砷化鎵行業(yè)競爭格局及未來發(fā)展預(yù)測分析-整個產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)寡頭壟斷格局圖

1、砷化鎵行業(yè)競爭格局及未來發(fā)展預(yù)測分析_整個產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)寡頭壟斷格局圖 一、砷化鎵行業(yè)市場規(guī)模預(yù)測 預(yù)計2023年全球砷化鎵元件市場規(guī)模達(dá)到157億美元，5年CAGR為10%。根據(jù)數(shù)據(jù)，2018年全球砷化鎵元件市場總產(chǎn)值達(dá)到89億美元，較2017年增長0.45%，2012-2018年CAGR為7%。預(yù)計到2023年，全球砷化鎵元件市場規(guī)模將達(dá)到143億美元，2019-2024年CAGR為10%，增速加快。數(shù)據(jù)來源:公共資料整理 HYPERLINK /research/201902/713292.html 相關(guān)報告：智研咨詢發(fā)布的2019-2025年中國砷化鎵行業(yè)市場現(xiàn)狀分析及投資前景預(yù)測報告數(shù)據(jù)來

2、源:公共資料整理 預(yù)計2023年國內(nèi)砷化鎵元件市場規(guī)模達(dá)到90億美元，5年CAGR為44%。2018年國內(nèi)砷化鎵元件市場總產(chǎn)值約14億美元，未來5G手機(jī)更新?lián)Q代，預(yù)計拉動大量PA用量，國內(nèi)砷化鎵元件需求量將繼續(xù)保持高速增長，2023年砷化鎵元件規(guī)模有望達(dá)90億美元，5年CARG為44%。數(shù)據(jù)來源:公共資料整理數(shù)據(jù)來源:公共資料整理 二、砷化鎵襯底材料市場規(guī)模預(yù)測 預(yù)計2023年全球砷化鎵襯底規(guī)模約10.5億美元，中國為3.5億美元。2018年全球/國內(nèi)為4.1/0.6億美元，預(yù)計2023年全球/國內(nèi)上升至10.5/3.5億美元，全球和國內(nèi)的5年CAGR分別為21%和45%。全球砷化鎵襯底市場結(jié)

3、構(gòu)變化不大，國內(nèi)方面射頻芯片用襯底占比大幅上升。數(shù)據(jù)來源:公共資料整理數(shù)據(jù)來源:公共資料整理 三、砷化鎵行業(yè)競爭格局 砷化鎵上游襯底到下游元件價值量逐級放大。數(shù)據(jù)顯示，2018年，全球砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上襯底、外延片、晶圓代工、元件的市場規(guī)模分別為4.6億美元、11.0億美元、56.7億美元、88.7億美元。2018年數(shù)據(jù)顯示，砷化鎵上游襯底到下游元件，市場規(guī)模放大約18倍。數(shù)據(jù)來源:公共資料整理 砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均處于寡頭壟斷的競爭格局。砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上，各環(huán)節(jié)的CR2都大于50%，單晶襯底、外延片和晶圓代工環(huán)節(jié)的CR3甚至接近90%，整個產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)明顯的寡頭壟斷格局。全球砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)競爭格

4、局 數(shù)據(jù)來源:公共資料整理 與國外相比，我國砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈競爭格局仍處于弱勢?，F(xiàn)階段的現(xiàn)狀為：原材料開采環(huán)節(jié)競爭力強(qiáng)；單晶制造環(huán)節(jié)競爭力一般；外延片中的射頻器件競爭力較弱、光電器件有一定競爭力；IDM中的射頻器件競爭力缺失，主要集中在LED芯片的上下游垂直整合。砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈國內(nèi)企業(yè)與國際企業(yè)對比分析環(huán)節(jié)內(nèi)資企業(yè)外資企業(yè)原材料開采資源豐富、競爭力較強(qiáng)較弱，相關(guān)礦產(chǎn)資源較少單晶制造較多企業(yè)布局、工藝成熟，但競爭力一般。原因：工藝落后，生產(chǎn)晶片以2-4英寸為主。外資企業(yè)直接在中國設(shè)廠，競爭力強(qiáng)外延片射頻器件競爭力較弱，光電器件領(lǐng)域有一定競爭力，LED市場占據(jù)了20%份額。GaAs產(chǎn)業(yè)鏈分工更加明顯，國際上領(lǐng)先企業(yè)具備先進(jìn)工藝，競爭力較強(qiáng)IC設(shè)計、晶圓制造、封裝測試射頻領(lǐng)域競爭力缺失