人教版高中化學(xué)選修三第三章《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》復(fù)習(xí)知識(shí)清單無(wú)答案

1、 /8晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)復(fù)習(xí)知識(shí)清單一、晶體與非晶體1、概念：晶體一一內(nèi)部微粒（原子、分子或離子）在三維空間里性排列形成具有規(guī)則幾何外形的固體。排列的周期性是指在一定方向上每隔一定距離就重復(fù)出現(xiàn)的排列，粒子排列的周期性導(dǎo)致晶體的外形。絕大多數(shù)常見固體是晶體，如金剛石,金屬,干冰,食鹽非晶體內(nèi)部微粒的排列呈現(xiàn)分布狀態(tài)、沒有的外形的固體。因?yàn)閮?nèi)部微粒排列雜亂無(wú)章，所以非晶體沒有規(guī)則的幾何外形，也沒有固定的點(diǎn)。如玻璃,橡膠.2、晶體具有的特點(diǎn)：（1）性（本質(zhì)）：晶體在適當(dāng)條件（最重要條件是晶體的生長(zhǎng)速率要適當(dāng)）下能夠自發(fā)的呈現(xiàn)多面體外形的性質(zhì)；一些非晶體有規(guī)則的幾何外形（不是自發(fā)的，是加工成某特定的幾何

2、形狀）。晶體在外形和內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的高度有序。（2）性：同一晶體構(gòu)造中，在不同方向上質(zhì)點(diǎn)的排列一般是不一樣的，因此晶體的性質(zhì)也隨方向的不同有差異如強(qiáng)度、導(dǎo)熱性光學(xué)性質(zhì)等物理性質(zhì)隨晶體方向的不同而有所差異。（3）熔沸點(diǎn)：晶體具有的熔沸點(diǎn)而非晶體則沒有。3獲得晶體的途徑：（1）熔融態(tài)物質(zhì)；冷卻速率適當(dāng)，得到晶體；冷卻過(guò)快，得到不規(guī)則的塊狀物或粉末狀物質(zhì)（非晶體）。如：水晶（晶體），瑪瑙（非晶體）。（2）氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固（）；如：晶體碘的升華和凝華。（3）溶質(zhì)從溶液中：利用溶解度的不同，通過(guò)重結(jié)晶進(jìn)行物質(zhì)的分離或提純；將不規(guī)則晶體投入其飽和溶液中，會(huì)觀察到規(guī)則晶體的生成。4晶體與非晶體的鑒

3、別方法：（1）對(duì)固體進(jìn)行衍射實(shí)驗(yàn)法：有峰的能看到分立的斑點(diǎn)或者譜線是晶體，無(wú)峰的或是看不到分立的斑點(diǎn)或明銳的譜線是非晶體最可靠（2）測(cè)定熔沸點(diǎn)法：有固定熔沸點(diǎn)的是5、晶胞：（1）概念：晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的基本。晶胞的結(jié)構(gòu)可反映晶體的結(jié)構(gòu)。（2）結(jié)構(gòu)：習(xí)慣上采用的晶胞都是，晶體是由無(wú)數(shù)晶胞”而成的。“無(wú)隙”是指相鄰晶胞之間沒有任何間隙；“并置”是指所有的晶胞都是平行排列的，取向相同。整過(guò)晶體就是晶胞按其周期性在三維空間重復(fù)排列而成的。晶胞的無(wú)隙并置體現(xiàn)了晶體的性（強(qiáng)度、導(dǎo)熱、光人教版高中化學(xué)選修三第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)復(fù)習(xí)知識(shí)清單無(wú)答案學(xué)性質(zhì)）和緊密堆積（緊密堆積指由無(wú)方向性的金屬鍵、離子鍵和范德華力

4、等結(jié)合的晶體中，原子、離子或分子等微觀粒子總是趨向于相互配位數(shù)高，能充分利用空間的堆積密度最大的那些結(jié)構(gòu)；原子晶體中微粒鍵的作用力為共價(jià)鍵，有方向性和飽和性，故晶體一般不遵循緊密堆積原則）。（3）晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算方法均攤法如某個(gè)粒子為n個(gè)晶胞所共有，則該粒子有屬于這個(gè)晶胞。對(duì)于長(zhǎng)方體（正方體）晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算：頂點(diǎn)一一被個(gè)晶胞共有，粒子屬于該晶胞；棱上一一被個(gè)晶胞共有，粒子屬于該晶胞；面上被個(gè)晶胞共有，粒子屬于該晶胞；體內(nèi)整個(gè)粒子屬于該晶胞。對(duì)于非長(zhǎng)方體（正方體）晶胞中粒子是具體情況而定，如石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排列成六邊形，其頂點(diǎn)被個(gè)六邊形共有，故每個(gè)六邊形占有粒子的。如上圖

