實驗報告芯片解剖實驗報告

第第7頁共7頁實驗報告芯片解剖實驗報告（最新版）編制人： 審核人： 審批人： 編制單位： 編制時間： 年 月 日序言謝!并且，本店鋪為大家提供各種類型的實用范文，如報告范文、工作總結(jié)、文秘知識、條據(jù)書信、行政公文、活動報告、黨團范文、其他范文等等，想了解不同范文格式和寫法，敬請關(guān)注!Downloadtips:Thisdocumentiscarefullycompiledbythisshop.hopethatafterdownloadingit,itcanhelpyousolvepracticalproblems.Thedocumentcanbecustomizedandmodifiedafterdownloading,pleaseadjustanduseitaccordingtoactualneeds,thankyou!Inaddition,thisshopprovidesyouwithvarioustypesofpracticalsampleessays,suchasreportsampleessays,worksummary,secretarialknowledge,articleletters,administrativeofficialdocuments,activityreports,partygroupsampleessays,othersampleessays,etc.Iwantunderstandtheformatandwritingofdifferentsampleessays.staytuned!正文內(nèi)容學號：628實驗時間：同組人員：一、實驗目的了解集成電路封裝知識，集成電路封裝類型。了解集成電路工藝流程。二、實驗儀器設(shè)備1：燒杯，鑷子，電爐。2：發(fā)煙硝酸，弄硫酸，芯片。3：超純水等其他設(shè)備。三、實驗原理和內(nèi)容實驗原理：1..傳統(tǒng)封裝：塑料封裝、陶瓷封裝塑料封裝（環(huán)氧樹脂聚合物）雙列直插DIP、單列直插SIP、雙列表面安裝式封裝SOP、四邊形扁平封裝QFPJPLCCJSOJ陶瓷封裝具有氣密性好，高可靠性或者大功率（三氧化二鋁和適當玻璃漿料針柵陣列PGA陶瓷扁平封裝FPG薄層陶瓷：無引線陶瓷封裝2..集成電路工藝標準雙極性工藝CMOSBiCMOS3.去封裝陶瓷封裝一般用刀片劃開。塑料封裝化學方法腐蝕，沸煮。發(fā)煙硝酸煮（小火）20~3030~50實驗內(nèi)容：四、實驗步驟打開抽風柜電源，打開抽風柜。將要去封裝的芯片（去掉引腳）放入有柄石英燒杯中。適量濃硝酸。（操作時一定注意安全）（不要太大）觀察燒杯中的變化，并做好記錄。取出去封裝的芯片并清洗芯片，在顯微鏡下觀察腐蝕效果。五、實驗數(shù)據(jù)12起反應，此時溶液顏色開始變黑。2渾濁。3：大約二十五分鐘，芯片塑膠部分已經(jīng)基本去除。4：取下燒杯，看到閃亮的芯片伴有反光，此時芯片塑膠已經(jīng)基本去除。六、結(jié)果及分析1此時如果不去除，它會與酸反應，消耗酸液。2全，或者去封裝速度較慢的情況。3：通過實驗，了解了去塑膠封裝的基本方法，和去封裝的一般步驟。實驗二金屬層芯片拍照實驗時間：同組人員：一、實驗目的1．學習芯片拍照的方法。掌握拍照主要操作。二、實驗儀器設(shè)備1：去封裝后的芯片2：芯片圖像采集電子顯微鏡和電動平臺3PC，三、實驗原理和內(nèi)容1：實驗原理CCD調(diào)平芯片，注意拍照時的清晰度。2：實驗內(nèi)容采集去封裝后金屬層照片。四、實驗步驟打開拍照電腦、顯微鏡、電動平臺。將載物臺粗調(diào)焦旋鈕逆時針旋轉(zhuǎn)到底（即載物臺最低小心移動硅片盡量將芯片平整。到顯示圖像。（20200）將顯微鏡物鏡旋轉(zhuǎn)到最低倍5X，慢慢載物臺粗調(diào)整旋鈕位置，直至看到圖像最清晰。觀察圖像，將芯片調(diào)平（方法認真聽取指導老師講解）。錯位，要進行重拍。保存圖像，關(guān)閉拍照工程。5X）。逆時針旋轉(zhuǎn)粗調(diào)焦旋鈕，使載物臺下降到最低。用手柄調(diào)節(jié)載物臺，到居中位置。PC五、實驗數(shù)據(jù)采集后的芯片金屬層圖片如下：六、結(jié)果及分析1：實驗掌握了芯片金屬層拍照的方法，電動平臺和電子顯微鏡的使用，熟悉了圖像采集軟件的使用方法。2：在拍攝金屬層圖像時，每拍完一行照片要進行檢查，因不符