集成電路物理設(shè)計(jì)庫(共25頁)

1、集成電路(jchng-dinl)物理設(shè)計(jì)庫集成電路物理設(shè)計(jì)庫（PDK 和標(biāo)準(zhǔn)單元庫）作為芯片制造商、EDA供應(yīng)商、芯片設(shè)計(jì)者之間的橋梁。開發(fā)工作必備的資源較多：工藝信息、集成電路設(shè)計(jì)方法和 EDA 技術(shù)。從 2006 年開始，電子設(shè)計(jì)平臺(tái)與共性技術(shù)研究室基于中芯國際、上海宏力、上海華虹的 65nm、90nm、 0.13um 和 0.35um 等工藝節(jié)點(diǎn)，開發(fā)出一系列功能完善、器件類型豐富、設(shè)計(jì)合理及參數(shù)正確的 PDK 和標(biāo)準(zhǔn)單元庫，并建立(jinl)了相應(yīng)的設(shè)計(jì) 參考流程。在實(shí)現(xiàn) PDK 完整功能的基礎(chǔ)上，相關(guān)研發(fā)團(tuán)隊(duì)從設(shè)計(jì)者角度優(yōu)化 參數(shù)化單元的 CDF 參數(shù)，并采用結(jié)構(gòu)化的方式開發(fā) Pce

2、ll 和批處理方 式驗(yàn)證 Pcell，保證了開發(fā)流程的高效性和可靠性。同時(shí)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單 元進(jìn)行了 OPC 校正，移向掩膜分析(PSM)，分辨率增強(qiáng)(RET)等 DFM 優(yōu)化分析；光學(xué)模擬仿真結(jié)果證實(shí)了優(yōu)化后的標(biāo)準(zhǔn)單元邊緣放置誤差(EPE)平均減小了 5%，即優(yōu)化后的標(biāo)準(zhǔn)單元庫具有更高的可靠性、準(zhǔn) 確性和可制造性。經(jīng)過驗(yàn)證，每套 PDK 和標(biāo)準(zhǔn)單元庫都能靈活準(zhǔn)確的 支持電路設(shè)計(jì)。能夠根據(jù)芯片設(shè)計(jì)者的需求提供專業(yè) PDK 設(shè)計(jì)服務(wù)(fw)和芯片設(shè)計(jì)技術(shù)支持。在此基礎(chǔ)上，建立了一套完善的設(shè)計(jì)開發(fā)流程。電子設(shè)計(jì)平臺(tái)(pngti)與共性技術(shù)研究室開發(fā)的集成電路物理設(shè)計(jì)庫的 工藝設(shè)計(jì)包（PDK：Proces

3、s Design Kit）應(yīng)用于數(shù)?；旌?IC 設(shè)計(jì),其包含的內(nèi)容是和全定制流程緊密結(jié)合在一起的。PDK 庫主要包括以 下內(nèi)容：（1） 器件(qjin)模型(Device Model)：由 Foundry 提供的仿真模型文件； （2）Symbols & View：用于原理圖設(shè)計(jì)的符號(hào),參數(shù)(cnsh)化的設(shè)計(jì)單 元都通過了 SPICE 仿真的驗(yàn)證； （3）組件描述格式(CDF:Component Description Format) & Callback：器件的屬性描述文件,定義了器件類型、器件名稱、器件參數(shù)及參數(shù)調(diào)用關(guān)系函數(shù)集 Callback、器件模型、器件的各種 視圖格式等；（4）參數(shù)

4、化單元(Pcell:Parameterized Cell)：它由 Cadence 的 SKILL 語言編寫,其對(duì)應(yīng)的版圖通過了 DRC 和 LVS 驗(yàn)證,方便設(shè)計(jì) 人員進(jìn)行原理圖驅(qū)動(dòng)的版圖(SDL:Schematic Driven Layout)設(shè)計(jì) 流程；（5）技術(shù)文件(Technology File)：用于版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的工藝 文件,包含 GDSII 的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)層和工藝層的映射關(guān)系定義、設(shè)計(jì)數(shù) 據(jù)層的屬性定義、在線設(shè)計(jì)規(guī)則、電氣規(guī)則、顯示色彩定義和圖 形格式定義等；（6）物理(wl)驗(yàn)證規(guī)則文件(PV Rule File)：包含版圖驗(yàn)證文件集(DRC/LVS/RC)。而集成電路物理設(shè)計(jì)庫的

