《存儲(chǔ)器講義》教學(xué)課件

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按記憶材料分類磁、光存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

按CPU與存儲(chǔ)器的耦合程序內(nèi)存儲(chǔ)器——半導(dǎo)體存儲(chǔ)器外存儲(chǔ)器——磁、光存儲(chǔ)器

按存儲(chǔ)器的讀寫功能讀寫存儲(chǔ)器——RWM（Read/WriteMemory）只讀存儲(chǔ)器——ROM（ReadOnlyMemory）存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類按記憶材料分類存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類

按照數(shù)據(jù)存取方式直接存取存儲(chǔ)器——DAM

（DirectAccessMemory）順序存取存儲(chǔ)器——SAM

（SequentialAccessMemory）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器——RAM

（RandomAcessMemory）存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類按照數(shù)據(jù)存取方式存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類

按器件原理分類

雙極性TTL器件存儲(chǔ)器相對(duì)速度快、功耗大、集成度低單極性MOS器件存儲(chǔ)器相對(duì)速度低、功耗小、集成度高

按存儲(chǔ)原理分類

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器——RAM（RandomAcessMemory）易失性存儲(chǔ)器，掉電丟失數(shù)據(jù)僅讀存儲(chǔ)器——ROM（ReadOnlyMemory）非易失性存儲(chǔ)器，掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類按器件原理分類存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)量

bit——用二進(jìn)制位定義存儲(chǔ)量

Byte——用二進(jìn)制字節(jié)定義存儲(chǔ)量

常用單位

字節(jié)——B（Byte）千字節(jié)——KB（KiloByte）兆字節(jié)——MB（MegaByte）吉字節(jié)——GB（GigaByte）

單位換算1KB=1024B1MB=1024KB1GB=1024MB存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)量bit——用二存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)

存儲(chǔ)器存取時(shí)間

CPU與存儲(chǔ)器單元間讀寫數(shù)據(jù)所需時(shí)間

存儲(chǔ)器工作功耗存儲(chǔ)器單元工作功耗存儲(chǔ)器芯片工作功耗

存儲(chǔ)器工作電源TTL器件時(shí)，工作電源為+5VMOS器件時(shí)，工作電源為+3V~+18V存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)存儲(chǔ)器存取時(shí)間RAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM的類型RAM具有讀寫功能，在計(jì)算機(jī)中大量使用

靜態(tài)SRAM（StaticRAM）相對(duì)集成度低外圍控制電路簡(jiǎn)單多用于單板機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

動(dòng)態(tài)DRAM（DynamicRAM）相對(duì)集成度高外圍控制電路復(fù)雜多用于系統(tǒng)機(jī)中的程序、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)RAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM的類型RAM具有讀寫功能SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器靜態(tài)SRAM存儲(chǔ)位構(gòu)造圖存儲(chǔ)單元由6個(gè)MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成觸發(fā)器鎖存方式SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器靜態(tài)SRAM存儲(chǔ)位構(gòu)造圖存SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片內(nèi)部原理圖SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片內(nèi)部原理圖SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM常用芯片及存儲(chǔ)量SRAM——2147存儲(chǔ)量=4096*1=4096bit=0.5KBSRAM——2114

存儲(chǔ)量=1024*4=4096bit=0.5KBSRAM——6116存儲(chǔ)量=2048*8=18Kbit=2KBSRAM——6264存儲(chǔ)量=8K*8=64Kbit=8KBSRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM常用芯片及存儲(chǔ)量SRSRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片的引腳特點(diǎn)字線An接地址總線AB位線Dn接數(shù)據(jù)總線DB片選線/CS由AB線譯碼產(chǎn)生讀寫線/OE、/WE由控制線/RD、/WR控制ABDBVCCGND/RD/WR/OE/WE/CSA0~AnD0~Dn譯碼電路SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片的引腳特點(diǎn)字線SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片6264介紹

存儲(chǔ)量

字線=13條、213=8KA0–A12位線=8條、D0–D7存儲(chǔ)量=8K*8=64Kbit=8KB

片選線

/CE1=L且CE2=H

讀寫線讀有效/WE=H且/OE=L寫有效/WE=L且/OE=HORLSRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片6264介紹存SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中片選線/CE1、CE2的應(yīng)用提供兩條片選線是為了應(yīng)用時(shí)控制方式多樣/CE1

CE2

/CE1

CE2GNDVCC/CE1接低、CE2控制CE1接高、/CE1控制62646264SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中片選線/CE1、CSRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中讀寫線/WE、/OE的應(yīng)用讀寫線為兩條是為不同型號(hào)CPU服務(wù)MOTOROLA的68系列CPU的讀寫線為一條R/W6805CPU與6264SRAM的接線圖如下

R//W/WE/OEGND6805CPU6264SRAM讀：R//W=H/WE=H、/OE=L寫：R//W=L/WE=L、/OE=L68056264SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中讀寫線/WE、SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中讀寫線/WE、/OE的應(yīng)用讀寫線為兩條是為不同CPU服務(wù)IENTEL的80系列CPU的讀寫線為二條/RD、/WR8086CPU與6264SRAM的接線圖如下

