晶胞計(jì)算精編課件

1、 晶胞計(jì)算 晶胞計(jì)算1、四大晶體的晶胞（1）分子晶體 CO2 4種不同的取向 I2兩種不同的取向兩個 CO2 最近的距離為 a 晶胞計(jì)算精編課件（2）原子晶體：金剛石、二氧化硅（3）離子晶體 金剛石晶胞邊長為a pm ，則兩個最近的碳距離為 a pm4金剛石晶胞邊長為a pm ，則兩個最近的碳距離為 Po74%74%68%52121286Cu.Ag.AuZn MgTiNa.K.Fe1242 r = /4a r = /4a（4）金屬晶體Po74%74%68%52121286Cu.Ag.AuZn1、MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實(shí)驗(yàn)測得MgO的晶胞

2、參數(shù)為a=0.420nm，則r(O2-)為 nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為a=0.448nm，則r(Mn2+)為 nm2、在離子晶體中,陰、陽離子按一定規(guī)律在空間排列,圖3是NaCl的晶體結(jié)構(gòu)。在離子晶體中,陰陽離子具有或接近具有球?qū)ΨQ的電子云,它們可以被看成是不等徑的鋼性圓球,并彼此相切(圖4).離子鍵的鍵長是相鄰陰、陽離子的半徑之和(如圖5).已知a為常數(shù)。Na+半徑與Cl半徑之比r+/r=_.(已知2=1.414,3=1.732,5=2.236)1、MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方1、雌黃（As2S3）經(jīng)常用來修改錯字，其結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法不正確

3、的是（ ）AAs、S原子的雜化方式均為sp3BAsH3的沸點(diǎn)比NH3的低C已知As2F2分子中各原子均滿足8電子結(jié)構(gòu)，分子中鍵和鍵的個數(shù)比為3：1D與As同周期且基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)目相同的元素只有VD1、雌黃（As2S3）經(jīng)常用來修改錯字，其結(jié)構(gòu)如圖所示。下列2、立方ZnS和六方ZnS，如圖所示下列說法錯誤的是AZn原子和S原子的配位數(shù)都是4，不同的是原子堆積方式有差別。B在立方ZnS中，S原子作立方最密堆積，在六方ZnS晶體中，S原子作六方最密堆積。C在立方ZnS中，Zn原子填充在所有的四面體空隙中，形成立方面心點(diǎn)陣。D立方ZnS和六方ZnS不屬于同分異構(gòu)體。C2、立方ZnS和六方Zn

4、S，如圖所示下列說法錯誤的是3、鋇在氧氣中燃燒時得到一種鋇的氧化物晶體,結(jié)構(gòu)如圖所示,有關(guān)說法不正確的是()A.該晶體屬于分子晶體B.晶體的化學(xué)式為Ba2O2C.該晶體晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相似D.與每個Ba2+距離相等且最近的Ba2+共有12個AB3、鋇在氧氣中燃燒時得到一種鋇的氧化物晶體,結(jié)構(gòu)如圖所示,有4、BeO晶體的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖為圖2，則沿著晶胞體對角線方向的投影，下列圖中能正確描述投影結(jié)果的是D4、BeO晶體的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖為圖2，則沿著晶胞體對角線方向CC6、KBeBF晶體為層片狀結(jié)構(gòu)，圖1為其中一層的局部示意圖。平面六元環(huán)以BO鍵和BeO鍵交織相連，形成平面網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個Be都連接

5、一個F，且F分別指向平面的上方或下方，K+分布在層間。KBeBF晶體的化學(xué)式為?KBe2BO3F2 6、KBeBF晶體為層片狀結(jié)構(gòu)，圖1為其中一層的局部示意圖。7、NaCl晶胞中，設(shè)邊長為a，則Na+和Cl最近的距離為？a/2 Na+和Na+最近的距離為？ a 7、NaCl晶胞中，設(shè)邊長為a，則8、在離子晶體中,陰、陽離子按一定規(guī)律在空間排列,圖3是NaCl的晶體結(jié)構(gòu)。在離子晶體中,陰陽離子具有或接近具有球?qū)ΨQ的電子云,它們可以被看成是不等徑的鋼性圓球,并彼此相切(圖4).離子鍵的鍵長是相鄰陰、陽離子的半徑之和(如圖5).已知a為常數(shù)。Na+半徑與Cl半徑之比r+/r=_.(已知2=1.414

