材料分析測試技術(shù)復習題二

1、 .wd. .wd. .wd.材料分析測試技術(shù)一、名詞解釋共有20分，每題2分。1. 輻射的發(fā)射：指物質(zhì)吸收能量后產(chǎn)生電磁輻射的現(xiàn)象。2. 俄歇電子：X射線或電子束激發(fā)固體中原子內(nèi)層電子使原子電離，此時原子(實際是離子)處于激發(fā)態(tài)，將發(fā)生較外層電子向空位躍遷以降低原子能量的過程，此過程發(fā)射的電子。3. 背散射電子：入射電子與固體作用后又離開固體的電子。4. 濺射：入射離子轟擊固體時，當外表原子獲得足夠的動量和能量背離外表運動時，就引起外表粒子原子、離子、原子團等的發(fā)射，這種現(xiàn)象稱為濺射。5. 物相鑒定：指確定材料樣品由哪些相組成。6. 電子透鏡：能使電子束聚焦的裝置。7. 質(zhì)厚襯度：樣品上的不

2、同微區(qū)無論是質(zhì)量還是厚度的差異，均可引起相應區(qū)域透射電子強度的改變，從而在圖像上形成亮暗不同的 區(qū)域，這一現(xiàn)象稱為質(zhì)厚襯度。8. 藍移：當有機化合物的構(gòu)造發(fā)生變化時，其吸收帶的最大吸收峰波長或位置?最大向短波方向移動，這種現(xiàn)象稱為藍移或紫移，或“向藍。9. 伸縮振動：鍵長變化而鍵角不變的振動，可分為對稱伸縮振動和反對稱伸縮振動。10. 差熱分析：指在程序控制溫度條件下，測量樣品與參比物的溫度差隨溫度或時間變化的函數(shù)關(guān)系的技術(shù)。二、填空題共20分，每題2分。1. 電磁波譜可分為三個局部，即長波局部、中間局部和短波局部，其中中間局部包括 紅外線 、 可見光 和紫外線 ，統(tǒng)稱為光學光譜。2. 光譜分

3、析方法是基于電磁輻射與材料相互作用產(chǎn)生的特征光譜波長與強度進展材料分析的方法。光譜按強度對波長的分布曲線特點或按膠片記錄的光譜表觀形態(tài)可分為 連續(xù) 光譜、 帶狀 光譜和 線狀 光譜3類。3. 分子散射是入射線與線度即尺寸大小遠小于其波長的分子或分子聚集體相互作用而產(chǎn)生的散射。分子散射包括 瑞利散射與拉曼散射 兩種。4. X射線照射固體物質(zhì)(樣品)，可能發(fā)生的相互作用主要有二次電子、背散射電子、特征X射線、俄歇電子、吸收電子、透射電子5. 多 HYPERLINK :/cpro.baidu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2F

4、bp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%BE%A7%CC%E5&k0=%BE%A7%CC%E5&k1=%B5%E7%D7%D3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&k2=%BB%AF%D1%A7&k3=%BB%AF%D1%A7%B3%C9%B7%D6&k4=%B5%E7%BE%B5&k5=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&sid=25c8836d4048733&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a

5、7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=4&seller_id=1&di=128 t _blank 晶體粉晶X射線衍射分析的 基本方法為照相法和X射線衍射儀法。6. 依據(jù)入射電子的能量大小，電子衍射可分為 高能 電子衍射和 低能 電子衍射。依據(jù)電子束是否穿透樣品，電子衍射可分為 投射式 電子衍射與 反射式 電子衍射。7. 衍射產(chǎn)生的充分必要條件是(衍射矢量方程或其它等效形式)加?F?20。8. 透射電鏡的樣品可分為 直接 樣品和 間接 樣品。9. 單晶電子衍射把戲標定的主要方法有嘗試核算法 和 標準把戲?qū)φ辗ā?0. 掃描隧道顯微鏡、透射 HYPERLINK :/c

6、pro.baidu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%B5%E7%BE%B5&k0=%B5%E7%BE%B5&k1=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k2=sem&k3=%BE%A7%CC%E5&k4=%B5%E7%D7%D3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&k5=%BB%AF%D1%A7&sid=25c8836d