/WE/OE8086CPU6264SRAM讀：/RD=L、/WR=H/WE=H、/OE=L寫：/RD=H、/WR=L/WE=L、/OE=L80866264/WR/RDSRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中讀寫線/WE、DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)DRAM存儲(chǔ)位構(gòu)造圖存儲(chǔ)單元由1個(gè)MOS場(chǎng)效應(yīng)管加電容組成電荷方式DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)DRAM存儲(chǔ)位構(gòu)造圖存DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM存儲(chǔ)器的特殊性

在讀取數(shù)據(jù)時(shí)，電容電荷量減少由于電容漏電，電容電荷量減少

為保持電容電荷量，應(yīng)定時(shí)充電DRAM需要外圍刷新控制器

注：DRAM刷新控制器一般由專用刷新控制器芯片或者DMA可編程芯片構(gòu)成DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM存儲(chǔ)器的特殊性在讀取DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM芯片2164介紹存儲(chǔ)量64K*1

字線=8A0–A7采用地址線復(fù)用技術(shù)解決尋址所需16條地址線位線=2DinDout讀寫數(shù)據(jù)使用不同的數(shù)據(jù)口控制線

列地址選通控制線CAS行地址選通控制線RAS寫數(shù)據(jù)控制線/WE讀數(shù)據(jù)控制由外圍芯片產(chǎn)生

A0~A7/RAS/CAS/WEDinDout

DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM芯片2164介紹存存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)空間的概念

CPU可尋址存儲(chǔ)器空間

由CPU提供的地址線確定例：8086CPU尋址空間為1MB

存儲(chǔ)器系統(tǒng)存儲(chǔ)空間

由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)需求確定例：選用內(nèi)存條為256MB

存儲(chǔ)器芯片存儲(chǔ)空間由存儲(chǔ)器芯片型號(hào)確定例：6264芯片的存儲(chǔ)量為8KB存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)空間的概念CPU可尋址存儲(chǔ)器空間存儲(chǔ)器的組織系統(tǒng)存儲(chǔ)空間與存儲(chǔ)芯片

芯片存儲(chǔ)容量（N—字線、M—位線）N×M（單位bit）N×M/8（單位Byte）

系統(tǒng)存儲(chǔ)空間與芯片數(shù)（T—芯片數(shù)）T=總?cè)萘浚˙yte）/（N×M）/8（bit）例:用2114SRAM組成4KB系統(tǒng)RAM單片容量=N×M=1024*4=4K=0.5KB所需片數(shù)=4KB/0.5KB=8片注：地址線與字線的關(guān)系，字線=2地址線存儲(chǔ)器的組織系統(tǒng)存儲(chǔ)空間與存儲(chǔ)芯片芯片存儲(chǔ)容量（N—字存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)器組織中的芯片串聯(lián)定義：串聯(lián)即擴(kuò)展存儲(chǔ)器芯片的位線《例》用2114構(gòu)成1KB內(nèi)存儲(chǔ)器空間

DBCPUABD0~D32114/CED4~D72114/CEA0~A9D0~D7D4~D7D0~D3存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)器組織中的芯片串聯(lián)定義：串聯(lián)即擴(kuò)展存儲(chǔ)器芯片存儲(chǔ)器的組織串聯(lián)

2114字線=A0~A9共10條2114位線=I/O0~I/O3共4條2114有N=210=1K、M=4

注：構(gòu)成1KB的存儲(chǔ)器，字線夠、位線不夠僅需擴(kuò)展位線，用2片21142片2114的片內(nèi)地址線A0~A9與CPU的地址線A0~A9相連2片2114的片選線/CE相連后接CPU的譯碼電路2114（1）的片內(nèi)數(shù)據(jù)線I/O0~I/O3接CPU的數(shù)據(jù)線D0~D32114（2）的片內(nèi)數(shù)據(jù)線I/O0~I/O3接CPU的數(shù)據(jù)線D4~D7存儲(chǔ)器的組織串聯(lián)2114字線=A0~A存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)器組織中的芯片并聯(lián)定義：并聯(lián)即擴(kuò)展存儲(chǔ)器芯片的字線《例》用6264構(gòu)成16KB內(nèi)存儲(chǔ)器空間

DBCPUA13AB譯碼器6264/CE6264/CE

A0~A12D0~AD7D0~AD7D0~AD7存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)器組織中的芯片并聯(lián)定義：并聯(lián)即擴(kuò)展存儲(chǔ)器芯片存儲(chǔ)器的組織并聯(lián)

6264字線=A0~A12共13條6264位線=I/O0~I/O7共8條6264有N=213=8K、M=8

注：構(gòu)成16KB存儲(chǔ)器，字線不夠、位線夠僅需擴(kuò)展字線，用2片62642片6264的片內(nèi)地址線A0~A12與CPU的地址線A0~A12相連2片6264的片內(nèi)數(shù)據(jù)線I/O0~I/O7與CPU的數(shù)據(jù)線D0~D7相連16KB存儲(chǔ)器需要14條地址線，用A13接譯碼器輸入，輸出接6264（1）的/CE及6264（2）的/CE存儲(chǔ)器的組織并聯(lián)6264字線=A0~A12存儲(chǔ)器的組織RAM和ROM的應(yīng)用特點(diǎn)

