數(shù)字式溫度傳感器DS18B20課件

DS18B20簡介DS18B20是美國DALLAS公司生產(chǎn)的單線數(shù)字溫度傳感器，具有如下特點：1、一線制器件——獨特的接口，使分布式溫度檢測得以簡化。2、每片DS18B20都有唯一的產(chǎn)品號（64位）3、溫度測量范圍為－55?C～＋125?C。4、可達12位的數(shù)字值，分辨率為0.0625?C5、用戶可定義的，非易失性的溫度告警設置DS18B20簡介DS18B20是美國DALLAS公司生產(chǎn)的1引腳排列具有兩種封裝形式：引腳說明：GND地DQ數(shù)字輸入輸出VDD可選的VDDNC空引腳DNC不連接引腳排列具有兩種封裝形式：2DS18B20的三個主要數(shù)據(jù)部件1、64位激光（lasered）ROM2、溫度靈敏元件3、非易失性溫度告警觸發(fā)器TH和TLDS18B20的三個主要數(shù)據(jù)部件1、64位激光（lasere3關于寄生電容當I/O或VDD引腳為高電平時，這個電路取得電源。只要符合指定的定時和電壓要求，I/O將提供足夠的功率。寄生電源的優(yōu)點是雙重的：1）利用此引腳，遠程溫度檢測無需本地電源2）缺少正常電源條件下也可以讀ROM關于寄生電容當I/O或VDD引腳為高電平時，這個電路取得電源464位激光ROM每一個DS18B20包括一個唯一的64位長的ROM編碼。開始的8位是單線產(chǎn)品系列編碼（10H）。接著的48位是唯一的系列號。最后的8位是開始56位的CRC編碼64位激光ROM每一個DS18B20包括一個唯一的64位長的5DS18B20的兩種硬件接口方式方法1——使用VDD提供溫度變換所需電流優(yōu)點：I/O線上不需要強上拉，接一4.7K的電阻即可DS18B20的兩種硬件接口方式方法1——使用VDD提供溫度6DS18B20的兩種硬件接口方式方法2——VDD接地，I/O口線提供轉(zhuǎn)換電流特點：在溫度轉(zhuǎn)換期間要提供強上拉（strongpullup）原因：工作電流高達1mA，5K的上拉電阻不足以提供，特別在多個DS18B20企圖同時變換時，該矛盾將變得更加尖銳。DS18B20的兩種硬件接口方式方法2——VDD接地，I/O7 DS18B20的軟件編程步驟初始化ROM操作命令存儲器操作命令處理數(shù)據(jù) DS18B20的軟件編程步驟初始化8第一步：初始化單線總線上的所有處理均從初始化序列開始。初始化序列包括總線主機發(fā)出一復位脈沖，接著由從器件送出存在脈沖。第一步：初始化單線總線上的所有處理均從初始化序列開始。初始化9第二步：ROM操作命令讀ROM（33H）——讀DS18B20的序列號。匹配ROM（55H）——繼讀完64位序列號的一個命令，用于多個DS18B20時定位。跳過ROM（CCH）——此命令執(zhí)行后的存儲器操作將針對在線的所有DS18B20。搜ROM（F0H）——識別總線上各器件的編碼，為操作各器件做好準備報警搜索（ECH）——僅溫度越限的器件對此命令作出響應第二步：ROM操作命令讀ROM（33H）——讀DS18B2010第三步：存儲器操作命令溫度轉(zhuǎn)換(44H)：啟動在線DS18B20作溫度A/D轉(zhuǎn)換。讀數(shù)據(jù)(BEH)：從暫存器讀12位溫度值和CRC值。寫數(shù)據(jù)（4EH）：將數(shù)據(jù)寫入暫存器的第2和第3字節(jié)復制（48H）：將暫存器的第3和第4字節(jié)復制到EERAM中。讀EERAM（B8H）：將EERAM內(nèi)容寫入暫存器的第2和第3字節(jié)。讀電源供電方式（B4H）：了解DS18B20的供電方式。第三步：存儲器操作命令溫度轉(zhuǎn)換(44H)：啟動在線DS18B11存儲器結(jié)構(gòu)存儲器由一個便簽式暫存RAM和一個非易失性、電可擦除EERAM組成，見右圖。存儲器結(jié)構(gòu)存儲器由一個便簽式暫存RAM和一個非易失性、電可擦12關于CONFIG存儲器的說明實際上，DS18B20的精度可以設定，9~12位，是由CONFIG存儲器來決定的。定義如下：0R1R011111關于CONFIG存儲器的說明實際上，DS18B20的精度可以13溫度數(shù)據(jù)與溫度的關系溫度數(shù)據(jù)與溫度的關系14第四步：處理數(shù)據(jù)讀出的數(shù)據(jù)為16進制，可以根據(jù)自己程序中需要進行處理，例如格式轉(zhuǎn)換、存儲、顯示、運算等等。