7、4048733&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=1&seller_id=1&di=128 t _blank 電鏡、X射線光電子能譜、差熱分析的英文字母縮寫分別是 stm 、 tem 、 xps 、 DTA 。11. X 射線衍射方法有 、 、 和 。12. 掃描儀的工作方式有 和 兩種。13. 在 X 射線衍射物相分析中，粉末衍射卡組是由 委員會編制，稱為 JCPDS 卡片，又稱為 PDF 卡片。14. 電磁透鏡的像差有 、 、 和 。15. 透射 HYPERLINK :/cpro.bai

8、du /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%B5%E7%D7%D3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&k0=%B5%E7%D7%D3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&k1=%BB%AF%D1%A7&k2=%BB%AF%D1%A7%B3%C9%B7%D6&k3=%B5%E7%BE%B5&k4=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE

9、%B5&k5=sem&sid=25c8836d4048733&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=5&seller_id=1&di=128 t _blank 電子顯微鏡的構(gòu)造分為 。16. 影響差熱曲線的因素有 、 、和 。三、判斷題，表述對的在括號里打“，錯的打“共10分，每題1分1. 干預指數(shù)是對晶面空間方位與晶面間距的標識。晶面間距為d110/2的晶面其干預指數(shù)為220。 2. 倒易矢量r*HKL的 基本性質(zhì)為：r*HKL垂直于正點陣中相應的HKL晶面，其長度r*HKL等于(HKL)之晶

10、面間距dHKL的2倍。 倒數(shù)3. 分子的轉(zhuǎn)動光譜是帶狀光譜。 線狀光譜4. 二次電子像的分辨率比背散射電子像的分辨率低。高5. 一束X射線照射一個原子列一維 HYPERLINK :/cpro.baidu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%BE%A7%CC%E5&k0=%BE%A7%CC%E5&k1=%B5%E7%D7%D3%CF%D4

11、%CE%A2%BE%B5&k2=%BB%AF%D1%A7&k3=%BB%AF%D1%A7%B3%C9%B7%D6&k4=%B5%E7%BE%B5&k5=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&sid=25c8836d4048733&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=4&seller_id=1&di=128 t _blank 晶體，只有鏡面反射方向上才有可能產(chǎn)生衍射。 6. 俄歇電子能譜不能分析固體外表的H和He。 7. 低能電子衍射LEED不適合分析絕緣固體樣品的外表構(gòu)造。 8.

12、d-d躍遷受配位體場強度大小的影響很大，而f-f躍遷受配位體場強度大小的影響很小。 9. 紅外輻射與物質(zhì)相互作用產(chǎn)生紅外吸收光譜必須有分子極化率的變化。 10. 樣品粒度和氣氛對差熱曲線沒有影響。 四、單項選擇題共10分，每題1分。1. 原子吸收光譜是A。A、 線狀光譜 B、帶狀光譜 C、連續(xù)光譜2. 以下方法中， A 可用于測定方解石的點陣常數(shù)。A、 X射線衍射線分析 B、紅外光譜 C、原子吸收光譜 D 紫外光譜子能譜3. 合金鋼薄膜中極小彌散顆粒(直徑遠小于1?m)的物相鑒定，可以選擇D 。A、X射線衍射線分析 B、紫外可見吸收光譜 C、差熱分析 D、多功能透射電鏡4. 幾種高聚物組成之混

13、合物的定性分析與定量分析，可以選擇A 。A、紅外光譜 B、俄歇電子能譜 C、 HYPERLINK :/cpro.baidu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k0=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k1=sem&k2=%BE%A7%CC%E5&k3=%B5%E7%D7%D

14、3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&k4=%BB%AF%D1%A7&k5=%BB%AF%D1%A7%B3%C9%B7%D6&sid=25c8836d4048733&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=2&seller_id=1&di=128 t _blank 掃描電鏡D、掃描隧道顯微鏡5. 以下 B晶面不屬于100晶帶。A、001 B、100 C、010 D、0016. 某半導體的外表能帶構(gòu)造測定，可以選擇D 。A、 紅外光譜 B、透射 HYPERLINK :/cpro.baidu /cp

15、ro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%B5%E7%BE%B5&k0=%B5%E7%BE%B5&k1=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k2=sem&k3=%BE%A7%CC%E5&k4=%B5%E7%D7%D3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&k5=%BB%AF%D1%A7&sid=25c8836d4048733&ch=0&

