芯片集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面梳理

1、- #- -芯片集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面梳理2020.05集成電路作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，市場(chǎng)份額達(dá)83%，由于其技術(shù)復(fù)雜性，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)高度專業(yè)化。隨著產(chǎn)業(yè)規(guī)模的迅速擴(kuò)張，產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，分工模式進(jìn)一步細(xì)化。目前市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈為IC設(shè)計(jì)、IC制造和IC封裝測(cè)試。在核心環(huán)節(jié)中，IC設(shè)計(jì)處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，IC制造為中游環(huán)節(jié)，IC封裝為下游環(huán)節(jié)。全球集成電路產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，由封裝測(cè)試環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移到制造環(huán)節(jié)，產(chǎn)業(yè)鏈里的每個(gè)環(huán)節(jié)由此而分工明確。由原來的IDM為主逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)镕abless+Foundry+OSAT。集成電路產(chǎn)業(yè)鏈集成電路產(chǎn)業(yè)鏈- - -三星華力誨思英特爾展訊SK造力士ROA美光華北半導(dǎo)體博通大唐電信富遇

2、國(guó)民技術(shù)茨差匯原料技速惻儀器中星宛電子英偉達(dá)北京君正西弟勁據(jù)豪威科技觀超浦敦本電子黃飛凌瑞芯希苣法半導(dǎo)體全志科技第果然易前落aiiiian，!，應(yīng)用材料A5N1U阿酋麥JT明口ElectifcnKWTencxxlam拜RseardiAditestMWLScreenTeradyne日立高新ASMIWflrnitionijlNilwn國(guó)際電氣DallukuASMPadiiie0的1（佳能SEMES中電科電子裝備湘江晶播機(jī)電法川拽隹偉創(chuàng)北克北方隼制申希半導(dǎo)體爨留上海融電子北京京運(yùn)通蒲江天通吉成硬繞半導(dǎo)體格蘭法長(zhǎng)川科技特利電子說國(guó)拓荊巖灣臺(tái)盟電美國(guó)格羅方便臺(tái)灣聯(lián)華電子茸國(guó)三星上用中芯國(guó)際臺(tái)灣力晶制技T

3、mverJazzRVanguavxl上海華虹定力日本M士通美國(guó)英特爾無緣呼海力士長(zhǎng)江存催科技上海ASMt華河上華耨技世界先進(jìn)期居?xùn)|伸言科技K-Fab等上海華力附電子硅晶圓靶材CMP拋光材料光嵬膠濕電子化學(xué)品電子特種氣體光罩日本信越j(luò)x日tr金屬*光全：日ESfi江牝箱電子空氣化工Photmonks日本勝高霍里韋爾網(wǎng)代化學(xué)侑振就學(xué)普蒙克斯日本DNP環(huán)球晶眼耒曹Cabot11本TOK品瑞設(shè)希林德集團(tuán)日本T所加德國(guó)世創(chuàng)普萊克斯niDiiiasWst陶氏1學(xué)浦化空氣路推就電LGSiltron江豐電子三士通蘇啊京打日本太陽(yáng)日菲利華法國(guó)mNtee有忻籍村日本rsR北京科華博株式愛社為灣合品抽光迸工中船宏工

4、CkvnetkU本Fujimi南大光電白灣耳晶Hlinomot上海至戔上海新昇Kenmaidl五虎起廢美國(guó)卡博特寧直眼和杜邦天客中環(huán)Rode浙江企瑞現(xiàn)E3弗州吉晶茸國(guó)AM北京突斯棒安集搬電子百駱甄村用9龍跟粉IC制造口封裝測(cè)試臺(tái)汽日月光美國(guó)安堡江蘇長(zhǎng)電科技矽居科技自沌力成料按甘由天才華天江蘇南通迪塞糠電子臺(tái)灣京元電子暇蒯臺(tái)/南方科技絮加愫聯(lián)合科技臺(tái)迓邦科技江蘇南通富士通域電子韓國(guó)Ncpes馬耒西亞Unitem蘇州品方半導(dǎo)體科技以加氣調(diào)科技無偏單洞安愚廣東鳳華芯電晶圓材料產(chǎn)業(yè)鏈晶圓材料產(chǎn)業(yè)鏈- - #-GaAs第二代Si高電子江庫(kù).1率r高光電!轉(zhuǎn)魂效車：應(yīng)用于高詡I高頻和比電轉(zhuǎn)浜領(lǐng)域，sic第

