PCM測試培訓(xùn)全課件

1、PCM 測試培訓(xùn)PCM 測試培訓(xùn)概 述PCM 測試的作用測參數(shù)參數(shù)有什么作用?建立器件模型制定出片標(biāo)準(zhǔn)監(jiān)控工藝質(zhì)量尋找低良原因概 述PCM 測試的作用PCM 設(shè)備類型CMOS/BICMOS/E2等低壓器件測試設(shè)備:4070/4062/450/425;DMOS測試設(shè)備:FET3600(兼顧CP測試和中測打點的功能)二極管測試設(shè)備:APD01概 述PCM 設(shè)備類型概 述三 PCM 測試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)控制終端 測 試 儀TESTER探針臺PROBER網(wǎng)線概 述開關(guān)矩陣和針卡電容儀萬用表脈沖發(fā)射器三 PCM 測試系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 測探針臺PROBER網(wǎng)線PCM程序描述4070:語言BASIC程序結(jié)構(gòu):子程序 主程序

2、 PRINT文件 LIMIT文件 坐標(biāo)文件TESTSUBS.6TESTS.6printTSTLST/TLbkup.std產(chǎn)品測試程序:CODE名TESTS.6printTSTLST/TLbkup.stdPCM程序描述4070:TESTSUBS.6TESTS.6p450程序描述:語言:C子程序 主程序 標(biāo)準(zhǔn)測試模塊 LIMIT FILE 坐標(biāo)文件產(chǎn)品測試程序:CODE名pgmklfplans.wduPLANSNMOS/PMOS klf.wduPGM cpf/wpf450程序描述:產(chǎn)品測試程序:CODE名pgmklfplan開發(fā)PCM程序需要與PCM確認(rèn)什么信息?測試需要的硬件配(電容儀/脈沖發(fā)生

3、儀等)針卡信息針卡上的針間距是否可以與開發(fā)產(chǎn)品WAFER上的PAD間距一致;針卡上的針的個數(shù)與排列是否與開發(fā)產(chǎn)品WAFER上的PAD個數(shù)與排列一致測試電壓電流要求PCM測試機臺是否可以滿足4070/4062: 見后頁450/425: 200ma/200vFET3600:5A/2000V開發(fā)PCM程序需要與PCM確認(rèn)什么信息?測試需要的硬件配(40704070PCM測試培訓(xùn)全課件450450PCM測試程序開發(fā)開發(fā)PCM程序需要提供什么資料?測試模塊坐標(biāo)測試電學(xué)條件參數(shù)規(guī)范PCM測試程序開發(fā)開發(fā)PCM程序需要提供什么資料?PCM程序開發(fā)需要填寫的表單?E狀態(tài)產(chǎn)品的更改路徑:Fas920aFab1文

4、件庫特別共享PI電性測量課TD程序調(diào)試申請報表M/N/P/ER狀態(tài)的更改使用路徑,工作流路徑: 什么時候需要寫申請:單個產(chǎn)品更改的時候,子程序優(yōu)化走PCM人員走-PCCBPCM程序開發(fā)需要填寫的表單? 什么時候需要寫申請:單個程序開發(fā)完后PCM人員做什么?E狀態(tài)產(chǎn)品:M/N/P/ER狀態(tài)產(chǎn)品:EIP系統(tǒng)里會有附件附上.程序開發(fā)完后PCM人員做什么?M/N/P/ER狀態(tài)產(chǎn)品:PCM異常處理流程PCM異常處理流程PCM測試問題分析流程測試問題反饋測試問題思考方向:針卡/機臺/操作習(xí)慣/程序PCM測試問題分析流程測試問題反饋經(jīng)典案例分析450 IOFF-彌補設(shè)備硬件差異MGLV P+ 測試問題-解決

