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文檔簡介

1、關于數(shù)字電路基礎第一張，PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月 教學要求 1.了解二極管、晶體管ROM的基本結構和存儲單元結構；會用ROM實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)。2.熟悉RAM的結構和操作過程；了解RAM的擴展方式。第二張，PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月7.1 概述 半導體存儲器是一種能存儲大量二值信息的半導體器件。按存儲功能分只讀存儲器（ROM）隨機存儲器（RAM）按制造工藝分雙極性MOS型第三張，PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月7.2 只讀存儲器（ROM)優(yōu)點：電路結構簡單，斷電后數(shù)據(jù)不丟失，具有非易失性。缺點：只適用于存儲固定數(shù)據(jù)的場合。電路結構Read Only Memory第四張，

2、PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月只讀存儲器分類：掩膜ROM：出廠后內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)不能改動，只 能讀出。PROM：可編程，只能寫一次。EPROM:用紫外線擦除，擦除和編程時間較慢，次數(shù)也不宜多。E2PROM:電信號擦除，擦除和寫入時需要加高電壓脈沖，擦、寫時間仍較長?？扉W存儲器(Flash Memory)：吸收了EPROM結構簡單，編程可靠的優(yōu)點，又保留了E2PROM用隧道效應擦除的快捷特性，集成度可作得很高。第五張，PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月7.3 隨機存儲器（RAM)優(yōu)點：讀、寫方便,使用靈活。缺點：一旦停電所存儲的數(shù)據(jù)將隨之丟失（易失性）。基本結構：地址譯碼器、存儲矩陣和讀寫

3、控制電路構成。Random Access Memory.P368圖7.3.2第六張，PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月7.4 存儲容量的擴展字線位線存儲容量字數(shù)位數(shù)存儲容量22444地址輸入端數(shù)據(jù)輸出端第七張，PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月位擴展 8片10241位RAM接成10248位的RAM。第八張，PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月字擴展 4片2568位的RAM接成1024 8位的RAM。第九張，PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月7.5 用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)例7.5.2 試用ROM產(chǎn)生如下一組多輸出邏輯函數(shù)第十張，PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月解：化為最小項之和的形式：第十一張，PPT共十三頁，創(chuàng)作于2022年6月第十二張

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