存儲(chǔ)芯片行業(yè)之東芯股份研究：本土SLC

1、存儲(chǔ)芯片行業(yè)之東芯股份研究：本土SLC一、存儲(chǔ)為長(zhǎng)期高成長(zhǎng)賽道，利基市場(chǎng)需求高增1.1 存儲(chǔ)是長(zhǎng)期高成長(zhǎng)賽道，利基型存儲(chǔ)空間廣闊存儲(chǔ)芯片是長(zhǎng)期高成長(zhǎng)的賽道。只要有數(shù)據(jù)就離不開存儲(chǔ)，新型終端或應(yīng)用的誕生及爆發(fā)，拉動(dòng)數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)需求不斷增長(zhǎng)。復(fù)盤歷史，存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)過多輪新終端或應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的成長(zhǎng)周期，如 90 年代 PC 的滲 透，2000 年代功能機(jī)的滲透及 iPod 等推出，2010 年代智能機(jī)的滲透及云計(jì)算的爆發(fā)，未來存儲(chǔ)器需求將 在 5G、AI 以及汽車智能化的驅(qū)動(dòng)下步入下一輪成長(zhǎng)周期。存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模維持長(zhǎng)期增長(zhǎng)，在半導(dǎo)體市場(chǎng)的占比波動(dòng)上行。全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)于波動(dòng)中保持上 升趨勢(shì)，市場(chǎng)規(guī)模從

2、 2005 年的 546 億美元增至 2020 年的 1229 億美元，復(fù)合增速達(dá) 5.6%，IC Insights 預(yù) 計(jì) 2021 年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng) 22%，2023 年將超過 2000 億美元。存儲(chǔ)芯片在整個(gè)半導(dǎo)體中 的占比 2002 年在 10%出頭，到上一輪景氣度高點(diǎn) 2018 年，達(dá)到 33.1%，整體處于波動(dòng)上行的狀態(tài)。2019 年和 2020 年，由于存儲(chǔ)器周期下行，該比例有所下降，2020 年該比例約為 27%。從結(jié)構(gòu)上看，DRAM 和 NAND Flash 為存儲(chǔ)芯片的核心品類。根據(jù) IDC，DRAM 和 NAND Flash 兩 者自 2005 年以來一直

3、占據(jù)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的大部分份額，兩者合計(jì)占比達(dá) 75%，2020 年該份額上升至 96%。5G 手機(jī)、服務(wù)器、PC 等下游需求驅(qū)動(dòng)，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模快速擴(kuò)張。2020 年 DRAM 下游市場(chǎng)中， 計(jì)算、無線通訊、消費(fèi)和工業(yè)分別占 45.9%、36.5%、9.6%、4.5%，而 NAND Flash 下游市場(chǎng)中，計(jì)算、無 線通訊、消費(fèi)和工業(yè)分別占 54.8%、34.1%、6.1%、2.6%。智能手機(jī) 5G 升級(jí)，帶動(dòng)智能手機(jī)單機(jī)容量提升， 云計(jì)算和 AI 發(fā)展，推動(dòng)存儲(chǔ)需求不斷上行。另外，2020 年至今新冠疫情帶來的工作、生活方式的轉(zhuǎn)變， 遠(yuǎn)程服務(wù)的諸多應(yīng)用持續(xù)帶動(dòng)服務(wù)器需求，而平板、筆記本電腦

4、等也因遠(yuǎn)程辦公、教學(xué)需求，出貨量大幅 增長(zhǎng)。下游市場(chǎng)發(fā)展將帶動(dòng) DRAM 和 NAND Flash 快速發(fā)展。從產(chǎn)品分類看，存儲(chǔ)芯片可分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）兩大類，RAM 可進(jìn)一步 分為 DRAM、DRAM、MRAM、RRAM 等，ROM 可進(jìn)一步分為 Flash、EEPROM 等，其中 Flash 包括 NAND Flash 和 NOR Flash。從市場(chǎng)規(guī)?？?，存儲(chǔ)芯片包括 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 三大類，其余存儲(chǔ) 芯片市場(chǎng)規(guī)模較小。根據(jù) IDC 統(tǒng)計(jì)，2020 年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，DRAM 是存儲(chǔ)芯片最大細(xì)分市場(chǎng)，占 整體市場(chǎng)的