5、:頂點(diǎn)的貢獻(xiàn)為；側(cè)棱上的粒子的貢獻(xiàn)為；上下面上的棱上的粒子的貢獻(xiàn)為；所有面上的粒子的貢獻(xiàn)為;體內(nèi)的貢獻(xiàn)為。二、分子晶體：1、概念：只含分子的晶體稱為分子晶體。（1）粒子及作用力：構(gòu)成微粒一一;分子晶體中，分子內(nèi)的原子間一般以鍵結(jié)合（注：對(duì)于稀有氣體是單原子分子，無(wú)化學(xué)鍵），而相鄰分子靠（或氫鍵）相互吸引。只有分子晶體才有真正的分子存在，所以它的化學(xué)式就是代表，其他晶體無(wú)分子存在，其化學(xué)式只代表構(gòu)成微粒的。（2）分子晶體的結(jié)構(gòu)特征：大多數(shù)分子晶體中，分子間的作用力只是力，由于范德華力沒有性和性，故分子晶體采取密堆積的結(jié)構(gòu)。分子密堆積一一是指以一個(gè)分子為中心，其周圍通?？梢杂袀€(gè)緊鄰的分子，分子的配

6、位數(shù)較高。如I、CO、氧氣、C的晶2260體立方。少數(shù)分子晶體中分子間還存在作用力，如冰：分子間有氫鍵，由于氫鍵具有飽和性和方向性，使分子不能采取密堆積的方式，則每個(gè)分子周圍緊鄰的分子要少于12個(gè)。如冰中每個(gè)水分子周圍只有個(gè)緊鄰的水分子。分子的配位數(shù)相對(duì)較低，晶體的空間利用率較低一一液態(tài)水的密度大于固態(tài)冰（HF、NH也類似）。干冰的熔沸點(diǎn)比冰低，密度卻比冰大由于冰中除了范德華力3外還有作用，破壞分子間作用力較難，所以熔沸點(diǎn)比干。由于分子間作用力特別是氫鍵的方向性，導(dǎo)致晶體冰中有相當(dāng)大的空隙，所以相同狀況下體積。又由于co2分子的相對(duì)分子質(zhì)量H2O分子的相對(duì)分子質(zhì)量，所以干冰的密度大。2物理性質(zhì)

7、：（1）熔沸點(diǎn)，一般低于200r，很多是低于0C；分子晶體熔化時(shí)需要破壞分子間作用力（氫鍵），不破壞化學(xué)鍵，易升華；如:I2晶體；干冰；萘等；（a.相似的物質(zhì)，相對(duì)分子質(zhì)量，范德華力越，熔沸點(diǎn)越。如：O2N2,HIHBrHCl。b.分子量相等或相近，分子的范德華力大，熔沸點(diǎn)，如COc.含有氫鍵的，熔沸點(diǎn)較。如H2OH2TeH2SeH2S，HFHCl，2/8人教版高中化學(xué)選修三第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)復(fù)習(xí)知識(shí)清單無(wú)答案 /8干冰的結(jié)構(gòu)模型（晶胞）冰的結(jié)構(gòu)模型nh3ph3；d.在烷烴的同分異構(gòu)體中，一般來(lái)說(shuō)，支鏈數(shù)越多，熔沸點(diǎn)越低。如沸點(diǎn)：正戊烷異戊烷新戊烷；芳香烴及其衍生物苯環(huán)上的同分異構(gòu)體一般按照