在PC機(jī)中

ROM——存儲(chǔ)監(jiān)控程序（BIOS）RAM——存儲(chǔ)應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)

在單片機(jī)中ROM——存儲(chǔ)控制程序RAM——存放數(shù)據(jù)

在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中若無(wú)ROM根本不能工作，必要條件若有RAM能工作得更好，充分條件存儲(chǔ)器的組織RAM和ROM的應(yīng)用特點(diǎn)在PC機(jī)中ROM——只讀存儲(chǔ)器ROM的類型

固定掩膜ROM

生產(chǎn)廠家編程，不能修改，用于大批量定型產(chǎn)品

一次編程ROM

僅能寫入一次編程，不能修改，用于小批量產(chǎn)品

多次編程ROM能多次編程寫入，可以修改用于產(chǎn)品開發(fā)ROM——只讀存儲(chǔ)器ROM的類型固定掩膜ROMROM——只讀存儲(chǔ)器屢次編程ROM的類型

光擦除只讀存儲(chǔ)器EPROM先用紫外線照射擦除，再用電編程寫入

電擦寫只讀存儲(chǔ)器EEPROM先用電先擦除，再用電編程寫入

閃爍存儲(chǔ)器FlashEEPROM

其基本原理同EEPROM，擦寫速度快，有RAM的寫入速度和ROM的功能

ROM——只讀存儲(chǔ)器屢次編程ROM的類型光擦除只讀ROM——只讀存儲(chǔ)器EPROM應(yīng)用過(guò)程將源程匯編為機(jī)器碼文件將機(jī)器碼文件數(shù)據(jù)寫入EPROM芯片將EPROM芯片裝入系統(tǒng)運(yùn)行調(diào)試若程序有問(wèn)題從系統(tǒng)中取出EPROM芯片用紫外線擦除器清EPROM芯片數(shù)據(jù)修改源程序功能重復(fù)上述過(guò)程，完成程序功能ROM——只讀存儲(chǔ)器EPROM應(yīng)用過(guò)程將源程匯編為機(jī)器ROM——只讀存儲(chǔ)器EEPROM應(yīng)用過(guò)程將EEPROM芯片裝入系統(tǒng)將源程匯編為機(jī)器碼文件將機(jī)器碼文件數(shù)據(jù)寫入EEPROM芯片若程序有問(wèn)題修改源程序功能從新下載機(jī)器碼數(shù)據(jù)到EEPROM芯片重復(fù)上述過(guò)程，完成程序功能ROM——只讀存儲(chǔ)器EEPROM應(yīng)用過(guò)程將EEPROMROM——只讀存儲(chǔ)器EPROM2732芯片介紹

引腳特性

地址線A0–A11共12條，尋址4K個(gè)存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)線D0–D7共8條，每單元數(shù)據(jù)為8bit片內(nèi)存儲(chǔ)量=N×M=4KB控制線片選控制線/CE，L有效讀取控制線/OE，L有效編程控制線Vpp，H有效ROM——只讀存儲(chǔ)器EPROM2732芯片介紹引腳主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片的選擇

芯片容量選擇

根據(jù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)存儲(chǔ)容量選擇芯片型號(hào)根據(jù)系統(tǒng)存儲(chǔ)需求選擇ROM、RAM容量根據(jù)系統(tǒng)存儲(chǔ)特點(diǎn)選擇EPROM、EEPROM、SRAM、DROM

芯片速度選擇

根據(jù)CPU讀寫速度選擇合理的存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)芯片的讀寫速度和價(jià)格有關(guān)

芯片功耗選擇

根據(jù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對(duì)功耗的要求選擇存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)芯片的功耗和價(jià)格有關(guān)主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片的選擇芯片容量選擇主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接連接線

地址總線AB、數(shù)據(jù)總線DB、控制總線CB

注意點(diǎn)

CPU的地址/數(shù)據(jù)復(fù)用線與存儲(chǔ)器的地址、數(shù)據(jù)線的連接CPU的地址線、控制線與存儲(chǔ)器的片選線的連接CPU的R/W控制線與存儲(chǔ)器的R/W線的連接主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接連接線主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片片選控制方式

線選法CPU的某條地址線直接接存儲(chǔ)器芯片的片選端缺點(diǎn)：各存儲(chǔ)器芯片地址范圍不連續(xù)

部分譯碼法

CPU的部分地址線參加譯碼特點(diǎn)：一個(gè)存儲(chǔ)器單元有多個(gè)地址值

全譯碼法

CPU的全部地址線參加譯碼特點(diǎn)：一個(gè)存儲(chǔ)器單元僅有一個(gè)地址值主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片片選控制方式線選法主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)線選法的應(yīng)用主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)線選法的應(yīng)用主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用《例》（271頁(yè)）由Z80CPU與1KBROM、1KBRAM構(gòu)成的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)方框圖如下，用部分譯碼法，求出ROM、RAM內(nèi)存儲(chǔ)器中的地址范圍

