資料：高電壓前4章復(fù)習(xí)

第一章：電介質(zhì)的基本電氣特性1、 電介質(zhì)的極化：在外加電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)中的正負(fù)電荷將沿著電場(chǎng)方向做有限的位移或者轉(zhuǎn)向，形成力矩，這種現(xiàn)象叫做電介質(zhì)的極化。2、 極化的基本形式：（1） 電子式極化（這個(gè)過(guò)程主要是由電子在電場(chǎng)作用下的位移所造成，故稱為電子式極化）。其特點(diǎn)：電子式極化存在于所有電介質(zhì)中；由于電子異常輕小，因此電子式極化所需時(shí)間極短，其極化響應(yīng)速度最快，通常相當(dāng)于紫外線的頻率范圍；電子式極化具有彈性；電子式極化消耗的能量可以忽略不計(jì)，因此稱之為“無(wú)損極化”。（2） 離子式極化在離子式結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)中，當(dāng)有外電場(chǎng)作用時(shí)，則除了促使各個(gè)離子內(nèi)部產(chǎn)生電子式極化之外，還將產(chǎn)生正負(fù)離子的相對(duì)位移，使正負(fù)離子按照電廠的方向進(jìn)行有序排列，形成極化，這種極化稱為離子式極化。其特點(diǎn)：不受頻率影響，可在所有頻率范圍內(nèi)發(fā)生；極化是彈性的；消耗的能量亦可忽略不計(jì)。（3） 偶極子式極化。在極性分子結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)中，當(dāng)有外電場(chǎng)作用時(shí)，偶極子受到電場(chǎng)力的作用而轉(zhuǎn)向電場(chǎng)的方向，這種極化被稱為偶極子式極化，或轉(zhuǎn)向極化。其特點(diǎn)：為有損極化，而且極化時(shí)間也較長(zhǎng)；受頻率影響很大，頻率增加，er減??；溫度對(duì)極性電介質(zhì)的er也有很大影響，在T<Tw時(shí)，隨著T增大會(huì)使分子間作用力下降，導(dǎo)致er增大，在T>Tw時(shí)，T增大會(huì)導(dǎo)致分子熱運(yùn)動(dòng)增大，從而er下降。（4） 空間電荷極化。特點(diǎn)：消耗能量，為有損極化；僅在低頻下發(fā)生，相當(dāng)于電導(dǎo)。（5） 夾層極化。夾層介質(zhì)在外電場(chǎng)作用下的極化稱為夾層極化，其極化過(guò)程特別緩慢，所需時(shí)間由幾秒到幾十分鐘，甚至更長(zhǎng)，且極化過(guò)程伴隨著有較大的能量損失，屬于有損極化。或分為兩大類：有損極化和無(wú)損極化。無(wú)損極化包括電子式極化和離子式極化，有損極化包括偶極子式極化和空間電荷極化。夾層極化是空間電荷極化的一種特殊形式。3、 吸收現(xiàn)象：當(dāng)直流電壓U加在固體電介質(zhì)時(shí)，通過(guò)介質(zhì)中的電流將隨時(shí)間而衰減，最終達(dá)到某一穩(wěn)定值，這種現(xiàn)象稱為吸收現(xiàn)象。吸收現(xiàn)象的產(chǎn)生是由電介質(zhì)的極化引起。4、 吸收比：工程上通過(guò)測(cè)量加上直流電壓后t=15s和t=60s時(shí)流過(guò)介質(zhì)的電流之比來(lái)反映吸收現(xiàn)象的強(qiáng)弱，此比值即為介質(zhì)的吸收比K。即：K=I15s/I60s=R60s/R15s5、 電介質(zhì)的電導(dǎo)與金屬的電導(dǎo)有著本質(zhì)的區(qū)別：電介質(zhì)的電導(dǎo)屬于離子式電導(dǎo)，隨溫度的升高按指數(shù)規(guī)律增大；金屬的電導(dǎo)是電子式電導(dǎo)，隨溫度的升高而減小。R60s可作為穩(wěn)態(tài)絕緣電阻值Rs。6、 電介質(zhì)的能量損耗稱為介質(zhì)損耗，包括電導(dǎo)損耗和極化損耗。