5、標(biāo)準(zhǔn)單元庫應(yīng)用于大規(guī)模數(shù)字 IC 設(shè)計(jì),從前端功能仿真到后端版圖實(shí)現(xiàn)支撐著整個(gè)數(shù)字 IC 設(shè)計(jì)流程。標(biāo)準(zhǔn) 單元庫研究的主要(zhyo)內(nèi)容包括:（1） 網(wǎng)表信息文件(wnjin)：包含標(biāo)準(zhǔn)單元的器件尺寸和節(jié)點(diǎn)連接關(guān)系。（2）Verilog/VHDL 模型：提供 verilog/VHDL 模型，行為級(jí)網(wǎng)表，用于 verilog/VHDL 網(wǎng)表仿真。（3）Symbols 模型：符號(hào)庫模型文件，供原理圖工具，綜合工具的電路圖顯示。（4）GDSII：具有標(biāo)準(zhǔn)單元的 layout 信息，提供給 layout 設(shè)計(jì) 工具，如 Astro、ICC、Virtuoso，laker 等。（5）LEF：定義布局布線

6、的設(shè)計(jì)規(guī)則和晶圓廠的工藝信息，標(biāo)準(zhǔn)單元的物理信息(單元的放置區(qū)域，對(duì)稱性，面積大小供布局時(shí)使用)，單元輸入輸出端口的布線層、幾何形狀、不可布線區(qū)域以及天線效應(yīng)參數(shù)供布線使用；（6）.lib 綜合庫模型：包含工藝信息，標(biāo)準(zhǔn)單元時(shí)延、面積、 功耗信息，可用于的 DC、PT、Astro、ICC 等工具；（7）Fastacsn：用于生成測(cè)試向量的，綜合之后插入 DFT 掃描鏈時(shí)使用； （8）噪聲庫：信號(hào)(xnho)完整性分析。知識(shí)產(chǎn)權(quán)(zh sh chn qun) IP 核庫電子設(shè)計(jì)平臺(tái)與共性技術(shù)研究室通過多年開展的 IP 技術(shù)，積累 經(jīng)驗(yàn)，與國內(nèi)外主要代工廠和 IP 供應(yīng)商建立了良好的合作關(guān)系，并

7、已開展 IP 庫建設(shè)(jinsh)的研究。該庫的建設(shè)能夠提升 IP 服務(wù)能力，促進(jìn)專 用電路的 IP 轉(zhuǎn)化，并為 IP 集成應(yīng)用提供指導(dǎo)。IP 模型提取技術(shù)針 對(duì)時(shí)序模型、功耗模型、物理模型、接口邏輯模型、天線模型和仿真 模型等。通過對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán) IP 核庫的深入研究，該項(xiàng)技術(shù)方法產(chǎn)業(yè)化，能 夠在很大程度上解決現(xiàn)在國內(nèi) IP 應(yīng)用面臨的很多問題，包括 IP 價(jià)格 過高，IP 查詢不便，質(zhì)量無保證，接口不標(biāo)準(zhǔn)，使用不便等問題。 知識(shí)產(chǎn)權(quán) IP 核庫的建立，真正促進(jìn) IC 設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展，通過 IP 設(shè)計(jì)、IP 標(biāo)準(zhǔn)、IP 標(biāo)準(zhǔn)等方面的方法學(xué)的運(yùn)用，幫助企業(yè)開發(fā)、包裝、整合 IP 資源，建立可供交換和復(fù)

8、用的 IP 庫，降低中小企業(yè)進(jìn)入行業(yè)的門檻。32nm以下設(shè)備(shbi)關(guān)鍵技術(shù)研究和創(chuàng)新設(shè)備技術(shù)探索02專項(xiàng)項(xiàng)目(xingm)“32nm 以下設(shè)備(shbi)關(guān)鍵技術(shù)研究和創(chuàng)新設(shè)備技術(shù)探索”取得重大進(jìn)展，突破了等離子體浸沒注入、激光退火、原子層沉積、薄層對(duì)流清洗、中性粒子刻蝕、光子篩無掩模光刻、二氧化碳超臨界清洗和常壓等離子體去膠八種新原理裝備的核心技術(shù)。同時(shí)，本項(xiàng)目的研究成果已應(yīng)用于黑硅太陽能電池和超淺結(jié)制造，納米C3N4、TiO2、AL2O3和HfO2薄膜生長，及Smart-Cut制備二維電子材料等多項(xiàng)技術(shù)研究。其中，多晶黑硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到16.8%，高于同批次普通電池0.5個(gè)百