5、工藝缺陷VTFOX測試問題-TESTKEY設(shè)計問題導(dǎo)致PCM問題FAIRCHART 扎偏移-找目標(biāo)對測試的影響經(jīng)典案例分析450 IOFF-彌補設(shè)備硬件差異450 IOFF產(chǎn)品反映IOFF 450/4070測試值有臺階,導(dǎo)致工藝SPC不達(dá)標(biāo)準(zhǔn)450 IOFF產(chǎn)品反映IOFF 450/4070測試值有臺450 IOFF為什么會有漏電類參數(shù),450測試結(jié)果比4070漏電小的呢?450 IOFF為什么會有漏電類參數(shù),450測試結(jié)果比407450 IOFF檢查程序?qū)ふ也町?450漏電更小的原因是使用了皮安表450 IOFF檢查程序?qū)ふ也町?450漏電更小的原因是使用450 IOFF優(yōu)化程序解決問題45

6、0 IOFF優(yōu)化程序解決問題LVMG產(chǎn)品一直以來都存在P+測試不出的問題，現(xiàn)在以在北京生產(chǎn)的ICET316/314尤為突出分析認(rèn)為是PCM TEST設(shè)計結(jié)構(gòu)不合理導(dǎo)致PCM測試有問題MGLV P+ 測試問題LVMG產(chǎn)品一直以來都存在P+測試不出的問題，現(xiàn)在以在北京生PCM測試培訓(xùn)全課件MGLV P+ 測試問題-PCM P+ 測試結(jié)構(gòu)備注：紅色：N+；蘭色：P+；綠色：ALALSIO2N+NSUB探針結(jié)論：因為設(shè)計規(guī)則的問題，導(dǎo)致當(dāng)探針過重扎穿AL/SIO2（1100A）直接與N+連通，即發(fā)生漏電，電阻測量不出。當(dāng)探針輕扎時，P+是可以測試出來的，與實驗吻合，見附錄一。MGLV P+ 測試問題-

7、PCM P+ 測試結(jié)構(gòu)備注：紅色：MGLV P+ 測試問題PCM N+ 測試結(jié)構(gòu)備注：紅色：N+；蘭色：P+；綠色：AL結(jié)論：因為設(shè)計規(guī)則的問題，導(dǎo)致當(dāng)探針過重扎穿AL/SIO2（1100A）直接與N+連通，因為所接觸的還是N+，不會漏電，這就是N+從沒有出現(xiàn)測量不出的原因ALSIO2N+PWELLNSUBMGLV P+ 測試問題PCM N+ 測試結(jié)構(gòu)備注：紅色：NMGLV P+ 測試問題結(jié)論：因為模塊設(shè)計問題，導(dǎo)致會有測試不出的問題發(fā)生，與PCM工藝無關(guān)MGLV P+ 測試問題結(jié)論：因為模塊設(shè)計問題，導(dǎo)致會有測試經(jīng)過單點扎針測試,發(fā)現(xiàn)當(dāng)高度為310時,測試結(jié)果為片子真實值(同一點).針高=3

8、10Default_XRs_pplusratio1768.3111.118642771.3541.127123771.3541.136754772.8761.117655777.441.126056772.8761.127127785.0471.123978774.3971.117659777.441.09917附件一：PCM探針高度實驗經(jīng)過單點扎針測試,發(fā)現(xiàn)當(dāng)高度為310時,測試結(jié)果為片子真實值同一片在310高度測試的結(jié)果05.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 710.5 0 0 UUU.U 500 90005.dat_4:PPLUS CONT RES

9、OHMS/CNT 53.8 -33.17 26.05 105.9 581 53.8 .U.O 0 25025.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90025.dat_4:PPLUS CONT RES OHMS/CNT -506.3 -192.2 130.3 2.3E+04 443.7 130.3 UU.Oo 0 25012.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 814 0 0 0 0 U.UUU 500 90012.dat_5:PPLUS CONT RES OHMS/CNT 2.4E+04 100.5