DB/MREQA10Z80CPUAB譯碼器1KBROM/CS

1KBRAM/CS主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用《例》（271頁(yè)）由Z80C主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用

芯片存儲(chǔ)量與片內(nèi)地址、數(shù)據(jù)線ROM——存儲(chǔ)量1KB地址線A0~A9、數(shù)據(jù)線D0~D7RAM——存儲(chǔ)量1KB地址線A0~A9、數(shù)據(jù)線D0~D7

內(nèi)存儲(chǔ)器容量與CPU地址、數(shù)據(jù)線存儲(chǔ)量2KB——需要11條CPU地址線地址線A0~A9及A10~A15中的一條CPU數(shù)據(jù)線D0~D7直接存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)線D0~D7注：此例中CPU地址線用A10主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用芯片存儲(chǔ)量與片內(nèi)地址、數(shù)據(jù)線主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用

片選控制/MREQ=L、A10=L時(shí)，ROM片選/CS有效/MREQ=L、A10=H時(shí)，RAM片選/CS有效

真值表

/MREQA10ROM/CSRAM/CS00LH01HL10HH11HH譯碼電路（271頁(yè)）主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用片選控制/MREQA10RO主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用1KBROM芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0XXXXX00000000000XXXXX01111111111

當(dāng)A15、A14、A13、A12、A11=00000時(shí)IKBRAM存儲(chǔ)范圍為0000H~03FFH當(dāng)A15、A14、A13、A12、A11=11111時(shí)IKBRAM存儲(chǔ)范圍為F800H~FBFFH由于A11~A15共5條地址線未參加譯碼,每個(gè)存儲(chǔ)單元的地址重碼25=32個(gè)主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用1KBROM芯片存儲(chǔ)范圍圖A主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用1KBRAM芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0XXXXX10000000000XXXXX11111111111

當(dāng)A15、A14、A13、A12、A11=00000時(shí)IKBRAM存儲(chǔ)范圍為0400H~07FFH當(dāng)A15、A14、A13、A12、A11=11111時(shí)IKBRAM存儲(chǔ)范圍為FC00H~FFFFH由于A11~A15共5條地址線未參加譯碼,每個(gè)存儲(chǔ)單元的地址重碼25=32個(gè)主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用1KBRAM芯片存儲(chǔ)范圍圖A問(wèn)：假設(shè)選擇A11作譯碼輸入

1KBROM芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0XXXX0X0000000000XXXX0X11111111111KBRAM芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0XXXX1X0000000000XXXX1X1111111111范圍為0000H~04FFH范圍為0800H~0BFFH問(wèn)：假設(shè)選擇A11作譯碼輸入1KBROM芯片存儲(chǔ)范圍圖A主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用《例》（273頁(yè)）由Z80CPU與8KBROM、4KBRAM構(gòu)成的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)方框如圖，用全譯碼方式，求出ROM、RAM在內(nèi)存儲(chǔ)器中的地址范圍主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用《例》（273頁(yè)）主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用

芯片存儲(chǔ)量片內(nèi)地址、數(shù)據(jù)線ROM2732——存儲(chǔ)量4KB地址線A0~A11、數(shù)據(jù)線D0~D7RAM6116——存儲(chǔ)量2KB地址線A0~A10、數(shù)據(jù)線D0~D7內(nèi)存儲(chǔ)器容量與CPU地址、數(shù)據(jù)線存儲(chǔ)量12KB——需要14條CPU地址線其中ROM2732為8KB，用2片2732RAM6116為4KB，用2片6116CPU地址線A0~A15全用

主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用芯片存儲(chǔ)量片內(nèi)地址、數(shù)據(jù)線主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用

片選控制

ROM2732的片內(nèi)地址線為A0~A11，片選地址線A12~A15參加片選譯碼RAM6116的片內(nèi)地址線為A0~A10，片選地址線A11~A15參加片選譯碼A12、A13、A14經(jīng)三—八譯碼器產(chǎn)生片選控制/Y0控制2732（1）、/Y1控制2732（2）/Y2=L且A11=L時(shí)，控制6116（1）/Y2=L且A11=H時(shí)，控制6116（2）A15→/G2A=L、/MREQ→/G2B=L、G1=H三—八譯碼器的片選有效主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用片選控制主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用三—八譯碼器真值表A14A13A12/Y0/Y1/Y2/Y3/Y4/Y5/Y6/Y7000

