關于照明技術和光電半導體的術語和定義

1、關于照明技術和光電半導體的術語和定義關于照明技術和光電半導體的術語和定義A/Dsignal/converter數(shù)模信號/轉換器模擬信號到數(shù)字信號的轉換器(ADC)。將模擬輸入信號轉換為數(shù)字數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)流，用于進一步處理或存儲。ABCSABCS(銻基化合物半導體)ABCS是一種新型化合物半導體，與基于硅、砷化鎵和磷化銦的半導體相比，它具有優(yōu)越的電子特性和較低的開啟電壓。在國防和空間應用中，ABCS預計能在功率消耗最低的情況下產生世界上最快的電路。ABCS技術還具有商業(yè)應用前景，在高頻率無線應用、光波通信和集成光電子電路方面尤其如此。Absorption吸收鐵、銅、鉆、釩、和鉻等雜質引起的在光纖中的

2、損失。對光纖而言，即使是十億分之一或十億分之二的雜質也被認為是不可接受的。AcceptancePattern接受圖相對入射角繪制的總透射光曲線圖。AcceptorImpurity受主雜質(又名P型雜質)不同于半導體卻出現(xiàn)在半導體中的原子和離子，其價電子不足以完成半導體晶體結構中的正常鍵合排列。受主雜質接受相鄰原子的電子來生成一個正電荷載流子(例如空穴)。ActiveMatrixDisplay有源矩陣顯示器一種平板顯示器，其屏幕刷新頻率比傳統(tǒng)無源矩陣顯示器高。最常見類型的有源矩陣顯示器是基于一種名為TFT(薄膜晶體管)的技術，因此有源矩陣和TFT這兩個術語通?？梢曰Q使用。ActiveMatri

3、xLiquidCrystalDisplays(AMLCDs)有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)有源矩陣顯示器由以下材料組成：一塊裝有薄膜晶體管(TFT)的背面玻璃基板和一塊帶色彩過濾板的前面玻璃基板形成夾層，中間填充液晶(LC)材料。背面基板上的薄膜晶體管陣列連接到電子驅動器，電子驅動器則從連接到主系統(tǒng)的電腦芯片接收脈沖。每個TFT均用作激活像素的通斷開關，迫使液晶體扭曲以允許光通過并在顯示器上形成圖像。AEL(AccessibleEmissionLimits)AEL（可接近放射限值）各激光分類（標準IEC-60825-1）的可接近放射限值是波長和放射持續(xù)時長的一個函數(shù)，列于特定表格中。AFS(

4、AdvancedFrontlightingSystem)AFS（高級前照明系統(tǒng)）AFS能根據(jù)不同的行駛條件優(yōu)化光束模式，調整車頭燈輸出。例如，根據(jù)車輛的行駛速度和方向加強駕駛員的夜視能力。AGC(AutomaticGainControl)AGC（自動增益控制）AGC自動調整放大器的增益，以維持不同輸入信號的恒定輸出。如果輸入信號較弱，AGC將增強該信號；如果輸入信號較強，則AGC將減弱該信號。AGC有助于避免過激放大器，還可改進信噪比。AGC通常在音頻應用中用于調節(jié)音量。ALCVDALCVD原子層化學氣相沉淀ALEALE原子層外延，以單個原子層為增量的晶體生長。AlGaAsAlGaAs鋁鎵砷A

5、llnGaPAllnGaP鋁銦鎵磷AllnGaPchip(LED)AllnGaP芯片(LED)基于鋁銦鎵磷化物的芯片/LED。AlphanumericDisplay字母數(shù)字顯示器數(shù)字和字母的讀出裝置。AlternatingCurrent(AC)交流電（AC）定期逆轉方向的電流，通常每秒逆轉多次。Ammeter電流計用于測量電路某個部分的電流量的儀表。Amorphous非晶體在提純加工前無明顯原子排列的材料，如塑料和硅。AnalogDisplay模擬顯示器提供沿預定校準路徑進行的連續(xù)、明亮的移動動作的讀數(shù)裝置，用于顯示所需測量。AnalogMeter模擬儀標有連續(xù)數(shù)字刻度的讀數(shù)裝置，指針沿刻度移

6、動。Anode陽極電解槽的正電極，電流通過電鍍槽時此處帶正電的原子離開。ANPR(AutomaticNumberPlateRecognition)ANPR（車牌自動識別系統(tǒng)）ANPR是一種用于讀取汽車車牌（號碼）的監(jiān)控方式。其應用范圍包括收費道路上的電子收費和監(jiān)控交通活動。紅外LED非常適合此應用。ARC(AntiReflectionCoating)ARC（防反射涂層）一種能減少反射的光學涂層，可用于增強LED和激光器的發(fā)光強度。Arsenic砷一組V元素，在硅中是n型摻雜劑。ASCII(AmericanStandardCodeforInformationInterchange)ASCII（美

7、國信息交換標準代碼）基于英文字母表順序的字符編碼方案，代表電腦和其他通信設備中的文本。ASCII定義了128個字符。ASIC(ApplicationSpecificIntegratedCircuit)ASIC（專用集成電路）定制僅用于一個特殊用途的集成電路（IC）。（現(xiàn)代ASIC通?；?2位微處理器，存儲塊包含ROM、RAM、EEPROM、閃存和其它電子元件。）ASPASP平均銷售價格AtomicOrbital原子軌道原子核周圍的空間，在此空間中，具有給定量子數(shù)的電子最有可能被發(fā)現(xiàn)。AV-inputAV輸入AV（音頻-視頻）輸入是一個可接收DVD播放器、電視調諧器或VHS（錄像機）等電子設備