5、53%，NAND Flash 占 43%，NOR Flash 占 2%，其余占 2%。東芯股份的產(chǎn)品主要為 SLC NAND、NOR Flash 和利基型 DRAM，合計(jì)市場(chǎng)空間可達(dá) 139 億美金， 占整體存儲(chǔ)市場(chǎng)的 9.3%。具體地，NAND Flash 按結(jié)構(gòu)可分為 2D 和 3D，按存儲(chǔ)密度可分為 SLC、MLC、 TLC、QLC 等（SLC：即每單元可存儲(chǔ) 1 比特?cái)?shù)據(jù)，性能優(yōu)、壽命長(zhǎng)、擦寫次數(shù)多、容量?。?，公司的產(chǎn) 品主要為 2D SLC NAND，屬于中小容量利基型，對(duì)應(yīng) 2021 年的市場(chǎng)空間約 21 億美金。NOR Flash 可分 為 SPI 和 PPI 兩種接口，公司兩種

6、產(chǎn)品均有布局，對(duì)應(yīng) 2021 年的市場(chǎng)空間約 34 億美金。DRAM 可分為主 流 DRAM 和利基型 DRAM，公司主要布局利基型 DRAM，對(duì)應(yīng) 2021 年的市場(chǎng)空間約 84 億美金。1.1.1 SLC NAND：物聯(lián)網(wǎng)、5G 通訊、汽車等新興需求支撐，市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)定增長(zhǎng)SLC NAND 擁有中低容量，應(yīng)用于 5G 通信設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備。NAND Flash 具有存儲(chǔ)容 量大、寫入/擦除速度快等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子資料存儲(chǔ)、通訊設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域，2020 年其市場(chǎng)規(guī)模接近 600 億美元。從競(jìng)爭(zhēng)格局來看，中大容量 NAND 市場(chǎng)已經(jīng)高度集中，三星電子、SK 海力士

7、、美光、西部數(shù)據(jù)/鎧俠等合計(jì)占據(jù) 90%以上的市場(chǎng)份額，新廠商入局較難。相對(duì)資金投入巨大的中 高容量存儲(chǔ)，SLC NAND 為中小容量，目前主要應(yīng)用于對(duì)可靠性要求要高的領(lǐng)域，如 5G 通信設(shè)備、安防 監(jiān)控、可穿戴設(shè)備等，競(jìng)爭(zhēng)格局相對(duì)分散，尚未形成壟斷。物聯(lián)網(wǎng)、5G 通訊、智能汽車等新興需求支撐，市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)定增長(zhǎng)。根據(jù) Gartner，2019 年 SLC NAND 全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 16.71 億美元，2019 年受行業(yè)周期影響略有下降，2020 年開始保持增勢(shì)，達(dá)到 21 億美 元。未來，在原有剛性需求和新興應(yīng)用（物聯(lián)網(wǎng)、5G 通訊、智能汽車）不斷出現(xiàn)的支撐下，預(yù)計(jì) SLC NAND 市場(chǎng)將

8、繼續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，2024 年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 23.24 億美元，2019-2024 年復(fù)合增速達(dá) 6%。（1）物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域：隨著傳統(tǒng)家居向智能家居方向發(fā)展，搭載物聯(lián)網(wǎng)模塊的智能家居也將成為未來消 費(fèi)電子市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。同時(shí)傳統(tǒng)通訊領(lǐng)域隨著 5G、WiFi 6 等技術(shù)的運(yùn)用，類似 PON、路由器、機(jī) 頂盒等通訊設(shè)備同步在升級(jí)換代，對(duì) SLC NAND 的市場(chǎng)需求形成支撐。（2）5G 通訊：5G 通訊設(shè)備需要高速且穩(wěn)定可靠的存儲(chǔ)芯片作為各類數(shù)據(jù)站點(diǎn)。以 5G 宏基站為例， 其部署環(huán)境復(fù)雜惡劣，且需要全天候工作，中小容量 SLC NAND 在性能穩(wěn)定性上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。 2020-2025 年，中