LHHHHHHH001HLHHHHHH010HH

LHHHHH011HHHLHHHH100HHHH

LHHH101HHHHHLHH110HHHHHH

LH111HHHHHHH

L主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用三—八譯碼器真值表A14A主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用ROM2732（1）芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A000000000000000000000111111111111A15=0、A14、A13、A12=000、/Y0=L，2732（1）片選有效2732（1）芯片存儲(chǔ)范圍為0000H~0FFFH主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用ROM2732（1）芯片存主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用ROM2732（2）芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A000010000000000000001111111111111A15=0、A14、A13、A12=001、/Y1=L，2732（2）片選有效2732（2）芯片存儲(chǔ)范圍為1000H~1FFFH主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用ROM2732（2）芯片存主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用RAM6116（1）芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A000100000000000000010011111111111A15=0、A14、A13、A12=010，/Y2=L、A11=0，6116（1）片選有效6116（1）芯片存儲(chǔ)范圍為2000H~27FFH主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用RAM6116（1）芯片存主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用RAM6116（2）芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A000101000000000000010111111111111A15=0、A14、A13、A12=010，/Y2=L、A11=1，6116（2）片選有效6116（2）芯片存儲(chǔ)范圍為2800H~2FFFH主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用RAM6116（2）芯片存主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)AB、DB、CB總線與存儲(chǔ)器芯片的連接

AB——地址總線的連接根據(jù)主存儲(chǔ)器容量確定片內(nèi)全尋址地址線數(shù)量根據(jù)片選方式確定剩余地址線的使用方法

DB——數(shù)據(jù)總線的連接根據(jù)存儲(chǔ)器芯片單元位數(shù)選擇連接方式

CB——控制總線的連接存儲(chǔ)器、IO控制線（M//IO）參加片選譯碼讀/寫控制線/RD、/WR接存儲(chǔ)器芯片對(duì)應(yīng)引腳主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)AB、DB、CB總線與存儲(chǔ)器芯片的連接AB《存儲(chǔ)器講義》幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請(qǐng)自行刪除，謝謝！本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請(qǐng)自行刪除，謝謝！《存儲(chǔ)器講義》幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類

按記憶材料分類磁、光存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

按CPU與存儲(chǔ)器的耦合程序內(nèi)存儲(chǔ)器——半導(dǎo)體存儲(chǔ)器外存儲(chǔ)器——磁、光存儲(chǔ)器

按存儲(chǔ)器的讀寫功能讀寫存儲(chǔ)器——RWM（Read/WriteMemory）只讀存儲(chǔ)器——ROM（ReadOnlyMemory）存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類按記憶材料分類存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類

按照數(shù)據(jù)存取方式直接存取存儲(chǔ)器——DAM

（DirectAccessMemory）順序存取存儲(chǔ)器——SAM

（SequentialAccessMemory）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器——RAM

（RandomAcessMemory）存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類按照數(shù)據(jù)存取方式存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類

按器件原理分類

雙極性TTL器件存儲(chǔ)器相對(duì)速度快、功耗大、集成度低單極性MOS器件存儲(chǔ)器相對(duì)速度低、功耗小、集成度高

按存儲(chǔ)原理分類

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器——RAM（RandomAcessMemory）易失性存儲(chǔ)器，掉電丟失數(shù)據(jù)僅讀存儲(chǔ)器——ROM（ReadOnlyMemory）非易失性存儲(chǔ)器，掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的分類按器件原理分類存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)量

bit——用二進(jìn)制位定義存儲(chǔ)量

Byte——用二進(jìn)制字節(jié)定義存儲(chǔ)量

常用單位

字節(jié)——B（Byte）千字節(jié)——KB（KiloByte）兆字節(jié)——MB（MegaByte）吉字節(jié)——GB（GigaByte）

單位換算1KB=1024B1MB=1024KB1GB=1024MB存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)量bit——用二存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)

存儲(chǔ)器存取時(shí)間

CPU與存儲(chǔ)器單元間讀寫數(shù)據(jù)所需時(shí)間

存儲(chǔ)器工作功耗存儲(chǔ)器單元工作功耗存儲(chǔ)器芯片工作功耗

存儲(chǔ)器工作電源TTL器件時(shí)，工作電源為+5VMOS器件時(shí)，工作電源為+3V~+18V存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)存儲(chǔ)器存取時(shí)間RAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM的類型RAM具有讀寫功能，在計(jì)算機(jī)中大量使用

靜態(tài)SRAM（StaticRAM）相對(duì)集成度低外圍控制電路簡(jiǎn)單多用于單板機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

動(dòng)態(tài)DRAM（DynamicRAM）相對(duì)集成度高外圍控制電路復(fù)雜多用于系統(tǒng)機(jī)中的程序、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)RAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM的類型RAM具有讀寫功能SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器靜態(tài)SRAM存儲(chǔ)位構(gòu)造圖存儲(chǔ)單元由6個(gè)MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成觸發(fā)器鎖存方式SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器靜態(tài)SRAM存儲(chǔ)位構(gòu)造圖存SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片內(nèi)部原理圖SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片內(nèi)部原理圖SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM常用芯片及存儲(chǔ)量SRAM——2147存儲(chǔ)量=4096*1=4096bit=0.5KBSRAM——2114