10、 4.2E+04 2E+21 2E+21 4.2E+04 O.OOO 0 250發(fā)現(xiàn)有的點能測試出,而有些點測不出. 加深為311,則測試結(jié)果如下:15.dat_5: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 739.4 0 734.8 0 0 0 .U.UU 500 90015.dat_4: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 721.1 713.5 0 744 713.5 U.U. 500 90017.dat_4: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 715.1 745.5 721.1 696.8 742.4 721.1 . 500 900認(rèn)為針的高度對測

11、試結(jié)果有很重要的結(jié)果,但很難保證測試高度合適17.dat_6:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90021.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 710.5 0 0 748.5 0 U.UU. 500 90022.dat_7:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 705.9 709 0 744 705.9 U.U. 500 90025.dat_7:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 712 0 724.2 0 0 U.U.U 500 900加深為312,則測試結(jié)果如下:不難發(fā)現(xiàn)當(dāng)針

12、高由311變?yōu)?12時,17片的P+測試不出來同一片在310高度測試的結(jié)果05.dat_4:PPLUS STEST UFORCE I如上圖所示，PPLUS RES 測試為范德堡測試方法。即在相鄰兩端加電流，測另外兩端的電壓（一共可測出四組值），然后再 電壓除電流得出所要測的電阻。具體公式為：Rs = U/I *4.532= rs_ pplusi （i=1，2，3，4） P+附錄二：PCM P+/N+范德堡測試方法TEST UFORCE I如上圖所示，PPLUS R：PPLUS RES=（rs_pplus1 + rs_pplus2 + rs_pplus3 + rs_pplus4) / 4 即:P

13、PLUS RES 是所測四組值的平均值：IF MAX(rs_pplus1 ； rs_pplus2 ；rs_pplus3 ； rs_pplus4 ) MIN(rs_pplus1 rs_pplus2 ； rs_pplus3 ； rs_pplus4 )X1.5 ， RATIOMAXMIN 則 PPLUS RES=0即：如果所測四組值中的最大值大于最小值的.倍(RATIO1.5)， 那么PPLUS RES 被賦值為 ：PPLUS RES=（rs_pplus1 + rs_p2. 主要涉及產(chǎn)品有SG5306和SG6827(NFOX0.8*20Vtf 測試值都在10.2V左右),比正常 均值低1V以上)10

14、.2V1. 異常起因: 3月產(chǎn)品Owner反映6S05SPSM-ST0100 NFOX 0.8X20 VTF SPC不達(dá)標(biāo)VTFOX測試問題2. 主要涉及產(chǎn)品有SG5306和SG6827(NFOX0.VTFOX測試問題1. SG5306 （SPC異常值產(chǎn)品） NFOX VTF調(diào)用Vtfox測試子程序2. SG6827 （SPC異常值產(chǎn)品） NFOX VTF調(diào)用Vtfox測試子程序3. HL0548 （SPC正常值產(chǎn)品） NFOX VTF調(diào)用Vgsearchn測試子程序分析： SPC TREND CHART異常點涉及的兩個產(chǎn)品 SG5306和SG6827，都調(diào)用Vtfox測試子程序，且G、D調(diào)用

15、同一PAD（第5PAD），S是第7PAD，B是第8PAD。 而其他正常產(chǎn)品（如HL0548）調(diào)用Vgsearchn測試子程序， G(6)、D(5)、S(7)，B(8) 。VTFOX測試問題1. SG5306 （SPC異常值產(chǎn)品） VTFOX測試問題1. SG5306_NFOX gds2. SG6827_NFOX gds3. HL0548_NFOX gds分析： 從GDS的實際結(jié)構(gòu)來看，SG5306和SG6827場管與HL0548類似，G、D并未短接。VTFOX測試問題1. SG5306_NFOX gds2. VTFOX測試問題Vgsearchn子程序：程序算法：二分查找法；測試機理是Vd=5V