9、國 5G 基站建設(shè)迎來高峰期，預(yù)計(jì)共計(jì)新增 5G 基站 380 萬站。5G 基站大規(guī)模建設(shè)及其 衍生的 5G 應(yīng)用迅速拓展，帶來 SLC NAND 需求的快速增長(zhǎng)。（3）汽車電子：在汽車系統(tǒng)中，復(fù)雜的汽車應(yīng)用需要高容量的閃存，成本考量愈發(fā)重要。SLC NAND 相比 NOR Flash 單位成本具有優(yōu)勢(shì)，同時(shí)滿足車規(guī)芯片要求的耐高溫、耐沖擊、抗電磁干擾等特性，在 ADAS 系統(tǒng)、儀表盤、車載娛樂、行車記錄儀等系統(tǒng)有廣泛應(yīng)用。根據(jù) Gartner 的數(shù)據(jù)顯示，2019 年全球 ADAS 系統(tǒng)的 NAND Flash 存儲(chǔ)消費(fèi) 2.2 億 GB，同比增長(zhǎng) 300%，預(yù)計(jì)至 2024 年，全球 AD

10、AS 系統(tǒng)的 NAND Flash 存儲(chǔ)消費(fèi)將達(dá) 41.5 億 GB，2019-2024 年復(fù)合增速達(dá) 79.8%。1.1.2 NOR Flash：可穿戴、顯示、5G 基站、汽車等新興需求拉動(dòng)，NOR Flash 市場(chǎng)蓬勃發(fā)展NOR Flash 是代碼存儲(chǔ)型芯片，在小規(guī)模存儲(chǔ)領(lǐng)域?qū)Ρ?SLC NAND 有一定優(yōu)勢(shì)。NOR Flash 的特點(diǎn)是高讀 取速度和低待機(jī)功耗，主要用來存儲(chǔ)代碼及部分?jǐn)?shù)據(jù)，應(yīng)用于手機(jī)、PC、DVD、TV、USB Key、機(jī)頂盒、物聯(lián) 網(wǎng)設(shè)備等代碼閃存領(lǐng)域。NAND Flash 的特點(diǎn)是大容量存儲(chǔ)、高寫入/擦除速度、相當(dāng)擦寫次數(shù)低成本，應(yīng)用于 大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，例如智能手機(jī)、

11、平板電腦、U 盤、固態(tài)硬盤等領(lǐng)域。而 SLC NAND 屬于 NAND Flash 的當(dāng)中 的利基型產(chǎn)品，適合小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中，NOR Flash 由于其代碼存儲(chǔ)、芯片內(nèi)運(yùn)行、 低成本、高性能等優(yōu)勢(shì)，占領(lǐng)了相當(dāng)一部分 SLC NAND 的應(yīng)用市場(chǎng)，兩者應(yīng)用部分重疊?？纱┐鳌MOLED/TDDI、5G 基站和汽車電子等需求拉動(dòng)，NOR Flash 蓬勃發(fā)展。2006-2016 年 NOR Flash 市場(chǎng)隨著功能機(jī)數(shù)量減少而逐年萎縮，但近年來隨著可穿戴設(shè)備、AMOLED/TDDI、5G 基站和汽車電子等需求 增長(zhǎng)，NOR Flash 行業(yè)自 2016 年以來恢復(fù)增長(zhǎng)。根據(jù)