存儲(chǔ)量=1024*4=4096bit=0.5KBSRAM——6116存儲(chǔ)量=2048*8=18Kbit=2KBSRAM——6264存儲(chǔ)量=8K*8=64Kbit=8KBSRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM常用芯片及存儲(chǔ)量SRSRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片的引腳特點(diǎn)字線An接地址總線AB位線Dn接數(shù)據(jù)總線DB片選線/CS由AB線譯碼產(chǎn)生讀寫線/OE、/WE由控制線/RD、/WR控制ABDBVCCGND/RD/WR/OE/WE/CSA0~AnD0~Dn譯碼電路SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片的引腳特點(diǎn)字線SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片6264介紹

存儲(chǔ)量

字線=13條、213=8KA0–A12位線=8條、D0–D7存儲(chǔ)量=8K*8=64Kbit=8KB

片選線

/CE1=L且CE2=H

讀寫線讀有效/WE=H且/OE=L寫有效/WE=L且/OE=HORLSRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM芯片6264介紹存SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中片選線/CE1、CE2的應(yīng)用提供兩條片選線是為了應(yīng)用時(shí)控制方式多樣/CE1

CE2

/CE1

CE2GNDVCC/CE1接低、CE2控制CE1接高、/CE1控制62646264SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中片選線/CE1、CSRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中讀寫線/WE、/OE的應(yīng)用讀寫線為兩條是為不同型號(hào)CPU服務(wù)MOTOROLA的68系列CPU的讀寫線為一條R/W6805CPU與6264SRAM的接線圖如下

R//W/WE/OEGND6805CPU6264SRAM讀：R//W=H/WE=H、/OE=L寫：R//W=L/WE=L、/OE=L68056264SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中讀寫線/WE、SRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中讀寫線/WE、/OE的應(yīng)用讀寫線為兩條是為不同CPU服務(wù)IENTEL的80系列CPU的讀寫線為二條/RD、/WR8086CPU與6264SRAM的接線圖如下

/WE/OE8086CPU6264SRAM讀：/RD=L、/WR=H/WE=H、/OE=L寫：/RD=H、/WR=L/WE=L、/OE=L80866264/WR/RDSRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器6264中讀寫線/WE、DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)DRAM存儲(chǔ)位構(gòu)造圖存儲(chǔ)單元由1個(gè)MOS場(chǎng)效應(yīng)管加電容組成電荷方式DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)DRAM存儲(chǔ)位構(gòu)造圖存DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM存儲(chǔ)器的特殊性

在讀取數(shù)據(jù)時(shí)，電容電荷量減少由于電容漏電，電容電荷量減少

為保持電容電荷量，應(yīng)定時(shí)充電DRAM需要外圍刷新控制器

注：DRAM刷新控制器一般由專用刷新控制器芯片或者DMA可編程芯片構(gòu)成DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM存儲(chǔ)器的特殊性在讀取DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM芯片2164介紹存儲(chǔ)量64K*1

字線=8A0–A7采用地址線復(fù)用技術(shù)解決尋址所需16條地址線位線=2DinDout讀寫數(shù)據(jù)使用不同的數(shù)據(jù)口控制線

列地址選通控制線CAS行地址選通控制線RAS寫數(shù)據(jù)控制線/WE讀數(shù)據(jù)控制由外圍芯片產(chǎn)生

A0~A7/RAS/CAS/WEDinDout

DRAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM芯片2164介紹存存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)空間的概念

CPU可尋址存儲(chǔ)器空間

由CPU提供的地址線確定例：8086CPU尋址空間為1MB

存儲(chǔ)器系統(tǒng)存儲(chǔ)空間

由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)需求確定例：選用內(nèi)存條為256MB

存儲(chǔ)器芯片存儲(chǔ)空間由存儲(chǔ)器芯片型號(hào)確定例：6264芯片的存儲(chǔ)量為8KB存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)空間的概念CPU可尋址存儲(chǔ)器空間存儲(chǔ)器的組織系統(tǒng)存儲(chǔ)空間與存儲(chǔ)芯片

芯片存儲(chǔ)容量（N—字線、M—位線）N×M（單位bit）N×M/8（單位Byte）

系統(tǒng)存儲(chǔ)空間與芯片數(shù)（T—芯片數(shù)）T=總?cè)萘浚˙yte）/（N×M）/8（bit）例:用2114SRAM組成4KB系統(tǒng)RAM單片容量=N×M=1024*4=4K=0.5KB所需片數(shù)=4KB/0.5KB=8片注：地址線與字線的關(guān)系，字線=2地址線存儲(chǔ)器的組織系統(tǒng)存儲(chǔ)空間與存儲(chǔ)芯片芯片存儲(chǔ)容量（N—字存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)器組織中的芯片串聯(lián)定義：串聯(lián)即擴(kuò)展存儲(chǔ)器芯片的位線《例》用2114構(gòu)成1KB內(nèi)存儲(chǔ)器空間

DBCPUABD0~D32114/CED4~D72114/CEA0~A9D0~D7D4~D7D0~D3存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)器組織中的芯片串聯(lián)定義：串聯(lián)即擴(kuò)展存儲(chǔ)器芯片存儲(chǔ)器的組織串聯(lián)

