集成電路制造工藝員（三級）題庫一

集成電路制造工藝員(三級)題庫一1、單選(江南博哥)在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有()oA.電子振蕩放電B,離子自動放電C.低電壓弧光放電D,雙等離子電弧放電答案：A2、單選決定吸附原子彼此間能否形成一個穩(wěn)定的核團，以便于進行凝結的主要因素主宰于所形成的核團是否()而定。A.動能最低B.穩(wěn)定C.運動D.靜止答案：B3、單選二氧化硅薄膜的折射率是表征其()學性質的重要參數(shù)。A.電B磁C.光D.熱答案：C4、單選He,OH,Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的擴散率大于10—13cm2/s,這些元素稱為()oA.活躍雜質B.快速擴散雜質C.有害雜質D.擴散雜質答案：B5^單選pointdefect的意思是()。A.點缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.缺失的點答案:A6、單選電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是()和中性粒子組成的集合體。A.離子B.原子團C.電子D.帶電粒子答案：D7、多選樹脂使用過程中需保持一定溫度，陽樹脂和陰樹脂分別不能高于()度，使用溫度不能過低，低于0度會使樹脂凍裂。A.80B.60C.40D.20E.10答案：A,C8、單選‘降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之()oA.增大B.減小C.不變D.變?yōu)?答案：B9、單選當二氧化硅膜很薄時，膜厚與時間()oA.t2成正比B.t2成反比C.t成正比D.t成反比答案：C10、單選在確定擴散率的測結深實驗中，結深的測量是采用HF和()的混和液對磨斜角進行化學染色的。A.乙醇B.HCLC.H2SO4D.HNO3答案：D11、單選Torr是指()的單位。A.真空度B.磁場強度C.體積D.溫度答案：A12、單選離子散射方向與入射方向的夾角，稱為()oA.漸近角B.偏折角C.散射角D.入射角答案：C13、單選硅烷的分子式是()oA.SiF4B.SiH4C.CH4D.SiC答案：B14、單選()是指每個入射離子濺射出的靶原子數(shù)。A.濺射率B.濺射系數(shù)C.濺射效率D.濺射比答案:A15、單選如果磷在二氧化硅中擴散，對擴散率影響最大的因素是：()oA.擴散劑總量B壓強C.溫度D.濃度答案：D16、單選離子源的作用是使所需要的雜質原子電離成()離子，并通過一個引出系統(tǒng)形成離子束。A.正B.負C.中性D.以上答案都可以答案：A17、單選菲克一維擴散定律公式中的J是代表單位面積溶質()oA.傳輸率B.載流子濃度C.擴散梯度D.擴散系數(shù)答案：A18、多選二氧化硅薄膜厚度的測量方法有()oA.比色法B.雙光干涉法C.橢圓偏振光法D.腐蝕法E.電容-電壓法答案：A,B,C,D,E19、單或篙看半導體工藝的典型金屬雜質是()oA.2族金屬B.堿金屬C.合金金屬D.稀有金屬答案：B20、多選濺射的方法非常多其中包括()oA.直流濺射B.交流濺射C.反應濺射D.二級濺射F二級濺射答案?ABCDF217單選在空位擴如果遷移到空位的原子是基質原子，擴散屬于()oA,推擠擴散B.雜質擴散C.填隙擴散D.自擴散答案：D22、多選按加熱源的不同，可以分成()幾種不同類型的蒸發(fā)。A.真空蒸發(fā)B.離子束蒸發(fā)C.電子束蒸發(fā)D.粒子束蒸發(fā)E.常壓蒸發(fā)答案：A,B,C23、多.星導體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來()oA.氧化B.改變導電類型C滁層D,改變材料性質E.鍍膜答案：B,D24、單或當注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。開始飽和的注入劑量稱為()OA.臨界劑量B.飽和劑量C.無損傷劑量D.零點劑量答案：A25、多選微電子領域內(nèi)，下列測厚儀中屬于有臺階的測厚儀為()oA.臺階儀B.干涉顯微鏡C.光切顯微鏡D.掃描電鏡E.橢偏儀答案:A,B,C,D26、多選屬于鋁的性質有()oA.電阻低B.抗電遷移特性好C.對硅氧化物有很好的黏合性D.有很高的純度E.易于光刻答案:A,C,D,E27、單選硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對器件穩(wěn)定性影響最大的離子是()OA.鈉B.鉀C.氫D硼答案：A28、單選將具有交換能力的陽樹脂和陰樹脂按一定比例混合后，裝在聚氯乙稀或有機玻璃做的圓柱形交換柱內(nèi)，自來水()通過交換柱就能稱為高純度去離子水。A.自上而下B.自下而上C.自左而右D.自右而左答案：A29、單選thermalconductivitygauge的意思是()。A.離子計B.熱傳導真空計C.放電型真空計D.麥克勞式真空計答案：B30、單選電氣測量儀表中，整流式對電流的種類與頻率的適用范圍是（）oA.直流B.工頻及較高頻率的交流C.直流及工頻交流D.直流及工頻與較高頻率的交流答案：B集成電路制造工藝員（三級）考試資料1、多選沾污是指半導體制造過程中引入半導體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質。A.功能B.成品率C.物理性能D.電學性能E.外觀答案：B,D2、單選買來的新樹脂往往是Na型或Cl型，新樹脂使用前必須分別用酸（陽樹脂），堿（陰樹脂）浸泡約（）個小時，把Na型或Q型轉換成H型或OH型。