12、 CINNO Research，2020 年全球 NOR Flash 市場(chǎng)規(guī)模為 31 億美元，預(yù)計(jì) 2021 年達(dá)到 34 億美元。1.1.3 DRAM：利基型 DRAM 應(yīng)用廣泛，市場(chǎng)規(guī)模保持較快增長(zhǎng)利基型 DRAM 應(yīng)用廣泛，市場(chǎng)規(guī)模保持較快增長(zhǎng)。DRAM 廣泛用于智能手機(jī)、服務(wù)器、PC、筆電、 汽車等領(lǐng)域，根據(jù) IC Insights，在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，DRAM 市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 675 億美元，占比 53%，是存 儲(chǔ)芯片最大的細(xì)分品類。中小容量 DRAM 屬于利基型產(chǎn)品，終端產(chǎn)品包括數(shù)字機(jī)頂盒、PON 等通訊設(shè)備、 功能手機(jī)、行車記錄儀、安防監(jiān)控、智能家居等，應(yīng)用較為分散。根據(jù) Tre

13、ndforce 統(tǒng)計(jì)，2020 年全球利基 型 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模約 84 億美元，同比增長(zhǎng) 31.5%。未來，隨著下游各類應(yīng)用的穩(wěn)定發(fā)展，利基型 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模將保持增長(zhǎng)趨勢(shì)。1.2 利基型存儲(chǔ)格局分散，中國廠商迎來替代機(jī)遇利基型存儲(chǔ)格局分散，海外大廠正逐步退出，中國廠商迎來替代機(jī)遇。海外大廠，如三星電子、美光、 西部數(shù)據(jù)、Cypress（被英飛凌收購）等，都保留了一部分利基型存儲(chǔ)的業(yè)務(wù)，包括 2D NAND、NOR Flash、 DRAM（指 DDR3 以及前代產(chǎn)品），但業(yè)務(wù)重心均在大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品，正在逐步退出利基市場(chǎng)。利基型存 儲(chǔ)主要廠商分布在中國大陸及中國臺(tái)灣，規(guī)模較大的廠商包括華

14、邦電子（中國臺(tái)灣）、旺宏電子（中國臺(tái) 灣）、兆易創(chuàng)新、北京君正、普冉股份、東芯股份等，近年來規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，逐步替代頭部廠商空出的市 場(chǎng)。分產(chǎn)品看：（1）SLC NAND 方面：除 NAND 大廠外，中國臺(tái)灣華邦電子、旺宏電子均有布局，中國 大陸有兆易創(chuàng)新、北京君正和東芯股份，目前東芯股份為大陸 SLC NAND 龍頭，工藝制程達(dá)到 19nm，處 于國際領(lǐng)先地位；兆易創(chuàng)新和北京君正的 NAND 規(guī)模尚小。目前 SLC NAND 代工資源包括中芯國際、臺(tái) 灣力晶等。（2）NOR Flash 方面：領(lǐng)先廠商包括華邦電子、旺宏、兆易創(chuàng)新、Cypress、美光等，普冉股份、東 芯股份也形成了一定規(guī)模，此

15、外國內(nèi)還有恒爍半導(dǎo)體、珠海博雅、芯天下等廠商。國內(nèi) NOR Flash 廠商產(chǎn) 品各有優(yōu)勢(shì)，如兆易創(chuàng)新強(qiáng)在產(chǎn)品豐富度、大容量、中高端應(yīng)用，普冉股份強(qiáng)在工藝特色（SONOS 工藝）、 低成本，東芯股份強(qiáng)在工藝制程、低成本。目前 NOR Flash 的代工資源包括武漢新芯、中芯國際、華力微、 臺(tái)灣力晶等。（3）DRAM 方面：國際大廠包括三星電子、美光、SK 海力士，均將重心放在（LP）DDR4、（LP） DDR5、GDDR6 等產(chǎn)品上，逐步退出 DDR3 及前代等利基市場(chǎng)。利基 DRAM 方面，規(guī)模較大的為華邦電 子、旺宏；兆易創(chuàng)新依托合肥長(zhǎng)鑫的代工資源，19nm DRAM 正在快速放量，即將推