8、的音頻和視頻信號的通用接口。Back-End后端指半導體制造、生產的封裝組裝和測試階段，包括燒錄和環(huán)境測試功能。Backlighting背光照明用于使平板顯示器在低環(huán)境光條件下更易于閱讀的一項技術。最常用的背光照明類型為LED、EL（電致發(fā)光）或CCFL（冷陰極熒光燈）。Band頻帶一組軌道，分別在固體中呈游離態(tài)，能量分布如此緊密幾乎是連續(xù)不斷。Bandgap帶隙價電子帶頂部與傳導帶底部的能量分離。Bandpassfilter帶通濾波器帶通濾波器具有特定的中心頻率和傳輸帶寬。高于或低于帶通范圍的頻率將被阻止或明顯減弱。Beamdivergence(FWHMparalleltopnjunctio

9、n)光束發(fā)散度（與PN結平行的FWHM）電磁波束的光束直徑增長和與光學孔徑（點源）之間距離的角測度。BEF(BrightnessEnhancementF訂m)BEF（增亮膜）LCD屏幕上的薄膜，通過棱柱狀結構控制光的輸出角度，為觀眾提供最大亮度。BEOL(BackEncOfLine)BEOL（后端制程）將有源組件（晶體管、電阻器等）與晶圓上的布線相連的IC（集成電路）制造工藝步驟，包括觸點、絕緣材料、金屬液面和芯片與封裝連接的焊接點，以及將晶圓切割成單獨的IC（集成電路）芯片。Bias偏壓施加于電氣設備的電極上的電壓，要考慮極性。BiasControl偏壓控制電子器件的偏壓為通常施加到實際信號

10、上的電壓或電流。通過控制裝置調節(jié)電流或電壓。Biasing施加偏壓施加電壓，通常用于改變發(fā)光二極管（LED）等裝置的電氣和光輸出。Bin(binning)BIN（分選）分選就是將LED劃分為精細分級的不同組別。根據(jù)亮度、顏色坐標或正向電壓對LED進行分類或分級，但沒有通用標準。即使是同一批次的LED,也可以有很大差異，需要進行分類。Bipolar雙極一種半導體裝置，其中的空穴和電子均充當載流子。任何負載電流穿過PN結的裝置都是雙極器件。Bipolartransistor雙極晶體管兩個PN結形成的有源半導體裝置，功能在于放大或切換電子電流。雙極晶體管包含三個部分：發(fā)射器、基片和集電極。Bit位二

11、進制數(shù)字（1或0）,為電腦可識別信息的最小單位。用于表示二進制數(shù)制中的兩種狀態(tài)。八位等于一個字節(jié)。Blackpackage黑色封裝對于視頻墻應用或可變信息標志，黑色封裝的LED比白色封裝的LED提供的對比度更高和反射更少。BLUs(Backlightunits)BLU（背光模組）LCD（液晶顯示屏）背光照明的模塊，采用邊緣或直接/全部原理（邊緣=LED固定在LCD面板側面；直接/全部=完全采用LED背光照明的LED屏幕）。BondedWafer已鍵合晶圓通過將兩個單獨的硅基板的氧化表面溶凝（高溫下）在起形成的復合介質隔離基板。Bonding鍵合將電線從封裝引線連接至芯片（或晶粒）焊盤的步驟，是

12、組裝過程的一部分。結合熱和超聲能量將小直徑金線或鋁線粘合到焊盤區(qū)。Breakdownvoltage(VBR)擊穿電壓（VBR）如果超過此電壓，將導致反向電流急劇上升。Brightness亮度一種視覺特性：刺激作用的激烈程度或發(fā)射光的多少。亮度并非光度標準（如照度），不應與坎德拉每平方米等光度單位一起使用。Buck/boostregulator(converter)降壓/升壓調節(jié)器（轉換器）輸出電壓比輸入電壓更高（升壓）或更低（降壓）的電源轉換器。Bypasscapacitor旁路電容器模擬系統(tǒng)中用于消除或降低電源噪音的電容器。C-mount/cs-mountC安裝/cs安裝標準化封裝，配備用于

13、安裝激光器的熱沉。Candela坎德拉發(fā)光強度單位。Capacitance電容電容器或其他電導體儲存電荷的能力。Carrierfrequency載波頻率載波的頻率，即調制消息內容的頻率。Carrier/ChargeCarrier載流子/電荷載流子移動傳導電子或半導體結構中的空穴。Cathode陰極電解槽的負電極，電流通過電鍍槽時帶正電的原子遷移至此。Cathodoluminesence(CL)陰極發(fā)光（CL）通過某種形式的能量激發(fā)固體所發(fā)射的光。本術語大體上包括常用類別的熒光和磷光。陰極發(fā)光最常見于電子顯微鏡系統(tǒng)中。CBECBE化學束外延CCD-sensorCCD傳感器（用于數(shù)碼相機）電荷耦合

14、器件，通常由光敏光電二極管矩陣組成。這些光電二極管所占面積越大，光敏度越高，CCD傳感器的動態(tài)范圍越廣。光電二極管的數(shù)量越多，CCD的分辨率越高。CCFL(ColdCathodeFluorescentLamps)CCFL（冷陰極熒光燈）陰極兀素不是獨立加熱的熒光燈。CCT(CorrelatedColorTemperature)CCT（相關色溫）當黑體吸收陽光的所有光成分從而產生與實際存在的照明具有相同色彩效果的光時的溫度。CCTV(ClosedCircuitTelevision)CCTV（閉路電視）可通過使用紅外LED實現(xiàn)夜視的攝像監(jiān)控系統(tǒng)。CDM(ChargedDeviceModel)CDM

15、（帶電器件模型）為模擬ESD（靜電放電）測試而開發(fā)出了多種模型，包括人體模型（HBM）、機器模型（MM）和帶電器件模型（CDM）。CDM是一種模擬一個或以上接地連接點上的靜電元件放電的模型。使用此模型可測試電路對靜電放電的敏感度。Centroidwavelength質心波長電磁（光）發(fā)射光譜的波長，其中一半能量波長較短，另一半能量波長較長。CFD(ComputionalFluidDynamics)analysisCFD（計算流體動力學）分析公認的流體動力學方法，目的在于通過數(shù)值法解決流體動力學問題。ChargeCarrier電荷載流子固態(tài)裝置的晶體中的電荷載體，如電子或空穴。Chargecou