8、“鄰位間位對(duì)位”的順序。）（2）硬度；（3）固態(tài)、熔融狀態(tài)下都導(dǎo)電。（4）溶解性差異大，遵循原理；存在分子間氫鍵的或與水易形成,其溶解度增大。3常見的分子晶體：所有，如HCl、HO、HS、NH、CH、HX等。絕大多，如鹵素（X）、O、TOC o 1-5 h z223422N、白磷（P）、硫（S）、C、稀有氣體等。一例外的C、Si、B等。絕大多數(shù)，如CO、PO、248602410SO、SO等。例外SiO。幾乎所有的，如HNO、HSO、HPO、HSiO、有機(jī)酸等。絕大多數(shù)晶2323243423體，如烴、鹵代烴、醇、酚、醚、醛、酯、蛋白質(zhì)等。弱堿、極少數(shù)鹽。如BeCl2、AlCl3等。（或者信息題中

9、給出熔沸點(diǎn)低的物質(zhì)）4典型的分子晶體:（1）干冰：晶胞為立方晶胞結(jié)構(gòu)；屬于分子密堆積，配位數(shù)，即每個(gè)co2分子周圍最近且距離相等的CO2分子有個(gè)（以一個(gè)CO2為中心，切成互相垂直的X、Y、Z三個(gè)平面，每個(gè)平面上4個(gè)最近或同層4個(gè)，上層4個(gè)，下層4個(gè)）；每個(gè)晶胞中有個(gè)CO2分子。干冰主要用于作制冷劑、人工降雨、速凍保鮮等。（2）冰：每個(gè)水分子通過(guò)氫鍵與周圍個(gè)水分子相互吸引形成正四面體。平均每一個(gè)水分子形成個(gè)氫鍵。三、原子晶體：概念：所有原子都以鍵相互結(jié)合，整塊晶體是一個(gè)三維的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，是一個(gè)“巨分子”，稱為原子晶體，又稱共價(jià)晶體。原子晶體無(wú)分子。性質(zhì)特點(diǎn)：由于原子晶體中原子間以較強(qiáng)的共價(jià)鍵相結(jié)

10、合，故原子晶體的：熔、沸點(diǎn)；硬度;一般導(dǎo)電；于常見的溶劑。原子晶體的熔沸點(diǎn)高低，硬度大小判斷依據(jù)是共價(jià)鍵的強(qiáng)弱一一或大小。如：金剛石、硅、鍺的熔點(diǎn)和硬度依次減小。常見的原子晶體：某些:如金剛石（C）、晶體硅（Si）、晶體硼（B）、晶體鍺（Ge）等；某些非金屬化合物：如碳化硅（）、氮化硅（）、氮化硼（BN）等；某些氧化物：如二氧化硅同一平面內(nèi)。1個(gè)環(huán)中平均含有6X1/12=1/2個(gè)C原子，含C-C鍵數(shù)為6X1/6=1；晶體中C原子個(gè)數(shù)與CC鍵數(shù)之比為，故1mol金剛石晶體中含有CC鍵。金剛石晶胞如右圖所示，C原子分布于立方體的頂點(diǎn)（8個(gè)），面心（6個(gè)），體心（4個(gè)），每個(gè)晶胞實(shí)際擁有8個(gè)C原子；

11、金剛石里的CC鍵的鍵長(zhǎng)很短（154pm）,鍵能很大（347.7KJ/mol）,這一結(jié)構(gòu)使金剛石在所有已知的晶體中硬度最大（經(jīng)錘擊而易破碎，共價(jià)鍵有方向性，受大的外力原子發(fā)生錯(cuò)位而斷裂），而且熔點(diǎn)也很高。二氧化硅（Si。若在晶體硅結(jié)構(gòu)中的每個(gè)SiSi鍵中“插入”一個(gè)氧原子，便可得到以硅氧四面體二氧化硅的晶體結(jié)構(gòu)模型為骨架的二氧化硅的結(jié)構(gòu)（如圖）。在晶體中每個(gè)硅原子和個(gè)氧原子形成個(gè)共價(jià)鍵；每個(gè)氧原子與個(gè)硅原子相結(jié)合。故SiO2晶體中硅原子與氧原子按的比例構(gòu)成立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。最小環(huán)上有個(gè)原子，其中有,6個(gè)Si原子,6個(gè)0原子。1molSiO2晶體中含Si0鍵。每個(gè)Si原子被12個(gè)十二元環(huán)共有，每個(gè)0原