9、分點(diǎn)；原子層沉積設(shè)備已開始產(chǎn)業(yè)化推 廣，并開展了多片式PEALD設(shè)備開發(fā)；高效率固態(tài)射頻電源核心技術(shù) 獲得突破，500W電源實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn)。此外，該項(xiàng)目中的多項(xiàng)技術(shù)已 與相關(guān)企業(yè)進(jìn)行了技術(shù)合作，開展產(chǎn)業(yè)化開發(fā)和推廣。本項(xiàng)目的開展使微電子所占據(jù)了國內(nèi)新原理IC裝備技術(shù)創(chuàng)新的制 高點(diǎn)，并在國際上實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)有設(shè)備廠商在創(chuàng)新技術(shù)領(lǐng)域互相競(jìng)爭(zhēng)的 態(tài)勢(shì)，在IC裝備領(lǐng)域擁有了自己的一席之地。32nm 以下(yxi)關(guān)鍵設(shè)備有機(jī)(yuj)基板實(shí)驗(yàn)線依托微電子所系統(tǒng)封裝技術(shù)研究室（九室）牽頭(qin tu)承擔(dān)的 02 重大 專項(xiàng) “高密度三維系統(tǒng)級(jí)封裝的關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目，目前國內(nèi)設(shè) 備最完善、技術(shù)水平最高的

10、先進(jìn)封裝實(shí)驗(yàn)室在微電子所初步建成（如 圖 30 所示），主要包括：有機(jī)基板實(shí)驗(yàn)室、微組裝實(shí)驗(yàn)室、可靠性 與失效分析實(shí)驗(yàn)室、電學(xué)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室、設(shè)計(jì)與仿真實(shí)驗(yàn)室等，其中有 機(jī)基板試驗(yàn)線已經(jīng)通過驗(yàn)收開始試運(yùn)行，現(xiàn)已成功在 FR4 板上制作出15um/15um 線寬線距的光刻圖形（如圖所示），在此基礎(chǔ)上成功 采用半加成工藝制作出線寬線距為 10m/20um 的銅電路圖形（如圖所示）。此項(xiàng)技術(shù)使微電子所初步具備了加工高密度三維封裝基板的 能力，以及參與研究開發(fā)高端三維封裝基板國際競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù)基礎(chǔ)，標(biāo) 志著微電子所高端封裝基板的實(shí)驗(yàn)室電路加工能力達(dá)到世界先進(jìn)水平。先進(jìn)(xinjn)封裝實(shí)驗(yàn)室設(shè)備（部分）線寬線

11、距 15um/15um 的光刻膠圖形(txng)線寬線距 10um/20um 銅電路(dinl)截面照片NeeMo 關(guān)愛(un i)系列NeeMo 是高科技的個(gè)人 GPS 追蹤定位裝置，靈敏度高，設(shè)備采用 雙模定位，GPS 衛(wèi)星與 GSM 基站定位配合使用，技術(shù)更加完善(wnshn)，保證 室內(nèi)室外隨時(shí)在線。NeeMo 語音中心(zhngxn)讓你和 NeeMo 設(shè)備自如語音互動(dòng)，并且 NeeMo 具有 摔倒功能，老人出現(xiàn)意外跌倒，Neemo 立刻聲音報(bào)警，提醒周圍的人， 并且即刻向監(jiān)護(hù)人手機(jī)發(fā)送警告信息與當(dāng)前位置信息。NeeM 具有全面的進(jìn)入離開等安全管理操作及隨時(shí)隨地的提醒你 家

