DDR3存儲(chǔ)器行業(yè)深度報(bào)告

DDR3存儲(chǔ)器行業(yè)深度報(bào)告1、利基DRAM主要產(chǎn)品，全球市場(chǎng)超70億美金1.1DDR3隸屬利基DRAM，十五年發(fā)展歷經(jīng)輝煌與沒(méi)落存儲(chǔ)是半導(dǎo)體第二大細(xì)分品類，周期波動(dòng)性最強(qiáng)，歷史成長(zhǎng)性最好。1）市場(chǎng)規(guī)模：2021/2020/2019年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模為1534/1175/1064億美金，占半導(dǎo)體規(guī)模的比例為28%/27%/26%，是全球第二大細(xì)分品類。2）周期波動(dòng)：存儲(chǔ)的周期性與全球半導(dǎo)體整體周期性走勢(shì)一致，但波動(dòng)性遠(yuǎn)大于其他細(xì)分品類。3）成長(zhǎng)性：2002-2021年、2011-2021年、2016-2021年存儲(chǔ)CAGR分別為9.5%、9.7%、14.9%，均為半導(dǎo)體成長(zhǎng)性最優(yōu)細(xì)分產(chǎn)品，且近5年增速顯著高于近十年和近二十年增速，成長(zhǎng)性顯著提升。DRAM是存儲(chǔ)器第一大市場(chǎng)，周期波動(dòng)性最強(qiáng)，歷史成長(zhǎng)性最優(yōu)。1）市場(chǎng)規(guī)模：2021/2020/2019年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模為930/643/625億美金，占存儲(chǔ)的比例為61%/55%/59%，是存儲(chǔ)第一大細(xì)分品類。2）周期波動(dòng)：DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM周期波動(dòng)性大于存儲(chǔ)平均水平，是存儲(chǔ)細(xì)分市場(chǎng)中周期性波動(dòng)最大細(xì)分市場(chǎng)。3）成長(zhǎng)性：從2009-21年、2011-21年、2016-21年存儲(chǔ)器各細(xì)分品類CAGR看，DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM成長(zhǎng)性大于存儲(chǔ)平均水平，且近5年增速顯著高于近十年增速，成長(zhǎng)性顯著提升。DRAM屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是易失性存儲(chǔ)器的一種，主要用于電子設(shè)備的內(nèi)存。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器，非易失性存儲(chǔ)器在斷電時(shí)仍然可以保存數(shù)據(jù)，包括NANDFlash、NORFlash等，易失性存儲(chǔ)器在斷電狀態(tài)下數(shù)據(jù)會(huì)丟失，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）。在易失性存儲(chǔ)器中，DRAM和SRAM的應(yīng)用場(chǎng)景各有不同。SRAM的讀寫速度在所有的存儲(chǔ)器中最快，但同時(shí)制造成本高，常用于對(duì)容量要求較小的高速緩沖存儲(chǔ)器，如CPU的一級(jí)、二級(jí)緩存等。DRAM利用電容儲(chǔ)存電荷的多少存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，需要定時(shí)刷新電路克服電容的漏電問(wèn)題，讀寫速度比SRAM慢，但快于所有的只讀存儲(chǔ)器（ROM），且集成度高、功耗低、體積小，制造成本低，常用于容量較大的主存儲(chǔ)器，如計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、服務(wù)器的內(nèi)存等。除半導(dǎo)體存儲(chǔ)器外，按照存儲(chǔ)介質(zhì)的不同，存儲(chǔ)器還包括光學(xué)存儲(chǔ)器和磁性存儲(chǔ)器。光學(xué)存儲(chǔ)器根據(jù)激光等特性進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，常見的有DVD、CD等，磁性存儲(chǔ)器利用磁性特征進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，常見的有磁盤、軟盤等。同步DRAM速度更快，替代異步DRAM。按照RAM和CPU是否同頻，DRAM可分為同步DRAM（SynchronousDRAM，簡(jiǎn)稱SDRAM）和異步DRAM