A.3B.4C.5D.6答案：B3、單選為了保證保護裝置能可靠地動作，27.5A的接地電流只能保證斷開動作電流不超過多少的繼電保護裝置。（）A.18.3AB.13.8AC.11AD.9.2A答案：A4、單選在將清洗完的硅片放進擴散爐擴散時，需要將硅片先裝入（），然后再裝入擴散爐。A.耐熱陶瓷器皿B.金屬器皿C.石英舟D.玻璃器皿答案：C5、單選ESD產(chǎn)生（）種不同的靜電總類。A.lB.4C.3D.2答案：D6、多選下列可作為磷擴散源的是()oA.磷鈣玻璃B.三氯氧磷C.三氯化磷D.磷烷E.摻磷二氧化硅乳膠源答案:A,B,C,D,E7、單選在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為()。A.硝酸B.硝酸銅C硫酸D.磺酸答案：A8、單選刻蝕是把進行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被()覆蓋及保護的部分，以化學作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉移掩膜圖案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻膠D.去離子水答案：C9、單選下列材料中電阻率最低的是()oA.鋁B.銅C.多晶硅D.金答案：D10、多選在半導體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應用在()OA.晶圓頂層的保護層B.多層金屬的介質層C.多晶硅與金屬之間的絕緣層D.摻雜阻擋層E.晶圓片上器件之間的隔離答案：B,C,E11、多選半導體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來()OA.氧化B.改變導電類型C滁層D,改變材料性質E.鍍膜答案：B,D12、單或以下屬于口腔醫(yī)務人員個人保護措施的是()A.手套B,口罩C.防護鏡D.保護性工作服E.以上均是答案：E13、多選下列擴散雜質源中，()不僅是硅常用的施主雜質，也是楮常用的施主雜質。A.硼B(yǎng)錫C.睇D.磷E.碑答案：C,D14、多選屬于鋁的性質有()oA.電阻低B.抗電遷移特性好C.對硅氧化物有很好的黏合性D.有很高的純度E.易于光刻答案：A,C,D,E15、單選當注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。開始飽和的注入劑量稱為()OA.臨界劑量B.飽和劑量C.無損傷劑量D.零點劑量答案：A16、單選在靶片前方設一抑制柵，作用是將()抑制回去，從而保證測量的準確性。A.二次電子B.二次中子C.二次質子D.無序離子答案：A17、單選企業(yè)的戰(zhàn)略一般由四個要素組成，即經(jīng)營范圍、資源配置、競爭優(yōu)勢以及協(xié)同合作，其中協(xié)同合作是指企業(yè)通過共同的努力達到()oA.分力之和大于簡單相加的結果B,分力之和等于簡單相加C.共享開發(fā)工具、共享信息D.共同分擔著開發(fā)失敗的風險答案：A18、單選引出系統(tǒng)要求能引出分散性較好的強束流，還希望具有較()的氣阻。A.無序B.穩(wěn)定C.小D.大答案：D19、單選在深紫外曝光中，需要使用()光刻膠。A.DQNB.CAC.ARCD.PMMA答案：A20、多選按加熱源的不同，可以分成()幾種不同類型的蒸發(fā)。A.真空蒸發(fā)B.離子束蒸發(fā)C.電子束蒸發(fā)D.粒子束蒸發(fā)E.常壓蒸發(fā)答案：A,B,C21、單選在熱擴散工藝中的預淀積步驟中，硼在950?1100C的條件下，擴散時間大約()為宜。A.4?6hB.50min?2hC.10?40minD.5?lOmin答案：C22、多選涂膠之前，要保證晶片的質量以及涂膠工序的順利進行，下列操作正確的是()oA.進行去水烘烤以保證晶片干燥B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好C.剛剛處理好的晶片應立即涂膠D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥E,也可以直接使用貯存的晶片答案：A,B,C,D23、單選在確定擴散率的測結深實驗中，結深的測量是采用HF和()的混和液對磨斜角進行化學染色的。A.乙醇B.HCLC.H2SO4D.HN03答案：D24、單選銅互連金屬多層布線中，磨料的粒徑一般為()oA.5~10nmB.20-30nmC.50~80nmD.100~200nm答案：B25、單選決定吸附原子彼此間能否形成一個穩(wěn)定的核團，以便于進行凝結的主要因素主宰于所形成的核團是否()而定。A.動能最低B.穩(wěn)定C.運動D.靜止答案：B26、單選()主要是以化學反應方式來進行薄膜沉積的。A.PVDB.CVDC.濺射D.蒸發(fā)答案：B27、單選為了解決中性束對注入均勻性的影響，可在系統(tǒng)中設有()，使離子束偏轉后再達到靶室。A.磁分析器B.正交電磁場分析器C.靜電偏轉電極D.束流分析儀答案：C28、多選解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有()oA.加強工藝操作B.加強人體和環(huán)境衛(wèi)生C.使用高純化學試劑、高純水和超凈設備D.采用HC1氧化工藝E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無水跡答案:A,B,C,D,E29、單選半導體硅常用的施主雜質是()oA錫B硫C硼D.