16、pleddevices電荷耦合器件將電荷存儲在勢井中并通過變換勢井位置來打包傳送幾乎所有電荷的傳送器件。ChemicalEtching化學腐蝕加工通過酸浴消除表面損傷并使硅晶體片更薄。ChemicalMechanicalPolishing(CMP)化學機械拋光（CMP）結合化學去除法和機械拋光法兩種方法來壓平和拋光晶圓。ChemicalVaporDeposition(CVD)化學氣相沉淀（CVD）在高溫下使絕緣薄膜或金屬沉積到晶圓上的氣態(tài)過程。Chip芯片一種半導體材料，單晶性質，可形成一個或多個有源或無源固態(tài)裝置。ChipCarrier芯片載體一種超薄元件封裝，通常為正方形，其有源芯片腔或安

17、裝面積占封裝尺寸大部分，封裝的四面都有外部連接點。Chip-On-Board(COB)板上芯片（COB）將晶粒半導體芯片安裝在PCB上制成電子元件的技術。Chip-on-Flex(COF)軟膜覆晶接合技術（COF）一種IC安裝和貼合工藝，將集成電路（IC）驅動器（芯片）貼合到高間距柔性電路上并安裝得十分貼近平板顯示屏（貼合在玻璃板上的柔性電路板），以獲取高屏幕刷新速度和分辨率。Chip-on-Glass(COG)晶玻接裝（COG）集成電路（IC）驅動器（芯片）直接貼合到玻璃板（LCD或OLED）上而無需使用高間距柔性電路板的IC安裝和貼合工藝。CHMSL(CenterHighMountedSt

18、opLight/Lamp)CHMSL（中央高位剎車燈）安裝在汽車中間較高位置的后剎車燈，可采用LED制成。Circuit電路相互連接的電氣或電子兀件組合，用于執(zhí)行一個或多個指定功能。Cladding鍍層覆蓋在光纖線芯表面的薄玻璃或塑料材料，密度比線芯低。如果光以適當?shù)慕嵌日丈鋬煞N材料之間的分界，將被反射回密度更大的線芯中。Cleanroom無塵室用于制造IC的密閉區(qū)域，里面的濕度、溫度和顆粒物受到嚴格控制。無塵室的“等級”由無塵室空間內每立方英尺的最大顆粒物數(shù)量來決定。CMOS(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor)CMOS（互補金屬氧化物半導體）一種MO

19、S技術，P溝道和N溝道元件都是在相同的晶粒上制造而成，比使用其他MOS或雙極工藝的集成電路更省電。CMP(Chemical-MechanicalPolish)（CMP）化學機械拋光又稱平面化，即改進半導體表面的過程。Coating涂層將光阻材料應用到晶圓上的工藝，一般在晶圓中間涂上少量光阻材料，然后高速旋轉晶圓使光阻材料擴散和干燥（又名旋涂）。COB(ChipOnBoard)technologyCOB（板載芯片）技術將裸晶粒半導體芯片安裝在PCB上制成電子元件的技術。CoD(Color-on-Demand)CoD（按需選色）使用冷光轉換原理（藍色晶粒結合磷）制造自定義LED顏色的歐司朗系統(tǒng)。使

20、用此技術制造的LED，能發(fā)射出超出標準LED技術范圍的特定顏色光。CoDLED的應用極大簡化了消費電子和汽車市場中利用顏色來區(qū)分品牌。Collectorcurrent(Ic)集電極電流(Ic)穿過雙極結型晶體管的集電極的直流電，受基極發(fā)射極結電流控制。Collectoremittersaturationvoltage集電極發(fā)射極飽和電壓雙極晶體管的集電極與發(fā)射極之間的最大電壓。Collectoremittervoltage集電極發(fā)射極電壓可通過測量雙極晶體管的集電極發(fā)射極連接點的電壓測得。Collectorsurgecurrent集電極浪涌電流雙極晶體管中的最大集電極電流(Ic)。ColorC

21、oordinates顏色坐標國際照明委員會首批以數(shù)學方式定義的色彩空間(CIE1931色彩空間)之Colorspectrum色譜(RGB多照明色彩)RGB色譜/光譜是電磁波譜中無需技術幫助即可為肉眼所見的部分，可通過混合RGBLED實現(xiàn)。ColorSuper-TwistNematic(CSTN)Display彩色超扭曲向列(CSTN)型顯示器基于超扭曲向列液晶的無源矩陣彩色LCD顯示器。Comparator比較器用于比較兩個或兩個以上值或信號并根據(jù)其差異性產生輸出的裝置。Complementary互補此術語用于描述以下類型IC：采用兩個極性類型相連接的元件，對任何一個進行操作皆會被補充?；パa雙

22、極電路同時采用NPN和PNP晶體管?；パaCMOS電路(CMOS)同時采用N溝道和P溝道裝置。CompoundSemiconductor化合物半導體化合物半導體由化學元素周期表中兩種或兩種以上不同化學基團中的兀素組成。Conductionband傳導帶進入此空能級的電子可受激變成導電電子。部分傳導帶被流動電子占領時,允許它們按特定方向移動，形成穿過固體的電流。Conductor導體具有高導電性的材料，如銅、鋁或金。ConnectorInsertionLoss連接器插入損耗用分貝(dB)表示的光損失，因在光纖傳輸系統(tǒng)的兩個部分之間插入配對連接器而引起。Contactless(SMT)sensors

23、非接觸式(SMT)傳感器使用反射光而不是通過物理接觸來檢測附近是否存在物體的光學元件。此傳感器可用做開關，或用于根據(jù)目標的接近度來改變或減弱信號電平。常見應用包括關閉顯示器和鍵盤，以及用于手機減弱顯示和降低音量級。Contrast對比度顯示屏上通過控制電路中電子移動實現(xiàn)的照亮和非照亮區(qū)域的光輸出差異。ContrastRatio對比率指圖像最亮部分與圖像最暗部分的對比比例（例如：100:1）。Controllerx-bit控制器x位使用由“x”位組成的數(shù)據(jù)的微控制器，其中x通常為8、16、32或64。Conversiontechnology轉換技術通過結合藍色發(fā)光晶粒和合適的磷光轉換器使LED產