16、出 17nm 產(chǎn)品，目前 聚焦于利基市場(chǎng)；北京君正采用臺(tái)灣力晶、南亞的 25nm 工藝平臺(tái)，聚焦于車規(guī)、工業(yè)、醫(yī)療等中高端市 場(chǎng)，也屬于利基市場(chǎng)。此外，紫光國芯、東芯股份等均有 DRAM 產(chǎn)品，最新工藝制程均為 25nm，其中紫 光國芯已有 DDR4 產(chǎn)品，東芯股份正在研發(fā) LPDDR4X。二、東芯股份：本土 SLC NAND 龍頭，聚焦利基型存儲(chǔ)2.1 本土 SLC NAND 龍頭，哈勃、大基金、上汽集團(tuán)入股聚焦中小容量存儲(chǔ)芯片，本土 SLC NAND 龍頭。公司聚焦中小容量通用型存儲(chǔ)芯片，是國內(nèi)少數(shù)可同時(shí)提 供 NAND、NOR、DRAM 等存儲(chǔ)芯片完整解決方案的廠商，其中 SLC NAN

17、D 銷售規(guī)模居國內(nèi)第一，為國內(nèi)龍 頭。經(jīng)過多年的經(jīng)驗(yàn)積累和技術(shù)升級(jí)，公司打造了以低功耗、高可靠性為特點(diǎn)的多品類存儲(chǔ)芯片，產(chǎn)品不僅在 高通、博通、聯(lián)發(fā)科、中興微、瑞芯微、東芯股份、恒玄科技、紫光展銳等知名平臺(tái)獲得認(rèn)證，同時(shí)已進(jìn)入三 星電子、海康威視、歌爾股份、傳音控股、惠爾豐等國內(nèi)外知名客戶的供應(yīng)鏈體系，被廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、 安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備、移動(dòng)終端等終端產(chǎn)品。收購韓國 Fidelix 并整合其核心技術(shù)，獲得華為哈勃、上汽集團(tuán)、國家大基金二期等投資。公司前身東芯有 限于 2014 年成立，后在中芯國際的工藝平臺(tái)上開始 SLC NAND 的研發(fā)。2015 年 6 月，東芯有限以受讓韓國 F

18、idelix 公司核心經(jīng)營團(tuán)隊(duì)安承漢等 15.88%股份并增資的方式，合計(jì)持有 Fidelix 25.28%的股份，成為其控股股東、實(shí) 際控制人，并獲得其 NAND、NOR、DRAM 及 MCP（多芯片封裝存儲(chǔ)器）等技術(shù)。2019 年，東芯有限整體變 更為股份公司，并引入中電基金、海通創(chuàng)投等股東，2020 年進(jìn)一步引入華為哈勃、國開科創(chuàng)、青浦投資等知名 投資機(jī)構(gòu)。2021 年公司進(jìn)行 IPO 前戰(zhàn)略配售，獲得上汽集團(tuán)、國家大基金二期等戰(zhàn)略入股，12 月公司于科創(chuàng)板 成功上市。Fidelix 公司專注于利基型存儲(chǔ)的研發(fā)，主要產(chǎn)品為 DRAM 和 MCP，也可研發(fā) NAND 和 NOR Flash

19、，客戶 包括三星、LG、瑞薩、飛索半導(dǎo)體、京瓷電子等。Fidelix 創(chuàng)始人安承漢曾就職于 SK 海力士 DRAM 事業(yè)部， 擁有超過 30 年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，后成為東芯股份的核心研發(fā)人員之一。公司收購 Fidelix 后，東芯負(fù)責(zé) SLC NAND 和 NOR 的研發(fā)，并推進(jìn)對(duì) Fidelix 相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的整合，而 Fidelix 品牌獨(dú)立運(yùn)營，繼續(xù)從事 DRAM 和 MCP 的研 發(fā)和升級(jí)?？毓晒蓶|為東方恒信，股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。目前，公司的控股股東為東方恒信，其直接持有東芯半導(dǎo)體 43.18% 的股份，公司實(shí)際控制人為董事長(zhǎng)蔣學(xué)明、董秘蔣雨舟。其他重要股東有聚源聚芯（8.46%）、齊亮（8.46%