12、人位置情況的服務(wù)NeeMo 心電監(jiān)護(hù)系列：NeeMo 心電監(jiān)護(hù)系統(tǒng)產(chǎn)品適用于心臟活動(dòng)不穩(wěn)定的病人如心肌梗死或心律失常等患者的監(jiān)護(hù)。設(shè)備能隨時(shí)了解心臟活動(dòng)的狀況，心臟活動(dòng)異常時(shí)及時(shí)報(bào)警，給您隨時(shí)隨地的關(guān)愛和呵護(hù)。功能(gngnng)講解圖及設(shè)備解析圖設(shè)備(shbi)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)設(shè)備(shbi)網(wǎng)絡(luò)功能概述牙科實(shí)時(shí)(sh sh)監(jiān)控系統(tǒng)Teemo 是一個(gè)超薄可重復(fù)使用的傳感器形狀適合牙弓，并連接到您現(xiàn)有的 PC 的 USB 端口。評(píng)估咬合力量很簡(jiǎn)單，只要有病人咬上傳感器，計(jì)算機(jī)將顯示時(shí)機(jī)和力量數(shù)據(jù)分析，當(dāng)咬合不平衡時(shí)，會(huì)產(chǎn)生牙齒疼痛、修復(fù)過的牙齒的斷裂、牙周病、牙齒脫落、頭痛、顳下頜關(guān)節(jié)障礙、牙床萎縮

13、和松動(dòng)、牙齒磨損、敏感度增加。根據(jù) Teemo 提供的咬合信息來幫助牙醫(yī)去修復(fù)牙齒和治療牙病，使咬合平衡。Teemo可以查看患者的所有咬合記錄，這樣對(duì)比下來，有助于牙醫(yī)和患者看到牙齒的修復(fù)過程。該項(xiàng)目技術(shù)主要包括三部分：1、包括柔性傳感器陣列的制作；2、高速數(shù)據(jù)掃描，傳輸以及處理的電路的設(shè)計(jì)；3、相關(guān)(xinggun)牙科壓力檢測(cè)處理和軟件算法的開發(fā)。傳感器及支架(zhji)設(shè)備手柄和支架(zhji)及組裝圖可視多傳感器姿態(tài)(zti)檢測(cè)終端可視多傳感器姿態(tài)檢測(cè)終端是集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心基于ARM11 硬件平臺(tái)，集成了姿態(tài)傳感器、攝像頭、雷達(dá)、溫度傳感器、LCD 液晶顯示屏等模塊于一體，在

14、軟件平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了攝像、溫度測(cè)量、 測(cè)距，以及姿態(tài)信息的綜合顯示的檢測(cè)終端。該終端主要功能包括：4.3 寸大屏幕信息顯示(xinsh)、溫度監(jiān)測(cè)、三維 運(yùn)動(dòng)狀態(tài)檢測(cè)、視頻采集與處理、超聲測(cè)距。該終端具有：全觸摸屏操作，安全便捷；外觀簡(jiǎn)單實(shí)用(shyng)；多傳感 器數(shù)據(jù)融合和可擴(kuò)展應(yīng)用的特點(diǎn)。適用于智能交通系統(tǒng)中的物流運(yùn)輸車輛，尤其(yuq)是危險(xiǎn)品運(yùn)輸，冷 鏈物流等特殊物流行業(yè)應(yīng)用，結(jié)合不同行業(yè)的業(yè)務(wù)特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)車輛三維 姿態(tài)檢測(cè)（側(cè)翻檢測(cè)）、溫度監(jiān)測(cè)、測(cè)距、視頻采集等功能，保證行車安全的同時(shí)提高物流運(yùn)輸?shù)馁|(zhì)量，提高行業(yè)工作效率，增強(qiáng)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力?？梢暥鄠鞲衅髯藨B(tài)檢測(cè)終端集成(j chn)磁性傳感器

15、集成磁性傳感器以對(duì)運(yùn)動(dòng)物體的感知和檢測(cè)為應(yīng)用目標(biāo)，完成非 晶絲的高精度磁阻傳感器系統(tǒng)功能設(shè)計(jì)，并結(jié)合高精度加速度傳感器， 陀螺傳感器，GPS 模塊，微處理器組成系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了由微處理器對(duì)運(yùn) 動(dòng)物體的姿態(tài)，行進(jìn)方向，移動(dòng)位移進(jìn)行計(jì)算，實(shí)現(xiàn)精密(jngm)定位。該傳感器具有(jyu)以下功能：運(yùn)動(dòng)物體姿態(tài)檢測(cè)、運(yùn)動(dòng)物體前進(jìn)方向 檢測(cè)、運(yùn)動(dòng)物體位移檢測(cè)、運(yùn)動(dòng)物體高度檢測(cè)和運(yùn)動(dòng)物體位置檢測(cè)的 功能。并具有多傳感器數(shù)據(jù)融合、體積小、高精度、低功耗、全方位 感知和檢測(cè)運(yùn)動(dòng)物體的狀態(tài)的特點(diǎn)。本產(chǎn)品通過集成多種傳感器實(shí)現(xiàn)對(duì)運(yùn)動(dòng)物體的前進(jìn)方向、位移、 高度、三維姿態(tài)、位置的檢測(cè)，從而確定該運(yùn)動(dòng)物體的實(shí)時(shí)狀態(tài)，可