12、子被6個(gè)十二元環(huán)共有，每個(gè)Si-0鍵被6個(gè)十二元環(huán)共有；每個(gè)十二元環(huán)所擁有的Si原子數(shù)為6X1/6=1，擁有的0原子數(shù)為6X1/6=1，擁有的Si-0鍵數(shù)為12X1/6=2,則Si原子數(shù)與0原子數(shù)之比為1：2。Si02的用途：制造水泥、玻璃、人造寶石、單晶硅、硅光電池、芯片、光導(dǎo)纖維等。（3）石墨晶體：S4石養(yǎng)的晶住錯(cuò)構(gòu)示扈圖結(jié)構(gòu)石墨是層狀結(jié)構(gòu)的晶體，在每一層內(nèi)，碳原子排成平行形,一個(gè)個(gè)六邊形排列成平面的結(jié)構(gòu)每個(gè)碳原子都與其他個(gè)碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合，鍵角為;每個(gè)碳原子被個(gè)碳環(huán)共用，每個(gè)C-C被個(gè)碳環(huán)共用，所以在碳環(huán)中碳原子數(shù)與C-C數(shù)之比是。碳原子采取雜化。CC鍵長(zhǎng)都是142pm（金剛石的CC鍵

13、長(zhǎng)是154pm）,同層來(lái)說(shuō)它是原子晶體（熔沸點(diǎn)比金剛石高較強(qiáng)的共價(jià)鍵結(jié)合）；在同層內(nèi)（平面內(nèi)）的碳原子還各剩一個(gè)未參與雜化的2p電子，它的原子軌道垂直與碳原子平面，它們相互重疊形成大口6,使P軌道中的電子可在整6過(guò)碳原子平面中運(yùn)動(dòng)，像金屬一樣有金屬鍵，有導(dǎo)電性，石墨的導(dǎo)電性只能沿石墨平面的方向（層與層間距離太遠(yuǎn)），晶體的各向異性.在層與層之間，石墨層與層之間相隔335pm，距離較大，是以較弱的范德華力結(jié)合在一起的，容易滑動(dòng)，使石墨的硬度很??；即層與層之間屬于分子晶體。碳原子提供個(gè)電子參加成鍵形成平面網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，碳原子的最外層的另一個(gè)電子成為自由電子，石墨可導(dǎo)電。石墨晶體中既有共價(jià)鍵，又有金屬鍵，

14、還有范德華力，不能簡(jiǎn)單地歸為其中任何一種晶體，是一種型晶體或型晶體。性質(zhì)一一有導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性；潤(rùn)滑性、質(zhì)軟；熔沸點(diǎn)高，性質(zhì)穩(wěn)定。四、金屬晶體：1、金屬鍵與金屬晶體：（1）概念：金屬鍵一一金屬原子脫落下來(lái)的形成遍布整塊晶體的“電子氣”被所有原子所共有，從而把所有的金屬維系在一起與之間的作用（金屬鍵的本質(zhì)是電子氣理論）。金屬鍵存在于或中。金屬原子釋出電子后形成的金屬離子按一定規(guī)律堆積，釋出的電子則在整個(gè)晶體里。金屬陽(yáng)離子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)是在一定范圍內(nèi)振動(dòng)，而不是自由移動(dòng)。金屬晶體通過(guò)金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的較強(qiáng)作用形成的晶體；金屬單質(zhì)和合金都屬于金屬晶體。TOC o 1-5 h z（2）特征：金屬鍵可

15、看成是由許多原子共用許多自由電子的一種特殊形式的鍵，金屬鍵性和性；晶體里的電子不專屬于某幾個(gè)特定的金屬離子，而是幾地分布在整個(gè)晶體里自由流動(dòng)，把所有金屬維系在一起，使得金屬呈現(xiàn)出特有的屬性。金屬的物理通性：容易、有性、有;絕大多數(shù)金屬呈銀白色。（3）金屬鍵的強(qiáng)弱：金屬離子的半徑越；金屬離子所帶電荷數(shù)越（即價(jià)電子數(shù)越）,則金屬鍵越強(qiáng)，其金屬的熔沸點(diǎn)，硬度越;同周期金屬單質(zhì)從左至右（如Na、Mg、Al）熔沸點(diǎn)依次，同主族金屬單質(zhì)從上到下依，合金的熔沸點(diǎn)比其各成分者，金屬晶體的熔沸點(diǎn)差異大（如Hg與W）。（注：金屬鍵的強(qiáng)弱決定金屬的物理性質(zhì)。金屬性的強(qiáng)弱決定金屬的化學(xué)性質(zhì)，與金屬鍵的強(qiáng)弱剛好相反。當(dāng)