磷答案：D30、單選thermalconductivitygauge的意思是()。A.離子計B.熱傳導真空計C.放電型真空計D.麥克勞式真空計答案：B集成電路制造工藝員(三級)1、單選對于濃度覆蓋很寬的雜質原子，可以采用()方法引入到硅片中。A.離子注入B.濺射C.淀積D.擴散答案：D2、單選鈉、鉀等大離子在二氧化硅結構中是()雜質。A.替位式B.間隙式C.施主D.可能是替位式也可能是間隙式答案：B3、單選用高能粒子從某種物質的表面撞擊出原子的物理過程叫()oA.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C4、單選將具有交換能力的陽樹脂和陰樹脂按一定比例混合后，裝在聚氯乙稀或有機玻璃做的圓柱形交換柱內(nèi)，自來水()通過交換柱就能稱為高純度去離子水。A.自上而下B.自下而上C.自左而右D.自右而左答案：A5、單選()是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積的。A.蒸鍍B.濺射C.離子注入D.CVD答案：A6、單選硅烷的分子式是()oA.SiF4B.SiH4C.CH4D.SiC答案：B7、單選用電容一電壓技術來測量擴散剖面分布是用了()的原理。A.pn結理論B.歐姆定律C.庫侖定律D.四探針技術答案：A8、多選有關光刻膠的顯影下列說法錯誤的是()oA.負膠受顯影液的影響比較小B.正膠受顯影液的影響比較小C.正膠的曝光區(qū)將會膨脹變形D.使用負膠可以得到更高的分辨率E.負膠的曝光區(qū)將會膨脹變形答案：A,C,D9、單選真空鍍膜室中的鐘罩與底盤構成()oA.襯底加熱器B.抽氣系統(tǒng)C.真空室D.蒸氣源加熱器答案：C10、單選電流通過導線時，在導線里因電阻損耗而產(chǎn)生熱量，導線的溫度就會升高。導線的溫度與下列哪項因素無關OOA.通過的電流值B.周圍環(huán)境的溫度C.散熱條件D.導線長度答案：D11、多選擴散工藝使雜質由半導體晶片表面向內(nèi)部擴散，改變了晶片(),所以晶片才能被人們所使用。A.內(nèi)部的雜質分布B.表面的雜質分布C.整個晶體的雜質分布D.內(nèi)部的導電類型E.表面的導電類型答案:A,E12、單選早期，研究離子注入技術是用()來進行的。A.重離子加速器B.熱擴散爐C.質子分析儀D.輕離子分析器答案：A13、單選下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會高些()。A.干氧氧化B.濕氧氧化C.水汽氧化D.與氧化方法無關答案：A14、單選當二氧化硅膜很薄時，膜厚與時間()oA.t2成正比B.t2成反比Ct成正比D.t成反比答案：C15、多選為了滿足半導體器件對金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬材料應該滿足()oA.低電阻率B.易與p或n型硅形成歐姆接觸C.可與在或二氧化硅反應D.易于光刻E.便于進行鍵合答案:A,B,D,E16、單選晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對二氧化硅的高選擇性。超薄的()使得在刻蝕多晶硅電極時對它的刻蝕要盡可能的小。A.n型摻雜區(qū)B.P型摻雜區(qū)C.柵氧化層D.場氧化層答案：C17、單選()的氣體源中一般包含H+,C+,B+,C1+,0+等離子。A.CI2B.BC13C.C02D.H2答案：B18、單選當熱氧化的最初階段，()為限制反應速率的主要原因。A.溫度B.硅-二氧化硅界面處的化學反應C.氧的擴散速率D.壓力答案：B19、單選分析器是一種()分選器。A.電子B.中子C.離子D.質子答案：C20、、單選擴散爐中的管道一般都是用()制作。A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金屬答案：c21、單選半導體硅常用的施主雜質是()oA錫B.硫C硼D磷答案：D22、多選一般來說，濺射鍍膜的過程包括()這幾步。A.產(chǎn)生一個離子并導向靶B.被轟擊的原子向硅晶片運動C.離子把靶上的原子轟出來D,經(jīng)過加速電場加速E.原子在硅晶片表面凝結答案：A,B,C,E23、單選在生產(chǎn)過程中必須使用()來完成淺溝槽隔離STI。A.單晶硅刻蝕B.多晶硅刻蝕C.二氧化硅刻蝕D.氮化硅刻蝕答案：A24、多選離子注入的主要氣體源中，易燃、易爆的有()oA.碑化氫B.二硼化氫C.三氟化硼D碓烷E.氧氣答案：A,B,D25、多選從電極的結構看，濺射的方法包括()oA.直流濺射B.交流濺射C.二級濺射D.三級濺射E.四級濺射答案：C,D,E26、單選在確定擴散率的實驗中，擴散層電阻的測量可以用()測量。A.SIMS技術B.擴展電阻技術C.微分電導率技術D.四探針技術答案：D27、單選晶體中，每個原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時其勢能為()。A.極大值B.極小值C.既不極大也不極小D.小于動能答案：B28、單選()是測量在刻蝕過程中物質被移除的速率有多快的一種參數(shù)。A.刻蝕速率B.刻蝕深度C.移除速率D.刻蝕時間答案：A29、多選按曝光的光源分類，曝光可以分為()oA.光學曝光B.離子束曝光C.接近式曝光D.電子束曝光E.投影式曝光答案：A,B,D30、多選下列有關ARC工藝的說法正確的是()oA.ARC可以是硅的氮化物B.