5、三代第一代!踮位極限I9就空帶一國(guó)、臨界主穿電場(chǎng)強(qiáng)度,高施fu需移速率.高熱殍率應(yīng)用于福壓,尚斯.人功簟領(lǐng)域/Si：主要應(yīng)用于集成電路的晶圓片和功率器件；GaAs;主要應(yīng)用于大功率發(fā)光電子器件和射頻器件；GaN：主要應(yīng)用于光電器件和微波通信察件；引J主要應(yīng)用于功率器件知,年兩.第一代半導(dǎo)體材料硝zSi笫二代半導(dǎo)體材料第三代半導(dǎo)體材料何化嫁GMs磷化錮InP碳化硅5iC氮化像GaN桂晶U廠商日本信擄日本勝高環(huán)球晶圓德國(guó)世射LG511tlem法國(guó)臺(tái)灣合晶okmelk臺(tái)灣直晶上海新昇重慶超硅寧夏糧和天津中環(huán)浙江金瑞泓鄭州合晶北京奕冊(cè)知硅品囤代工臺(tái)積電TSMC格羅方德聯(lián)華電子UIWC中芯因際SM1C力

6、晶Po用ermipTow/e-rjazi世界先進(jìn)期出華虹半導(dǎo)怵東部高科技K-Fab等封裝廠救日月光安里長(zhǎng)電科技矽晶力成科技擎天科技通富融電京元電子聯(lián)合科技南茂科技等的w襯賓日本住友電工日本三菱化學(xué)日本住友化學(xué)GaAs襯底日本住友電工德國(guó)Freiberg美國(guó)-I日本住友化學(xué)皿配元件I含in網(wǎng)Slfyv/orksBroadcomQorvoAnadigScsWinsmrilSEIMURAADEVICESSONYELECTOCGg0晶圓代工穩(wěn)愿宏捷科技AWSC壞手科技GCS水襯底美國(guó)球E德國(guó)就華美國(guó)IWI美國(guó)DowCorning新日鐵住金MdEW等山東天岳天科合達(dá)同光晶怵中電科裝備5小外延片美國(guó)口Dw

7、t.ttfning美國(guó)IIVIhortei美國(guó)匚陌口羅榭ROHM三菱電機(jī)Intinemm等瀚天天成天國(guó)半導(dǎo)體中電料13所1所江笄元佳球器件Infineon美國(guó)口EE羅姆ROHM意法半導(dǎo)體等泰科天間中車時(shí)代電氣SK器件/模塊/IDL1國(guó)內(nèi)中國(guó)電子科技集團(tuán)株洲中車時(shí)代電氣北京世足金光乘科天河原門芯光潤(rùn)澤揚(yáng)州揚(yáng)杰電子上海*翳dw- -半導(dǎo)體芯片制造工藝流程及產(chǎn)業(yè)鏈單晶硅制片拉單晶|寸麗廚總切片E)|倒角亂磨削或研磨CMP前道工藝擴(kuò)散日薄膜覆B光刻出刻他|噌寓子注入金屬化1進(jìn)行檢利并重復(fù)若干次t睇曲/等島三氧11*CVD出一謖建智曲盅子a：入機(jī)EMP沒苦PVLrffifi鑄機(jī)日*東版電子英國(guó)3口日本T

8、EI桀國(guó)應(yīng)用材制/回座用不科貴國(guó)應(yīng)用材料美國(guó)同MAT日立田蜂電不工國(guó)國(guó)俄國(guó)5U5S美國(guó)緯列克ftSlRgun里國(guó)批小Evatec兆國(guó)ThirmcaMH|5K見地利EITO柒國(guó)CHA美國(guó)善華再轉(zhuǎn)科UlvacIt方華踞黑閏PnotoFlH沈陽(yáng)芯源類國(guó)，MWT美國(guó)|0咄由國(guó)美牛導(dǎo)瘁箕國(guó)應(yīng)用材物HTPigft罷國(guó)AMAT期里美國(guó)VariunJSSlEcopla中電闡罷國(guó)曰口/選I國(guó)Sfmg/柒國(guó)匕咕英國(guó)WMAT期片也超國(guó)占porGrh聾畀退火改曲茵蘭向5ML通勤恨日本H豆高斯(fcHiMno/黃:國(guó)Teh/j（國(guó)l&m茴蘭ASM韓國(guó)JuSui電北京中科管藕班出將瑞士Plat日本尼康英用Lnm韓國(guó)僮上海

9、德世通鬟國(guó)長(zhǎng)國(guó)t營(yíng)正忙七力住日本佳篇蓑國(guó)AMT北方段創(chuàng)中電將電子黃洋日本口曝北方矍電孑北方華創(chuàng)東京電子中道提與體等離子去庭機(jī)韓國(guó)JEMES文祖中科枚者ALQftft優(yōu)南插*1日庫(kù)后出部汰弱成埃告，枇方華就成部南養(yǎng)/日本佳ec/清就設(shè)普威美半導(dǎo)體中國(guó)電子的新氣相外延爐英國(guó)赤國(guó)3EME&華禽：蟲我機(jī)此畫|所FteHNth革lii佳法創(chuàng)科容設(shè)青等中科咬整國(guó)Pr口匕EWLec詫電弭/曰本ms制期謖嗇8。森皆究院日聿TokkiLMtfBt上修3取于35.央匚書簿國(guó)SEMES/黑國(guó)tVDEjqui口erm1ftz日本再總美蚓施用忖料抽豺違藁國(guó)En北方中創(chuàng)美田心&柒國(guó)Lani第國(guó)p松口日本TEL日本:ES盛