24、生白光的技術。Core線芯用于導光的光纖內部部分，由純玻璃（硅）或塑料制成，直徑通常約為01.05英寸。Coupling耦合把光輸入光纖或從光纖輸出。CPU(CentralProcessingUnit)CPU（中央處理器）電腦或電子系統(tǒng)的核心部分，用于處理數(shù)據(jù)和執(zhí)行所有計算。今天中央處理器幾乎已經(jīng)成為單獨的電子元件了，通常稱為微處理器。CRI(ColorRendering/ReproductionIndex)CRI（顯色指數(shù)）測量光源表現(xiàn)物體、材料顏色和膚色的精確度，以及再現(xiàn)色澤細微變化的程度，范圍介于0%至100%之間，用以將其它光源與參考光源作對比。CRT(CathodeRaytube)C

25、RT（陰極射線管）一種專用真空管，當電子束照射磷光表面時里面會生成圖像。老式電視屏幕/顯示屏、臺式電腦顯示器均釆用CRT。此技術正逐漸為平板顯示器所取代。Crystal晶體原子、離子或分子以有序格局在二維空間內重復排列組成的固體。CTE(CoefficientofThermalExpansion)CTE（熱膨脹系數(shù)）此參數(shù)用于描述溫度變化引起的物體幾何尺寸（長度、面積、體積）的變化。Current電流電子流或空穴流。按單位時間內經(jīng)過特定點的粒子數(shù)量進行測量（以安培為單位）?？赏ㄟ^在導體中應用電場或改變穿過電容器的電場來誘發(fā)電流。CurrentTransferRatio(CTR)電流傳輸比（CT

26、R）光耦合器的輸出電流與輸入電流之間的比例。CustomIntegratedCircuit定制集成電路要求為特殊功能或應用專門設計一整套掩膜的集成電路（IC）。定制集成電路（IC）通常是為特定客戶專門研制的。CW(mode/pulsed)CW（模式/脈沖）激光器的輸出可以是持續(xù)的恒定振幅（稱為CW或連續(xù)波），或者可以是脈沖。脈沖工作模式下能達到更高的峰值功率。DALI(DigitalAddressableLightingInterface)standardprotocolDALI（數(shù)字可尋址照明接口）標準協(xié)議對電子鎮(zhèn)流器和建筑內調光器等照明控制裝置進行數(shù)字控制的開放式標準。系統(tǒng)中的每一個DAL

27、I可尋址控制裝置均有其自己的地址。Darkcurrent暗電流光電檢測器在沒有光輸入時的輸出電流。DarkcurrentIR暗電流IR即使沒有光子輸入到裝置也會流經(jīng)光電二極管的一股小電流。可與非光學裝置中的泄漏電流匹敵。DAW(DigitalAudioWorkstation)DAW（數(shù)字音頻工作站）用于錄音、音樂制作、混音和母帶錄制的計算機控制系統(tǒng)。DBEF(DualBrightnessEnhancementFilm)-DDBEF（反射式增光偏光片）-D用于LCD屏幕，以加強后部偏光器中通常會失去的光。Decoder/Driver解碼器/驅動器此電路可將數(shù)字信息轉換為模擬電壓，然后將電壓放大至

28、足以為顯示器各元件提供能量的電平等級。Delocalized(electrons)離域（電子）不再綁定到特定原子核且具有高流動性的電子。Demodulator解調器使用積分器和施密特觸發(fā)器譯解接收的信號的數(shù)據(jù)信號。通過合理設計IC（集成電路），將輸入和輸出信號之間的脈沖畸變保持在最低水平。必要更改施密特觸發(fā)器的時間至少是載波頻率的四個周期。Deposition蒸鍍將材料沉淀到基底表面的工序。通常指用于形成M0S門、薄膜電阻器和IC（集成電路）互連系統(tǒng)的導電薄膜或絕緣薄膜。Detectionlimit(D)檢測限（D）正好足夠從背景噪聲中分辨出信號時的水平。Dice晶粒兩個或兩個以上晶粒。見晶粒

29、。Die晶粒一片已集成特定電路的正方形或長方形半導體材料。另請參見芯片。DieArea晶粒面積晶粒的長度乘以寬度。DieAttach固晶將晶粒安裝到某種類型的封裝元件或載體（如引線框架）上的工序。DieBonding晶粒貼合使用導電粘合劑或金屬合金（引線框架）將晶粒固定到封裝上的方法。DieCost晶粒成本通過晶圓制造和晶圓測試步驟生產出一顆好晶粒所需的成本。DieSize晶粒尺寸晶粒的大小?？捎瞄L度乘以寬度或面積表示。DieSort晶粒分選分選出晶圓上的好晶粒和壞晶粒的工序。見晶圓測試。DieYield晶粒成品率好晶粒數(shù)量除以被測晶粒數(shù)量。Diffuser(film)散光罩（薄膜）一種薄膜，

30、通過分散光形成標準的朗伯發(fā)射模式來制造均勻照亮的表面。DigitalDisplay數(shù)字顯示字母數(shù)字（字母和數(shù)字）的顯示，并非模擬或線性儀表顯示。DigitalI2Coutput數(shù)字I2C輸出數(shù)字PC總線數(shù)據(jù)協(xié)議Diode二極管利用PN結或點接觸的整流特性的雙極半導體裝置。Diodelaser二極管激光器與LED技術有關的半導體元件，發(fā)射激光束。所發(fā)射波長由半導體材料決定。DIP(DualIn-linePackage)DIP（雙列直插式封裝）最常見的IC（集成電路）封裝，可以是塑料或陶瓷材質。電路引線或引腳從矩形封裝體的兩側向外和向下對稱延長。DIPpackageDIP封裝又稱雙列直插式封裝，是