6、,3=1.732,5=2.236)0.414:1 8、在離子晶體中,陰、陽離子按一定規(guī)律在空間排列,圖3是Na10、BeO晶體也是制備KBeBF的原料，圖2為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖。BeO晶胞中，O的堆積方式為_；設(shè)O與Be的最近距離為acm，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則BeO晶體的密度為_gcm-3。面心立方最密堆積 10、BeO晶體也是制備KBeBF的原料，圖2為其晶胞結(jié)構(gòu)示11、如圖是金屬晶體的面心立方晶胞示意圖，在密堆積中處于同一密置層上的原子組合是()ABCDB11、如圖是金屬晶體的面心立方晶胞示意圖，在密堆積中處于同一12、氯和鉀與不同價態(tài)的銅可生成兩種化合物,其陰離子均為無限長鏈結(jié)構(gòu)

7、(如下圖3),a位置上Cl原子的雜化軌道類型為？已知其中一種化合物的化學(xué)式為KCuCl3另一種的化學(xué)式為_。sp3 K2CuCl312、氯和鉀與不同價態(tài)的銅可生成兩種化合物,其陰離子均為無限一、考試要點(diǎn)有關(guān)晶胞計(jì)算的?？純?nèi)容為晶胞密度計(jì)算、晶胞參數(shù)計(jì)算、微粒之間的距離計(jì)算、配位數(shù)、物質(zhì)化學(xué)式的計(jì)算等。解答這類題的關(guān)鍵是準(zhǔn)確判斷晶胞種類、計(jì)算晶胞內(nèi)微粒的數(shù)目、運(yùn)用微粒之間的空間關(guān)系等。一、考試要點(diǎn)1.密度計(jì)算1.密度計(jì)算例如：用石墨作電極處理黃銅礦可制得硫酸銅溶液和單質(zhì)硫。石墨的晶體結(jié)構(gòu)如上圖所示,虛線勾勒出的是其晶胞。則石墨晶胞中含碳原子數(shù)為_個。已知石墨的密度為g/cm3,CC鍵的鍵長為rc

8、m,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則石墨晶體的層間距d=_cm。a=3r4例如：用石墨作電極處理黃銅礦可制得硫酸銅溶液和單質(zhì)硫。石墨的2.俯視圖b2.俯視圖b常見的銅的硫化物有CuS和Cu2S兩種。已知：晶胞中S2-的位置如圖1所示，銅離子位于硫離子所構(gòu)成的四面體中心，它們晶胞具有相同的側(cè)視圖如圖2所示。已知CuS和Cu2S的晶胞參數(shù)分別為apm和bpm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。CuS晶體中，相鄰的兩個銅離子間的距離為_pm。Cu2S晶體中，S2-的配位數(shù)為_。Cu2S晶體的密度為=_gcm-3（列出計(jì)算式即可）。2/2a8常見的銅的硫化物有CuS和Cu2S兩種。已知：晶胞中S2-的(1)如圖

9、是CaTiO3的兩種晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，兩種晶胞的參數(shù)均為abc379. 5 pm，=90；在晶胞I中氧離子占據(jù)的是_(填“體心”“面心”或“頂點(diǎn)”)，在晶胞II中氧離子之間最近的距離是_pm(列出計(jì)算表達(dá)式)。(2)無金屬鈣鈦礦MDABCONH4 I3的晶胞類型與CaTiO3相同。若在MDABCONH4I3的晶胞中NH4的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1/2，1/2，1/2)，其中一種I-的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，1/2)，則MDABCO的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為_。與MDABCO 距離最近的I-的個數(shù)為_個。3.坐標(biāo)分析.面心2/2379. 5（0，0，0）6(1)如圖是CaTiO3的兩種晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，兩種晶胞的參數(shù)MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實(shí)驗(yàn)測得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420nm，則r(O2-)為 nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為a=0.448nm，則r(Mn2+)為 ？nmMgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方最密在離子晶體中,陰、陽離子按一定規(guī)律在