保護(hù)板檢測內(nèi)容及方法

1、文檔來源為 :從網(wǎng)絡(luò)收集整理.word 版本可編輯 .歡迎下載支持 .保護(hù)板檢測內(nèi)容及方法版號(hào)： EGD-01制定部門：工程開發(fā)部制定1999年9月29日批準(zhǔn)審核復(fù)核起草修改年月日批準(zhǔn)年月日檢查內(nèi)容1 、 來料必須配有包括以下 213 項(xiàng)各項(xiàng)參數(shù)的標(biāo)稱說明和原理線路圖以及所用元件的參數(shù)、型號(hào)。以下 2 13 項(xiàng)中的參數(shù)為通用參數(shù)，在來料標(biāo)稱參數(shù)精（優(yōu)）于其參數(shù)時(shí)，以來料標(biāo)稱參數(shù)為準(zhǔn)。 （通常以我開發(fā)部認(rèn)可的參數(shù)為準(zhǔn)）* 2 、持電電流測試（2500mA)K1K2B+P +- A +K3K4保V護(hù)VU1VR2板U2VR1V13.6VV2B-P -圖（一）如圖（一），設(shè)置 U2于 4.4V ：1）

2、 合上 K1、K4，斷開 K2、K3 調(diào) VR1 至電流表指示 -2500mA ，維持 10 分鐘不應(yīng)出現(xiàn)任何異常，觀察 V2 -V 1 之值不變化，不應(yīng)出現(xiàn)任何異常及發(fā)熱；2） 斷開 K1 、K4，合上 K2 、K3 調(diào) VR2 使電流表指示 2500mA ，維持 10 分鐘，觀察 V2 -V 1 之值不變化，不應(yīng)出現(xiàn)任何異常及發(fā)熱。1文檔來源為 :從網(wǎng)絡(luò)收集整理.word 版本可編輯 .歡迎下載支持 .保護(hù)板檢測內(nèi)容及方法版號(hào)： EGD-01制定部門：工程開發(fā)部* 3 、耐壓測試（17V ，若該線路板中器件耐壓等效至P 端有低于己于 17V的，則將此電壓降至其特性電壓。 ）如圖（一），合上

3、 K4 、K3 斷開 K1 、K2，設(shè)置 U2 于 17V ，維持 2 分鐘不應(yīng)出現(xiàn)任何異常。、充電內(nèi)阻測試VRB+保P+A-+ 4.4V護(hù)板B-P-圖（二）如圖（二）：1） 調(diào) VR 使電流表指示為 2000mA ，觀察示波器 CH1 、CH2之電壓值的絕對值之和應(yīng)小于 200mV ；2） 調(diào) VR 使電流表指示為 10mA ，觀察示波器 CH1 、CH2 之電壓值的絕對值之和應(yīng)小于 2mV.、放電內(nèi)阻測試保護(hù)板檢測內(nèi)容及方法版號(hào)： EGD-01制定部門：工程開發(fā)部B+P+保護(hù)2板文檔來源為 :從網(wǎng)絡(luò)收集整理.word 版本可編輯 .歡迎下載支持 .3.6VVR AB-P-圖（三）如圖（三）

4、：1） 調(diào) VR 使電流表讀數(shù)為 2500mA ，觀察示波器 CH1 、CH2之電壓值的絕對值之和應(yīng)小于 200mV ；2） 調(diào) VR 使電流表讀數(shù)為 3mA ，觀察示波器 CH1 、CH2 之電壓值的絕對值之和應(yīng)小于2mV.、自耗電流測試- A +B+ 保V護(hù)U板B-圖（四）如圖（四）：調(diào) U 使電壓表指示為3.6V ，觀察電流表指示應(yīng)小于A。保護(hù)板檢測內(nèi)容及方法版號(hào)： EGD-01制定部門：工程開發(fā)部、過充門限測試V10KB+P+保1K護(hù)板5VB-P-3文檔來源為 :從網(wǎng)絡(luò)收集整理.word 版本可編輯 .歡迎下載支持 .K圖（五）如圖（五）連線，合上 K，觀察電壓表最高值應(yīng)為 4.25V

5、 0.05V（4.1V電芯用）或 4.35V 0.05V （4.2V 電芯用），最低值應(yīng)大于 4V （復(fù)位電壓）。8 、過放門限測試1KB+P+K保護(hù)5V板100VB-P-圖（六）如圖（六），在電壓表指示為5V 時(shí)合上 K，觀察電壓表電壓最低電壓應(yīng)為 2.5V 0.07V ，最高電壓為復(fù)位電壓（選測） ，此電壓應(yīng)小于2.7V 。保護(hù)板檢測內(nèi)容及方法版號(hào)： EGD-01制定部門：工程開發(fā)部9 、過流門限測試B+P+保護(hù)3.6V板VR1K1B-P-A+-4.4VVR2K2圖（七）如圖（七），合上 K1 ，關(guān) K2 ，調(diào) VR2 使電流表增大，觀其最大值應(yīng)4文檔來源為 :從網(wǎng)絡(luò)收集整理.word 版

6、本可編輯 .歡迎下載支持 .為 5A 。合上 K2 ，關(guān) K1 ，調(diào) VR1 使電流表負(fù)增大， 觀其最小值應(yīng)為 -5A 。10 、過充保護(hù)延時(shí)測試-+保B+P+護(hù)CH1板U110U24.4VB-P-5V圖（八）比較器如圖（八），調(diào) U1 升高，觀察 CH1 之電壓跳 0 與 CH2 電壓跳高之時(shí)間差 T 應(yīng) 100ms 。保護(hù)板檢測內(nèi)容及方法11 、過放保護(hù)延時(shí)測試版號(hào)： EGD-01制定部門：工程開發(fā)部+10-B+P+保護(hù)CH1板100 U1B-P-5文檔來源為 :從網(wǎng)絡(luò)收集整理.word 版本可編輯 .歡迎下載支持 .5V圖（九）比較器如圖（九），調(diào) U1 降低，觀察 CH1 電壓跳 0 與 CH2 電壓跳高之時(shí)間差T 應(yīng)在 520ms 之間。12 、過流保護(hù)延時(shí)測試B+P+保A護(hù)板VR1100 4.4VB-P-+CH110V圖（十）比較器保護(hù)板檢測內(nèi)容及方法版號(hào)： EGD-01制定部門：工程開發(fā)部如圖（十），調(diào) VR 觀 CH1 電壓跳 0 與 CH2 跳高之時(shí)間差 T 應(yīng)小于 20ms 。 13 、對于帶有 PTC 和 RAM 的保護(hù)板，需做 PTC 和 RAM 的獨(dú)立測試， PTC 測試依照 PTC 測試方法。 RAM 測試依照 RAM 測試方法。注：1、