31、電子兀件的伸長體形狀，其中兩排引腳通過孔安裝定位于外殼兩側。DirectBandGap直接帶隙帶有直接帶隙的半導體允許電子從傳導帶渡越到價電子帶而無需改變動量直流電流（即僅按一個方向流動的電流）。DiscreteDevice分立器件一種包含功率晶體管和整流器的電子元件，其中每個功率晶體管和整流器都包含一個有源元件。相比之下，IC的一個晶粒中通常包含幾百、幾千甚至幾百萬個有源兀件。Displayformat顯示格式表示顯示屏的列或行中的點或像素的數(shù)量（即640 x480或96x64）。DMD(DigitalMirrorDevice)DMD（數(shù)字微鏡裝置）包含許多微型鏡的小裝置，可使用呈矩陣排列的

32、微致動器使這些微型鏡單獨移動。可操縱一個強大的光源生成圖像。此技術常應用于（DLP/數(shù)字光處理）視頻投影機。DominantWavelengthadom)主波長adom）此波長為對人眼所感知的光的顏色進行的定量測量。Dopant摻雜劑特意添加到半導體中的雜質元素。Doping摻雜在半導體中引入外來原子，從而影響其導電性或晶體結構。DotMatrixDisplay點陣顯示行和列陣列中點排列的格式，各點能夠單獨照亮形成字母數(shù)字字符和圖形。DpiDpi每英寸點數(shù)的英文縮寫。若要在打印和視頻制作中達到高品質分辨率，須達到最低標準300dpi或以上（網(wǎng)絡質量為72dpi）。DRAMDRAM即動態(tài)隨機存取

33、存儲器，是一種固體存儲器，里面的信息會隨時間衰減，需要定期刷新。Driftvelocity漂移速度在導體、半導體或電子管中，載流子在電場的影響下進行移動的平均速度。Drivingcircuit驅動電流通過電流或電壓的方式控制其他電子裝置的電路或其他電子元件，例如，通過LED的電流。DUT(DeviceUnderTest)DUT（被測裝置）正在測試的一個元件或整個系統(tǒng)。所執(zhí)行測試類型取決于裝置類型、測試參數(shù)和可用測試設備和測量儀器。Dutycycle占空比接通持續(xù)時長（脈沖持續(xù)時間）與方波總周期時間的比。占空比以01之間的無因次比或0%100%之間的百分比表示。DynamicScattering

34、LCD動態(tài)散射LCDLCD面板正確通電時引起環(huán)境光散射并形成顯示的一項技術。EarlyEffect厄利效應在雙極晶體管（BJT、HBT等）中，反向偏壓結耗盡區(qū)的增長趨向于降低反向電壓不斷增加的基底的寬度。反過來，這樣會導致電流增益隨電壓增加而增加，即使設備處于“飽和”狀態(tài)也會造成電流近乎線性增長。另請參見厄利電壓。EarlyVoltage厄利電壓即使處于飽和狀態(tài)，雙極器件的電流也容易發(fā)生線性增長。與該增長斜率相同的延長線在名為厄利電壓的負電壓處截斷電壓軸。EBDIC(ExtendedBinaryCodedDecimalsInterchangeCode)EBDIC（擴展的二進制編碼的十進制交換碼

35、）一種常用的8位字符代碼。EBL(ElectronBlockLayer)EBL（電子塊層）可描述為OLED（有機發(fā)光二極管）中使用的層。其中一個問題是，有時ITO（氧化銦錫）表面會造成短路。此外，空穴傳輸材料的電勢通常較低。這兩個缺點通常會通過特殊空穴注入材料制成的中間層注入。這樣的中間層使ITO（氧化銦錫）層更平滑并作為電子塊層交互作用。ECRMBEECRMBE電子回旋共振分子束外延。Edge-emittingLasers邊緣發(fā)射激光器相對垂直空腔表面發(fā)射激光器（VCSEL）而言的一種半導體裝置，包含一個能從增益區(qū)域邊緣發(fā)射光（或激光）的光學增益區(qū)。EEPROMEEPROM電可擦除可編程只讀

36、存儲器是EPROM的換代產品。相比之下，CPU（中央處理器）現(xiàn)在則可以用作編程器。EL(ElectroLuminescence)EL（電致發(fā)光）在某些材料或材料組合之間施加電場時發(fā)射光的性能。ElasticRecoilDetection彈性反沖探測一種離子束技術，能提供材料和薄膜Analysis分析的直接和定量成分深度剖面圖。此技術采用重離子作為拋射粒子,對所有化學元素都很敏感，因此非常適合提取氫和氮等光元素的化學計量信息。ELDELD電致發(fā)光顯示器ElectrieGenerator發(fā)電機輸入機械能并輸出電（AC/DC）的設備。ElectricalConductivity導電性材料攜帶電流的能

37、力，與電阻（單位為ohm-icm-1）對等。ElectricalResistance電阻計量電流通過特定材料的困難度的值，單位為ohm。Electricity電以從高電勢區(qū)到低電勢區(qū)的順序流過導體的電流。Electroluminescent(EL)Display電致發(fā)光（EL）顯示屏透明導電電極段或點所組成的顯示屏，電極之間采用包含發(fā)光熒光粉的薄介質進行分隔。如果在相反的電極之間施加交流電壓，將導致電介質發(fā)出特有的藍綠光。ElectromagneticRadiation(waves)電磁輻射（波）真空狀態(tài)下傳播速度為3x10m/s的系列能量波，包括無線電波、微波、可見光、紅外線、紫外線、X射線

