模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-課后答案

(N)型和(P)(N)型半導(dǎo)體中的多子?？昭ㄊ荘)型半導(dǎo)體中的少子。(本征激發(fā))(摻雜)而產(chǎn)生。(雜質(zhì))(溫度)變化顯著。．導(dǎo)體中的(擴(kuò)散)電流與載流子濃度梯度成正比；(漂移)電流與電場(chǎng)強(qiáng)度成正比。．當(dāng)(P)區(qū)外接高電位而(N)區(qū)外接低電位時(shí)，PN結(jié)正偏。PN結(jié)又稱為(空間電荷區(qū)(耗盡層(阻擋層和(勢(shì)壘區(qū)。PN結(jié)的伏安方程為(Ieu/U(PN結(jié)的基本DTS特性是(單向?qū)щ娦?特性。此外，PN結(jié)還有(電容)效應(yīng)和反向擊穿)特性。PN結(jié)電容包括(勢(shì)壘電容和(擴(kuò)散)電容。PN(勢(shì))電容。反偏越大，該電容越(越小。．普通Si二極管的導(dǎo)通電壓的典型值約為(0.7)伏，而Ge二極管導(dǎo)通電壓的典型值約為(0.3伏。(鍺)二極管的反向飽和電流遠(yuǎn)大于(硅)二極管的反向飽和電流。11PN結(jié)的反向擊穿分為(齊納擊穿和(雪崩擊穿兩種機(jī)理。26．穩(wěn)壓管是利于PN(反向擊穿特性工作的二極管。PN(反向特性工作的二極管。14．二極管交流電阻r的定義式是()，r的估算式是rdDddDQUI(，其中熱電壓U在=300K時(shí)，值約為(26)mV。TTD．當(dāng)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，BJT工作在(放大區(qū)，當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都(正偏時(shí)，BJT飽和；當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都(反偏)時(shí)，BJT截止。NPN(UUUCBE偏置的PNP管，三電極的電位關(guān)系是(UUU。CBE．為了提高值，BJT在結(jié)構(gòu)上具有發(fā)射區(qū)雜質(zhì)密度(遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基區(qū)雜質(zhì)密度和基區(qū)(很薄的特點(diǎn)。I表示(集電極反向飽和電流O表示(發(fā)射極開(kāi)路CEOCBO表示(C-E間的穿透電流，下標(biāo)O表示(基極開(kāi)路。這兩個(gè)電流之間的關(guān)系是(II。i與i的關(guān)系為(iiISi管而言i(。iCBCCBB20．共射直流放大系數(shù)與共基直流電流放大系數(shù)的關(guān)系是(。1．在放大區(qū)，ii和i近似成(線性u(píng)則是(指ECBBE數(shù)關(guān)系。BJT27電流，此現(xiàn)象稱為(基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)。23．一條共射輸入特性曲線對(duì)應(yīng)的函數(shù)關(guān)系是if(u)(()。一條共射輸出特性曲線對(duì)應(yīng)的函數(shù)關(guān)系是BuCEif(u)。CiB．當(dāng)溫度增加時(shí)，(增大CBO(增大，而共射輸入特性曲線(左移使得U減小。BEIPBJT的三個(gè)主要極限參數(shù)是(((U。CBR(CEO)iiC．交流β的定義式為(；直流的定義式為EuCE常數(shù)ICE(。I1時(shí)的頻率稱為BJT(特征頻率。r和交流β其實(shí)是兩個(gè)共射H參數(shù)，它們與混合π參數(shù)的關(guān)系是beberrbbgr=(=(。bemberU是為了便于估算反映基調(diào)效應(yīng)的混合π參數(shù)()Acer(。bc28(靜態(tài)工作點(diǎn)中的(電容開(kāi)路，(電感短路。．交流通路只反映(交流電壓與(交流電流之間的關(guān)系。在畫(huà)交流通路時(shí)，應(yīng)將耦合和傍路電容及恒壓源(短路。3．題2.13(3)所示共射放大器的輸出直流負(fù)載線方程近似為UEI(RR)(。該電路的交流負(fù)CCCe1載線是經(jīng)過(guò)(Q點(diǎn)，且斜率為(的一條直線。共射放RRCL大器的交流負(fù)載線是放大器工作時(shí)共射輸出特性曲線上的動(dòng)點(diǎn)(u,i)(的運(yùn)動(dòng)軌跡。CECCE放大器工作點(diǎn)選在(交流負(fù)載線．