（AsynchronousDRAM）。在異步DRAM中，CPU與RAM之間沒(méi)有公共的時(shí)鐘信號(hào)，當(dāng)RAM不能及時(shí)提供數(shù)據(jù)時(shí)，CPU需等待內(nèi)存數(shù)據(jù)，這嚴(yán)重影響性能。為解決該問(wèn)題，同步DRAM應(yīng)運(yùn)而生，在RAM中加入時(shí)鐘輸入引腳，使得CPU與RAM之間有公共的時(shí)鐘信號(hào)、實(shí)現(xiàn)同步，此時(shí)CPU無(wú)需等待數(shù)據(jù)，讀寫速度加快、數(shù)據(jù)的傳輸效率大幅提升。異步DRAM通常適用于低速存儲(chǔ)系統(tǒng)，但不適用于現(xiàn)代高速存儲(chǔ)系統(tǒng)，在1996-2002年期間，同步DRAM逐步取代了異步DRAM，逐步占領(lǐng)了內(nèi)存市場(chǎng)。同步DRAM不斷迭代，新DDR逐步替換老DDR是行業(yè)規(guī)律。根據(jù)時(shí)鐘邊沿讀取數(shù)據(jù)，同步DRAM分為SDR（SingleDataRate）和DDR(DoubleDataRate)技術(shù)，在2003年之后，SDRSDRAM（有時(shí)也簡(jiǎn)稱為SDRAM）逐漸被存取速度更快的DDRSDRAM取代。DDRSDRAM已經(jīng)發(fā)展至第五代，分別是：第一代DDRSDRAM，第二代DDR2SDRAM，第三代DDR3SDRAM，第四代DDR4SDRAM，第五代DDR5SDRAM。每一次迭代，基本都能實(shí)現(xiàn)芯片性能翻倍，當(dāng)新一代性能更好的DDR出現(xiàn)時(shí)，老一代DDR會(huì)逐漸被替代。代數(shù)越高，功耗越低，傳輸速率和理論容量越高，每一代較前一代性能翻倍。相較1997年發(fā)布的SDRSDRAM，后面每一代DDRSDRAM在功耗、容量和傳輸速率上都不斷改進(jìn)，順應(yīng)電子設(shè)備大容量、省電、低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。其中，容量提升是來(lái)自芯片集成度的提高，傳輸速率的提升主要是來(lái)自預(yù)取倍數(shù)的增加。1）功耗方面，從SDR支持的3.3V降低到DDR5的1.1V，功耗降低67%。2）容量方面，隨著芯片制程的縮小，存儲(chǔ)器的集成度提高，DDR5單顆密度將從8GB起步，理論密度最高可達(dá)64GB，是SDR單顆容量的8倍不止。3）傳輸速率方面，通過(guò)增加預(yù)取倍數(shù)、BankGroup、DDR等技術(shù)，DDR5可以輕松實(shí)現(xiàn)4266MT/s的高運(yùn)行速率，最高運(yùn)行速率可達(dá)6400MT/s，是SDR的40倍。技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑：內(nèi)部時(shí)鐘頻率提升不大，每一代主要通過(guò)翻倍預(yù)取來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸速度的提升。DDR中有兩個(gè)時(shí)鐘頻率，一個(gè)是內(nèi)部時(shí)鐘頻率（也稱為核心頻率），是內(nèi)存收到指令到將數(shù)據(jù)的傳輸?shù)絀/O接口上所需要的反應(yīng)速度，這主要由存儲(chǔ)單元內(nèi)部的電容、晶體管、放大器等微觀結(jié)構(gòu)決定，提升難度大，所以從SDR到DDR5，內(nèi)部時(shí)鐘頻率雖有提升但提升幅度不大；另一個(gè)是外部時(shí)鐘頻率（也稱為I/O時(shí)鐘頻率），外部時(shí)鐘頻率在核心時(shí)鐘頻率的基礎(chǔ)上，通過(guò)翻倍預(yù)取提高速度。1）SDRSDRAM：在一個(gè)時(shí)鐘周期里只在上升沿傳輸數(shù)據(jù)，所以SDR也叫SingleDataRateSDRAM，此時(shí)數(shù)據(jù)的傳輸速率的提升主要是靠提升內(nèi)部時(shí)鐘頻率。2）DDR1SDRAM：內(nèi)部時(shí)鐘頻率提升難度大,因此通過(guò)在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿各輸出一次數(shù)據(jù)，相當(dāng)于在一個(gè)時(shí)鐘周期需要預(yù)取2倍數(shù)據(jù)，即每當(dāng)讀取一筆數(shù)據(jù)的時(shí)候，都會(huì)一共讀取2筆的數(shù)據(jù)。因此在內(nèi)部時(shí)鐘頻率不變的情況下，DDR1的數(shù)據(jù)的傳輸速率實(shí)現(xiàn)翻倍。3）DDR2SDRAM：預(yù)取4倍數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)的傳輸速率達(dá)到內(nèi)部時(shí)鐘頻率的4倍，較DDR1提升2倍。