38、和伽馬射線。Electron電子帶負電荷的亞原子粒子，其質量為9.1x10-31kg。ElectronEnergyLevel電子能級涉及量子力學，表示電子能承受的能量。Electronics電子學應用物理學和與控制電路中的電子有關的工程學的一個分支。ElementarySemiconductor基本半導體由單一元素制成的半導體，雖然碳（金剛石）和鍺也是基本半導體，但主要的例子為硅。此類半導體通常顯示為金剛石晶體的晶格。EMI(ElectroMagneticInterference/Influence)EMI（電磁干擾/影響）任何包含變化電流的電子裝置都會發(fā)射電磁波，可能會對其它電子裝置造成有害

39、干擾。EmissivePolymerLayer發(fā)光聚合物層OLED裝置中的聚合物層，會發(fā)光。Emitter發(fā)射器形成雙極晶體管的三個區(qū)中的一個。在發(fā)射極基極PN結的正向偏壓下，發(fā)射器將少數(shù)載流子（電子或空穴）注入基極區(qū)中，載流子在此重組或擴散到集電極中。EN(EuropGenNormalisation)-standardsEN（歐洲標準化）標準CEN（歐洲標準化委員會）維護的工藝和產品的歐洲標準。Encapsulation(epoxy/silicon)封裝（環(huán)氧樹脂/硅樹脂）用于描述芯片封裝的術語。環(huán)氧化物和硅樹脂材料用于封裝晶粒，以防LED受損且方便組裝。EOS(ElectricalOver

40、stress)EOS（電過載）電過載指未觀察到的超負荷和破壞或電子元件的預損壞。這可由各種錯誤（測量過程中出現(xiàn)高壓短路、信號電壓沒有電壓、電源電壓的順序錯誤或電壓調節(jié)器布線不充分）引起。Epitaxy外延一種材料在另一種材料上的受控生長。在IC（集成電路）制造過程中，這通常表示N型外延層通過沉積方式生長在P型基底上。EPROMEPROM可擦除可編程只讀存儲器。電子存儲芯片，可通過特殊編程器進行編程。可使用紫外光刪除里面的數(shù)據(jù)，然后重新編程。ESD(ElectroStaticDischarge)ESD（靜電放電）靜電放電是電氣絕緣材料出現(xiàn)火花或擊穿引起的大電勢差，會導致非常高的短電脈沖。ESDp

41、rotection(electrostaticdischarge)靜電放電（ESD）防護ESD損害一般來自于大功率短脈沖，脈沖寬度不到100ns，可能導致電子設備徹底崩潰。放電（ESD事件）和熱沖擊相結合，會造成能量積存在結構內，有時可能進而導致LED晶粒表面上出現(xiàn)小裂紋。ETL(ElectronTransportLayer)ETL（電子傳輸層）ETL（電子傳輸層）EXAFSEXAFS擴展X射線吸收精細結構Excitons激子半導體中發(fā)射光的粒子，本質上是通過庫侖相互作用綁定的電子-空穴對系統(tǒng)。雖然激子可以穿過半導體，但一般不會受電場的影響，因為它們不攜帶凈電荷。光致發(fā)光或電致發(fā)光是由激子輻射

42、復合導致的，而光電流則是激子離解引起的。Externalbeamexpander外粒子束擴展器可改變激光輻射的直徑，以避免不希望的光學效應。憑借光束的精細焦點，可消除衍射。Extrinsicsemiconductor非本征半導體摻雜了N型或P型元素的半導體。Fab(Fabrication)制造即半導體制造，通常指在半導體晶圓上嵌入器件或集成電路等前端工序，不包括封裝（后端）工序。FAC(FastAxisCollimation)FAC（快軸準直）用于高功率二極管激光器的特殊光學透鏡，它使得二極管輸出的光束質量好、效率高。FC(Fibercoupled/Fiber-optic)ConnectorF

43、C（光纖耦合/光纖）連接器標準化的光纖連接器，設計用在高振動環(huán)境中等?？捎糜跀?shù)據(jù)通信、電信、測量設備或單模激光器。FEOL(FrontEndOfLine)FEOL（前端制程）IC（集成電路）制造工序的前端步驟,即把單個有源器件（晶體管、電阻器等）定型到半導體上。Ferroelectrie鐵電體一種熱電材料，其足夠強的電場可以逆轉自發(fā)極化的方向。FETFET場效應晶體管為單級晶體管，其中電流載體中只有一個電荷。與雙極晶體管不同，開關場效應晶體管時幾乎沒有損耗。FiberOptic光纖沿光導體傳輸并導引光輻射（光）的技術。FiberOpticCable光纖纜線，光纜束在一根導纜中的光纖。除了光纖及

44、其鍍層，導纜還可包括塑料加強件，內外塑料套各一個，以保護光纖。FiberOpticConnector光纖連接器一種快速連接/斷連組件，用來將光源連接到光纜，將一條光纜連接到另一條光纜；將光纜連接到光檢測器。FiberOpticCoupler光纖耦合器一種通過混合并分離光纜中信號在雙向系統(tǒng)中互連光纜的機械元件。FiberOpticSplice光纖接頭連接兩根光纜的不可分的結。連接方式為使用環(huán)氧膠或熱熔方式。FIT失效率元件失效率，指工程系統(tǒng)或元件失效的頻率。Flat-paneldisplay平板顯示器薄而平的顯示器，如LCD、EL、OLED（有機發(fā)光二極管）或等離子顯示器,不同于CRT和投射顯示

45、器。Flex-on-Glass玻璃載柔一種直接附著在玻璃（LCD或OLED）上的柔性電路及貼合技術。Fluorescentconverter熒光轉換器用于小型熒光燈及LED技術中，把藍光LED涂上黃色熒光粉（作為熒光轉換器進行相互作用）。這樣就可以將較高能量光（藍色光和紫外線輻射）的短波長改變?yōu)殚L波長來發(fā)射白光。FluorescentDisplay熒光顯示器一種屏幕上涂有熒光粉的真空管顯示器，當遭到受熱燈絲釋放的電子轟擊時能發(fā)出特有的藍綠光。FM(FrequencyModulation)調頻（頻率調制）一種調制方法，其中的載波頻率被傳輸?shù)男盘柛淖?。頻率調制可與幅度調制相比，后者的信息信號的動態(tài)

