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文檔簡介

(N)型和(P)(N)型半導體中的多子??昭ㄊ荘)型半導體中的少子。(本征激發(fā))(摻雜)而產(chǎn)生。(雜質)(溫度)變化顯著。.導體中的(擴散)電流與載流子濃度梯度成正比;(漂移)電流與電場強度成正比。.當(P)區(qū)外接高電位而(N)區(qū)外接低電位時,PN結正偏。PN結又稱為(空間電荷區(qū)(耗盡層(阻擋層和(勢壘區(qū)。PN結的伏安方程為(Ieu/U(PN結的基本DTS特性是(單向導電性)特性。此外,PN結還有(電容)效應和反向擊穿)特性。PN結電容包括(勢壘電容和(擴散)電容。PN(勢)電容。反偏越大,該電容越(越小。.普通Si二極管的導通電壓的典型值約為(0.7)伏,而Ge二極管導通電壓的典型值約為(0.3伏。(鍺)二極管的反向飽和電流遠大于(硅)二極管的反向飽和電流。11PN結的反向擊穿分為(齊納擊穿和(雪崩擊穿兩種機理。26.穩(wěn)壓管是利于PN(反向擊穿特性工作的二極管。PN(反向特性工作的二極管。14.二極管交流電阻r的定義式是(),r的估算式是rdDddDQUI(,其中熱電壓U在=300K時,值約為(26)mV。TTD.當發(fā)射結正偏,集電結反偏時,BJT工作在(放大區(qū),當發(fā)射結和集電結都(正偏時,BJT飽和;當發(fā)射結和集電結都(反偏)時,BJT截止。NPN(UUUCBE偏置的PNP管,三電極的電位關系是(UUU。CBE.為了提高值,BJT在結構上具有發(fā)射區(qū)雜質密度(遠遠高于基區(qū)雜質密度和基區(qū)(很薄的特點。I表示(集電極反向飽和電流O表示(發(fā)射極開路CEOCBO表示(C-E間的穿透電流,下標O表示(基極開路。這兩個電流之間的關系是(II。i與i的關系為(iiISi管而言i(。iCBCCBB20.共射直流放大系數(shù)與共基直流電流放大系數(shù)的關系是(。1.在放大區(qū),ii和i近似成(線性u則是(指ECBBE數(shù)關系。BJT27電流,此現(xiàn)象稱為(基區(qū)寬度調制效應。23.一條共射輸入特性曲線對應的函數(shù)關系是if(u)(()。一條共射輸出特性曲線對應的函數(shù)關系是BuCEif(u)。CiB.當溫度增加時,(增大CBO(增大,而共射輸入特性曲線(左移使得U減小。BEIPBJT的三個主要極限參數(shù)是(((U。CBR(CEO)iiC.交流β的定義式為(;直流的定義式為EuCE常數(shù)ICE(。I1時的頻率稱為BJT(特征頻率。r和交流β其實是兩個共射H參數(shù),它們與混合π參數(shù)的關系是beberrbbgr=(=(。bemberU是為了便于估算反映基調效應的混合π參數(shù)()Acer(。bc28(靜態(tài)工作點中的(電容開路,(電感短路。.交流通路只反映(交流電壓與(交流電流之間的關系。在畫交流通路時,應將耦合和傍路電容及恒壓源(短路。3.題2.13(3)所示共射放大器的輸出直流負載線方程近似為UEI(RR)(。該電路的交流負CCCe1載線是經(jīng)過(Q點,且斜率為(的一條直線。共射放RRCL大器的交流負載線是放大器工作時共射輸出特性曲線上的動點(u,i)(的運動軌跡。CECCE放大器工作點選在(交流負載線.放大器信號源的等效負載是放大器的(輸入R輸L出功率的等效信號源的內阻是放大器的(輸出電阻。.多級放大器的增益等于各級增益分貝數(shù)(相加。若放大器A=7倍,u則A的分貝數(shù)=(37。u(直接耦合,(阻容耦合和(變壓器)耦合。直流電源存在內阻是采用(電源去耦電路。.高增益直流放大器要解決的一個主要問題是(零點漂移(溫漂)。29(出信號產(chǎn)生了新的頻率成分)。.