10、英半月幃美國(guó)融出口”XNvaportrchfSHsuss韓國(guó)羽里皿籽曲臨就整國(guó)PmtoFlrK北方挈阿1RMTtsr里柏利EVG北方些地美國(guó)息MAT中福李導(dǎo)健瑞PH沈陽(yáng)巖邀國(guó)至三M俅靖國(guó)驍皿注藁諭備里貝提性性前荷蘭的睡美國(guó)LdE戊方迷電千需洗強(qiáng)都國(guó)本M弓流國(guó)中科也舒美國(guó)1amHsemes瑞梆兩兆舊串口MS玷方華創(chuàng)中胃電f48所笄國(guó)SEMES康捷豐導(dǎo)體科齒期褂等北方簞朝萊城桂佳幅創(chuàng)MFiS管騎工半身體/、他隹伸創(chuàng)后道工藝I背面減薄期晶圓切割口貼片b引線鍵合|盟國(guó)切齡以終測(cè)戰(zhàn)耦邃葡晶副空潛機(jī)站之機(jī)訓(xùn)館喊臺(tái)機(jī)等離子悻清盤甘徐/成金設(shè)則試設(shè)奇機(jī)福f/tSM美國(guó)Wrn/日Aduante-rt貼*制片機(jī)愕

11、褥灣詞電子日本口日耳AOI柴田lEradvn廿/日本;DISC口/中電科前$|4J顯.泡q諾種BO*禽麻8.口.S.轆塾E十*C3*第*苗*肝更前更+射超修&*祭S#共H附津第群*蟀由樣MT的18*圃匍*堇就W小PH-*戲砰道富毒.堤臉*19T南*去q后III咨淋營(yíng)二二楞3刑送書善號(hào)：工三三當(dāng)自磊f士（由建盤牛餐售由零#Y快；一二鄧典j耒IHi疝R國(guó)h至R并3#盒互款其醇3HI建;居彗嗚K毒黑制固*陶售UHlilll3T二二寫遍出=-?之手濟(jì)手篝翼*1號(hào)，”3-，3城III*i皆需噓lilialMrJIII3W美國(guó)應(yīng)用利找X推利安干?林至國(guó)cm美國(guó)RUT美國(guó)美國(guó)LnK-ucnrcti日本日在江

12、新姓國(guó)尢如奸苜KHtej基廈口?d占5.*昨AWL冊(cè)舊Lwna-Un曰r+施EHmtB*一力中第笥就嘀M棄當(dāng)且a-*F-a-8SS掙3由片羊的獨(dú)品除物事3x市崎aS,JjE嶗j回牙*S*玄蠢胸第J翩薪加鉗13*J聲&gaij更筆如大陸現(xiàn)有和在建12寸產(chǎn)線投資快速增公司工廠代礙地址投資（億人民幣）投產(chǎn)時(shí)間月產(chǎn)能/片華力微電子F1上海已滴產(chǎn)35,000英特爾Fab68大連169201040,000中芯國(guó)標(biāo)BlMegaFab北京未知200450X00中芯國(guó)際B2A北京242201435,口0。聯(lián)芯Fab12x廈門41g2016.1250,000武漢新芯Fl武漢1072003250,000兆基科技合肥

13、4602017100,000格羅方德成都650201985,000華虹定力FAB無錫6602019H240,000華力微電子F2上海387201340,000晉華泉州370201S.960.000晉華F2泉州未知在建60.000晶合科技N1合肥12&Q4201740,000晶合科技N2-N4合肥未知在建120,000海力士HC1&HC2無螭709在建170,000中芯國(guó)際B3北京270201S35X00中芯國(guó)際SN工&SN2上海67S201870,000中石國(guó)際SZFablfiA/B|E深圳1102M7年底40,000臺(tái)枳電NJ南京201N01g年底20,000萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體CQ重慶65201SH

14、170,口00武漢新芯F2武雙130在建250.000紫光集團(tuán)南泉20002018100,000紫光集團(tuán)成都20002020500,000紫光集團(tuán)SZ深圳2000201S50,口00士蘭微廈門170在建80,000三星電子西安（二一4402019年100,000兆易倒新融合肥長(zhǎng)鑫（合作）合肥49420土8年初125,000粵芯廣州70Z019HI30,000德科碼F2淮安ISO201720,000聯(lián)芯Fab12x廈門403如16年底投產(chǎn)50,000長(zhǎng)江存儲(chǔ)武雙15702013卿陽(yáng)總計(jì)15268- - -全球20172020年新增產(chǎn)線公司工廠地址投資也美元）投產(chǎn)忖聞尺寸工藝節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能LGDispl

