uA-1AIHVD0.10V-19.99V10uA-1A2%Rdg2Dgt(Dgt 參考2.1.3)IT10uA-1AIGT10uA-200mAILVD0.10V-19.99V10uA-1A2%Rdg2Dgt(D

47、gt 參考2.1.3)IT10uA-1AIGT10uA-200mAVTMITM10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg2Dgt(Dgt 參考2.1.2)5.6 可控硅測(cè)試參數(shù)表5.6.3 可控硅測(cè)試參數(shù)定義及測(cè)試條件說明 IGT 門極觸發(fā)電流，使可控硅由斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)所必須的最小門極電流；測(cè)試條件：VD ,RL為規(guī)定值； 或：VD ,IL為規(guī)定值； VGT 門極觸發(fā)電壓，產(chǎn)生門極觸發(fā)電流所必須的門極電壓；測(cè)試條件：與IGT的測(cè)試條件相同； IH 維持電流，使可控硅維持通態(tài)所必須的最小電流測(cè)試條件：VD ,IT為規(guī)定值；必要時(shí)有RGK； 或：VD ,IGT為規(guī)定值；必要時(shí)有RGK；IL

48、擎住電流，可控硅剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)，并移除觸發(fā)信號(hào)之后，能維持通態(tài)所必須的最小主電流；測(cè)試條件：與IH 的測(cè)試條件相同； VTM 通態(tài)電壓，可控硅處于通態(tài)時(shí)的主電壓；測(cè)試條件：ITM為規(guī)定值；5.6.4 可控硅參數(shù)測(cè)試1. IGT和VGT的測(cè)試條件有兩種情況一種是Vd與Rl，另外一種是Vd和It，把這三個(gè)測(cè)試條件放在了這兩個(gè)參數(shù)的左邊，根據(jù)器件手冊(cè)中參數(shù)的測(cè)試條件選擇相應(yīng)測(cè)試條件；2. IGT和VGT的測(cè)試不可以在控制極和陰極之間加電阻；3. 當(dāng)有的可控硅器件要求測(cè)試時(shí)在控制極和陰極之間加1K電阻或者其它電阻時(shí)，請(qǐng)把IGT和VGT兩個(gè)參數(shù)的測(cè)試與其它參數(shù)測(cè)試分別測(cè)試；4. IH和IL的測(cè)試條件有

49、兩種測(cè)試條件，一種是VD 與IT，另外一種是VD 和IGT，把這三個(gè)測(cè)試條件放在了這兩個(gè)參數(shù)的左邊，根據(jù)實(shí)際器件參數(shù)的測(cè)試條件選擇相應(yīng)測(cè)試條件；測(cè)試這兩個(gè)參數(shù)的時(shí)候，可以不用輸入IGT條件，儀器有自動(dòng)尋找功能，可以尋找到合適的IGT電流值，但是如果輸入了這個(gè)測(cè)試條件，而測(cè)試不正確時(shí)，可以相應(yīng)加大IGT值，使得管子處于導(dǎo)通狀態(tài)；5.當(dāng)測(cè)試IH、IL 和VTM 三個(gè)參數(shù)時(shí)，如果需要RGK ，請(qǐng)?jiān)跍y(cè)試盒插入相應(yīng)的電阻，正常時(shí)為1K； 并且與上述兩個(gè)測(cè)試參數(shù)分開測(cè)試；注意：可控硅應(yīng)無極性判別功能，安裝時(shí)不要插反，其它與晶體管相同，不再陳述。5.7 光電耦合器（OptoCoupler）5.7.1光電耦合器測(cè)試界面5.12 光電耦合器測(cè)試界面上5.13 光電耦合器測(cè)試界面下5.7.2 光電耦合器測(cè)試參數(shù)及測(cè)試條件光電耦合器共有11個(gè)測(cè)試參數(shù)，如表5.7所示：測(cè)試參數(shù)測(cè)試條件測(cè)試范圍測(cè)試精度名稱施加范圍VFIF10uA-1A0.10V-19.99V2%Rdg10mVIRVR0.1V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAVCE(sat）IB10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVIC10uA-1ACTRVCE0.10V-