電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下存在損耗，其中氣體電介質(zhì)的損耗可以忽略不計(jì)。在直流電壓作用下電介質(zhì)的損耗僅為由電導(dǎo)引起的電導(dǎo)損耗，而交流電壓作用下電介質(zhì)的損耗既有電導(dǎo)損耗，又有極化損耗。因此，電介質(zhì)在交流電壓作用下的損耗遠(yuǎn)大于其直流電壓下的損耗。7、介質(zhì)損耗因數(shù) 甲是通過(guò)介質(zhì)的電流與所加電壓間的相位角，即電路的功率因數(shù)角，&是甲的余角，稱之為介質(zhì)損耗角。8、 影響介質(zhì)損耗的因素：（1） 不同的介質(zhì)，其損耗特性不同（2） 中性或弱性介質(zhì)的損耗主要由電導(dǎo)引起，tgS較小（3） 對(duì)于極性液體介質(zhì)，由于偶極子轉(zhuǎn)向極化引起的極化損耗較大，所以tgS較大，而且tgS與溫度、頻率均有關(guān)。當(dāng)溫度t<t1時(shí)，由于溫度較低，電導(dǎo)損耗和極化損耗都很小，隨著溫度的升高，材料的粘滯性減小，有利于偶極子的轉(zhuǎn)向極化，使極化損耗顯著增大，同時(shí)電導(dǎo)損耗也隨著溫度的升高而有所增大，所以在這一范圍內(nèi)tgS隨溫度的升高而增大。當(dāng)t1<t<t2時(shí)，隨著溫度的升高，分子的熱運(yùn)動(dòng)加快，從而又妨礙了偶極子在電場(chǎng)作用下進(jìn)行有規(guī)則的排列，因此，極化損耗隨著溫度的升高而減小。由于這一溫度范圍內(nèi)，極化損耗的減小要比電導(dǎo)損耗得增加更快，所以總的tgS曲線隨著溫度的升高而減小。當(dāng)t>t2時(shí)，由于電導(dǎo)損耗隨著溫度的升高而急劇增加，極化損耗相對(duì)來(lái)說(shuō)已不占主要部分，因此，tg8重新又隨著溫度的升高而增大。（4） 電源頻率增高時(shí)tgS的極大值出現(xiàn)在較高的溫度。當(dāng)f2>f1，當(dāng)電源頻率增高時(shí)，偶極子的轉(zhuǎn)向來(lái)不及充分進(jìn)行，要使極化進(jìn)行的充分，就必須減小粘滯性，也就是說(shuō)要升高溫度，所以整個(gè)曲線往右移。（5）電場(chǎng)對(duì)介質(zhì)的tgS有直接的影響。第二章：氣體放電的基本理論1、 氣體電離的基本形式有：（在氣體電離的四種形式里，碰撞電離是最基本的電離形式，而電子是碰撞電離中的最活躍因素）（1） 碰撞電離。氣體中存在散在的電子和離子，在電場(chǎng)作用下，這些散在的帶電粒子被加速而獲得動(dòng)能，當(dāng)它們的動(dòng)能積累到一定數(shù)值后，在和中性的氣體分子分省碰撞時(shí)，有可能是后者發(fā)生電離，這種電離過(guò)程稱為碰撞電離。發(fā)生碰撞電離的條件為：eEx>Wi，或x>Ui/E，式中Ui為氣體分子的電離電位。電子是碰撞電離的主導(dǎo)因素。（2） 光電離。由光輻射引起的氣體分子的電離稱為光電離。（3）熱電離。因氣體熱狀態(tài)引起的電離過(guò)程稱為熱電離。（4）表面電離。氣體中的電子也可以由電場(chǎng)作用下的金屬表面發(fā)射出來(lái)，稱為金屬電極表面電離。2、 平均自由行程：一個(gè)質(zhì)點(diǎn)在每?jī)纱闻鲎仓g自由通過(guò)的距離叫自由行程。3、 氣體去電離的基本形式有：（1）帶電粒子向電極定向運(yùn)動(dòng)并進(jìn)入電極形成回路電流，從而減小了氣體中的帶電粒子。（2）帶電粒子的擴(kuò)散（3）帶電粒子的復(fù)合。（4）吸附效應(yīng)。某些氣體的中性分子或原子具有較強(qiáng)的親合力，當(dāng)電子與其碰撞時(shí)，便被吸附其上形成負(fù)離子，同時(shí)放出能量，這種現(xiàn)象稱為吸附效應(yīng)。4、 放電導(dǎo)致氣體間隙短路時(shí)稱為氣隙的擊穿。