可用干法刻蝕除去C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成答案:A,B,C,D,E31、多選在半導體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應用在()oA.晶圓頂層的保護層B.多層金屬的介質層C.多晶硅與金屬之間的絕緣層D.摻雜阻擋層E.晶圓片上器件之間的隔離答案:B,C,E32、單選ESD產(chǎn)生()種不同的靜電總類。A.1B.4C.3D.2答案：D33、單選離子源產(chǎn)生的離子在()的加速電場作用下得到加速。A.分析器B.掃描器C.加速器D.偏轉器答案：C34、多選真空鍍膜室是由()幾部分組成。A.鐘罩B.蒸氣源加熱器C.襯底加熱器D.活動擋板E底盤答案.ABCDE35、單或#最工藝現(xiàn)在廣泛應用于制作()oA.晶振B.電容C.電感D.PN結答案：D36、單選采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結構上看是()的。A.結晶形態(tài)B.非結晶形態(tài)C.可能是結晶形態(tài)的，也可能是非結晶形態(tài)的D.以上都不對答案：B37、單選沾污引起的電學缺陷引起(),硅片上的管芯報廢以及很高的芯片制造成本。A.不會影響成品率B.晶圓缺陷C.成品率損失D.晶圓損失答案：C38、單選買來的新樹脂往往是Na型或Q型，新樹脂使用前必須分別用酸(陽樹脂)，堿(陰樹脂)浸泡約()個小時，把Na型或Q型轉換成H型或0H型。A.3B.4C.5D.6答案：B39、多選關于正膠和負膠在顯影時的特點，下列說法正確的是()oA.負膠的感光區(qū)域溶解B.正膠的感光區(qū)域溶解C.負膠的感光區(qū)域不溶解D.正膠的感光區(qū)域不溶解E.負膠的非感光區(qū)域溶解答案：B,C,E40、多選微電子領域內(nèi)，下列測厚儀中屬于有臺階的測厚儀為()oA.臺階儀B.干涉顯微鏡C.光切顯微鏡D.掃描電鏡E.橢偏儀答案:A,B,C,D41、單選檢驗水中是否有鹽酸，可用()溶液滴入水中，如果出現(xiàn)白色沉淀，就表示水中有鹽酸。A.氧化銅B.硝酸鎂C.硝酸銀D.氯化銅答案：C42、多選涂膠之前，要保證晶片的質量以及涂膠工序的順利進行，下列操作正確的是()oA.進行去水烘烤以保證晶片干燥B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好C.剛剛處理好的晶片應立即涂膠D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥E.也可以直接使用貯存的晶片答案：A,B,C,D43、單選損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的()的分布密切相關。A.能量淀積B.動量淀積C.能量振蕩D.動量振蕩答案：A44、多選在對層間絕緣膜進行CMP時，層間絕緣膜的表面會隨下列那些因素產(chǎn)生變化()OA.電路圖形結構的凹凸B,尺寸大小C.位置分布D.高度E.密集程度答案:A,B,C,D,E45、多選電氣測量儀表若按照電流的種類來分，有()oA.低壓儀表B.高壓儀表C.直流儀表D.交流儀表E.交直流儀表答案：C,D,E46、單選懸浮在空氣中的顆粒稱為()oA.懸浮物B.塵埃C.污染顆粒D.浮質答案：D47、單選干氧氧化法有一些優(yōu)點，但同時它的缺點有()oA.生長出的二氧化硅中引入很多可動離子B.氧化的速度慢C.生長的二氧化硅缺陷多D.生長的二氧化硅薄膜鈍化效果差答案：B48、單選一般分析擴散系數(shù)，考慮兩種條件，即恒定表面濃度條件和()oA.恒定總摻雜劑量B.不恒定總摻雜劑量C.恒定雜志濃度D.不恒定雜志濃度答案：A49、單選為了避免()在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。A.多晶硅B.單晶硅C.鋁硅銅合金D.銅答案：C50、單選真空鍍膜室內(nèi)，在蒸發(fā)源加熱器與襯底加熱器之間裝有活動擋板，用來()。A.隔擋氣體交換B,控制蒸發(fā)的過程C.輔助熱量交換D.溫度調節(jié)答案：B51、單選下列材料中電阻率最低的是()oA.鋁B.銅C.多晶硅D.金答案：D52、單選二氧化硅生長過程中，當分凝系數(shù)小于1時，會使二氧化硅-硅界面處硅一側的雜質濃度()OA.降低B.增加C.不變D.先降低后增加答案：A53、多選擴散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項重要的集成電路工藝，現(xiàn)在主要被用來制作()oA.埋層B.外延C.PN結D.擴散電阻E.隔離區(qū)答案：A,C,D54、多選下列可作為磷擴散源的是()oA.磷鈣玻璃B.三氯氧磷C.三氯化磷D.磷烷E.摻磷二氧化硅乳膠源答案:A,B,C,D,E55、單選下列關于曝光后烘烤的說法正確的是()oA.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應C.烘烤的溫度一般在300℃左右D,烘烤的時間越長越好答案：B56、多選靜電釋放帶來的問題有哪些()oA.金屬電遷移B.金屬尖刺現(xiàn)象C.芯片產(chǎn)生超過1A的峰值電流D.柵氧化層擊穿E.吸引帶電顆粒或極化并吸引中性顆粒到硅片表面答案：C,D,E57、單或加蝕是把進行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被()覆蓋及保護的部分，以化學作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉移掩膜圖案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻膠D.