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模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料_模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度,少子濃度與溫度有關(guān)。*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。*轉(zhuǎn)型---通過改變摻雜濃度,一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.PN結(jié)*PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V,鍺材料約為0.2~0.3V。*PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通,反偏截止。8.PN結(jié)的伏安特性二.半導(dǎo)體二極管*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?,反向截止?二極管伏安特性----同PN結(jié)。*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。*死區(qū)電壓------硅管0.5V,鍺管0.1V。3.分析方法------將二極管斷開,分析二極管兩端電位的高低:若V陽>V陰(正偏),二極管導(dǎo)通(短路);若V陽<V陰(反偏),二極管截止(開路)。1)圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。2)等效電路法直流等效電路法*總的解題手段----將二極管斷開,分析二極管兩端電位的高低:若V陽>V陰(正偏),二極管導(dǎo)通(短路);若V陽<V陰(反偏),二極管截止(開路)。*三種模型微變等效電路法三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū),所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第二章三極管及其基本放大電路一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn)1.類型---分為NPN和PNP兩種。2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄,且摻雜濃度最低;發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高,與基區(qū)接觸面積較小;集電區(qū)摻雜濃度較高,與基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理1.三極管的三種基本組態(tài)2.三極管內(nèi)各極電流的分配*共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子3.共射電路的特性曲線*輸入特性曲線---同二極管。稱為穿透電流。*輸出特性曲線(飽和管壓降,用UCES表示放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。4.溫度影響溫度升高,輸入特性曲線向左移動。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低頻小信號等效模型(簡化)hie---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻,常用rbe表示;hfe---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比,常用β表示;四.基本放大電路組成及其原則1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。五.放大電路的圖解分析法1.直流通路與靜態(tài)分析*概念---直流電流通的回路。*畫法---電容視為開路。*作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)*直流負(fù)載線---由VCC=ICRC+UCE確定的直線。*電路參數(shù)對靜態(tài)工作點(diǎn)的影響元器件采購電子元器件智能搜索導(dǎo)購網(wǎng)站1)改變Rb:Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動。2)改變Rc:Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。3)改變VCC:直流負(fù)載線平移,Q點(diǎn)發(fā)生移動。2.交流通路與動態(tài)分析*概念---交流電流流通的回路*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用---分析信號被放大的過程。*交流負(fù)載線---連接Q點(diǎn)和VCC’點(diǎn)VCC’=UCEQ+ICQRL’的直線。3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真(1)截止失真*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過低*失真現(xiàn)象---NPN管削頂,PNP管削底。*消除方法---減小Rb,提高Q。(2)飽和失真*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過高*失真現(xiàn)象---NPN管削底,PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。4.放大器的動態(tài)范圍(1)Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。(2)范圍*當(dāng)(UCEQ-UCES)>(VCC’-UCEQ)時(shí),受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。快易購/*當(dāng)(UCEQ-UCES)<(VCC’-UCEQ)時(shí),受飽和失真限制,UOPP=2UOMAX=2(UCEQ-UCES)。*當(dāng)(UCEQ-UCES)=(VCC’-UCEQ),放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效電路法1.靜態(tài)分析(1)靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算(2)Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū),應(yīng)滿足RB>βRc。2.放大電路的動態(tài)分析*放大倍數(shù)*輸入電阻*輸出電阻七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射放大電路的等效電路法1.靜態(tài)分析2.動態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后*輸出電阻八.共集電極基本放大電路1.靜態(tài)分析2.動態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)*輸入電阻*輸出電阻3.電路特點(diǎn)*電壓放大倍數(shù)為正,且略小于1,稱為射極跟隨器,簡稱射隨器。*輸入電阻高,輸出電阻低。第三章場效應(yīng)管及其基本放大電路一.結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號2.輸出特性曲線(可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū))轉(zhuǎn)移特性曲線UP-----截止電壓二.絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)分為增強(qiáng)型(EMOS)和耗盡型(DMOS)兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號2.特性曲線*N-EMOS的輸出特性曲線*N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中,IDO是UGS=2UT時(shí)所對應(yīng)的iD值。*N-DMOS的輸出特性曲線注意:uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP,此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。三.場效應(yīng)管的主要參數(shù)1.漏極飽和電流IDSS2.夾斷電壓Up3.開啟電壓UT4.直流輸入電阻RGS5.低頻跨導(dǎo)gm(表明場效應(yīng)管是電壓控制器件)四.場效應(yīng)管的小信號等效模型E-MOS的跨導(dǎo)gm---五.共源極基本放大電路1.自偏壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析動態(tài)分析若帶有Cs,則2.分壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析*動態(tài)分析若源極帶有Cs,則六.共漏極基本放大電路*靜態(tài)分析或*動態(tài)分析第四章多級放大電路一.級間耦合方式1.阻容耦合----各級靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立;能有效地傳輸交流信號;體積小,成本低。但不便于集成,低頻特性差。2.變壓器耦合---各級靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立,可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大,成本高,無法采用集成工藝;不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號。3.直接耦合----低頻特性好,便于集成。各級靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立,互相有影響。存在“零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。*零點(diǎn)漂移----當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí),靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化,致使uo偏離初始值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動。二.單級放大電路的頻率響應(yīng)1.中頻段(fL≤f≤fH)波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù),相頻曲線是φ=-180o。2.低頻段(f≤fL)‘3.高頻段(f≥fH)HYPERLINK"/retype/zoom/09ec7f54763231126edb117b?pn=11&x=0&y=539&raww=194&rawh=93&o=png_6_0_0
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