46、范圍較高。FOLED柔性有機發(fā)光二極管通用顯示器公司采用的貼在柔性基板上的有機發(fā)光二極管。ForbiddenEnergyBand禁止能帶傳導帶和價電帶之間的一種材料的能帶，指從價電帶釋放電子到其傳導帶時所需的能量。ForwardBias正向偏壓施加在傳導方向p-n結上的偏壓，多數(shù)載流子電子和空穴流向該結，導致電流流量增大。Forwardcurrent正向電流朝二極管流動的某些電流經(jīng)二極管進入導通狀態(tài)。Forwardvoltage正向電壓朝二極管流動的某些電壓經(jīng)二極管進入導通狀態(tài)。FPCFlexiblePrintedCircuit(flexboard)柔性印刷電路（柔板）柔板是一種柔性單/雙面電

47、路板材料，其上覆有一到多個銅層。Framerate幀率每秒圖像幀數(shù)。通常簡寫為fps，即每秒幀數(shù)。Frequencydoubling倍頻透明光介質上的頻率入射光，在該介質上光以倍頻發(fā)射。FrontEnd前端集成電路貼合到晶圓里面或上面的制造過程。FTNMR(FourierTransformNuclearMagneticResonance)FTNMR（傅里葉變換核磁共振）用來探測MOVPE使用的金屬有機前軀體里可能含有的有機雜質和氧化雜質。GalliumAluminumArsenide(GaAIAs)鎵鋁砷(GaAIAs)鎵、鋁、砷的化合物，用來生產LED。GalliumArsenide砷化傢（

48、GaAs）傢和砷的化合物，用來生產LED。(GaAs)GalliumArsenidePhosphide(GaAsP)鎵砷磷(GaAsP)鎵、砷、磷（P）的化合物，用來生產LED。GalliumNitride(GaN)氮化鎵（GaN）鎵和氮的化合物，用來生產LED。GalliumPhosphide(GaP)磷化鎵（GaP）鎵和磷（P）的化合物，用來生產LED。Galvanometer電流計一種測量小電流的儀器。GasDischargeDisplay氣體放電顯示器一種顯示器，里面排列的段和點含有惰性氣體，且位于玻璃顯示屏表面下方。通過施加足夠高的電壓使氣體電離并發(fā)射光到屏幕上，從而照亮顯示屏。光通

49、常呈特有的藍綠色。也稱作等離子或等離子顯示器。Gate門影響與之直接相關的半導體區(qū)的控制電極或控制區(qū)，這樣半導體區(qū)的導電特性便暫時得以改變，結果常出現(xiàn)開-關型切換動作。Gatevoltage(VG)門電壓（VG）常稱作MOSFET的域電壓。晶體管含有一個反型層，反型層形成于絕緣層和基板之間門電壓流經(jīng)的界面。Gaussianbeam高斯光束光束的橫向電場及強度分布可用高斯剖面來說明。Germanium鍺早期用來制造晶體管和晶體一極管的半導體材料。也被加到硅晶體管中來提高性能（鍺的電子遷移率比硅的高。）GPU圖形處理器圖形處理器被用來計算電腦和游戲機的屏幕輸出。GradedIndexFiber漸變

50、折射率光纖中心密度高，纖芯-包層界面密度低的一種密度漸變光纖。在光纖中，被反射光不是大幅扭曲傳播，而是沿平滑的曲線路徑進行傳播，減少了畸變。Grayscale灰度指一系列深淺的灰色或亮度。灰度圖像比素描（只有黑白色）的細節(jié)和深度更豐富。比如，4位灰度對應于24=16級灰度，或8位灰度對應于28=256級灰度。GRIN-SCHGRIN-SCH漸變折射率分離式限制異質結構GroundLoop地環(huán)路噪聲一種在相對低電平信號電路的共同基Noise準上產生的不理想的電壓，由磁場或由與相同電路基準（接地）連接的相對高功率的電路產生的回流或基準電流產生。這種情況具有潛在的危害，一般是由于PCB板上電路布局不

51、良引起的。GSMBE(GasSourceMolecularBeamEpitaxy)GSMBE（氣體源分子束外延）分子束外延（MBE）的一種變體，其中的一個源呈氣態(tài)，如作為GaP中的磷（P）來源的ph3。Gullwing鷗翼一種常見的引腳形式，用來將表面貼裝器件連接到線路板上。封裝器件位于PCB板的上面。參見倒立鷗翼。GUNNDiodeGUNN二極管一種利用半導體材料的高場效應的無結器件。一旦電子速度隨場效應的增加而下降，就有可能出現(xiàn)負阻模式的運行。HBL(HoleBlockingLayer)HBL（空穴阻擋層）OLED器件上有機多層堆棧里的特定層。它阻擋空穴到陰極的通道，并提升效能。因此，它需

52、要所謂的低HOMO（最高被占分子軌道）能級。HDDHDD硬盤驅動，電腦技術中的一種磁存儲介質，將二進制數(shù)據(jù)寫入旋轉的鐵磁盤表面。信息通過讀取頭掃描盤表面的磁化來讀取。HDTVHDTV高清電視是一種統(tǒng)稱，包括一系列不同于傳統(tǒng)電視的電視標準，它的分辨率更高，達1920*1080像素（全高清）。Heatsink散熱片用來驅散器件上多余的熱量，防止器件過熱。LED的性能和壽命很大程度上取決于其結的溫度。因此要采用散熱片來有效地冷卻LED（無源=f.e.散熱片/有源=風扇和放電金屬的組合）。Heatslug/spreader散熱塊/散熱器金屬板，有助于驅散處理器半導體芯（晶粒）產生的熱量，保護芯體。He