去離子水答案：C58、單選在新一代的CMP中，有使用()磨料在金屬表面上形成軟質皮膜并加以去除的趨勢。A.二氧化鋅B.鋁C.氧化鋁D.金剛石答案：A59、單選真空蒸發(fā)又被人們稱為()oA.真空沉積B.真空鍍膜C.真空外延D.真空答案：B60、單選離子源腔體中的氣體放電形成()而引出正離子的。A.等離子體B.不等離子體C.正離子體D.液電流答案：A61、單選()是指每個入射離子濺射出的靶原子數(shù)。A.濺射率B.濺射系數(shù)C.濺射效率D,濺射比答案：A62、多選關于正膠和負膠的特點，下列說法正確的是()oA.正膠在顯影時不會發(fā)生膨脹，因此分辨率高于負膠B.正膠的感光區(qū)域在顯影時不溶解，負膠的感光區(qū)域在顯影時溶解C.負膠在顯影時不會發(fā)生膨脹，因此分辨率不會降低D.正膠的感光區(qū)域在顯影時溶解，負膠的感光區(qū)域在顯影時不溶解E.負膠在顯影時會發(fā)生膨脹，導致了分辨率的降低答案:A,C,E63、單選()就是用功率密度很高的激光束照射半導體表面，使其中離子注入層在極短的時間內(nèi)達到高溫，消除損傷。A.熱退火B(yǎng).激光退火C.連續(xù)激光退火D.脈沖激光退火答案：B64、單選薄膜沉積的機構，依發(fā)生的順序，可以分為這幾個步驟。其中不包括()OA.形成晶核B.晶粒自旋C.晶粒凝結D.縫道填補答案：B65、多選()的方法有利于減少熱預算。A.高壓氧化B.濕氧氧化C.摻氯氧化D.氫氧合成氧化E.等離子增強氧化答案：A,E66、單選離子從進入靶起到停止點所通過的總路程稱作()oA.離子距離B.靶厚C.射程D.注入深度答案：C67、單選離子源的作用是使所需要的雜質原子電離成()離子，并通過一個引出系統(tǒng)形成離子束。A.正B.負C.中性D.以上答案都可以答案：A68、單選為了保證保護裝置能可靠地動作，27.5A的接地電流只能保證斷開動作電流不超過多少的繼電保護裝置。()A.18.3AB.13.8AC.11AD.9.2A答案：A69、單選在實際工作中，常常需要知道離子注入層內(nèi)損傷量按()的分布情況。A.長度B.深度C.寬度D.表面平整度答案：B70、單選單晶硅刻蝕一般采用()做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側壁鈍化作用的媒介物。A.氮化硅B.二氧化硅C.光刻膠D.多晶硅答案：B71、單選硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對器件穩(wěn)定性影響最大的離子是()OA.鈉B.鉀C.氫D硼答案：A72、單選以下屬于口腔醫(yī)務人員個人保護措施的是()A.手套B.口罩C.防護鏡D.保護性工作服E.以上均是答案：E73、單選企業(yè)的戰(zhàn)略一般由四個要素組成，即經(jīng)營范圍、資源配置、競爭優(yōu)勢以及協(xié)同合作，其中協(xié)同合作是指企業(yè)通過共同的努力達到()。A.分力之和大于簡單相加的結果B,分力之和等于簡單相加C.共享開發(fā)工具、共享信息D.共同分擔著開發(fā)失敗的風險答案：A74、單選當注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。開始飽和的注入劑量稱為()OA.臨界劑量B.飽和劑量C.無損傷劑量D.零點劑量答案：A75、單選樹脂的外形為()的球狀顆粒。A,淡黃色或褐色B,黑色或棕色C.淡紅色或褐色D.淡藍色或棕色答案：A76、多選直流二極管輝光放電系統(tǒng)是由()構成。A.抽真空的玻璃管B.抽真空后再充入某種低壓氣體的玻璃管C.兩個電極D.加速器E.增益管答案：B,C77、多選樹脂使用過程中需保持一定溫度，陽樹脂和陰樹脂分別不能高于()度，使用溫度不能過低，低于0度會使樹脂凍裂。A.80B.60C.40D.20E.10答案：A,C78、單捻在將清洗完的硅片放進擴散爐擴散時，需要將硅片先裝入()，然后再裝入擴散爐。A.耐熱陶瓷器皿B.金屬器皿C.石英舟D.玻璃器皿較案：C79＞單選為了防止抽氣設備對離子注入系統(tǒng)的油污染，可在靶室前增加一個()或采用無油泵。A.液氮冷阱B.凈化阱C.抽氣阱D.無氣泵答案：A80、單選不可以對Si02進行干法刻蝕所使用的氣體是()oA.CHF3B.C2F6C.C3F8D.HF答案：D81、單選局域網(wǎng)中使用中繼器的作用是()oA.可以實現(xiàn)兩個以上同類網(wǎng)絡的聯(lián)接B.可以實現(xiàn)異種網(wǎng)絡的互連C.實現(xiàn)信號的收集、緩沖及格式的變換D.實現(xiàn)傳遞信號的放大和整形答案：D82、單選刻蝕要求在整個晶圓上有一個均勻的刻蝕速率，()是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點的厚度，并計算這些點的刻蝕速率而得到的。A.選擇性B.均勻性C輪廓D.刻蝕圖案答案：B83、單選用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的()oA.重要步驟B.次要步驟C.首要步驟D.不一定答案：C84、單選靜電釋放的英文簡述為()oA.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C85、單選用g線和i線進行曝光時通常使用哪種光刻膠()oA.ARCB.HMDSC.正膠D.負膠答案：C86、單選化合物半導體碑化線常用的施主雜質是()oA錫B.