20、）、 東芯科創(chuàng)（6.78%）、中金鋒泰（5.87%）、哈勃科技（4.00%）、上汽集團(tuán)、國家大基金二期、中電基金等。公司 擁有一家分公司東芯深圳分公司、三家全資子公司東芯香港、東芯南京及 Nemostech，其中 Nemostech 為公司 的海外研發(fā)技術(shù)中心，主要從事 NAND 的研發(fā)。2.2 SLC NAND 漸成拳頭產(chǎn)品，產(chǎn)品打入頭部客戶供應(yīng)鏈公司聚焦利基型存儲(chǔ)，在三大產(chǎn)品線上不斷開發(fā)新品。（1）NAND：公司的 SLC NAND 分 SPI 和 PPI 兩種 接口，SPI NAND 容量覆蓋 512Mb4Gb，PPI NAND 容量覆蓋 1Gb8Gb，未來公司將陸續(xù)推出 1Xnm NA

21、ND、 車規(guī)級(jí) NAND、DTR NAND（雙倍傳輸速度）。（2）NOR：目前主要為 SPI NOR，容量覆蓋 32Mb512Mb，未 來將推出更大容量的 NOR 及車規(guī)級(jí) NOR。（3）DRAM：目前擁有 LPDRAM、DDR3、PSRAM、SDRAM 等產(chǎn) 品，其中 DDR3 容量覆蓋 1Gb4Gb，LPDDR1/2 容量覆蓋 128Mb2Gb，未來將推出 LPDDR4X。（1）SLC NAND：產(chǎn)品容量、接口、電壓豐富，應(yīng)用于 5G 通訊模塊、安防、可穿戴、移動(dòng)終端等。公司 聚焦平面型 SLC NAND，采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)容量覆蓋 1Gb8Gb，可選擇 SPI 或 PPI 接口，搭

22、配 3.3V/1.8V 電壓，可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)及快速改寫。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于如 5G 通訊模塊和高集成度終端系統(tǒng)運(yùn)行模塊，也 可用于安防、可穿戴、移動(dòng)終端等，已獲得聯(lián)發(fā)科、瑞芯微、中興微、博通等行業(yè)內(nèi)主流平臺(tái)廠商的驗(yàn)證認(rèn)可， 被主要應(yīng)用于 5G 通訊、企業(yè)級(jí)網(wǎng)關(guān)、網(wǎng)絡(luò)智能監(jiān)控、數(shù)字錄像機(jī)、數(shù)字機(jī)頂盒和智能手環(huán)等終端產(chǎn)品，終端 客戶包括中興通訊、烽火通信、?？低?、大華股份、創(chuàng)維數(shù)字、航天信息等。核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，可靠性向車規(guī)級(jí)邁進(jìn)。公司的 SPI NAND 采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單顆集成技術(shù)，將存儲(chǔ)陣 列、ECC 模塊與接口模塊集成在同一芯片內(nèi)，節(jié)約芯片面積，降低產(chǎn)品成本，在耐久性、數(shù)據(jù)保持特性等方

23、面 表現(xiàn)穩(wěn)定，可靠性從工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)向車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)邁進(jìn)。（2）NOR Flash：目前聚焦中小容量 NOR Flash，用于手機(jī)、CCM、TWS 耳機(jī)等。公司 SPI NOR 存儲(chǔ)容 量覆蓋 2Mb256Mb，支持多種數(shù)據(jù)傳輸模式，主要用于存儲(chǔ)代碼程序，如功能手機(jī)中用于存放通信數(shù)據(jù)交換時(shí) 的啟動(dòng)程序、智能手機(jī)攝像頭模組中用于存放校正圖像分辨率的指令代碼、TWS 耳機(jī)的藍(lán)牙模組中存放啟動(dòng)時(shí) 的引導(dǎo)程序，終端客戶包括三星電子、LG、傳音控股、歌爾股份等。（3）DRAM：產(chǎn)品迭代至 DDR3 和 LPDDR1/2，可用于通訊設(shè)備、移動(dòng)終端、可穿戴等。公司研發(fā)的 DDR3 系列具有高帶寬、低延時(shí)等特點(diǎn)，在通