16、, Vg掃描，S、B接地，Id=1uA時的Vg。用于測試正常結(jié)構(gòu)的場管Vtfox子程序：程序算法：線性查找法；測試機理是G、D同步掃描電壓，S、B接地，Id=1uA時的Vg。可測試正常結(jié)構(gòu)的場管或者G、D短接的特殊場管。DGSTDGSTVTFOX測試問題Vgsearchn子程序：DGSTDGSTVTFOX測試問題VTFOX測試問題Vtfox的淵源：針對G、D短接的“特殊”場管 針對這種G、D短接的場管只能使用Vtfox（G、D同步掃描方式）子程序來測試已到PCM的實際產(chǎn)品，并將子程序中調(diào)用的G、D都寫成第5個PAD，即P（31）。SC0612：典型的G、D短接至第5個PAD實際測試的是場管的單

17、結(jié)擊穿.Vtfox的淵源：針對G、D短接的“特殊”場管 針對這種G、VTFOX測試問題CE 場管LAYOUT部分老產(chǎn)品維持GD短接的場管新產(chǎn)品使用GD分離的場管PCM編程更改 Vtfox & GD短接PCM新品編程根據(jù)工藝相近原則直接COPY同工藝下某產(chǎn)品的測試主程序TESTS.6部分老產(chǎn)品GD分離的正常場管PCM編程Vtfox (GD分離)or Vgsearchn PCM場管程序同工藝下產(chǎn)品場管的測試程序有不同的模板！Issue：1）從什么時間更改的？哪些產(chǎn)品使用了改后的結(jié)構(gòu)？2）哪些老產(chǎn)品維持舊的場管結(jié)構(gòu)？Comment： 產(chǎn)品Owner未收到CE通知，不清楚同工藝 FRAME場管結(jié)構(gòu)更新

18、，故無法通知PCM。 PCM編程人員只收到含Test Key名稱及坐標(biāo) 的Checklist（并不知道其中的場管結(jié)構(gòu)已更改）VTFOX測試問題CE 場管LAYOUT部分老產(chǎn)品新產(chǎn)品PCCS80產(chǎn)品測試扎偏情況CS80產(chǎn)品PCM測試針跡與實際對應(yīng)pad位置不符，向上偏移大概9個pad的距離，由于該產(chǎn)品比較特殊，片內(nèi)只有五個插花內(nèi)有測試圖形，因此對測試參數(shù)影響較大，扎偏后直接導(dǎo)致部分參數(shù)測試失效。CS80產(chǎn)品測試扎偏情況CS80產(chǎn)品PCM測試針跡與實際對應(yīng)CS80產(chǎn)品測試扎偏原因分析1、設(shè)備走位異常：圓片在設(shè)備上運行時由于設(shè)備硬件故障導(dǎo)致走位異常，移動位置發(fā)生偏差，從而導(dǎo)致探針針尖無法扎到正確的測

19、試模塊，導(dǎo)致扎偏。2、找目標(biāo)異常：EG2001探針臺的找目標(biāo)動作是由VISION MODULE來對目標(biāo)圖形進行處理分析的，其原理是將所選定的目標(biāo)圖形進行黑白對比度的分析，將圖形信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栠M而識別出目標(biāo)圖形的過程。在找目標(biāo)操作時，CCD光強的明暗度、選取的目標(biāo)圖形都會影響找目標(biāo)效果，若定義的不好，會使設(shè)備在進行找目標(biāo)動作時識別到其他相似圖形，進而使測試模塊位置發(fā)生偏差，導(dǎo)致扎偏。CS80產(chǎn)品測試扎偏原因分析1、設(shè)備走位異常：圓片在設(shè)備上CS80產(chǎn)品測試扎偏原因確認(rèn)找目標(biāo)情況確認(rèn)：使用假片進行找目標(biāo)操作，按照作業(yè)員定義的目標(biāo)圖形進行操作，發(fā)現(xiàn)在同一插花內(nèi)有一相似圖形，當(dāng)重復(fù)進行找目標(biāo)操作時有可能會誤選到該類似圖形，兩個圖形相差大概9個pad的距離，而實際扎偏恰好也是9個pad的距離，兩者情況相吻合，因此可以判定是在找目標(biāo)操作時選取的目標(biāo)圖形不良導(dǎo)致的扎偏。CS