硼C.磷D.鎬答案：A87、單選下列哪些元素在硅中是快擴散元素：()oA.NaB.BC.PD.As答案：A88、多選下列組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來刻蝕后者()。A.二氧化硅氮化硅B,多晶硅硅化金屬C.單晶硅多晶硅D.鋁銅E.鋁硅答案：A,E89、單選thermalconductivitygauge的意思是()。A.離子計B.熱傳導真空計C.放電型真空計D.麥克勞式真空計答案：B90、多選下列物質的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有()oA.CF4B.BC13C.C12D.F2E.CHF3答案：B,C91、多選半導體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來()oA彳七B.改變導電類型C滁層D.改變材料性質E.鍍膜答案：B,D92、單選在刻蝕()過程中假如我們在CF5的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。A.銅B.鋁C.金D.二氧化硅答案：D93、單選菲克一維擴散定律公式中的J是代表單位面積溶質()oA.傳輸率B.載流子濃度C.擴散梯度D.擴散系數(shù)答案：A94、多選在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，它的優(yōu)點在于()oA.CA光刻膠對深紫外光吸收小B.CA光刻膠將吸收的光子能量發(fā)生化學轉化C.CA光刻膠在顯影液中的可溶性強D.有較高的光敏度E.有較高的對比度答案：A,B,C,D,E95、單選有機性氣體大多產(chǎn)生在下列哪道工藝()oA.離子注入B.刻蝕C.擴散D.光刻答案：D96^單選干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應()一個大氣壓。A.稍高于B.大大于C.等于D.沒有要求答案：A97、多選光刻膠的光學穩(wěn)定通過()來完成的。A.紅外線輻射B.X射線照射C加熱D.紫外光輻射E.電子束掃描答案：C,D98、單或在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為()oA.硝酸B.硝酸銅C硫酸D.磺酸答案：A99、單選由于離子交換樹脂反應，它既可以去除水中雜質離子，又可以將失效樹脂進行處理，恢復交換能力，所以稱為()反應。A置換B化學C.不可逆D,可逆答案：D100、多選按加熱源的不同，可以分成()幾種不同類型的蒸發(fā)。A.真空蒸發(fā)B.離子束蒸發(fā)C.電子束蒸發(fā)D.粒子束蒸發(fā)E.常壓蒸發(fā)答案：A,B,C101、多選哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：()OA.低溫注入B.常溫注入C.高溫注入D.分子注入E.雙注入答案:A,D,E102、多選銅與鋁相比較，其性質有()oA.銅的電阻率比鋁小B.鋁的熔點較高C.鋁的抗電遷移能力較弱D.銅與硅的接觸電阻較小E.銅可以在低溫下淀積答案：A,C,E103、單/在半導體器件制造中，對清洗用水的純度有比較高的要求，要用經(jīng)過純化的()作為清潔用水。A.蒸儲水B.自來水C.去離子水D.礦泉水答案：C104、多選()專指薄膜形成的過程中，并不消耗晶片或底材的材質。A,薄膜成長B.蒸發(fā)C.薄膜沉積D.濺射E.以上都正確答案：B,C,D105、多選晶片經(jīng)過顯影后進行堅膜，堅膜的主要作用有()oA.除去光刻膠中剩余的溶劑B.增強光刻膠對晶片表面的附著力C.提高光刻膠的抗刻蝕能力D.有利于以后的去膠工序E.減少光刻膠的缺陷答案：A,B,C,E106、單選在靶片前方設一抑制柵，作用是將()抑制回去，從而保證測量的準確性。A.二次電子B.二次中子C.二次質子D.無序離子答案：A107、單選固體中的擴散模型主要有填隙機制和()。A.自擴散機制B.雜質擴散機制C.空位機制D.菲克擴散方程機制答案：C108、單選在熱擴散工藝中的預淀積步驟中，硼在950?1100C的條件下，擴散時間大約()為宜。A.4?6hB.50min?2hCIO?40minD.5?lOmin答案：C109、多選凈化室將硅片制造設備與外部環(huán)境隔離，免受諸如()的沾污。A.顆粒B.金屬C.有機分子D.靜電釋放(ESD)E.水答案：A,B,C,D110、單選在確定擴散率的測結深實驗中，結深的測量是采用HF和()的混和液對磨斜角進行化學染色的。A.乙醇B.HCLC,H2SO4D.HN03答案：D111、多選以()等兩層材料所組合而成的導電層便稱為Polycide。A.單晶硅B.多晶硅C.硅化金屬D.二氧化硅E.氮化硅答案：B,C112、單選由靜電釋放產(chǎn)生的電流泄放最大電壓可以達()oA.幾伏B.幾十伏C.幾百伏D.幾萬伏答案：D113、單選復合床和混合床可以串聯(lián)使用。復合床就是指將陽樹脂和陰樹脂分別裝在兩個()內(nèi)串接起來。A.交換柱B,混合床C.混合柱D.復合柱答案：A114、單選采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結構上看是()的。A.結晶形態(tài)B.非結晶形態(tài)C.可能是結晶形態(tài)的，也可能是非結晶形態(tài)的D.以上都不對答案：B115、單選在直流二極管輝光放電系統(tǒng)的玻璃管中，自由電子在碰撞氫原子之前可運動的平均距離又叫()oA.平均運動范圍B.平均速度C,平均碰撞距離D.