16、應(yīng)用于航空航天、醫(yī)療康復(fù)、生物工程、軍事體育等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的 多個(gè)場(chǎng)景，其各個(gè)子成果也有著多種應(yīng)用領(lǐng)域，具有廣闊的市場(chǎng)前景 和社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益。集成(j chn)磁性傳感器紅外熱像儀光學(xué)讀出非制冷紅外熱像采用新型光學(xué)讀出方式(fngsh)，無需復(fù)雜的微 讀出電路，擁有低成本優(yōu)勢(shì)，可在社會(huì)各領(lǐng)域大規(guī)模普及應(yīng)用。其工 作原理圖如下：光讀出紅外熱像儀原理圖基于 MEMS 工藝的第三代 FPA 采用無基底、多回折、間隔鍍金等 諸多獨(dú)家專利技術(shù)，使該紅外熱像儀擁有高溫度(wnd)分辨率等性能優(yōu)勢(shì)， 其溫度分辨率已達(dá)到熱性紅外熱像儀的典型值（100mK），其理論分 辨率可以進(jìn)一步達(dá)到制冷紅外熱像儀的典型值（1

17、0mK）；純機(jī)械式 的 FPA 設(shè)計(jì)完全避免了電學(xué)元素，通過簡(jiǎn)單的工藝復(fù)制即可方便的制作出超大陣列的 FPA（1024x1024），再結(jié)合基于空間濾波技術(shù)的并 行式光學(xué)讀出方法，使該紅外熱像儀擁有實(shí)現(xiàn)超大陣列 FPA 的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。非制冷(zhlng)紅外熱像儀產(chǎn)業(yè)化樣機(jī)照片及紅外圖像面向(min xin)22納米(n m)及以下技術(shù)代的CMOS器件集成技術(shù)研究在 22 納米技術(shù)代 CMOS 器件集成技術(shù)研究中，實(shí)現(xiàn)了雙高 K 介質(zhì)/雙金屬柵器件集成，優(yōu)化了器件性能；提出并實(shí)現(xiàn)了一種體硅三 柵 FinFET 新結(jié)構(gòu)器件，進(jìn)一步有效降低成本，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程；同 時(shí)開展面向 15 納米及以下技術(shù)代體

18、硅納米線環(huán)柵 N/PMOS 器件的研究。 共發(fā)表論文 10 篇，其中 SCI 收錄 6 篇，EI 收錄 3 篇。 發(fā)明專利授 權(quán) 4 項(xiàng)，其中美國發(fā)明專利授權(quán) 1 項(xiàng)；受理 45 項(xiàng)，其中美國受理 12項(xiàng)。1雙高 K 介質(zhì)雙金屬柵 CMOS 器件集成技術(shù)(jsh)研究通過雙高 k 介質(zhì)/雙金屬柵 CMOS 器件集成技術(shù)研究，實(shí)現(xiàn)了 N、 PMOS 采用不同的高 k/金屬柵,可分別進(jìn)行性能優(yōu)化。為此著重研究了 高 k、金屬柵材料(cilio)的干、濕法腐蝕特性，研發(fā)了滿足高 k/金屬柵集成 需要的高選擇比的選擇性去除工藝 ；通過開發(fā) N、PMOS 的 HKMG 疊層 結(jié)構(gòu)的同步刻蝕，簡(jiǎn)化了工藝，