氣體放電的形式：當(dāng)氣壓較低，電源容量較小時(shí)，氣隙間放電表現(xiàn)為充滿整個(gè)間隙的輝光放電；在大氣壓下或者更高氣壓下，放電則表現(xiàn)為跳躍性的火花，稱為火花放電；當(dāng)電源容量較大且內(nèi)阻較小時(shí)，放電電流較大，并出現(xiàn)高溫的電孤，稱為電孤放電；在極不均勻電場(chǎng)中，還會(huì)在間隙擊穿之前，只在局部電場(chǎng)很強(qiáng)的地方出現(xiàn)放電，但這時(shí)整個(gè)間隙并未發(fā)生擊穿，稱為局部放電（高壓輸電線路導(dǎo)線周圍出現(xiàn)的電暈放電就屬于局部放電）。在氣體介質(zhì)與固體介質(zhì)的交界面上沿著固體介質(zhì)的表面而發(fā)生在氣體介質(zhì)中的放電，稱為沿面放電。5、 湯遜放電試驗(yàn)中電流與電壓的關(guān)系圖：（1） 線性段oa；在空間宇宙射線的作用下，大氣中不斷有電離產(chǎn)生，同時(shí)又不斷有帶電粒子的復(fù)合，這兩種過(guò)程達(dá)到某種動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，致使大氣中有一些散在的正負(fù)帶電粒子存在。當(dāng)極板上加上直流電壓后，這些帶電粒子分別向兩極運(yùn)動(dòng)，形成電流，起初，隨著電壓的升高，帶電粒子的運(yùn)動(dòng)速度增大，電流隨之增大，二者基本呈線性關(guān)系。（2） 飽和段ab；a點(diǎn)后，在單位時(shí)間內(nèi)由外界電離因素所產(chǎn)生的有限帶電粒子已全部參與了導(dǎo)電，故電流無(wú)明顯增加，而趨于飽和。（3） 電離段bc；湯遜認(rèn)為，當(dāng)?shù)竭_(dá)b點(diǎn)以后，此間隨著電壓的升高，間隙中的電場(chǎng)強(qiáng)度增加，氣體中電子的碰撞電離形成了電子崩，產(chǎn)生了大量的新的帶電粒子，參與了導(dǎo)電。電壓越高，碰撞電離越強(qiáng)，電子崩效果越明顯，產(chǎn)生的電子越多，電流也越大，直到c點(diǎn)，因此bc段也稱為湯遜放電階段。C點(diǎn)以前的放電則稱為非自持放電。（4） 自持放電段（c點(diǎn)以后）：強(qiáng)烈的電離過(guò)程所產(chǎn)生的熱和光進(jìn)一步增強(qiáng)了氣體的電離因素，以致于電離過(guò)程達(dá)到了自我維持的程度，而不是依靠外界電離因素，僅由電場(chǎng)的作用維持放電過(guò)程，這種放電稱為自持放電，氣體一旦進(jìn)入自持放電，就意味著被擊穿。6、 電子崩：是指電子在電場(chǎng)作用下從陰極奔向陽(yáng)極的過(guò)程中與中性分子碰撞發(fā)生電離，電離的結(jié)果產(chǎn)生出新的電子，新生電子又與初始電子一起繼續(xù)參與碰撞電離，從而使氣體中的電子數(shù)目由1變?yōu)?,又由2變?yōu)?而急劇增加，這種迅猛發(fā)展的碰撞電離過(guò)程猶如高山上發(fā)生地雪崩，因此稱為電子崩。5、 湯遜氣體放電理論解釋氣體放電：湯遜放電理論認(rèn)為氣體中電子的碰撞電離引起了電子崩，產(chǎn)生了大量的帶電粒子——電子，電壓越高，產(chǎn)生的電子越多，電流也越大；并且電子崩發(fā)展到貫通兩極時(shí)，正離子返回陰極的同時(shí)在陰極上產(chǎn)生了二次電離過(guò)程，取得了形成后繼電子崩所需要的二次電子，從而實(shí)現(xiàn)了自持放電。6、 自持放電條件（Y（ead-1）>1）的物理意義：正離子返回陰極所產(chǎn)生的二次電子大于等于初始電子，則初始電子就可以得到接替，使后繼電子崩不需要依靠其他外界電離因素而靠放電過(guò)程自身就能自行得到發(fā)展。7、 氣體和液體電介質(zhì)屬于自恢復(fù)絕緣，固體電介質(zhì)屬于非自恢復(fù)絕緣。