圖13)和()是兩個無源單口網(wǎng)絡。圖(R等ab).圖14是某放大器的通用模型。如果該放大器的端電壓增益A=-100,uuoipΩΩ.在BJT三種基本放大器中,CE組態(tài)使用較多的一個原因是(功率增益I)增加,而CEO30(減小,使圖13(16)偏置電路的工作點向(上移動。UBE13(16)電路的(基極(集電極)電流明顯增大,(U電壓明顯減小。CE.圖.所示偏置電路稱為(射極(或工作點穩(wěn)定電路)偏置電路。當電路Re滿足條件((時,穩(wěn)定Q效果較好。II1B.圖13(18)電路中,只有電阻(R工作點會移向(飽和區(qū)。對I幾乎無影響,但R增加時,CCC311.在半導體集成電路中,(BJT)元件占芯片面積最小,(R)和(C元件的值越大,占芯片面積越大,而(L元件無法集成。.集成放大器的偏置電路往往采用(恒流源電路。而集成放大器的負載常采(有源負載負載,其目的是為了(提高電壓增益。3.IC中的恒壓源和恒流源電路屬于非線性電阻性單口器件。前者有很小的(交流電阻,后者的(交流電阻很大。4.圖3.19所示CE基本差動放大器的差模輸入電壓u的線性范圍約為id(26。.在圖19中,當u超過大約(100)mV時,輸出出現(xiàn)明顯限幅。id.差動放大器依靠電路的(對稱性(共模負反饋來抑制零點漂移。.出電壓幾乎相同,其原因是(差放抑制共模信號。.采用恒流源偏置的差動放大器可以明顯提高(共模抑制比。.NPN-PNP(共集電極功放電路,對發(fā)射結加一定正偏電壓的目的是為了克服(交越失真。.圖)所示復合管等效為一只(NPN標出各電極。其等效=(,等效=()r。rbe1121211.使用P=lW的BJT作甲類功放時,只能輸出(0.25)W功率,而用兩只CMP=lW的NPN和PNP管組成乙類功效,卻能輸出(5)W功率。CM32.對于OCL或OTL電路,當負載電阻減小時,最大輸出功率(增大。14.當功率管的飽和壓降U增大時,各指標的變化為P(減小),CESomaxη(降低,(不變和(不變。maxEmaxT1max33.場效應管(FET)依靠(柵源電壓GS控制漏極電流i,故稱為(電壓控D制器件。FET工作于放大區(qū),又稱為(飽和區(qū)或(恒流區(qū)。此時i主要受(柵D源u電壓控制,而i幾乎不隨(漏源u電壓的改變而變化。GSDDSN溝道FET放大偏置時,溝道電流i的方向是從(漏極到(源極;P溝D道FET放大偏置時,i的方向是從(源極到(漏極。D.溝道預夾斷是指溝道在(靠近漏極位置剛好消失的狀態(tài)。此時,u與GSDS滿足的關系式稱為(預夾斷方程。5.FET的小信號跨導定義為g=(D),對于耗盡型管;對于增強型umGS常數(shù)uDS2Iu(1)ig((DUUmm0I()()DSS2Iu(管g(GS。mUUGS(th)GS(th)6.在放大區(qū),耗盡型管轉移特性曲線近似滿足的平方律關系式為uuIDSS)2I(2(,而增強型管的平方律關系式為(GS。UUDOGS(off)GS(th)FETBJT(基極、(發(fā)射極和(集電極極相似。.在FET分立元件放大電路中,常采用的偏置電路是(自偏壓電路和分壓式34自偏壓電路。但自偏壓式偏置電路不能用于增強型MOSFET。FET的三種基本放大組態(tài):CS組態(tài)、CD組態(tài)和CG組態(tài),其放大特性分別與BJT(CE組態(tài)、(CC組態(tài)和(CB組態(tài)相似。FET(溝道調制效應與BJT的基區(qū)寬調效應相似。基區(qū)寬調效應使集電結反偏電壓變化對各極電流有影響,而FET的該效應使(u)電壓的變化對DDS產(chǎn)生影響。11FET的小信號參數(shù)(r是溝道調制效應的反映。ds35(正弦穩(wěn)態(tài)(頻率特性函數(shù)。.