15、ayP1O韓國(guó)37.12。18計(jì)劃SK海力士韓國(guó)仁川計(jì)劃SK海力士韓國(guó)清州262019計(jì)劃SK海力士韓國(guó)清州在建SK海力士韓國(guó)3132020計(jì)劃三星Pyeongtaek彝國(guó)共2772017730014450,000三星韓國(guó)2018計(jì)劃三星A5拜國(guó)在建1SCOOO-270000三星S3-Line靜國(guó)162在建30020200,000三星美國(guó)102017年試產(chǎn)8nm/2018年量產(chǎn)7111Tl/2019年研發(fā)6和5nm/202。年推進(jìn)4mi東芝Fab6-b期日本182018東芝日本4S計(jì)劃東芝Fab6二期日本1.S計(jì)劃華邦電子臺(tái)灣1092020300南亞科FabSA臺(tái)灣18,5201820博世德國(guó)

16、102021300未知臺(tái)積電Fabl2(P8)臺(tái)灣512017450臺(tái)積電Fabl2(P7)臺(tái)灣計(jì)劃30016臺(tái)積電FabIS臺(tái)灣2502Q193005120,000臺(tái)積電臺(tái)灣200計(jì)劃2臺(tái)積電臺(tái)灣20020223格羅方德Fab8（擴(kuò)產(chǎn)）美國(guó)數(shù)十億2018H230014歐司朗馬來西至11.82017、2020150電裝DensoIwate日本D.S8在建英特爾Fab42美國(guó)7020203007美光Fab10三期擴(kuò)建新加坡402020300關(guān)光ManassasjT產(chǎn)美國(guó)30在建封測(cè)制造設(shè)計(jì)23.75%.四目我4”我正34%：37.93%15,99%36.08%38.76%26.85943439%

17、38.00%28.43%12.72%20142015IU1BL- #- - -大陸前十名半導(dǎo)體設(shè)備廠商序號(hào)公司主要產(chǎn)品領(lǐng)域應(yīng)用領(lǐng)域中電科電子裝備盥歌雪晨之艇合機(jī)、封裝凌窗IC.光伏,LED浙江晶盛機(jī)電多尊鬻整爐光伏、led*RR伴生長(zhǎng)被肯深圳捷佳怦創(chuàng)制統(tǒng)設(shè)嘉普翳備光伏4北京北方華創(chuàng)刻蝕機(jī)、皴膜設(shè)備、I：設(shè)備、清洗機(jī)、IC、光伏、LED封裝設(shè)備、外延設(shè)備中微半導(dǎo)體設(shè)備MOVCD.刻蝕設(shè)缶、（上海）封裝IC、LED上海微電子光刻機(jī)北京京運(yùn)通多晶特錠爐、單晶爐光伏8浙H天通吉成微莊子營(yíng)密加工設(shè)光伏、LED備ICg盛手半導(dǎo)體f上海1餓胴設(shè)備、拋胴設(shè)備“盛美華導(dǎo)網(wǎng)上闞、范晶圓清洗設(shè)缶10格蘭達(dá)自動(dòng)化設(shè)備

18、1設(shè)計(jì)：細(xì)分領(lǐng)域具備亮點(diǎn)，核心關(guān)鍵領(lǐng)域設(shè)計(jì)能力不足。從應(yīng)用類別（如：手機(jī)到汽車）到芯片項(xiàng)目（如：處理器到FPGA）,國(guó)內(nèi)在高端關(guān)鍵芯片自給率幾近為0,仍高度仰賴美國(guó)企業(yè)；2設(shè)備：自給率低，需求缺口較大，當(dāng)前在中端設(shè)備實(shí)現(xiàn)突破，初步產(chǎn)業(yè)鏈成套布局，但高端制科產(chǎn)品仍需攻克。中國(guó)本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商只占全球份額的1-2%，在關(guān)鍵領(lǐng)域如：沉積、刻蝕、離子注入、檢測(cè)等，仍高度仰賴美國(guó)企業(yè)；3材料：在靶材等領(lǐng)域已經(jīng)比肩國(guó)際水平，但在光刻膠等高端領(lǐng)域仍需較長(zhǎng)時(shí)間實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模443億美金，晶圓制造材料供應(yīng)中國(guó)占比10%以下，部分封裝材料供應(yīng)占比在30%以上。在部分細(xì)分領(lǐng)域上比肩國(guó)際領(lǐng)先，

