晶圓生產(chǎn)工藝流程匯總

晶圓的生產(chǎn)工藝流程：從大的方面來(lái)講，晶圓生產(chǎn)包含晶棒制造和晶片制造兩大步驟，它又可細(xì)分為以下幾道主要工序（此中晶棒制造只包含下邊的第一道工序，其他的所有下晶片制造，因此有時(shí)又統(tǒng)稱它們?yōu)榫е衅筇幚砉ば颍壕О舫砷L(zhǎng)-- 晶棒裁切與檢測(cè) -- 外徑研磨-- 切片-- 圓邊--表層研磨-- 蝕刻-- 去疵-- 拋光-- 沖洗-- 查驗(yàn)-- 包裝1、晶棒成長(zhǎng)工序：它又可細(xì)分為：1）、消融（MeltDown）：將塊狀的高純度復(fù)晶硅置于石英坩鍋內(nèi)，加熱到其熔點(diǎn) 以上，使其完好消融。2）、頸部成長(zhǎng)（ NeckGrowth）：待硅融漿的溫度穩(wěn)固以后，將〈1.0.0〉方向的晶種慢慢插入此中，接著將晶種慢慢往上提高，其直徑減小到必定尺寸（一般約6mm 左右），保持此直徑并拉長(zhǎng)100-200mm ，以除去晶種內(nèi)的晶粒擺列取向差別。3）、晶冠成長(zhǎng)（CrownGrowth）：頸部成長(zhǎng)達(dá)成后，慢慢降低提高速度和溫度，使頸部直徑漸漸加大到所需尺寸（如、6、8、12吋等）。）、晶體成長(zhǎng)（BodyGrowth）：保持固定的晶棒直徑，只到晶棒長(zhǎng)度達(dá)到預(yù)約值。）、尾部成長(zhǎng)（TailGrowth）：當(dāng)晶棒長(zhǎng)度達(dá)到預(yù)約值后再漸漸加速提高速度并提高融煉溫度，使晶棒直徑漸漸變小，以防止因熱應(yīng)力造成排差和滑移等現(xiàn)象產(chǎn)生， 最后使晶棒與液面完好分別。到此獲取一根完好的晶棒。2、晶棒裁切與檢測(cè)（ Cutting&Inspection）：將長(zhǎng)成的晶棒掉直徑偏小的頭、尾部分，并對(duì)尺寸進(jìn)行檢測(cè)，以決定下步加工的工藝參數(shù)。3、外徑研磨（SurfaceGrinding&Shaping）：因?yàn)樵诰О舫砷L(zhǎng)過(guò)程中，其外徑尺寸和圓度均有必定偏差，其外園柱面也凹凸不平，因此一定對(duì)外徑進(jìn)行修整、研磨，使其尺寸、形狀偏差均小于同意偏差。4、切片（WireSawSlicing）：因?yàn)楣璧挠捕忍貏e大，因此在本工序里，采納環(huán)狀、其內(nèi)徑邊沿鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片。5、圓邊（EdgeProfiling）：因?yàn)閯偳邢聛?lái)的晶片外邊沿很尖利，硅單晶又是脆性資料，為防止邊角崩裂影響晶片強(qiáng)度、 損壞晶片表光潔和對(duì)后工序帶來(lái)污染顆粒，一定用專用的電腦控制設(shè)施自動(dòng)修整晶片邊沿形狀和外徑尺寸。6、研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割時(shí)在晶片表面產(chǎn)生的鋸痕和損壞，使晶片表面達(dá)到所要求的光潔度。7、蝕刻（Etching）：以化學(xué)蝕刻的方法，去掉經(jīng)上幾道工序加工后在晶片表面因加工應(yīng)力而產(chǎn)生的一層損害層。8、去疵（Gettering）：用噴砂法將晶片上的瑕疵與缺點(diǎn)感覺(jué)下半層，以利于后序加工。9、拋光（Polishing）：對(duì)晶片的邊緣和表面進(jìn)行拋光辦理，一來(lái)進(jìn)一步去掉附著在晶片上的微粒，二來(lái)獲取極佳的表面平坦度，以利于后邊所要講到的晶圓辦理工序加工。10、沖洗（Cleaning）：將加工達(dá)成的晶片進(jìn)行最后的完全沖洗、風(fēng)干。11、查驗(yàn)（Inspection）：進(jìn)行最后全面的查驗(yàn)以保證產(chǎn)品最后達(dá)到規(guī)定的尺寸、形狀、表面光潔