放大器信號(hào)源的等效負(fù)載是放大器的(輸入R輸L出功率的等效信號(hào)源的內(nèi)阻是放大器的(輸出電阻。．多級(jí)放大器的增益等于各級(jí)增益分貝數(shù)(相加。若放大器A=7倍，u則A的分貝數(shù)=(37。u(直接耦合，(阻容耦合和(變壓器)耦合。直流電源存在內(nèi)阻是采用(電源去耦電路。．高增益直流放大器要解決的一個(gè)主要問(wèn)題是(零點(diǎn)漂移（溫漂）。29(出信號(hào)產(chǎn)生了新的頻率成分）。．圖13）和（）是兩個(gè)無(wú)源單口網(wǎng)絡(luò)。圖（R等ab）．圖14是某放大器的通用模型。如果該放大器的端電壓增益A=-100，uuoipΩΩ．在BJT三種基本放大器中，CE組態(tài)使用較多的一個(gè)原因是(功率增益I)增加，而CEO30(減小，使圖13(16)偏置電路的工作點(diǎn)向(上移動(dòng)。UBE13(16)電路的(基極(集電極)電流明顯增大，(U電壓明顯減小。CE．圖．所示偏置電路稱為(射極（或工作點(diǎn)穩(wěn)定電路）偏置電路。當(dāng)電路Re滿足條件((時(shí)，穩(wěn)定Q效果較好。II1B．圖13(18)電路中，只有電阻(R工作點(diǎn)會(huì)移向(飽和區(qū)。對(duì)I幾乎無(wú)影響，但R增加時(shí)，CCC311．在半導(dǎo)體集成電路中，(BJT)元件占芯片面積最小，(R)和(C元件的值越大，占芯片面積越大，而(L元件無(wú)法集成。．集成放大器的偏置電路往往采用(恒流源電路。而集成放大器的負(fù)載常采(有源負(fù)載負(fù)載，其目的是為了(提高電壓增益。3．IC中的恒壓源和恒流源電路屬于非線性電阻性單口器件。前者有很小的(交流電阻，后者的(交流電阻很大。4．圖3．19所示CE基本差動(dòng)放大器的差模輸入電壓u的線性范圍約為id(26。．在圖19中，當(dāng)u超過(guò)大約(100)mV時(shí)，輸出出現(xiàn)明顯限幅。id．差動(dòng)放大器依靠電路的(對(duì)稱性(共模負(fù)反饋來(lái)抑制零點(diǎn)漂移。．出電壓幾乎相同，其原因是(差放抑制共模信號(hào)。．采用恒流源偏置的差動(dòng)放大器可以明顯提高(共模抑制比。．NPN-PNP(共集電極功放電路，對(duì)發(fā)射結(jié)加一定正偏電壓的目的是為了克服(交越失真。．圖）所示復(fù)合管等效為一只(NPN標(biāo)出各電極。其等效=(，等效=()r。rbe1121211．使用P=lW的BJT作甲類功放時(shí)，只能輸出(0.25)W功率，而用兩只CMP=lW的NPN和PNP管組成乙類功效，卻能輸出(5)W功率。CM32．對(duì)于OCL或OTL電路，當(dāng)負(fù)載電阻減小時(shí)，最大輸出功率(增大。14．當(dāng)功率管的飽和壓降U增大時(shí)，各指標(biāo)的變化為P(減小)，CESomaxη(降低，(不變和(不變。maxEmaxT1max33．場(chǎng)效應(yīng)管(FET)依靠(柵源電壓GS控制漏極電流i，故稱為(電壓控D制器件。FET工作于放大區(qū)，又稱為(飽和區(qū)或(恒流區(qū)。此時(shí)i主要受(柵D源u電壓控制，而i幾乎不隨(漏源u電壓的改變而變化。GSDDSN溝道FET放大偏置時(shí)，溝道電流i的方向是從(漏極到(源極；P溝D道FET放大偏置時(shí)，i的方向是從(源極到(漏極。D．溝道預(yù)夾斷是指溝道在(靠近漏極位置剛好消失的狀態(tài)。此時(shí)，u與GSDS滿足的關(guān)系式稱為(預(yù)夾斷方程。5．FET的小信號(hào)跨導(dǎo)定義為g=(D)，對(duì)于耗盡型管；對(duì)于增強(qiáng)型umGS常數(shù)uDS2Iu(1)ig((DUUmm0I()()DSS2Iu(管g(GS。mUUGS(th)GS(th)6．在放大區(qū)，耗盡型管轉(zhuǎn)移特性曲線近似滿足的平方律關(guān)系式為uuIDSS)2I(2(，而增強(qiáng)型管的平方律關(guān)系式為(GS。UUDOGS(off)GS(th)FETBJT(基極、(發(fā)射極和(集電極極相似。．在FET分立元件放大電路中，常采用的偏置電路是(自偏壓電路和分壓式34自偏壓電路。但自偏壓式偏置電路不能用于增強(qiáng)型MOSFET。FET的三種基本放大組態(tài)：CS組態(tài)、CD組態(tài)和CG組態(tài)，其放大特性分別與BJT(CE組態(tài)、(CC組態(tài)和(CB組態(tài)相似。FET(溝道調(diào)制效應(yīng)與BJT的基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)相似?