19、高端領(lǐng)域仍未實(shí)現(xiàn)突破；4制造：全球市場(chǎng)集中，臺(tái)積電占據(jù)60%的份額，受貿(mào)易戰(zhàn)影響相對(duì)較低。大陸躋身第二集團(tuán)，全球產(chǎn)能擴(kuò)充集中在大陸地區(qū)。代工業(yè)呈現(xiàn)非常明顯的頭部效應(yīng)，在全球前十大代工廠商中，臺(tái)積電一家占據(jù)了60%的市場(chǎng)份額。此行業(yè)較不受貿(mào)易戰(zhàn)影響；5封測(cè)：最先能實(shí)現(xiàn)自主可控的領(lǐng)域。封測(cè)行業(yè)國(guó)內(nèi)企業(yè)整體實(shí)力不俗，在世界擁有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，長(zhǎng)電+華天+通富三家17年全球整體市占率達(dá)19%，美國(guó)主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手僅為Amkor。此行業(yè)較不受貿(mào)易戰(zhàn)影響。2017ETop10Fabless/SystemICCompanies($M)2017ERankCompanvHeadquarters2016TottC201

20、7ETotK的17/201$%Of注n勝1QuakommU.S.15J1417JJ7811%2BroadcomLtd.13,846IM6s16%3Nvidiaus63的44%4MediaTekTaiwan8,8097,m-11W5Apple*U.S國(guó)493瓦喇3將6AMDU.S4,2725PZA923K7HiSiliUFtChinaX91C4J1521%SXilinkUS2,3112,4757%9MarvellUS290-1%J0Un檢.China2T050一Top10Totsl65J31Other-24f6MTotalFab相5泗yUee90,425iotIiU1I現(xiàn)然而，盡管海思和紫光上榜

21、，但可以看到的是，高通、博通和美滿電子在中國(guó)區(qū)營(yíng)收占比達(dá)50%以上，國(guó)內(nèi)高端IC設(shè)計(jì)能力嚴(yán)重不足?？梢钥闯觯瑖?guó)內(nèi)對(duì)于美國(guó)公司在核心芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的依賴程度較高。自中美貿(mào)易戰(zhàn)打響后，通過“中興事件”和“華為事件”我們可以清晰的看到，核心的高端通用型芯片領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)的設(shè)計(jì)公司可提供的產(chǎn)品幾乎為0。大陸高端通用芯片與國(guó)外先進(jìn)水平差距主要體現(xiàn)在四個(gè)方面：1）移動(dòng)處理器的國(guó)內(nèi)外差距相對(duì)較小。紫光展銳、華為海思等在移動(dòng)處理器方面已進(jìn)入全球前列。2）中央處理器（CPU）是追趕難度最大的高端芯片。英特爾幾乎壟斷了全球市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)約有3-5家，但都沒有實(shí)現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn)，多仍然依靠申請(qǐng)科研項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)和政府補(bǔ)貼維持運(yùn)轉(zhuǎn)

22、。龍芯等國(guó)內(nèi)CPU設(shè)計(jì)企業(yè)雖然能夠做出CPU產(chǎn)品，而且在單一或部分指標(biāo)上可能超越國(guó)外CPU,但由于缺乏產(chǎn)業(yè)生態(tài)支撐，還無法與占主導(dǎo)地位的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)。3）存儲(chǔ)器國(guó)內(nèi)外差距同樣較大。目前全球存儲(chǔ)芯片主要有三類產(chǎn)品，根據(jù)銷售額大小依次為：DRAM、NANDFlash以及NorFlash。在內(nèi)存和閃存領(lǐng)域中，IDM廠韓國(guó)三星和海力士擁有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)，截止到2017年，在兩大領(lǐng)域合計(jì)市場(chǎng)份額分別為75.7%和49.1%,中國(guó)廠商競(jìng)爭(zhēng)空間極為有限，武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)試圖發(fā)展3DNandFlash（閃存）的技術(shù)，但目前僅處于32層閃存樣品階段，而三星、英特爾等全球龍頭企業(yè)已開始陸續(xù)量產(chǎn)64層閃存產(chǎn)品；在Norflas

23、h這個(gè)約為三四十億美元的小市場(chǎng)中，兆易創(chuàng)新是世界主要參與廠家之一，其他主流供貨廠家為臺(tái)灣旺宏，美國(guó)Cypress,美國(guó)美光，臺(tái)灣華邦。4）FPGA、AD/DA等高端通用型芯片，國(guó)內(nèi)外技術(shù)懸殊。這些領(lǐng)域由于都是屬于通用型芯片，具有研發(fā)投入大，生命周期長(zhǎng)，較難在短期聚集起經(jīng)濟(jì)效益，因此在國(guó)內(nèi)公司層面發(fā)展較為緩慢，甚至有些領(lǐng)域是停滯的?？偟膩砜?，芯片設(shè)計(jì)的上市公司，都是在細(xì)分領(lǐng)域的國(guó)內(nèi)最強(qiáng)。比如匯頂科技在指紋識(shí)別芯片領(lǐng)域超越FPC成為全球安卓陣營(yíng)最大指紋IC提供商，成為國(guó)產(chǎn)設(shè)計(jì)芯片在消費(fèi)電子細(xì)分領(lǐng)域少有的全球第一。士蘭微從集成電路芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)開始，逐步搭建了芯片制造平臺(tái)，并已將技術(shù)和制造平臺(tái)延伸至功