平均自由程答案：D116、單選通常選熔斷器熔斷電流為電路額定電流的()oA.1?1.8倍B.1,3?1.8倍C.1,3?2.1倍D.1.5?2.3倍答案：C117、多選沾污是指半導體制造過程中引入半導體硅片的任何危害微芯片()的不希望有的物質。A.功能B.成品率C.物理性能D.電學性能E.外觀答案：B,D118、單選()是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關的一種薄膜淀積技術。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C119、單選下面那一種薄膜工藝中底材會被消耗()oA.薄膜沉積B.薄膜成長C.蒸發(fā)D.濺射答案：B120、單選由于干法刻蝕中是同時對晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進行刻蝕的，所以其()就比以化學反應的方式進行刻蝕的濕法還來得差。A.刻蝕速率B.選擇性C.各向同性D.各向異性答案：B121、單選如果固體中的原子排列情況是紊亂的，就稱之為()oA.單晶靶B.超晶靶C.多晶靶D.非晶靶答案：D122、單選目前，最廣泛使用的退火方式是()oA.熱退火B(yǎng).激光退火C.電子束退火D.離子束退火答案：A123＞單選銅互連金屬多層布線中，磨料的粒徑一般為()oA.5~10nmB.20~30nmC.50~80nmD.100~200nm答案：B124、單選引出系統(tǒng)要求能引出分散性較好的強束流，還希望具有較()的氣阻。A.無序B.穩(wěn)定C.小D.大答案：D125、多選下列物質中是結晶形態(tài)二氧化硅的有()oA,硅土B石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案:B,C,E126、單選在熱擴散工藝中的預淀積步驟中，磷的擴散溫度為()oA.600?750℃B.900?1050CC.1100?1250℃D.950?1100℃答案：B127、單選離子束垂直進入均勻的正交磁場后，將同時受到電場力和()的作用。A.洛侖茲力B.反向的電場力C.庫侖力D.重力答案：A128、單選危害半導體工藝的典型金屬雜質是()oA.2族金屬B.堿金屬「］湛口擊..517./兩D.稀有金屬答案：B129、單選多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對()的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時對柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。A.二氧化硅B.氮化硅C.單晶硅D.多晶硅答案：A130、單選()是以物理的方法來進行薄膜沉積的一種技術。A.LPCVDB.PECVDC.CVDD.PVD答案：D131、單選在空位擴散中，如果遷移到空位的原子是基質原子，擴散屬于()oA.推擠擴散B.雜質擴散C.填隙擴散D.自擴散答案：D132、多選二氧化硅薄膜厚度的測量方法有()oA.比色法B.雙光干涉法C.橢圓偏振光法D.腐蝕法E.電容-電壓法答案：A,B,C,D,E133、單裝星集成電路工藝中，光復制圖形和材料刻蝕相結合的工藝技術是()OA.刻蝕B.氧化C.淀積D.光刻答案：D134、單選在熱擴散工藝中的預淀積步驟中，硼在900?1050C的條件下，擴散時間大約()為宜。A.4?6hB.50min?2hC.10?40minD.5?lOmin答案：C135、單選在空位擴散中，如果遷移的空位的原子是雜質原子，擴散稱為()oA,填隙擴散B.雜質擴散C.推擠擴散D.自擴散答案：B136、單選奉獻社會的實質是()oA.獲得社會的好評B.盡社會義務C.不要回報的付出D.為人民服務答案：C137、單選決定吸附原子彼此間能否形成一個穩(wěn)定的核團，以便于進行凝結的主要因素主宰于所形成的核團是否()而定。A.動能最低B.穩(wěn)定C.運動D.靜止答案：B138、多選濺射的方法非常多其中包括()oA.直流濺射B.交流濺射C.反應濺射D.二級濺射E.三級濺射答案：A,B,C,D,E139、多選對于非晶靶，離子注入的射程分布取決于()oA.入射離子的能量B.入射離子的質量C.入射離子的原子序數(shù)D.靶原子的質量、原子序數(shù)、原子密度E.注入離子的總劑量答案：A,B,C,D,E140、單選請在下列選項中選出多晶硅化金屬的英文簡稱：()oA.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide答案：D141、單選在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有()oA.電子振蕩放電B.離子自動放電C.低電壓弧光放電D,雙等離子電弧放電答案：A142、單選離子散射方向與入射方向的夾角，稱為()oA.漸近角B.偏折角C.散射角D.入射角答案：C143、單選一般來說，我們用一定量的()使陽樹脂再生。A.硝酸B硫酸C.鹽酸D.磷酸答案：C144、多選薄膜沉積的機構包括那些步驟()oA.形成晶核B.晶粒成長C.晶粒凝結D.縫道填補E.沉積膜成長答案：A,B,C,D,E145、單盤入超片上生長的()的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導致刻蝕圖形轉移的不均勻性。A,薄膜厚度B.圖形寬度C.圖形長度D.圖形間隔答案：A146、多選解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有()oA.