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CMOS硅晶圓（Silicon單晶生柱狀晶體：直徑75~300mm，長(zhǎng)度1m在晶體生長(zhǎng)時(shí)參切割成硅晶

1015/0.5~0.7mm厚，厚度由物理強(qiáng)度~在硅表面形成二氧化硅（SiO2）用氧化物在硅表面生長(zhǎng)生長(zhǎng)方干法（薄氧100~1000濕法（厚氧生長(zhǎng)的溫度：700~1100兩種擴(kuò)散機(jī)在高溫下進(jìn)參雜的精確在低溫下進(jìn)需要退火處~用氮化氧化金不同的技術(shù)蒸濺化學(xué)刻蝕~去除 選擇性和各向兩種基本的刻蝕~基本單掩模：和版圖數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)，使光刻膠部分區(qū) 光刻。正膠 在紫外光下的區(qū)域?qū)?huì)去除負(fù)膠— 在紫外光下的區(qū)域?qū)?huì)去除形成圖形的材料：如二氧化方式：接觸式、接近式、投影式（掃描和步進(jìn)光源：UV步驟涂膠→預(yù)烘 （光刻版）→顯影→堅(jiān)膜→刻蝕→去膠N阱CMOS閾值電壓“自對(duì)準(zhǔn)”LDD輕參雜N阱CMOSP

PPnN阱CMOSN型場(chǎng)注PnPnPnN阱CMOSnP

nPN阱CMOSPPn

nS/DFFnPnN阱CMOS

nS/DLDDFnPnLDD擴(kuò)LDD擴(kuò)Pn形成n溝道LDD晶體管和p溝道LDD晶體N阱CMOS

nPnCVD氧CVD氧PnN阱CMOSPolysideSilicide減小電阻率：TiSi2、WSi2、N阱CMOSN阱CMOSnnPWWLN 最小寬度最小間距最小間距最小包圍最小延展 限制和柵極相連的大每一個(gè)電阻層的矩形RLRR L

，W=20um，L=2R=(20/2)×10=100N擴(kuò)散電阻P+擴(kuò)散電阻N阱夾斷多晶-擴(kuò)散多晶

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