8、 氣體放電的根本原因在于氣體中發(fā)生了電離的過(guò)程，在氣體中產(chǎn)生了帶電粒子；而氣體具有自恢復(fù)絕緣特性的根本原因在于氣體中存在去電離的過(guò)程，它使氣體中的帶電粒子消失。9、 放電由非自持轉(zhuǎn)為自持時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度稱為起始放電場(chǎng)強(qiáng)，相應(yīng)的電壓稱為起始放電電壓。在均勻電場(chǎng)中，它們就是氣隙的擊穿場(chǎng)強(qiáng)和擊穿電壓；在不均勻電場(chǎng)中，起始放電電壓低于擊穿電壓。10、 巴申定律的Ub最小點(diǎn)分析：（1） 設(shè)d不變，改變氣壓p。當(dāng)p增大時(shí)，碰撞次數(shù)將增加，然而碰撞電離的概率卻減小，電離不易進(jìn)行，所以Ub必然增大；反之，當(dāng)p減小時(shí)，這時(shí)雖然碰撞電離的概率增大了，但碰撞次數(shù)卻減小了，因此Ub也會(huì)增大。所以在這兩者之間總會(huì)有一個(gè)合適的p值對(duì)造成碰撞電離最為有利，此時(shí)可使Ub最小。（2） 設(shè)p不變，改變d值。d增大，想得到一定的電場(chǎng)強(qiáng)度，電壓就必須增大；當(dāng)d值減小時(shí)，電場(chǎng)強(qiáng)度增大，但電子在走完全程中所發(fā)生的碰撞次數(shù)減小，同樣也會(huì)使Ub增大，所以在這兩者之間也同樣存在一個(gè)d值對(duì)造成碰撞電離最為有利，此時(shí)Ub最小。11、 流注放電理論解釋氣體放電：流注理論認(rèn)為電子的碰撞電離和空間光電離是形成自持放電的主要因素。初始電子崩頭部的空間電荷數(shù)量達(dá)到某一臨界值時(shí)，使電場(chǎng)得到足夠的畸變和加強(qiáng)，并造成足夠的空間光電離，電離出的新生電子迅即跑向初崩的正離子群中與之匯合，形成充滿正負(fù)粒子的等離子通道，這個(gè)通道稱為流注。流注迅速向前發(fā)展（流注階段），一旦把兩極接通，就將導(dǎo)致完全擊穿，這一擊穿過(guò)程稱為流注放電的主放電階段。12、 流注放電的條件（自持放電的條件）是初始化電子崩頭部的空間電荷數(shù)量必須達(dá)到某一臨界值，才能使電場(chǎng)得到足夠的畸變和加強(qiáng)，并造成足夠的空間光電離。13、 湯遜理論與流注理論的不同點(diǎn)：流注理論認(rèn)為電子的碰撞電離和空間光電離是形成自持放電的主要因素；而湯遜理論則沒(méi)有考慮放電本身所引發(fā)的空間光電離對(duì)放電過(guò)程的重要作用。同時(shí)，流注理論特別強(qiáng)調(diào)空間電荷對(duì)電場(chǎng)的即便作用。湯遜理論適用于低氣壓短間隙的放電過(guò)程；流注理論適用于高氣壓長(zhǎng)間隙和不均勻電場(chǎng)中的氣體放電現(xiàn)象。簡(jiǎn)要分析湯遜理論與流注理論對(duì)氣體放電過(guò)程、電離因素以及自持放電條件的觀點(diǎn)有何不同？答：湯遜理論理論實(shí)質(zhì)：電子碰撞電離是氣體放電的主要原因，二次電子來(lái)源于正離子撞擊陰極使陰極表面逸出電子，逸出電子是維持氣體放電的必要條件。所逸出的電子能否接替起始電子的作用是自持放電的判據(jù)。流注理論認(rèn)為形成流注的必要條件是電子崩發(fā)展到足夠的程度后，電子崩中的空間電荷足以使原電場(chǎng)明顯畸變，流注理論認(rèn)為二次電子的主要來(lái)源是空間的光電離。14、 極不均勻電場(chǎng)的典型實(shí)例是“棒一板”間隙和“棒一棒”間隙。極不均勻電場(chǎng)氣隙電壓的極性是以曲率半徑較小的那個(gè)電極的極性為極性，如果兩個(gè)電極幾何形狀相同，如棒棒間隙則以不接地的那個(gè)電極的極性為極性。15、 自持放電只能局限在棒電極附近一個(gè)不大的區(qū)域中發(fā)生，把這種局部放電稱為電暈放電。開(kāi)始出現(xiàn)電暈放電的電壓稱為電暈起始電壓。