；鶇^(qū)寬調(diào)效應(yīng)使集電結(jié)反偏電壓變化對(duì)各極電流有影響，而FET的該效應(yīng)使(u)電壓的變化對(duì)DDS產(chǎn)生影響。11FET的小信號(hào)參數(shù)(r是溝道調(diào)制效應(yīng)的反映。ds35(正弦穩(wěn)態(tài)(頻率特性函數(shù)。．在低頻段，由于(耦合電容、旁路電容（等電抗元件）的存在，使放大器的增益是頻率的函數(shù)；在高頻段，由于(極間電容、分布電容、雜散電容等使增益也是頻率的函數(shù)。1．當(dāng)輸入信號(hào)頻率降低或升高至使增益)下降到中頻段增益A(倍o2時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率，分別稱為增益的(下限截止頻率f．和(上限截止頻率f。LH通頻帶就是在(ff之間的頻率范圍。f和f又稱為(3)dB(截止頻LHLH率。BW又稱為(3)dB帶寬。．大器對(duì)輸入信號(hào)的高頻分量或低頻分量的放大倍數(shù)不相同，輸出波形就會(huì)發(fā)生畸變，這種輸出失真稱為(幅頻失真。放大器對(duì)輸入信號(hào)的某些頻率成分的時(shí)延不同，或者說(shuō)對(duì)不同頻率的輸入信號(hào)產(chǎn)生的附加相移不與頻率成正比，也會(huì)使輸出波形畸變，這種輸出失真稱為(相頻失真。以上兩種失真統(tǒng)稱為(頻率失真。．與非線性失真最根本的區(qū)別是：發(fā)生頻率失真時(shí)，輸出波形中不會(huì)出現(xiàn)(新的頻率（諧波）成分。所以，頻率失真又稱為(線性失真。．將頻率特性函數(shù)A(j中的(代以(Sj(s)。使0的取值稱為放大器增益函數(shù)的(零點(diǎn)，使(s)的取值稱為放大器增益函數(shù)的(極點(diǎn)。367．電壓增益的頻率特性函數(shù)20lg|A)）u1008060A(j)A)e()jA。其中)的含義是uuu(幅頻特性－表示放大器增益的幅值與頻率4020的關(guān)系，()含義是(相頻特性－表示放大678圖12(8)）器增益的相位與頻率的關(guān)系。8．如圖12(8)A幅頻波特圖所對(duì)應(yīng)的中頻增益A=(10倍，5uuof=(Hz。H．如果放大器小信號(hào)模型中只有一個(gè)獨(dú)立電容，則該放大器的任何頻率特性函1數(shù)的截止角頻率都等于((其中R為該電容兩端的等效電阻)ORCO3s142A()．某放大器的電壓增益函數(shù)sss62(2)，經(jīng)u224A=(300ω=(100radω=(10rad。6uoLH（此為全頻段的增益函數(shù)，需畫(huà)出波特圖才能知道中頻增益的大?。┫葘⒃鲆婧瘮?shù)變?yōu)樽優(yōu)闃?biāo)準(zhǔn)作圖式：310ss222()310)A2ssssu))))2222101010102626可先畫(huà)括號(hào)部分的波特圖，然后下移20lg(310)dB237電壓串聯(lián)，電壓并聯(lián)，電流串聯(lián)，電流并聯(lián)四種；若把輸出端短路后，反饋因而消失者，就是電壓反饋；反饋并電流短路就是并聯(lián)反饋，否則，則是串聯(lián)反饋。）為了充分提高負(fù)反饋的效果，串聯(lián)反饋要求信號(hào)源內(nèi)阻小，并聯(lián)反饋要求信號(hào)源內(nèi)阻大載電阻大。電阻小）電流串聯(lián)負(fù)反饋放大器是一種輸出端取樣為電流電壓的負(fù)反饋放大器，它使輸入電阻增大，輸出電阻增大。（4）電壓并聯(lián)負(fù)反饋放大器是一種輸出端取樣為電壓，輸入端比較量為電流的負(fù)反饋放大器，它使輸入電阻減小，輸出電阻減小。）若要減小放大器從信號(hào)源索取電流，應(yīng)引入串聯(lián)負(fù)放大器帶負(fù)載能力，應(yīng)引入電壓負(fù)反饋。反饋，若要提高）一個(gè)電壓串聯(lián)負(fù)反饋放大器，無(wú)反饋時(shí)電壓增益為80dB，為使有反饋時(shí)的電壓增益為20dB，則反饋深度（）應(yīng)為60。反饋系數(shù)B約等于0.1。（7）負(fù)反饋系統(tǒng)產(chǎn)生自激的條件是AjBj，相應(yīng)的振幅條件是11，相位條件是(2AjBjn。TAB）放大器的閉環(huán)增益為40dB，基本放大器放大倍數(shù)變化了10%，閉環(huán)增益變化了，則開(kāi)環(huán)增益為60dB38）理想集成運(yùn)放開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù)A=，輸入電阻R=，輸udid出電阻R=0，共模抑制比K=，開(kāi)環(huán)帶寬=。0C