第四步：處理數(shù)據(jù)讀出的數(shù)據(jù)為16進制，可以根據(jù)自己程序中15例程－硬件和軟件流程例程－硬件和軟件流程16DS18B20簡介DS18B20是美國DALLAS公司生產(chǎn)的單線數(shù)字溫度傳感器，具有如下特點：1、一線制器件——獨特的接口，使分布式溫度檢測得以簡化。2、每片DS18B20都有唯一的產(chǎn)品號（64位）3、溫度測量范圍為－55?C～＋125?C。4、可達12位的數(shù)字值，分辨率為0.0625?C5、用戶可定義的，非易失性的溫度告警設置DS18B20簡介DS18B20是美國DALLAS公司生產(chǎn)的17引腳排列具有兩種封裝形式：引腳說明：GND地DQ數(shù)字輸入輸出VDD可選的VDDNC空引腳DNC不連接引腳排列具有兩種封裝形式：18DS18B20的三個主要數(shù)據(jù)部件1、64位激光（lasered）ROM2、溫度靈敏元件3、非易失性溫度告警觸發(fā)器TH和TLDS18B20的三個主要數(shù)據(jù)部件1、64位激光（lasere19關于寄生電容當I/O或VDD引腳為高電平時，這個電路取得電源。只要符合指定的定時和電壓要求，I/O將提供足夠的功率。寄生電源的優(yōu)點是雙重的：1）利用此引腳，遠程溫度檢測無需本地電源2）缺少正常電源條件下也可以讀ROM關于寄生電容當I/O或VDD引腳為高電平時，這個電路取得電源2064位激光ROM每一個DS18B20包括一個唯一的64位長的ROM編碼。開始的8位是單線產(chǎn)品系列編碼（10H）。接著的48位是唯一的系列號。最后的8位是開始56位的CRC編碼64位激光ROM每一個DS18B20包括一個唯一的64位長的21DS18B20的兩種硬件接口方式方法1——使用VDD提供溫度變換所需電流優(yōu)點：I/O線上不需要強上拉，接一4.7K的電阻即可DS18B20的兩種硬件接口方式方法1——使用VDD提供溫度22DS18B20的兩種硬件接口方式方法2——VDD接地，I/O口線提供轉(zhuǎn)換電流特點：在溫度轉(zhuǎn)換期間要提供強上拉（strongpullup）原因：工作電流高達1mA，5K的上拉電阻不足以提供，特別在多個DS18B20企圖同時變換時，該矛盾將變得更加尖銳。DS18B20的兩種硬件接口方式方法2——VDD接地，I/O23 DS18B20的軟件編程步驟初始化ROM操作命令存儲器操作命令處理數(shù)據(jù) DS18B20的軟件編程步驟初始化24第一步：初始化單線總線上的所有處理均從初始化序列開始。初始化序列包括總線主機發(fā)出一復位脈沖，接著由從器件送出存在脈沖。第一步：初始化單線總線上的所有處理均從初始化序列開始。初始化25第二步：ROM操作命令讀ROM（33H）——讀DS18B20的序列號。匹配ROM（55H）——繼讀完64位序列號的一個命令，用于多個DS18B20時定位。跳過ROM（CCH）——此命令執(zhí)行后的存儲器操作將針對在線的所有DS18B20。搜ROM（F0H）——識別總線上各器件的編碼，為操作各器件做好準備報警搜索（ECH）——僅溫度越限的器件對此命令作出響應第二步：ROM操作命令讀ROM（33H）——讀DS18B2026第三步：存儲器操作命令溫度轉(zhuǎn)換(44H)：啟動在線DS18B20作溫度A/D轉(zhuǎn)換。讀數(shù)據(jù)(BEH)：從暫存器讀12位溫度值和CRC值。寫數(shù)據(jù)（4EH）：將數(shù)據(jù)寫入暫存器的第2和第3字節(jié)復制（48H）：將暫存器的第3和第4字節(jié)復制到EERAM中。讀EERAM（B8H）：將EERAM內(nèi)容寫入暫存器的第2和第3字節(jié)。讀電源供電方式（B4H）：了解DS18B20的供電方式。第三步：存儲器操作命令溫度轉(zhuǎn)換(44H)：啟動在線DS18B27存儲器結(jié)構(gòu)存儲器由一個便簽式暫存RAM和一個非易失性、電可擦除EERAM組成，見右圖。存儲器結(jié)構(gòu)存儲器由一個便簽式暫存RAM和一個非易失性、電可擦28關于CONFIG存儲器的說明實際上，DS18B20的精度可以設定，9~12位，是由CONFIG存儲器來決定