電暈：在極不均勻電場(chǎng)中，氣隙完全被擊穿以前，電極附近會(huì)發(fā)生電暈放電，產(chǎn)生暗藍(lán)色的暈光，這種特殊的暈光是電極表面電離區(qū)的放電過(guò)程造成的。在外電離因素和電場(chǎng)作用下，產(chǎn)生了激發(fā)、電離、形成大量的電子崩，在此同時(shí)也產(chǎn)生激發(fā)和電離的可逆過(guò)程-復(fù)合，這就是電暈。16、 極不均勻電場(chǎng)中氣隙放電的極性效應(yīng)：以棒板間隙為例，（1）當(dāng)棒極是正極性時(shí)：在電場(chǎng)強(qiáng)度最大的棒極附近首先形成電子崩，電子崩的電子迅速進(jìn)入棒極，留下來(lái)的正空間電荷則消弱棒極附近的電場(chǎng)，從而使電暈起始電壓有所提高。然而正空間電荷卻加強(qiáng)了正離子外部空間的電場(chǎng)，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高，隨著電暈放電區(qū)域的擴(kuò)展，強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域亦將逐漸向板極方向推進(jìn)，一些電子崩形成流注，并向間隙深處迅速發(fā)展。因此，棒板間隙的正極性擊穿電壓較低，而其電暈起始電壓相對(duì)較高。（2）當(dāng)棒極是負(fù)極性時(shí)，電子崩將由棒極表面出發(fā)向外發(fā)展，電子崩中的電子向板極運(yùn)動(dòng)，滯留在棒極附近的正空間電荷雖然加強(qiáng)了棒極表面附近的電場(chǎng)，但卻消弱了外面空間朝向板極方向的電場(chǎng)，使電暈區(qū)不易朝外擴(kuò)展，放點(diǎn)比較困難，因此，棒板間隙的擊穿電壓較高，然而，正空間電荷加強(qiáng)了棒極附近表面附近的電場(chǎng)，所以使棒板間隙的電暈起始電壓相對(duì)較低。17、 解釋a、°、y、n系數(shù)的定義。答：a系數(shù)：它代表一個(gè)電子沿著電場(chǎng)方向行徑1cm長(zhǎng)度，平均發(fā)生的碰撞電離次數(shù)。°系數(shù)：一個(gè)正離子沿著電場(chǎng)方向行徑1cm長(zhǎng)度，平均發(fā)生的碰撞電離次數(shù)。Y系數(shù)：表示折合到每個(gè)碰撞陰極表面的正離子，使陰極金屬平均釋放出的自由電子數(shù)。n系數(shù)：即一個(gè)電子沿電場(chǎng)方向行徑1cm時(shí)平均發(fā)生的電子附著次數(shù)。18、 均勻電場(chǎng)和極不均勻電場(chǎng)氣隙放電特性有何不同？答：在均勻電場(chǎng)中，氣體間隙內(nèi)流注一旦形成，放電達(dá)到自持的程度，氣隙就被擊穿。不均勻電場(chǎng)分稍不均勻和極不均勻，在同樣極間距離時(shí)稍不均勻電場(chǎng)的擊穿電壓比均勻電場(chǎng)的均勻電場(chǎng)氣隙的要低，在極不均勻電場(chǎng)氣隙中自持放電條件即是電暈起始條件，由發(fā)生電暈至擊穿的過(guò)程還必須升高電壓才能完成。19、對(duì)極間距離相同的正極性棒-板、負(fù)極性棒-板、板-板、棒-棒四種電極布局的氣隙直流放電電壓進(jìn)行排序？答：負(fù)極性棒-板最高，其次是棒-棒和板-板，最小的是正極性棒-板。第三章：氣體電介質(zhì)的擊穿特性1、 氣隙在穩(wěn)態(tài)電壓作用下的擊穿電壓也稱為靜態(tài)擊穿電壓Uo。均勻電場(chǎng)氣隙在穩(wěn)態(tài)電壓下?lián)舸┨匦裕簾o(wú)電暈、無(wú)極性效應(yīng)、分散性小、波形影響小，且遵從巴申定律。2、 雷電放電所形成的電壓具有單次脈沖性質(zhì)，通常稱為雷電沖擊電壓。3、 U50%：即50%沖擊擊穿電壓，是指當(dāng)擊穿概率等于50%時(shí)的電壓即稱為氣隙的50%擊穿電壓。