19、結(jié)合清洗工藝模塊的研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了雙高 k、雙金屬柵的集成；制定了采用先柵工藝實(shí)現(xiàn)雙高 k/雙金屬柵CMOS 器件制備的工藝流程，成功地制備了具有良好電學(xué)性能的雙高k/雙金屬柵 CMOS 器件。先柵工藝(gngy)雙高 K 介質(zhì)/雙金屬柵 CMOS 器件電學(xué)特性，其 NMOS 器件疊層 柵結(jié)構(gòu)為 poly-Si /TaN /HfSiON /ILSiOx， PMOS 器件的疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)為 poly-Si /TaN /MoAlN/HfSiAlON /ILSiOx。2. 體硅三柵 FinFET 新結(jié)構(gòu)器件的設(shè)計(jì)、制備與特性提出并實(shí)現(xiàn)了一種體硅三柵 FinFET 新結(jié)構(gòu)器件(qjin)，其 Fin 底部由S

20、iO2 介質(zhì)隔離層與襯底隔離開，消除了源漏之間泄漏電流路徑；同時(shí)源漏區(qū)域仍然與襯底相連，相比 SOI FinFET，其散熱性能好，成本低。(a) (b) (c) (d) （a）隔離(gl)氧化后的 SEM 照片(zhopin) （b）柵電極刻蝕后 SEM 照片柵長 50nm 體硅三柵 FinFET 新結(jié)構(gòu)器件電學(xué)特性（c）亞閾值特性 （d）輸出特性3.面向 15 納米及以下技術(shù)代體硅納米線環(huán)柵 N/PMOS 器件納米線環(huán)柵 MOSFETs 由于極強(qiáng)的溝道靜電勢(shì)控制能力已經(jīng)成為器件 尺寸縮小到 15nm 節(jié)點(diǎn)及以下的極有希望的競(jìng)爭(zhēng)者。提出了一種體硅 納米線環(huán)柵 MOS 器件新結(jié)構(gòu)，并提出了一套全

21、新的低成本的在體硅上 實(shí)現(xiàn)納米線環(huán)柵 CMOS 器件的器件制備工藝流程，在關(guān)鍵工藝研發(fā)成 功基礎(chǔ)上，研制成功了納米線直徑為 7nm-5nm 的 N/PMOS 器件（柵長33nm-50nm），其中納米線直徑為 6nm 的體硅納米線環(huán)柵 NMOS 器件（柵長 50nm）的飽和驅(qū)動(dòng)電流為 2.7103A/m，高的開關(guān)態(tài)電流比（5108）；納米線直徑 6nm 體硅納米線環(huán)柵 PMOS（柵長 40nm）的飽和驅(qū)動(dòng)電流為 3.1103A/m，高的開關(guān)態(tài)電流比（1.5109）。N/PMOS器件的短溝道效應(yīng)得到了極好的抑制，Ss 分別達(dá)到了 64mV/dec 和 67mV/dec，DIBL 因子為 6mV/V

22、 和 14mV/V。性能優(yōu)于際上同類技術(shù)的67mV/dec，DIBL 因子為 6mV/V 和 14mV/V。性能優(yōu)于際上同類技術(shù)的先進(jìn)水平。從不同方向觀察(gunch)硅納米線形貌： （a）硅納米線俯視(fsh)（左）和剖面（右）的 SEM 照片(zhopin)（一次氧化層還未去掉） （b）懸浮的硅納米線（c）在氧化剝離后的懸浮硅納米線，納米線直徑 6nm（柵氧化前）Poly-Si 柵電極形成后的 SEM 剖面 （d）照片體硅納米線環(huán)柵 N/P MOSFETs 的電學(xué)特性(txng)高壓驅(qū)動(dòng)芯片(xn pin)取得突破射頻(sh pn)集成電路研究室的技術(shù)團(tuán)隊(duì)在“863”項(xiàng)目的資助下，成功開發(fā)

23、出一款多穩(wěn)態(tài)高壓驅(qū)動(dòng)電路芯片，并成功實(shí)現(xiàn)無源電子紙顯示屏（Passive - EPD）的驅(qū)動(dòng)，為國內(nèi)相關(guān)顯示器技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化解決了驅(qū) 動(dòng)集成電路這一瓶頸問題。射頻集成電路研究室該項(xiàng)目的 863 伙伴“蘇州漢朗光電”的 EPD技術(shù)起源于劍橋大學(xué)，在 EPD 材料領(lǐng)域經(jīng)過了多年的積累，具有大尺 寸和真彩支持等優(yōu)點(diǎn)。本次產(chǎn)品開發(fā)是基于超高壓 CMOS 工藝（90V）的多電壓 Driver 設(shè)計(jì)并一次流片成功，產(chǎn)品在超高壓 CMOS 工藝上使 用了正、負(fù)對(duì)稱高壓輸出設(shè)計(jì)。相比于同類單側(cè)高壓設(shè)計(jì)，便于簡(jiǎn)化 顯 示 器 驅(qū) 動(dòng) 電 源 設(shè) 計(jì) ， 并 在 EPD 領(lǐng) 域 首 次 實(shí) 現(xiàn) 超 高 壓 COG（