16、金屬晶體熔融或參加化學(xué)反應(yīng)時(shí)金屬鍵被破壞）（4）金屬的顏色和光澤：由于自由電子可吸收所有頻率的光，然后很快釋放出各種頻率的光，因此絕大多數(shù)金屬具有色或鋼灰色光澤。而某些金屬（如銅、金、銫、鉛等）由于較易吸收某些頻率的光而呈現(xiàn)較為特殊的顏色。當(dāng)金屬狀時(shí)，金屬晶體的晶面取向雜亂、晶格排列不規(guī)則，吸收可見光后輻射不出去，所以一般呈黑灰色。2、金屬晶體的原子堆積模型（1）幾個(gè)概念：緊密堆積微粒之間的作用力使微粒間盡可能的相互接近，使它們占有最小的空間。配位數(shù)：在晶體中與每個(gè)微粒緊密相鄰的微粒個(gè)數(shù)?？臻g利用率：晶體的空間被微粒（構(gòu)成晶體的原子、離子或分子在整個(gè)晶體空間）占據(jù)的體積百分?jǐn)?shù)，用它來(lái)表示緊密堆

17、積的程度?？臻g利用率=球體積/晶胞體積100%（2）金屬晶體的原子在二維平面堆積模型金屬晶體中的原子可看成直徑相等的小球。將等徑圓球在一平面上排列，有兩種排布方式：層一一按右圖（左）方式排列，每個(gè)圓球與其他4個(gè)球相切，這種排列方式不是最密堆積。非密置層的配位數(shù)為；層一一按右圖（右）圖方式排列，每個(gè)圓球與其他6個(gè)球相切，這種排列方式達(dá)到了最緊密堆積。密置層的配位數(shù)為.球周圍有6個(gè)三角形空隙從中可以抽出平面六方格子（注意六方格子是平行四邊形而不是六邊形），雙層等經(jīng)圓球密堆積也只有一種方式，上層中的球凸出部位填在下層的空隙之上這時(shí)上下兩層圓球形成的空隙為正四面體空隙和正八面體空隙。（3）金屬晶體的原

18、子在三維空間堆積模型堆積（只有）：將非密置層球心對(duì)球心地垂直向上排列，這樣一層一層地在三維空間里堆積，就得到簡(jiǎn)單立方堆積；如右圖：這種堆積方式形成的晶胞是一個(gè)簡(jiǎn)單立方體，每個(gè)晶胞含有1個(gè)原子；正方體邊上球與球相切；金屬原子半徑r與正方體邊長(zhǎng)a的關(guān)系：a=2r.簡(jiǎn)單立方堆積空間占有率=。堆積一鉀型（、）：將非密置層的上層金屬原子填入非密置層的下層金屬原子形成的凹穴中，并使非密置層的原子稍稍分離。如右圖：這種堆積方式所得的晶胞是一個(gè)含有個(gè)原子的體心立方體，一個(gè)原子在立方體的中心，另一個(gè)原子在立方體的頂點(diǎn)，其配位數(shù)為；體對(duì)角線上的球與球相切，金屬原子半徑r與正方體邊長(zhǎng)a的關(guān)系：a=r；體心立方堆積空

19、間占有率=個(gè)球相接觸，所以其配位數(shù)是都是采用這種堆積方式，稱為鎂型堆積。六方緊密堆積晶胞平均占有的2個(gè)原子；平行六面體的底是平行四邊形，各邊長(zhǎng)a=2r,則平行四邊形的面積：S=a-asin60-a2246va2xa晶胞23V、2X竺r3x2a38x：2r3球3平行六面體的高：h=2x邊長(zhǎng)為a的四面體高62、迢=2xa=33（晶胞中有2個(gè)球）VX100%=74.05%晶胞面心立方：如圖所示，按ABCABCABC的方式堆積。六方最密堆積：如圖所示，按方式堆積。這種排列方式中可劃分出晶胞，故稱此排列為堆積。同一層上每個(gè)球與同層中周圍六個(gè)球相接觸，同時(shí)又與上下兩層中各三個(gè)球相接觸，故每個(gè)球與周圍12堆