2114字線=A0~A9共10條2114位線=I/O0~I/O3共4條2114有N=210=1K、M=4

注：構(gòu)成1KB的存儲(chǔ)器，字線夠、位線不夠僅需擴(kuò)展位線，用2片21142片2114的片內(nèi)地址線A0~A9與CPU的地址線A0~A9相連2片2114的片選線/CE相連后接CPU的譯碼電路2114（1）的片內(nèi)數(shù)據(jù)線I/O0~I/O3接CPU的數(shù)據(jù)線D0~D32114（2）的片內(nèi)數(shù)據(jù)線I/O0~I/O3接CPU的數(shù)據(jù)線D4~D7存儲(chǔ)器的組織串聯(lián)2114字線=A0~A存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)器組織中的芯片并聯(lián)定義：并聯(lián)即擴(kuò)展存儲(chǔ)器芯片的字線《例》用6264構(gòu)成16KB內(nèi)存儲(chǔ)器空間

DBCPUA13AB譯碼器6264/CE6264/CE

A0~A12D0~AD7D0~AD7D0~AD7存儲(chǔ)器的組織存儲(chǔ)器組織中的芯片并聯(lián)定義：并聯(lián)即擴(kuò)展存儲(chǔ)器芯片存儲(chǔ)器的組織并聯(lián)

6264字線=A0~A12共13條6264位線=I/O0~I/O7共8條6264有N=213=8K、M=8

注：構(gòu)成16KB存儲(chǔ)器，字線不夠、位線夠僅需擴(kuò)展字線，用2片62642片6264的片內(nèi)地址線A0~A12與CPU的地址線A0~A12相連2片6264的片內(nèi)數(shù)據(jù)線I/O0~I/O7與CPU的數(shù)據(jù)線D0~D7相連16KB存儲(chǔ)器需要14條地址線，用A13接譯碼器輸入，輸出接6264（1）的/CE及6264（2）的/CE存儲(chǔ)器的組織并聯(lián)6264字線=A0~A12存儲(chǔ)器的組織RAM和ROM的應(yīng)用特點(diǎn)

在PC機(jī)中

ROM——存儲(chǔ)監(jiān)控程序（BIOS）RAM——存儲(chǔ)應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)

在單片機(jī)中ROM——存儲(chǔ)控制程序RAM——存放數(shù)據(jù)

在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中若無(wú)ROM根本不能工作，必要條件若有RAM能工作得更好，充分條件存儲(chǔ)器的組織RAM和ROM的應(yīng)用特點(diǎn)在PC機(jī)中ROM——只讀存儲(chǔ)器ROM的類型

固定掩膜ROM

生產(chǎn)廠家編程，不能修改，用于大批量定型產(chǎn)品

一次編程ROM

僅能寫入一次編程，不能修改，用于小批量產(chǎn)品

多次編程ROM能多次編程寫入，可以修改用于產(chǎn)品開發(fā)ROM——只讀存儲(chǔ)器ROM的類型固定掩膜ROMROM——只讀存儲(chǔ)器屢次編程ROM的類型

光擦除只讀存儲(chǔ)器EPROM先用紫外線照射擦除，再用電編程寫入

電擦寫只讀存儲(chǔ)器EEPROM先用電先擦除，再用電編程寫入

閃爍存儲(chǔ)器FlashEEPROM

其基本原理同EEPROM，擦寫速度快，有RAM的寫入速度和ROM的功能

ROM——只讀存儲(chǔ)器屢次編程ROM的類型光擦除只讀ROM——只讀存儲(chǔ)器EPROM應(yīng)用過(guò)程將源程匯編為機(jī)器碼文件將機(jī)器碼文件數(shù)據(jù)寫入EPROM芯片將EPROM芯片裝入系統(tǒng)運(yùn)行調(diào)試若程序有問(wèn)題從系統(tǒng)中取出EPROM芯片用紫外線擦除器清EPROM芯片數(shù)據(jù)修改源程序功能重復(fù)上述過(guò)程，完成程序功能ROM——只讀存儲(chǔ)器EPROM應(yīng)用過(guò)程將源程匯編為機(jī)器ROM——只讀存儲(chǔ)器EEPROM應(yīng)用過(guò)程將EEPROM芯片裝入系統(tǒng)將源程匯編為機(jī)器碼文件將機(jī)器碼文件數(shù)據(jù)寫入EEPROM芯片若程序有問(wèn)題修改源程序功能從新下載機(jī)器碼數(shù)據(jù)到EEPROM芯片重復(fù)上述過(guò)程，完成程序功能ROM——只讀存儲(chǔ)器EEPROM應(yīng)用過(guò)程將EEPROMROM——只讀存儲(chǔ)器EPROM2732芯片介紹

引腳特性

地址線A0–A11共12條，尋址4K個(gè)存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)線D0–D7共8條，每單元數(shù)據(jù)為8bit片內(nèi)存儲(chǔ)量=N×M=4KB控制線片選控制線/CE，L有效讀取控制線/OE，L有效編程控制線Vpp，H有效ROM——只讀存儲(chǔ)器EPROM2732芯片介紹引腳主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片的選擇