53、attransferfoilorpaste傳熱箔或傳熱膏有助于提高器件和散熱片之間的熱傳遞。Heterostrueture異質結構各種材料的組合，其中一個單一器件中帶一個不同的帶結構，常引起材料組合的突變。HIDlamps/projectionsystemsHID燈/投影系統(tǒng)汽車前照燈使用的高強度放電燈，如氙氣燈。Highresolutionfullcolor高清全彩該術語用來描述大對角線LED視屏。極小尺寸的LED能使大量的像素容納在一小塊顯示區(qū)。HighResolutionImages高清圖像300dpi到600dpi的圖像。格式：JPG、TIFF或EPS（被看作是矢量圖及/或Adobe公

54、司的矢量圖形處理軟件Illustrator）。沒有PowerPoint、PageMaker或webgraphics（72dpi）格式。High-precisionshutter高精度快門直接安裝在芯片上的Ostar前照燈所采用的光圈，發(fā)出的光束圖案輪廓清晰，光撕邊緣銳利。用作汽車前照燈，可以省去外遮光器，滿足政府規(guī)定的不使來車司機炫目的要求。HMDHMD頭戴式顯示器Hole空穴一種虛構的移動粒子，其行為如同帶正電荷的粒子。當電子從價電帶提升到傳導帶或p型摻雜物的受主能級時，空穴便在價電帶產生了。Hotbar(soldering)熱棒（焊接）在永久壓力和足夠溫度下，把兩個預助熔焊液涂覆的器件焊接

55、在一起。Hotspot熱點熱點指LED光斑在導光板的去耦一側造成的非均勻區(qū)域。根據(jù)輻射角和光導材料，導光板內的這些熱點擴散程度不同。目的是將這些熱點控制在導光板的外緣，應用時將其遮蓋。HPS(HighPressureSodiumBulb)lampHPS（高壓鈉燈）氣體放電燈，采用鈉（金屬元素）在受激狀態(tài)發(fā)光。高壓鈉燈含有額外元素，如汞。HTL(HoleTransportLayer)HTL（空穴傳送層）OLED器件上有機多層堆棧里的特定層。它從陽極把稱作空穴的正電荷粒子按方向傳送到發(fā)光的發(fā)射有機層。HVPEHVPE氫化物氣相外延IC(IntegratedCircuit)IC（集成電路）集成電路是

56、一種封裝在硅芯片上的完全電子電路。ICMOVPE(InternationalConferenceonMetalorganicVaporPhaseEpitaxy)ICMOVPE（國際金屬有機物氣相沉積大會）完全致力于MOVPE（金屬有機物氣相外延）的最新發(fā)展和相關的化合物半導體技術。IECIEC國際電工委員會是一個標準化組織，發(fā)布電子、電氣和各種相關技術的國際標準。IlluminatedLegendDisplayLegend發(fā)光顯示器將信息印在半透明表面上，然后用背光照明方式照亮的一種顯示器。IMPATT(ImpactIonizationAvalancheTransitTime)IMPATT（碰

57、撞電離雪崩渡越時間二極管）一種PIN型二極管，發(fā)生擊穿（電子雪崩）時，產生射頻振蕩。IMS(InsulatedMetalSubstrate)IMS（絕緣金屬基板）電力電子學上的一種基板，它提供電氣互連，并驅散LED等有源元件的熱量。絕緣金屬基板由一塊金屬基板（多為鋁制）構成，其上覆有一薄層電介質和一層銅。銅的一側只能容納電氣元件。與傳統(tǒng)的PCB板相比，其優(yōu)點是散熱更好。IncandescentLight白熾光充有（氬）氣的燈泡，內有金屬燈絲（鎢絲）。當施加足夠大的電壓時，燈絲便發(fā)光。一種普通燈泡。IndirectBandGap間接帶隙一種間接帶隙半導體，需要改變電子動量讓電子從傳導帶的最小能量

58、區(qū)躍遷到價電帶。Indium-Gallium-Nitride(InGaN)氮化銦鎵（InGaN）InGaN（氮化銦鎵）是一種由氮化鎵和氮化銦組成的半導體材料，用來產生LED顏色，即從藍色（460nm）到真綠色（528nm）和基于熒光的顏色，如白色（通常為3250K或5600K）。InfraredLight紅外光波長為1毫米到700納米之間的電磁波。InfraredRadiation紅外輻射介于750到1000納米之間電磁波長區(qū)域的輻射。InGaAlP(AlGalnP,InGaAlP半導體材料，用于制造發(fā)光二AllnGap,InGaAIP)(AlGalnP、極管和和二極管激光器，來產(indiu

59、mgalliumaluminiumphosphide)AllnGap、InGaAIP）（磷化鋁銦鎵）生顏色，從藍色（430nm）到純綠色（555nm）和基于熒光的顏色，如白色（白熾光白色4500k到灰白色6500k）。InPInP磷化銦Insulator絕緣子一種低導電率的材料。其較低能量的價電帶幾乎全部被電子充滿，較高能量的傳導帶幾乎全部為空，沒有電子，因為這兩個帶之間存在一個大的能隙。IntegratedCircuit(IC)集成電路（IC）一個單體的半導體芯片或晶圓，如今，它的每平方厘米含有成千或成百萬電路元件。Integrator積分器一種特殊的運算放大器，它對輸入信號進行積分，使電路

60、具有頻率依賴性。InterfacePads界面墊片用作芯片和散熱片之間的傳熱路徑（如導熱膏）。Interstitial間隙一種零維缺陷，指在二維原子排列中占據(jù)多個空穴的一個原子。IntrinsicConcentration本征濃度半導體內的少數(shù)載流子數(shù)量，因為半導體內部有熱生成的電子-空穴對。IntrinsicSemiconductors本征半導體一種本質純凈的半導體材料。Ionization電離當兀件端子（電極）被施加了足夠幅度的高電壓后，惰性氣體被擊穿。IRIR紅外，紅外線IRReflow紅外回流（焊）SMD元件的電爐焊接工藝，其中粘合焊膏被紅外熱熔化。IRSolderable紅外可焊接可