24、率器件、功率模塊和MEMS傳感器的封裝領(lǐng)域。但與國(guó)際半導(dǎo)體大廠相比，不管是高端芯片設(shè)計(jì)能力，還是規(guī)模、盈利水平等方面仍有非常大的追趕空間。- - -金球WD設(shè)備市場(chǎng)分布情況全球CVD設(shè)備市場(chǎng)分布情況AMATTELhLAM其他AMATflEvatecUlvsc其他2019年用于IC的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備TOP15排名融營(yíng)收201出營(yíng)股誓公司總部主要產(chǎn)品領(lǐng)域憚位：百方彈位：百方增長(zhǎng)率/吳凡】美2沉積、刻蝕、離3Appli日居應(yīng)用材料）美國(guó)子注入、化學(xué)機(jī)1S.46S14,016-3.9%械研磨等2ASML斯麥荷蘭光刻設(shè)備12,77012,916-0.4H3TokyoEledron（東京電子日本沉積、刻飩、

25、勻展顯影設(shè)備等9,552139：15-12.5%4LamRwfeardi（泛林|美國(guó)刻飩、沉積、清洗等9,54910,871-12.2%5KIA-Tencor科天美國(guó)碎片檢測(cè)、測(cè)量設(shè)備4r6654,24110.0%6Adtfantestj愛德力測(cè)試）日本碎片檢測(cè)、測(cè)量設(shè)備2,4702,572-4.0%ScreenSemiconductor日本刻飩、清晰慢備7Solutions2r2002,226-1.2%8Tfwlyri現(xiàn)泰瑞達(dá)）美國(guó)測(cè)量設(shè)備L55m1.492441%9HitachiHigh-Technologies日立高新）日本沉積、刻蝕、檢測(cè)設(shè)備、封裝貼X533片設(shè)備等1,40393%30

26、ASMIntemotion叫先域J荷蘭沉積、封裝犍合設(shè)得等146199127.2%ANi3n尼康）日本無刻設(shè)得lf200551117.S%12KakusaiElectrkf國(guó)際電氣）日本熱處理設(shè)備1,1371,436-23.5%13Dadfuku（大幅日本無塵室掾運(yùn)等1,10797213.9%新加型導(dǎo)體后段工序34ASMPacificT?chnolofY城設(shè)備89414S2-243%15Canon（佳能）日本FPD曝光692- - -大陸前十名半導(dǎo)體設(shè)備廠商序號(hào)公司主要產(chǎn)品領(lǐng)域應(yīng)用卷域中電科電子裝備或）艇合機(jī)、封裝傻備IC.光伏,LED浙江晶盛機(jī)電多魯黑整爐光伏、led*加件生長(zhǎng)發(fā)備深圳鹿佳怦

27、創(chuàng)制緞設(shè)嘉耀設(shè)密光伏4北京北方華創(chuàng)刻蝕機(jī)、罐膜設(shè)番、BI：設(shè)備、清洗機(jī)、IC、光伏、LED封裝設(shè)備、外延設(shè)備中微半導(dǎo)體設(shè)備MOVCD.刻蝕設(shè)缶、（上海）封裝IC、LED上海微電子光刻機(jī)IC、其他北京京運(yùn)通多晶特錠爐、單晶爐光伏8浙江天通吉成微生子、g密加工設(shè)光伏、LED備q段率期0鐘一阻，螺胴設(shè)備、拋胴改備IC9盛美半導(dǎo)體（上潮、單晶圓清洗設(shè)缶10格蘭達(dá)自動(dòng)化設(shè)備Si：主要應(yīng)用于集成電路的晶圓片和功率器件；GaAs：主要應(yīng)用于大功率發(fā)光電子器件和射頻器件；GaN：主要應(yīng)用于光電器件和微波通信器件；SiC：主要應(yīng)用于功率器件各代代表性材料主要應(yīng)用第二、三代半導(dǎo)體材料技術(shù)成熟度細(xì)分領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)彎道

28、超車，核心領(lǐng)域仍未實(shí)現(xiàn)突破，半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料兩大塊。晶圓制造材料中，硅片機(jī)硅基材料最高占比31%,其次依次為光掩模版14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中，封裝基板占比最高，為10%,其次依次為引線框架16%,陶瓷基板11%,鍵合線15%。日美德在全球半導(dǎo)體材料供應(yīng)上占主導(dǎo)地位。各細(xì)分領(lǐng)域主要玩家有：硅片Shin-Etsu、Sumco,光刻膠TOK、Shipley,電子氣體AirLiquid、Praxair,CMPDOW、3M,引線架構(gòu)一一住友金屬，鍵合線一一田中貴金屬、封裝基板一一松下電工，塑封料一一住友電木。全球晶圓制造材料主要供應(yīng)商硅片光刻膠靶材電子