16、tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=1&seller_id=1&di=128 t _blank 電鏡C、X射線光電子能譜 D 紫外光電子能譜7. 要分析鋼中碳化物成分和基體中碳含量，一般應選用A 電子探針儀，A、波譜儀型 B、能譜儀型8. 要測定聚合物的熔點，可以選擇 C 。A、紅外光譜 B、紫外可見光譜 C、差熱分析 D、X射線衍射9. 以下分析方法中，A 不能分析水泥原料的 HYPERLINK :/cpro.baidu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2E

17、uu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%BB%AF%D1%A7&k0=%BB%AF%D1%A7&k1=%BB%AF%D1%A7%B3%C9%B7%D6&k2=%B5%E7%BE%B5&k3=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k4=sem&k5=%BE%A7%CC%E5&sid=25c8836d4048733&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11

18、&stid=9&urlid=0&luki=6&seller_id=1&di=128 t _blank 化學組成。A、紅外光譜 B、X射線熒光光譜 C、等離子體發(fā)射光譜 D、原子吸收光譜10. 要分析陶瓷原料的礦物組成，優(yōu)先選擇 C 。A、原子吸收光譜 B、原子熒光光譜 C、X射線衍射 D、透射電鏡11成分和價鍵分析手段包括【 b 】aWDS、能譜儀EDS和 XRD bWDS、EDS 和 XPScTEM、WDS 和 XPS dXRD、FTIR 和 Raman12分子構(gòu)造分析手段包括【 a 】a拉曼光譜Raman、核磁共振NMR和傅立葉變換紅外光譜FTIR bNMR、FTIR 和 WDScSEM、

19、TEM 和 STEM掃描透射電鏡 d XRD、FTIR 和 Raman13外表形貌分析的手段包括【 d 】aX 射線衍射XRD和 HYPERLINK :/cpro.baidu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k0=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k1=sem&k2=%

20、BE%A7%CC%E5&k3=%B5%E7%D7%D3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&k4=%BB%AF%D1%A7&k5=%BB%AF%D1%A7%B3%C9%B7%D6&sid=25c8836d4048733&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=2&seller_id=1&di=128 t _blank 掃描電鏡SEM (b) SEM 和透射電鏡TEM(c) 波譜儀WDS和 X 射線光電子譜儀XPS (d) 掃描隧道顯微鏡STM和SEM14透射 HYPERLINK :/cpro.ba

21、idu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%B5%E7%BE%B5&k0=%B5%E7%BE%B5&k1=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k2=sem&k3=%BE%A7%CC%E5&k4=%B5%E7%D7%D3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&k5=%BB%AF%D1%A7&sid=25c8836d404873

22、3&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=1&seller_id=1&di=128 t _blank 電鏡的兩種主要功能：【 b 】a外表形貌和晶體構(gòu)造 b內(nèi)部組織和晶體構(gòu)造c外表形貌和成分價鍵 d內(nèi)部組織和成分價鍵五、簡答題共40分，每題8分答題要點：1. 簡述分子能級躍遷的類型，比較紫外可見光譜與紅外光譜的特點。答：分子能級躍遷的類型主要有分子電子能級的躍遷、振動能級的躍遷和轉(zhuǎn)動能級的躍遷。紫外可見光譜是基于分子外層電子能級的躍遷而產(chǎn)生的吸收光譜，由于電子能級間隔比較大，在產(chǎn)生電子能級躍遷的

23、同時，伴隨著振動和轉(zhuǎn)動能級的躍遷，因此它是帶狀光譜，吸收譜帶峰寬緩。而紅外光譜是基于分子振動和轉(zhuǎn)動能級躍遷產(chǎn)生的吸收光譜。一般的中紅外光譜是振-轉(zhuǎn)光譜，是帶狀光譜，而純的轉(zhuǎn)動光譜處于遠紅外區(qū)，是線狀光譜。2. 簡述布拉格方程及其意義。答：晶面指數(shù)表示的布拉格方程為2dhklsin?=n?，式中d為hkl晶面間距，n為任意整數(shù)，稱反射級數(shù)，?為掠射角或布拉格角，?為X射線的波長。干預指數(shù)表示的布拉格方程為2dHKLsin?=?。其意義在于布拉格方程表達了反射線空間方位?與反射晶面面間距d及入射線方位?和波長?的相互關(guān)系，是X射線衍射產(chǎn)生的必要條件，是 HYPERLINK :/cpro.baidu