24、訊設(shè)備、移動(dòng)終端等應(yīng)用廣泛。同時(shí)，公司針對(duì)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的 低功耗需求，自主研發(fā) LPDDR 系列，適合在智能終端、可穿戴設(shè)備等使用。目前公司的客戶包括 LG、瑞薩、 索喜、惠爾豐、偉創(chuàng)力等。MCP 合封自研 DRAM 與外購 NAND，通過主流 4G 模塊平臺(tái)認(rèn)證。公司 MCP 產(chǎn)品集成閃存芯片（外購 自 SK 海力士）與 DRAM（自研，力晶代工），已在紫光展銳、翱捷科技、聯(lián)發(fā)科的 4G 模塊平臺(tái)通過認(rèn)證，應(yīng) 用于功能手機(jī)、MIFI、網(wǎng)絡(luò)電話、POS 機(jī)等產(chǎn)品，獲得 TCL 科技、日海智能、捷普等客戶的認(rèn)可。2.3 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，盈利能力顯著提升收入規(guī)?？焖贁U(kuò)大，盈利能力顯著提升。

25、收入方面，終端市場(chǎng)旺盛需求、國產(chǎn)替代持續(xù)推進(jìn)，疊加產(chǎn)品線 不斷完善，客戶結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，公司產(chǎn)品出貨量年增長(zhǎng)率在 30%以上，2021 年實(shí)現(xiàn)營收 11.39 億元，同比增長(zhǎng) 45.3%，近三年復(fù)合增速達(dá) 30.7%。利潤方面，在 2020 年扭虧后，2021 年公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤 2.62 億元，同比 增長(zhǎng) 1240.8%，凈利率約 23%，實(shí)現(xiàn)扣非歸母凈利潤 2.55 億元，同比增長(zhǎng) 1352.5%。SLC NAND 漸成拳頭產(chǎn)品，收入占比逐年提升。公司可提供 NAND、NOR、DRAM 等存儲(chǔ)芯片完整解決 方案，此外通過自研 DRAM 及外購 SK 海力士的 NAND，也可提供 MCP 產(chǎn)

26、品。經(jīng)過多年的產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)開拓，公司 SLC NAND 銷售占比逐步提升，2021 年上半年銷售占比達(dá)到 51.3%，NOR、DRAM 和 MCP 的銷售占 比分別為 18.8%、6.9%和 20.8%，呈逐年下降趨勢(shì)。需求強(qiáng)勁疊加產(chǎn)能緊缺，主力產(chǎn)品均價(jià)提升。NAND 價(jià)格方面，2019 年 NAND 出現(xiàn)行業(yè)周期性波動(dòng)，市 場(chǎng)價(jià)格大幅下降，疊加終端應(yīng)用通訊設(shè)備的主控搭配從 PPI NAND 轉(zhuǎn)變?yōu)?SPI NAND，使公司價(jià)格略低的低容 量 1G SPI NAND 銷量明顯增加，拉低 NAND 均價(jià)。2020 年受中大容量 NAND 占比的提高和市場(chǎng)需求回暖， NAND 均價(jià)上升。2021

27、 年上半年，市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，晶圓產(chǎn)能緊張，NAND 均價(jià)繼續(xù)上升。NOR Flash、DRAM 和 MCP 的均價(jià)相對(duì)穩(wěn)定。供需緊張疊加產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，綜合毛利率上升。2018-2021 年上半年，公司綜合毛利率分別為 22.24%、14.91%、 22.04%、33.96%。2019 年毛利率較 2018 年下降 7.33%，主要系受市場(chǎng)供需關(guān)系影響，各產(chǎn)品線價(jià)格出現(xiàn)不同 程度的下降，主力產(chǎn)品 NAND 價(jià)格下降明顯。2019-2021 年上半年，各產(chǎn)品線毛利率均呈上升趨勢(shì)，其中 NAND 毛利率上升明顯，因市場(chǎng)需求回暖、產(chǎn)能緊張帶來提價(jià)、大容量高毛利產(chǎn)品占比提升。隨著綜合毛利率提升， 公司凈利

