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ysis1. 在對(duì)其外觀和各電源/ysis1. 在對(duì)其外觀和各電源/信號(hào) pin(如圖)進(jìn)行檢測(cè)後，無(wú)不良之現(xiàn)象後，Socketboard（VIA專用）板上進(jìn)行驗(yàn)證MSI ysis通過(guò)抽取10OK料進(jìn)行 (如圖)pin點(diǎn)的對(duì)比檢查發(fā)現(xiàn)有眾多料二體有較大偏差這現(xiàn)象情況如通過(guò)抽取10OK料進(jìn)行 (如圖)pin點(diǎn)的對(duì)比檢查發(fā)現(xiàn)有眾多料二體有較大偏差這現(xiàn)象情況如下Result:(check346 el VIADDR200:注：對(duì)於二極體有偏差的，我們也無(wú)法確定出是來(lái)料還是制程問(wèn)題。為了防止送廠的料有存在EOS的可能，因此我們也把二極體有偏差的料歸於EOS類Corrective :注：對(duì)於二極體有偏差的，我們也無(wú)法確定出是來(lái)料還是制程問(wèn)題。為了防止送廠的料有存在EOS的可能，因此我們也把二極體有偏差的料歸於EOS類Corrective UnitFail Pin(對(duì)地二極體1二 極 30(ok 234PD/D0 、 PD/D3 、 二 極 30(ok 5678二 極 80(ok 9

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