24、 /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%BE%A7%CC%E5&k0=%BE%A7%CC%E5&k1=%B5%E7%D7%D3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&k2=%BB%AF%D1%A7&k3=%BB%AF%D1%A7%B3%C9%B7%D6&k4=%B5%E7%BE%B5&k5=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&

25、sid=25c8836d4048733&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=4&seller_id=1&di=128 t _blank 晶體構(gòu)造分析的 基本方程。3. 為什么說掃描電鏡的分辨率和信號的種類有關(guān)試將各種信號的分辨率上下作一比較。答：掃描電鏡的分辨率和信號的種類有關(guān)，這是因為不同信號的性質(zhì)和來源不同，作用的深度和范圍不同。主要信號圖像分辨率的上下順為：掃描透射電子像與掃描電子束斑直徑相當?二次電子像幾nm，與掃描電子束斑直徑相當背散射電子像50-200nm吸收電流像? 特征X射圖像

26、100nm-1000nm。4. 要在觀察斷口形貌的同時，分析斷口上粒狀夾雜物的化學成分，選擇什么儀器簡述具體的分析方法。答：要在觀察斷口形貌的同時，分析斷口上粒狀夾雜物的 HYPERLINK :/cpro.baidu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%BB%AF%D1%A7%B3%C9%B7%D6&k0=%BB%AF%D1%A7%B3

27、%C9%B7%D6&k1=%B5%E7%BE%B5&k2=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k3=sem&k4=%BE%A7%CC%E5&k5=%B5%E7%D7%D3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&sid=25c8836d4048733&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=7&seller_id=1&di=128 t _blank 化學成分，應選用配置有波譜儀或能譜儀的 HYPERLINK :/cpro.baidu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %

28、3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k0=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k1=sem&k2=%BE%A7%CC%E5&k3=%B5%E7%D7%D3%CF%D4%CE%A2%BE%B5&k4=%BB%AF%D1%A7&k5=%BB%AF%D1%A7%B3%C9%B7%D6&sid=25c8836d4048733&ch=0&

29、tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=9&urlid=0&luki=2&seller_id=1&di=128 t _blank 掃描電鏡。具體的操作分析方法是：先掃描不同放大倍數(shù)的二次電子像，觀察斷口的微觀形貌特征，選擇并圈定斷口上的粒狀夾雜物，然后用波譜儀或能譜儀定點分析其化學成分確定元素的種類和含量。5. 簡述影響紅外吸收譜帶的主要因素。答：紅外吸收光譜峰位影響因素是多方面的。一個特定的基團或 HYPERLINK :/cpro.baidu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%

30、2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f%2D1%2Ehtml&p=baidu&c=news&n=10&t=tpclicked3_hc&q=00009009_cpr&k=%BB%AF%D1%A7&k0=%BB%AF%D1%A7&k1=%BB%AF%D1%A7%B3%C9%B7%D6&k2=%B5%E7%BE%B5&k3=%C9%A8%C3%E8%B5%E7%BE%B5&k4=sem&k5=%BE%A7%CC%E5&sid=25c8836d4048733&ch=0&tu=u1698901&jk=0f0a3fb7065b60a7&cf=29&fv=11&stid=

31、9&urlid=0&luki=6&seller_id=1&di=128 t _blank 化學鍵只有在和周圍環(huán)境完全沒有力學或電學偶合的情況下，它的鍵力常數(shù)k值才固定不變。一切能引起k值改變的因素都會影響峰位變化。歸納起來有：誘導效應、共軛效應、鍵應力的影響、氫鍵的影響、偶合效應、物態(tài)變化的影響等。6透射電鏡主要由幾大系統(tǒng)構(gòu)成? 各系統(tǒng)之間關(guān)系若何?答：四大系統(tǒng):電子光學系統(tǒng),真空系統(tǒng),供電控制系統(tǒng),附加儀器系統(tǒng)。其中電子光學系統(tǒng)是其核心。其他系統(tǒng)為輔助系統(tǒng)。7透射 HYPERLINK :/cpro.baidu /cpro/ui/uijs.php?rs=1&u= %3A%2F%2F3y%2Euu456%2Ecom%2Fbp%2Dd17aec4q011ca300a6c3q06f