28、率也顯著提升，2021Q1-Q3 凈利率達(dá)到 20.6%，2021 全年有望達(dá)到 23%。隨著銷售規(guī)模的擴(kuò)大，期間費(fèi)用率呈下降趨勢(shì)。銷售費(fèi)用：2018-2021 年上半年公司銷售費(fèi)用分別為 1670 萬元、1987 萬元、2037 萬元和 1180 萬元，占營收的比例分別為 3.27%、3.87%、2.60%和 2.59%，銷售費(fèi)用隨 公司收入規(guī)模增長(zhǎng)而增長(zhǎng)，但占比有所下降。管理費(fèi)用：2018-2021 年上半年公司管理費(fèi)用分別為 4002 萬元、 4454 萬元、4550 萬元和 2284 萬元，略有上升；管理費(fèi)用率受規(guī)模效應(yīng)影響有所下降，分別為 7.85%、8.67%、 5.80%和 5.

29、02%。財(cái)務(wù)費(fèi)用：2018-2021 年上半年分別為 519 萬元、-15 萬元、3063 萬元和-71 萬元。2020 年受人 民幣升值影響，匯兌損失較大，財(cái)務(wù)費(fèi)用率達(dá)到 3.91%，其余各年度財(cái)務(wù)費(fèi)用較少。研發(fā)人員多為資深人員，研發(fā)投入占比隨銷售規(guī)模擴(kuò)大而下降。研發(fā)人員方面，截至 2021 年上半年，公司 擁有研發(fā)人員 75 人，占總數(shù)的 42.61%，其中 10 年以上資歷的共 63 人。研發(fā)投入方面，2018-2021 年上半年公 司研發(fā)投入分別為 5020 萬元、4849 萬元、4754 萬元和 3121 萬元，研發(fā)投入占比分別為 9.84%、9.44%、6.06% 和 6.86%。

30、2018-2019 年研發(fā)投入占比與行業(yè)水平相當(dāng)，2020 年以來，隨著公司收入規(guī)模的快速擴(kuò)大，研發(fā)投入 占比有所下降。2.4 工藝制程引領(lǐng)國內(nèi)先進(jìn)水平，追趕國際領(lǐng)先水平自 2015 年以來，公司依靠中芯國際和臺(tái)灣力晶的工藝平臺(tái)，將產(chǎn)品工藝逐步提升至行業(yè)領(lǐng)先水平。其中， SLC NAND 從 38nm 演進(jìn)至 19nm，NOR Flash 從 90nm 演進(jìn)至 48nm，DRAM 從 63nm 演進(jìn)至 25nm。目前，公 司的 SLC NAND 和 NOR Flash 工藝處于國際領(lǐng)先水平，DRAM 工藝接近國內(nèi)領(lǐng)先水平。SLC NAND 方面，新產(chǎn)品向更高制程和大容量迭代，將帶來顯著的性能和

31、成本優(yōu)勢(shì)。2015 年收購 Fidelix后，公司整合其工藝技術(shù)，開始在中芯國際 38nm 的工藝平臺(tái)上進(jìn)行 SLC SPI NAND 的研發(fā)，2015 年 10 月正 式流片 1Gb 容量產(chǎn)品。2016 年公司嘗試研發(fā)大容量 MLC NAND，但鑒于良率、工藝問題，轉(zhuǎn)回聚焦 SLC NAND。 2017 年，公司順利量產(chǎn)基于 38nm 工藝制程的 SLC NAND（容量 2Gb），采用 SPI 接口。隨后，公司分別在 2018 年和 2019 年量產(chǎn) 24nm NAND（PPI 接口，容量 28Gb，國內(nèi)首顆工業(yè)級(jí) SLC NAND）和 28nm NAND（SPI 接口，容量 2Gb）。目前，公司正在研發(fā) 19nm SPI NAND，19nm 工藝相較于老產(chǎn)品將顯著提升產(chǎn)品性能，并大 幅降低成本。我們認(rèn)為新產(chǎn)品將進(jìn)一步提升