29、氣體CMP材料光罩國(guó)際國(guó)際國(guó)標(biāo)國(guó)際國(guó)際日本信空TOKS曰nt曰IT金屬“Liquid膏,優(yōu)空氣1法）Photrm-k&日本勝志Shipley（美）寢尾有吊門心冊(cè)吉堇克斯（美）DOW冏優(yōu)化學(xué)t美日本DNP環(huán)球指扁東有Cabot日本Tn口口已口德國(guó)世困DOWf矍2苦菜身，PirPFoduE至Ft工f美）3M中國(guó)IGSiltronShin-Ebsu（B）申田日本東口珞韁強(qiáng)電法第士口iftuc中國(guó)Olmelk比京科華中國(guó)葬州瑞紐臺(tái)崖臺(tái)品中國(guó)市場(chǎng)占比白超嘉晶有制我材寧波登瑞沮上海自磊/品需上海駕薊上需新昇重慶超隆寧夏但加天津中環(huán)北克賣垢?jìng)ブ刑锊颊菊急榷步S電子有粉新村日本大膽日凝株式分社中國(guó)格山畢特小

30、船理工期文態(tài)電_葡至的中國(guó)市耳白比Thmn.HiiWrsl釜士魴日本J5K拋光涌;日本FujimiHinnmotDKenm-aFai美國(guó)豐博持社招RoddEka韓國(guó)ME中國(guó)上逅去SE上卷荻杳酗葺和華（1）靶材、封裝基板、CMP等，我國(guó)技術(shù)已經(jīng)比肩國(guó)際先進(jìn)水平的、實(shí)現(xiàn)大批量供貨、可以立刻實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。已經(jīng)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化的半導(dǎo)體材料典例一一靶材。（2）硅片、電子氣體、掩模板等，技術(shù)比肩國(guó)際、但仍未大批量供貨的產(chǎn)品。（3）光刻膠，技術(shù)仍未實(shí)現(xiàn)突破，仍需要較長(zhǎng)時(shí)間實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。（4）制造晶圓制造環(huán)節(jié)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中至關(guān)重要的工序，制造工藝高低直接影響半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)程度。過去二十年內(nèi)國(guó)內(nèi)晶圓制造環(huán)節(jié)發(fā)展較為

31、滯后，未來在國(guó)家政策和大基金的支持之下有望進(jìn)行快速追趕，將有效提振整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)鏈的技術(shù)密度。半導(dǎo)體制造在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈里具有卡口地位。制造是產(chǎn)業(yè)鏈里的核心環(huán)節(jié)，地位的重要性不言而喻。統(tǒng)計(jì)行業(yè)里各個(gè)環(huán)節(jié)的價(jià)值量，制造環(huán)節(jié)的價(jià)值量最大，同時(shí)毛利率也處于行業(yè)較高水平，因?yàn)镕abless+Foundry+OSAT的模式成為趨勢(shì)，F(xiàn)oundry在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中的重要程度也逐步提升，可以這么認(rèn)為，F(xiàn)oundry是一個(gè)卡口，產(chǎn)能的輸出都由制造企業(yè)所掌控。代工業(yè)呈現(xiàn)非常明顯的頭部效應(yīng)根據(jù)ICInsights的數(shù)據(jù)顯示，在全球前十大代工廠商中，臺(tái)積電一家占據(jù)了超過一半的市場(chǎng)份額，前八家市場(chǎng)份額接近90%，同時(shí)代工

32、主要集中在東亞地區(qū)，美國(guó)很少有此類型的公司，這也和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和產(chǎn)業(yè)分工有關(guān)。我們認(rèn)為，中國(guó)大陸通過資本投資和人才集聚，是有可能在未來十年實(shí)現(xiàn)代工超越的?！爸袊?guó)制造”要從下游往上游延伸，在技術(shù)轉(zhuǎn)移路線上，半導(dǎo)體制造是“中國(guó)制造”尚未攻克的技術(shù)堡壘。中國(guó)是個(gè)“制造大國(guó)”，但“中國(guó)制造”主要都是整機(jī)產(chǎn)品，在最上游的“芯片制造”領(lǐng)域，中國(guó)還和國(guó)際領(lǐng)先水平有很大差距。在從下游的制造向“芯片制造”轉(zhuǎn)移過程中，一定要涌現(xiàn)出一批技術(shù)領(lǐng)先的晶圓代工企業(yè)。在芯片貿(mào)易戰(zhàn)打響之時(shí)，美國(guó)對(duì)我國(guó)制造業(yè)技術(shù)封鎖和打壓首當(dāng)其沖，我們?cè)谂鞒小皟蓮椧恍恰本?，自力更生艱苦創(chuàng)業(yè)的同時(shí)，如何處理與臺(tái)灣地區(qū)先進(jìn)企業(yè)臺(tái)積電、聯(lián)電之間的