加強工藝操作B.加強人體和環(huán)境衛(wèi)生C.使用高純化學試劑、高純水和超凈設備D.采用HC1氧化工藝E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無水跡答案:A,B,C,D,E147、單選光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是()oA.150-200℃B.200℃左右C.250C左右D.300℃左右答案：A148、多選離子注入的主要氣體源中，劇毒的有()oA.碑化氫B.二硼化氫C.四氟化硅D.三氟化磷E.五氟化磷答案：A,B,C,D149、單選光刻的主要工藝流程按照操作順序是()oA.涂膠、前烘、曝光、堅膜、顯影、去膠B.涂膠、前烘、堅膜、曝光、顯影、去膠C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、去膠D.前烘、涂膠、曝光、堅膜、顯影、去膠答案：C150、多選下列有關曝光系統(tǒng)的說法正確的是()oA.投影式同接觸式相比，掩模版的利用率比較高B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式C.接近式的分辨率受到衍射的影響D.投影式曝光系統(tǒng)中不會產(chǎn)生衍射現(xiàn)象E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)答案：A,B,C,E151、單選靜電偏轉電極和靜電掃描器都是()電容器。A片狀B.針尖狀C.圓筒狀D.平行板答案：D152、多選下列擴散雜質源中，()不僅是硅常用的施主雜質，也是錯常用的施主雜質。A.硼B(yǎng)錫C.錦D.磷E.碑答案：C,D153、單選電子束蒸發(fā)的設備中產(chǎn)生電子束的裝置稱為()oA.電子源B.電子泵C.電子管D.電子槍答案：D154、單選He,OH,Na等元素在900C下，在二氧化硅中的擴散率大于10—13cm2/s,這些元素稱為()oA.活躍雜質B.快速擴散雜質C.有害雜質D,擴散雜質答案：B155、單選由于水中陰陽離子都有導電能力，所以水的()越高，水中離子數(shù)就越少。A.電阻率B.電導率C.電阻D.電導答案：A156、單選降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之()oA.增大B.減小C.不變D.變?yōu)?答案：B157、多選超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有()oA.高分辨率B.i^j靈敏度C.精密的套刻對準D.大尺寸E.低缺陷答案:A,B,C,D,E158>單選dryvacuumpump的意思是()。A.擴散泵B.誰循環(huán)泵C.干式真空泵D.路茲泵答案：C159、單選物理氣相沉積簡稱()oA.LVDB.PEDC.CVDD.PVD答案：D160、多選凈化室里廢氣收集管系統(tǒng)分為兩類，分別是()oA.一般排氣系統(tǒng)B.特殊排氣系統(tǒng)C.制程排氣系統(tǒng)D.專用排氣系統(tǒng)E.排氣排水系統(tǒng)答案：A,C161、多選通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進行中()的刻蝕速率盡量低。A.光刻膠B.襯底C.表面硅層D.擴散區(qū)E.源漏區(qū)答案：A,B162、多選干氧氧化法具備以下一系列的優(yōu)點()oA.生長的二氧化硅薄膜均勻性好B.生長的二氧化硅干燥C.生長的二氧化硅結構致密D.生長的二氧化硅是很理想的鈍化膜E.生長的二氧化硅掩蔽能力強答案：A,B,C,D,E163、單選激光退火目前有()激光退火兩種。A.一般和特殊B.脈沖和連續(xù)C.jWj溫和低溫D.快速和慢速答案：B164、多選二氧化硅膜的質量要求有()oA.薄膜表面無斑點B.薄膜中的帶電離子含量符合要求C.薄膜表面無針孔D.薄膜的厚度達到規(guī)定指標E.薄膜厚度均勻，結構致密答案:A,B,C,D,E165、多選下列哪些因素會影響臨界注入量的大?。?)oA.注入離子的質量B.靶的種類C.注入溫度D.注入速度E.注入劑量答案：A,B,C,D166、單選如果磷在二氧化硅中擴散，對擴散率影響最大的因素是：()oA.擴散劑總量B.壓強C溫度D.濃度答案：D167＞單選pointdefect的意思是()。A.點缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.缺失的點答案：A168、單選當注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是對應連續(xù)()的形成。A.非晶層B.單晶層C.多晶層D.超晶層答案：A169、單選我們可以從測量去離子水的酸度來判別陰陽樹脂誰先失效，陰樹脂先失效，水呈()性。A.酸B堿C.弱酸D.弱堿答案：A170、單選在熱擴散工藝中的預淀積步驟中，碑和睇的擴散溫度為()oA.1050—1200℃B.900?1050CC.1100—1250℃D.1200?1350C答案：A171、單選()方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來沉積不同金屬的應用最為廣泛的技術。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C172、單選半導體硅常用的受主雜質是()oA.錫B.硫C硼D.磷答案：C173、單選濺鍍法，因為其階梯覆蓋的