芯片容量選擇

根據(jù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)存儲(chǔ)容量選擇芯片型號(hào)根據(jù)系統(tǒng)存儲(chǔ)需求選擇ROM、RAM容量根據(jù)系統(tǒng)存儲(chǔ)特點(diǎn)選擇EPROM、EEPROM、SRAM、DROM

芯片速度選擇

根據(jù)CPU讀寫速度選擇合理的存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)芯片的讀寫速度和價(jià)格有關(guān)

芯片功耗選擇

根據(jù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對(duì)功耗的要求選擇存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)芯片的功耗和價(jià)格有關(guān)主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片的選擇芯片容量選擇主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接連接線

地址總線AB、數(shù)據(jù)總線DB、控制總線CB

注意點(diǎn)

CPU的地址/數(shù)據(jù)復(fù)用線與存儲(chǔ)器的地址、數(shù)據(jù)線的連接CPU的地址線、控制線與存儲(chǔ)器的片選線的連接CPU的R/W控制線與存儲(chǔ)器的R/W線的連接主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接連接線主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片片選控制方式

線選法CPU的某條地址線直接接存儲(chǔ)器芯片的片選端缺點(diǎn)：各存儲(chǔ)器芯片地址范圍不連續(xù)

部分譯碼法

CPU的部分地址線參加譯碼特點(diǎn)：一個(gè)存儲(chǔ)器單元有多個(gè)地址值

全譯碼法

CPU的全部地址線參加譯碼特點(diǎn)：一個(gè)存儲(chǔ)器單元僅有一個(gè)地址值主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器芯片片選控制方式線選法主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)線選法的應(yīng)用主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)線選法的應(yīng)用主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用《例》（271頁(yè)）由Z80CPU與1KBROM、1KBRAM構(gòu)成的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)方框圖如下，用部分譯碼法，求出ROM、RAM內(nèi)存儲(chǔ)器中的地址范圍

DB/MREQA10Z80CPUAB譯碼器1KBROM/CS

1KBRAM/CS主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用《例》（271頁(yè)）由Z80C主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用

芯片存儲(chǔ)量與片內(nèi)地址、數(shù)據(jù)線ROM——存儲(chǔ)量1KB地址線A0~A9、數(shù)據(jù)線D0~D7RAM——存儲(chǔ)量1KB地址線A0~A9、數(shù)據(jù)線D0~D7

內(nèi)存儲(chǔ)器容量與CPU地址、數(shù)據(jù)線存儲(chǔ)量2KB——需要11條CPU地址線地址線A0~A9及A10~A15中的一條CPU數(shù)據(jù)線D0~D7直接存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)線D0~D7注：此例中CPU地址線用A10主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用芯片存儲(chǔ)量與片內(nèi)地址、數(shù)據(jù)線主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用

片選控制/MREQ=L、A10=L時(shí)，ROM片選/CS有效/MREQ=L、A10=H時(shí)，RAM片選/CS有效

真值表

/MREQA10ROM/CSRAM/CS00LH01HL10HH11HH譯碼電路（271頁(yè)）主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用片選控制/MREQA10RO主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用1KBROM芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0XXXXX00000000000XXXXX01111111111

當(dāng)A15、A14、A13、A12、A11=00000時(shí)IKBRAM存儲(chǔ)范圍為0000H~03FFH當(dāng)A15、A14、A13、A12、A11=11111時(shí)IKBRAM存儲(chǔ)范圍為F800H~FBFFH由于A11~A15共5條地址線未參加譯碼,每個(gè)存儲(chǔ)單元的地址重碼25=32個(gè)主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用1KBROM芯片存儲(chǔ)范圍圖A主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用1KBRAM芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0XXXXX10000000000XXXXX11111111111

當(dāng)A15、A14、A13、A12、A11=00000時(shí)IKBRAM存儲(chǔ)范圍為0400H~07FFH當(dāng)A15、A14、A13、A12、A11=11111時(shí)IKBRAM存儲(chǔ)范圍為FC00H~FFFFH由于A11~A15共5條地址線未參加譯碼,每個(gè)存儲(chǔ)單元的地址重碼25=32個(gè)主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)局部譯碼法的應(yīng)用1KBRAM芯片存儲(chǔ)范圍圖A問(wèn)：假設(shè)選擇A11作譯碼輸入

1KBROM芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0XXXX0X0000000000XXXX0X11111111111KBRAM芯片存儲(chǔ)范圍圖A15

A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0XXXX1X0000000000XXXX1X1111111111范圍為0000H~04FFH范圍為0800H~0BFFH問(wèn)：假設(shè)選擇A11作譯碼輸入1KBROM芯片存儲(chǔ)范圍圖A主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯碼法的應(yīng)用《例》（273頁(yè)）由Z80CPU與8KBROM、4KBRAM構(gòu)成的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)方框如圖，用全譯碼方式，求出ROM、RAM在內(nèi)存儲(chǔ)器中的地址范圍主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)全譯