在低頻段,由于(耦合電容、旁路電容(等電抗元件)的存在,使放大器的增益是頻率的函數(shù);在高頻段,由于(極間電容、分布電容、雜散電容等使增益也是頻率的函數(shù)。1.當輸入信號頻率降低或升高至使增益)下降到中頻段增益A(倍o2時所對應的頻率,分別稱為增益的(下限截止頻率f.和(上限截止頻率f。LH通頻帶就是在(ff之間的頻率范圍。f和f又稱為(3)dB(截止頻LHLH率。BW又稱為(3)dB帶寬。.大器對輸入信號的高頻分量或低頻分量的放大倍數(shù)不相同,輸出波形就會發(fā)生畸變,這種輸出失真稱為(幅頻失真。放大器對輸入信號的某些頻率成分的時延不同,或者說對不同頻率的輸入信號產(chǎn)生的附加相移不與頻率成正比,也會使輸出波形畸變,這種輸出失真稱為(相頻失真。以上兩種失真統(tǒng)稱為(頻率失真。.與非線性失真最根本的區(qū)別是:發(fā)生頻率失真時,輸出波形中不會出現(xiàn)(新的頻率(諧波)成分。所以,頻率失真又稱為(線性失真。.將頻率特性函數(shù)A(j中的(代以(Sj(s)。使0的取值稱為放大器增益函數(shù)的(零點,使(s)的取值稱為放大器增益函數(shù)的(極點。367.電壓增益的頻率特性函數(shù)20lg|A))u1008060A(j)A)e()jA。其中)的含義是uuu(幅頻特性-表示放大器增益的幅值與頻率4020的關系,()含義是(相頻特性-表示放大678圖12(8))器增益的相位與頻率的關系。8.如圖12(8)A幅頻波特圖所對應的中頻增益A=(10倍,5uuof=(Hz。H.如果放大器小信號模型中只有一個獨立電容,則該放大器的任何頻率特性函1數(shù)的截止角頻率都等于((其中R為該電容兩端的等效電阻)ORCO3s142A().某放大器的電壓增益函數(shù)sss62(2),經(jīng)u224A=(300ω=(100radω=(10rad。6uoLH(此為全頻段的增益函數(shù),需畫出波特圖才能知道中頻增益的大?。┫葘⒃鲆婧瘮?shù)變?yōu)樽優(yōu)闃藴首鲌D式:310ss222()310)A2ssssu))))2222101010102626可先畫括號部分的波特圖,然后下移20lg(310)dB237電壓串聯(lián),電壓并聯(lián),電流串聯(lián),電流并聯(lián)四種;若把輸出端短路后,反饋因而消失者,就是電壓反饋;反饋并電流短路就是并聯(lián)反饋,否則,則是串聯(lián)反饋。)為了充分提高負反饋的效果,串聯(lián)反饋要求信號源內阻小,并聯(lián)反饋要求信號源內阻大載電阻大。電阻?。╇娏鞔?lián)負反饋放大器是一種輸出端取樣為電流電壓的負反饋放大器,它使輸入電阻增大,輸出電阻增大。(4)電壓并聯(lián)負反饋放大器是一種輸出端取樣為電壓,輸入端比較量為電流的負反饋放大器,它使輸入電阻減小,輸出電阻減小。)若要減小放大器從信號源索取電流,應引入串聯(lián)負放大器帶負載能力,應引入電壓負反饋。反饋,若要提高)一個電壓串聯(lián)負反饋放大器,無反饋時電壓增益為80dB,為使有反饋時的電壓增益為20dB,則反饋深度()應為60。反饋系數(shù)B約等于0.1。(7)負反饋系統(tǒng)產(chǎn)生自激的條件是AjBj,相應的振幅條件是11,相位條件是(2AjBjn。TAB)放大器的閉環(huán)增益為40dB,基本放大器放大倍數(shù)變化了10%,閉環(huán)增益變化了,則開環(huán)增益為60dB38)理想集成運放開環(huán)電壓放大倍數(shù)A=,輸入電阻R=,輸udid出電阻R=0,共模抑制比K=,開環(huán)帶寬=。0C

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