4）DDR3SDRAM：預(yù)取8倍數(shù)據(jù)，此時(shí)數(shù)據(jù)的傳輸速率達(dá)到內(nèi)部時(shí)鐘頻率的8倍，較DDR2提升2倍。5）DDR4SDRAM：標(biāo)準(zhǔn)型DDR的總線位寬是64bit，若進(jìn)行16倍預(yù)取，總共有128Byte的數(shù)據(jù)，超過(guò)了目前主流處理器的Cachelinesize（用于處理器緩存的基本數(shù)據(jù)單元）64Byte的數(shù)據(jù)通道，由于Cacheline的限制，DDR4沒(méi)有將預(yù)取加倍，而是使用BankGroup技術(shù)，通過(guò)兩個(gè)不同BankGroup的8倍預(yù)取來(lái)拼湊出一個(gè)16倍的預(yù)取，當(dāng)DRAM獲得了兩筆數(shù)據(jù)的讀命令，并且這兩筆數(shù)據(jù)的內(nèi)容分布在不同的BankGroup中時(shí)，由于每個(gè)BankGroup可以獨(dú)立完成讀取操作，兩個(gè)BankGroup幾乎可以同時(shí)準(zhǔn)備好這兩筆8倍數(shù)據(jù)。然后這兩筆8倍數(shù)據(jù)被拼接成16倍的數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)的傳輸速度達(dá)到內(nèi)部時(shí)鐘頻率的16倍，較DDR3提升2倍。6）DDR5SDRAM：在BankGroup技術(shù)的基礎(chǔ)上，使用通道拆分技術(shù)增加預(yù)取倍數(shù)，將64位的總線分成2個(gè)獨(dú)立的32位通道，此時(shí)每個(gè)通道都只提供32bit數(shù)據(jù)，將預(yù)取增加到16倍，仍然保證了Cacheline的大小還是64Byte。通道拆分帶來(lái)的16倍預(yù)取，疊加BankGroup增加的2倍，數(shù)據(jù)的傳輸速率達(dá)到內(nèi)部時(shí)鐘頻率的32倍，較DDR4又提升2倍。按照應(yīng)用場(chǎng)景，DRAM分成標(biāo)準(zhǔn)DDR、LPDDR、GDDR三類。JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)）定義并開發(fā)了以下三類SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，以幫助設(shè)計(jì)人員滿足其目標(biāo)應(yīng)用的功率、性能和尺寸要求。1）標(biāo)準(zhǔn)型DDR：DoubleDataRateSDRAM，針對(duì)服務(wù)器、云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和消費(fèi)類應(yīng)用程序，允許更寬的通道寬度、更高的密度和不同的外形尺寸。2）LPDDR：LowPowerDoubleDataRateSDRAM，針對(duì)尺寸和功率非常敏感的移動(dòng)和汽車領(lǐng)域，有低功耗的特點(diǎn)，提供更窄的通道寬度。3）GDDR：GraphicsDoubleDataRateSDRAM，適用于具有高帶寬需求的計(jì)算領(lǐng)域，例如圖形相關(guān)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和AI等，與GPU配套使用。另外，DRAM按照市場(chǎng)流行程度可分為主流DRAM和利基型DRAM。DDR3是利基產(chǎn)品，目前主流是DDR4，DDR5跑馬進(jìn)場(chǎng)。產(chǎn)品不斷迭代，按照市場(chǎng)流行程度可分為主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品，利基產(chǎn)品一般是從主流規(guī)格中退役的產(chǎn)品。目前市場(chǎng)主流DRAM是容量8GB+的DDR4/DDR5，容量在4GB及以下的DDR4、DDR3等現(xiàn)階段屬于利基DRAM。DDR3主要應(yīng)用于液晶電視、數(shù)字機(jī)頂盒、播放機(jī)等消費(fèi)型電子與網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng)域，需求較為穩(wěn)定，很多都是客制化晶片，不屬于大眾規(guī)格產(chǎn)品，價(jià)格主要受供給影響。1.2全球市場(chǎng)超70億美金，市場(chǎng)萎縮但生命力持久DDR3市場(chǎng)規(guī)模超70億美金，市場(chǎng)逐漸萎縮，但生命力持久、中短期仍占據(jù)一定行業(yè)地位。