24、Chip-On-Glass）封裝驅(qū)動(dòng)。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)同時(shí)也進(jìn)行了 EPD 顯示器單 側(cè)高壓輸出和基于恒流源的驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)，單側(cè)高壓輸出的設(shè)計(jì)同樣 獲得成功驗(yàn)證。基于恒流源的設(shè)計(jì)可望用于 OLED、LED 背光等其他應(yīng) 用場(chǎng)合。該驅(qū)動(dòng)芯片低耗電且綠色環(huán)保，提高了能源利用率，本次超 高壓 EPD 驅(qū)動(dòng)芯片的流片成功為其后續(xù)的產(chǎn)業(yè)化打下了良好的基礎(chǔ)。高壓(goy)驅(qū)動(dòng)芯片12.寬帶無線通信射頻芯片與模塊研發(fā)取得(qd)階段性進(jìn)展在國家重大專項(xiàng)和科技部國際合作項(xiàng)目支持下，經(jīng)過 3 年多努力， 射頻集成電路研究室 UWB 超寬帶無線通信、60GHz 毫米波通信和 4G移動(dòng)通信射頻芯片與模塊研發(fā)均攻克了核心技術(shù)

25、，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)驗(yàn)證， 研制出的 6-9GHz 超寬帶射頻芯片組和搭建出射頻模塊，完成了首個(gè) 符合中國標(biāo)準(zhǔn)和頻譜規(guī)劃的超寬帶演示(ynsh)系統(tǒng)，成果被推薦列入十一五 科技成果匯編；基于 60GHz 毫米波通信系列芯片和毫米波通信模塊，成功實(shí)現(xiàn)了高速傳輸演示；開發(fā)出了兼容TD-SCDMA 和 TD-LTE 的 4G射頻芯片與模塊，完成了支持 44 MIMO 的 IMT-Advanced 系統(tǒng)演示。 射頻芯片研發(fā)成果獲得了北京市科委的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目支持，依托北京市4G 聯(lián)盟，推進(jìn)新一代移動(dòng)通信射頻芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。(a)6-9GHz 超寬帶射頻(sh pn)芯片 (b)毫米波無線傳輸(chun sh)演

26、示系統(tǒng)（a）4G 終端射頻(sh pn)芯片 （b）44 MIMO 射頻收發(fā)模塊13.多模衛(wèi)星導(dǎo)航(dohng)芯片組與接收機(jī)模塊中國科學(xué)院微電子研究所在衛(wèi)星(wixng)導(dǎo)航領(lǐng)域長期投入，已有 8 年以 上的積累，先后(xinhu)得到中科院知識(shí)創(chuàng)新重大項(xiàng)目、863 重點(diǎn)項(xiàng)目、中國 第二代衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)專項(xiàng)、核高基重大專項(xiàng)以及地方政府重大項(xiàng)目的 持續(xù)支持，投入研發(fā)經(jīng)費(fèi)已超過 1 億元，形成了較為完整的導(dǎo)航芯片 產(chǎn)業(yè)鏈布局，技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯。中國科學(xué)院微電子所是中國第二代北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)專項(xiàng)應(yīng)用 推廣與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的主要承擔(dān)單位，在多模多通道導(dǎo)航射頻芯片，多 模導(dǎo)航基帶芯片已經(jīng)有多次成功的流片經(jīng)驗(yàn)，并且部分型號(hào)的芯片已 經(jīng)量產(chǎn)?；谧灾餮邪l(fā)的導(dǎo)航射頻芯片和基帶芯片，已經(jīng)研制出了支 持北斗二代、GPS 和 GLONASS 的多模接收機(jī)模塊，支持多模同時(shí)