4、 伏秒特性：工程上用氣隙擊穿期間出現(xiàn)的沖擊電壓的最大值和放電時(shí)間的關(guān)系來(lái)表征氣隙在沖擊電壓下的擊穿特性，稱為伏秒特性。把這種表示擊穿電壓和放電時(shí)間關(guān)系的“電壓-時(shí)間”曲線稱為伏秒特性曲線。5、 大氣條件對(duì)氣隙擊穿電壓的影響：大氣的壓力、溫度、和濕度都會(huì)影響空氣的密度、電子自由行程、碰撞電離及吸附效應(yīng)。因而應(yīng)對(duì)空氣密度、濕度、海拔高度進(jìn)校校正。6、 提高氣隙擊穿電壓的方法及為什么這些措施能提高氣隙擊穿電壓：（1） 改善電場(chǎng)分布。電場(chǎng)分布越均勻，氣隙的平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)越大。因此通過(guò)改進(jìn)電極形狀或采用屏蔽罩來(lái)增大電極的曲率半徑，對(duì)電極表面進(jìn)行拋光，除去毛刺和尖角等，來(lái)減小氣隙中的最大電場(chǎng)強(qiáng)度，改善電場(chǎng)分布，使之盡可能趨于均勻，從而提高氣隙的電暈起始電壓和擊穿電壓。（2） 采用絕緣屏障。由于氣隙中的電場(chǎng)分布和氣體放電的發(fā)展過(guò)程都與帶電粒子在氣隙中的產(chǎn)生、運(yùn)動(dòng)、分布狀態(tài)密切相關(guān)，所以在氣隙中放置形狀適當(dāng)、位置合適、能有效阻攔帶電粒子運(yùn)動(dòng)的絕緣屏障能有效的提高氣隙的擊穿電壓。（屏障在均勻或稍不均勻電場(chǎng)的場(chǎng)合就難以發(fā)揮作用了）（3） 采用高氣壓。由巴申定規(guī)則知道，提高氣體壓力可以提高氣隙的擊穿電壓。這是因?yàn)闅鈮禾岣吆髿怏w的密度增大，減小了電子的平均自由行程，從而消弱了電離過(guò)程。（4） 采用高抗電強(qiáng)度的氣體。在氣體介質(zhì)中，有一些含有鹵族元素的強(qiáng)電負(fù)性氣體，如SF6，氟利昂（CCL2F2）等，因其具有強(qiáng)烈的吸附效應(yīng)，所以在相同的壓力下具有比空氣高得多的抗電強(qiáng)度，采用這些高抗電強(qiáng)度的氣體來(lái)代替空氣可以大大提高氣體間隙的擊穿電壓。（5） 采用高真空。根據(jù)巴申曲線，采用高度真空可以大大減弱間隙中的碰撞電離過(guò)程而顯著地提高間隙的擊穿電壓。真空間隙的擊穿電壓大致與間隙距離的平方根成正比。7、 電暈放電的基本特點(diǎn)（會(huì)使波衰減及變形）：（1）具有聲、光、熱等效應(yīng)；（2）在尖端或電極的某些突起處，電子和離子在局部強(qiáng)電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下高速運(yùn)動(dòng)并與氣體分子交換能量，形成所謂的“電風(fēng)”，引起電極或?qū)Ь€的振動(dòng)；（3）電暈產(chǎn)生的高頻脈沖電流會(huì)造成對(duì)無(wú)線電的干擾；（4）在空氣中產(chǎn)生臭氧O3及NO或NO2，在其他氣體中也會(huì)產(chǎn)生許多化學(xué)反應(yīng)；（5）電暈的某些效應(yīng)也有可利用的一面。8、 沿面閃絡(luò)：在固體介質(zhì)和空氣的交界面上產(chǎn)生的沿面放電一旦發(fā)展到使整個(gè)極間發(fā)生沿面擊穿時(shí)，即造成沿面閃絡(luò)。固體絕緣實(shí)際耐受電壓的能力并非取決于固體介質(zhì)本身的擊穿電壓，而是取決于它的沿面閃絡(luò)電壓。9、 法蘭套管：（套管法蘭附近電力線最密、電場(chǎng)最強(qiáng)）電暈放電——（許多平行的火花細(xì)線組成的光帶）刷狀放電（仍屬于輝光放電）一一滑閃放電（個(gè)別火花細(xì)線則會(huì)迅速伸長(zhǎng)，轉(zhuǎn)變?yōu)榉植娴臉?shù)枝狀明亮火花通道在不同位置上交替出現(xiàn)）一一沿面閃絡(luò)（電火花伸長(zhǎng)到另一電極）在工頻交流電壓作用下，高壓套管的沿