33、關(guān)系也會(huì)對(duì)后續(xù)發(fā)展產(chǎn)生較大的蝴蝶效應(yīng)。（5）封測(cè)當(dāng)前大陸地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在封測(cè)行業(yè)影響力為最強(qiáng)，市場(chǎng)占有率十分優(yōu)秀，龍頭企業(yè)長(zhǎng)電科技/通富微電/華天科技/晶方科技市場(chǎng)規(guī)模不斷提升，對(duì)比臺(tái)灣地區(qū)公司，大陸封測(cè)行業(yè)整體增長(zhǎng)潛力已不落下風(fēng)，臺(tái)灣地區(qū)知名IC設(shè)計(jì)公司聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠、瑞昱等企業(yè)已經(jīng)將本地封測(cè)訂單逐步轉(zhuǎn)向大陸同業(yè)公司。封測(cè)行業(yè)呈現(xiàn)出臺(tái)灣地區(qū)、美國(guó)、大陸地區(qū)三足鼎立之態(tài)，其中長(zhǎng)電科技/通富微電/華天科技已通過資本并購(gòu)運(yùn)作，市場(chǎng)占有率躋身全球前十（長(zhǎng)電科技市場(chǎng)規(guī)模位列全球第三），先進(jìn)封裝技術(shù)水平和海外龍頭企業(yè)基本同步，BGA、WLP、SiP等先進(jìn)封裝技術(shù)均能順利量產(chǎn)。封測(cè)行業(yè)我國(guó)大陸企業(yè)整體實(shí)力不

34、俗，在世界擁有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，美國(guó)主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手為Amkor公司，在華業(yè)務(wù)營(yíng)收占比約為18%,封測(cè)行業(yè)美國(guó)市場(chǎng)份額一般，前十大封測(cè)廠商中，僅有Amkor公司一家，應(yīng)該說貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)封測(cè)整體行業(yè)影響較小，從短中長(zhǎng)期而言，Amkor公司業(yè)務(wù)取代的可能性較高。封測(cè)行業(yè)位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈末端，其附加價(jià)值較低，勞動(dòng)密集度高，進(jìn)入技術(shù)壁壘較低，封測(cè)龍頭日月光每年的研發(fā)費(fèi)用占收入比例約為4%左右，遠(yuǎn)低于半導(dǎo)體IC設(shè)計(jì)、設(shè)備和制造的世界龍頭公司。隨著晶圓代工廠臺(tái)積電向下游封測(cè)行業(yè)擴(kuò)張，也會(huì)對(duì)傳統(tǒng)封測(cè)企業(yè)會(huì)構(gòu)成較大的威脅。2017-2018年以后，大陸地區(qū)封測(cè)（OSAT）業(yè)者將維持快速成長(zhǎng)，目前長(zhǎng)電科技/通富微電已經(jīng)能夠

35、提供高階、高毛利產(chǎn)品，未來的3-5年內(nèi)，大陸地區(qū)的封測(cè)企CAGR增長(zhǎng)率將持續(xù)超越全球同業(yè)。大陸封裝企業(yè)先進(jìn)封裝技術(shù)2020中國(guó)大陸IDM封裝廠匯總盤點(diǎn)雷用械市WDPLFREF?晅貼MPu八FJw田柬北地底1苜林華錄由于應(yīng)憐有值曲司吉梳吉株q3M丹比晶由于科技有限S司遼寧掂州1,1中國(guó)電子科技集因業(yè)司第四十七鼾無所江寧沈陽(yáng)V：華北地區(qū)a節(jié)等伴北耳）有限變司落SC范原V.1中5先訊就R車號(hào)仲北京，省用尚司蒿京篙克V6泗南白冠電子:H被眼林克限公司洞而新當(dāng)7號(hào)弟郭導(dǎo)滓中EBJ有卬必司天埠五津U天律天物金曲豢咆子右限公司天埠善津.華軍地區(qū)含配我芯元率悻書鵬心司*#合肥M19次隼娥科電子科獨(dú)店限金司安俄黑盤V11法歐安美半導(dǎo)作軒限會(huì)司宏微油:州12安蜃安苫電子科技股的白原司安域池州V11支富石堂電子有限圣司安斌合肥14。福山鹿相情由于石犀禽司文！B簪工，荒明出獨(dú)半導(dǎo)伸有犀&呼帶第捌V16-口右三安生成電監(jiān)有限處司掘弊度口*?1