20、積：將第一密置層記作A，第二層記作B層，B層的球?qū)?zhǔn)A層中的三角形空隙位置,第三層記作C,C層的球隊(duì)準(zhǔn)B層的空隙額，同時(shí)對(duì)準(zhǔn)A層中的三個(gè)空隙（即C層球不對(duì)準(zhǔn)A層球），以后各層分別重復(fù)A、B、C層排布，這種排列方式三層為一個(gè)周期，計(jì)為ABCABCABC。由于在這種排列可以劃出立方晶胞、銅型堆積。每個(gè)晶胞個(gè)原子，配位數(shù)為面對(duì)角線上的球與球相切，金屬原子的半徑r與正方體的邊長(zhǎng)a的關(guān)系：a=r;面心立方最密堆積的空間利用率計(jì)算=。五、離子晶體：1、概念：離子晶體由和通過(guò)離子鍵結(jié)合而成的晶體。結(jié)構(gòu)微粒是陰、陽(yáng)離子相互作用是離子鍵（離子內(nèi)可能含共價(jià)鍵）；2、結(jié)構(gòu)特征：陰、陽(yáng)離子間只存在離子鍵；離子方向性和

21、飽和性，離子鍵向空間各方向擴(kuò)展，形成離子晶體。與金屬晶體類似，離子晶體中的陰陽(yáng)離子也采堆積方式，陰陽(yáng)離子各與盡可能多的異電性離子接觸，這樣使體系的能量盡可能低，從而形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，離子晶體的配位數(shù)比較高。但陰、陽(yáng)離子采用不等徑圓球的密堆積；不存在小分子，化學(xué)式表示陰、陽(yáng)離子比的最簡(jiǎn)比。3、物理性質(zhì)：具有的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)揮發(fā)；硬度，硬而脆；當(dāng)晶體受沖擊時(shí)，部分離子鍵發(fā)生斷裂，導(dǎo)致晶體破碎。導(dǎo)電；晶體中無(wú)自由移動(dòng)的離子，但在狀態(tài)或中能導(dǎo)電。溶解性：大多數(shù)離子晶體易溶于溶劑（如水）中，難溶于非極性溶劑（如汽油、苯、CCl）中。44、離子晶體的配位數(shù)（縮寫為C.N.）及影響因素：（1）配位數(shù)：離子晶體中一個(gè)

22、離子周圍最鄰近的異電性離子的數(shù)目。（2）影響離子晶體配位數(shù)的因素：幾何因素一一晶體中陽(yáng)離子與陰離子的半徑比是決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素。離子鍵無(wú)飽和性和方向性，但成鍵時(shí)離子半徑?jīng)Q定了陰、陽(yáng)離子參與成鍵的數(shù)目;r+/r-比值越大，配位數(shù)就越大。陽(yáng)、陰離子半徑比與配位數(shù)的關(guān)系：r+/r-配位數(shù)實(shí)例0.2250.4144ZnS0.4140.7326NaCl0.7321.08CsCl電荷因素一一正負(fù)離子的電荷比等于陽(yáng)離子與陰離子的配位數(shù)之比。如：NaCl6:6；CsClN寸OCL-8:8；ZnS4:4；CaF8:425、典型離子晶體的結(jié)構(gòu)：A、NaCl型：NaCl晶胞如圖所示：（1）晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)Na+與Cl-相間排列的立方結(jié)構(gòu)，Cl-在頂點(diǎn)和面心，Na+在棱的中點(diǎn)和體心（位置可互換）；晶胞可分割成8個(gè)小立方體（Na+與Cl-相間排列）；面對(duì)角線是Cl-彼此相切，棱上Na+與Cl-（計(jì)算如右圖）。（2）配位數(shù)：每個(gè)Na+周圍有個(gè)Cl-，每個(gè)Cl-周圍有個(gè)Na+；6個(gè)Na+或6個(gè)Cl-形才_(tái)刁_酎成一個(gè)體；每個(gè)Na+（Cl-）周圍等距離最近的Na+（Cl-）有個(gè)）;嚴(yán)一,NaCl晶胞中含有個(gè)Na+、個(gè)Cl-,即個(gè)NaCl;B、CsCl型：CsCl的晶胞如右圖所示：(1)晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)頂點(diǎn)是(Cl-或Cs+)，體心是(Cs+或Cl-)；體對(duì)角線