1）市場(chǎng)規(guī)模：自2007年JEDEC發(fā)布DDR3標(biāo)準(zhǔn)至今，DDR3（包括標(biāo)準(zhǔn)DDR3、LPDDR3）已發(fā)展15年，2020年在DRAM市場(chǎng)占比20%，預(yù)計(jì)2021年占比8%，2022年有望維持8%的占比。預(yù)計(jì)2021年、2022年市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到74億美金、75億美金。2）市場(chǎng)逐漸萎縮：2020年DDR4/DDR4+占比超過(guò)80%，目前處于DDR4替代DDR3的切換期。DDR3市場(chǎng)在逐漸萎縮，其市場(chǎng)規(guī)模在2014年達(dá)到最大值394億美金，到2020年縮小到129億美金，市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率為-20%。3）被替代速度放緩，中短期仍占據(jù)一定行業(yè)地位。從DDR3標(biāo)準(zhǔn)的推出，到2010年DDR3市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)DDR2，歷經(jīng)三年時(shí)間；從2012年JEDEC推出DDR4標(biāo)準(zhǔn)，到2018年DDR4市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)DDR3，耗時(shí)6年。DDR3被DDR4完全替代的速度相對(duì)放緩。我們認(rèn)為原因有二：①主流DDR3時(shí)代導(dǎo)入的產(chǎn)品量遠(yuǎn)大于主流DDR2時(shí)導(dǎo)入的產(chǎn)品量，僅從全球PC年出貨量看，根據(jù)IDC的數(shù)據(jù)，2007年（DDR3新發(fā)布，DDR2是主流）出貨2.7億臺(tái)，2014年（DDR4發(fā)布，DD3是主流）出貨3.5億臺(tái)，增長(zhǎng)近30%，因?yàn)楦鞔鶧DR之間不兼容，如果升級(jí)DDR，需要將CPU、主板等一并更換，替換成本高，替換成DDR4的動(dòng)力減弱。②DDR3目前主要需求落在大量的低容量低端消費(fèi)電子領(lǐng)域。該領(lǐng)域產(chǎn)品不追求高性能，短時(shí)間內(nèi)無(wú)升級(jí)需求，如WiFi路由器、家電等消費(fèi)性電子產(chǎn)品的首選仍是DDR3，另外在汽車、工業(yè)領(lǐng)域，DDR3也有其較為穩(wěn)定的市場(chǎng)，同時(shí)從DDR3切換到DDR4仰賴主控芯片廠的芯片迭代、終端市場(chǎng)的共同推進(jìn)。DDR3的需求是來(lái)自于技術(shù)迭代過(guò)程中的滯后性，硬件迭代速度慢，我們預(yù)計(jì)這種滯后性在中短期內(nèi)仍將存在。2、中國(guó)臺(tái)灣占據(jù)半壁江山，長(zhǎng)尾市場(chǎng)較為穩(wěn)定2.1主流以韓美為主力，利基市場(chǎng)臺(tái)系占據(jù)半壁江山DRAM：全球三大原廠寡頭壟斷，競(jìng)爭(zhēng)格局穩(wěn)定，大陸還看長(zhǎng)鑫。1）三足鼎立：DRAM競(jìng)爭(zhēng)格局歷經(jīng)洗牌，現(xiàn)階段韓國(guó)三星、韓國(guó)海力士、美國(guó)美光三大寡頭壟斷市場(chǎng)，呈現(xiàn)“三足鼎立”之勢(shì)。2）格局穩(wěn)定：2021年三星、海力士、美光市占率依次為43%、28%、23%，合計(jì)占比超90%，自2013年美光收購(gòu)爾必達(dá)后，三大廠商市場(chǎng)率合計(jì)始終位于90%以上，2019年達(dá)到99%，2020-2021年因大陸廠商擴(kuò)產(chǎn)等，三大原廠合計(jì)市占率略微下降到94%。DRAM：大陸第二大市場(chǎng)但自給率極低，長(zhǎng)鑫引領(lǐng)發(fā)展。1）第二大市場(chǎng)：根據(jù)2019年數(shù)據(jù)，中國(guó)是全球第二大DRAM市場(chǎng)，占據(jù)34%的市場(chǎng)，僅次于美國(guó)的39%。2）自給率極低：長(zhǎng)鑫量產(chǎn)前，本土自給率幾乎為0。3）長(zhǎng)鑫引領(lǐng)大陸DRAM發(fā)展：長(zhǎng)鑫是大陸首家DRAMIDM廠商，2016年在合肥成立，規(guī)劃三期，產(chǎn)能共36萬(wàn)片/月。2019年19nm8GbDDR4投產(chǎn)，2022年預(yù)計(jì)將試產(chǎn)17nm。從制程發(fā)展看，長(zhǎng)鑫較三大原廠及南亞仍落后，但已超過(guò)華邦。DDR3：海外+臺(tái)系CR4高達(dá)90%，大陸廠商占比亟待提高。1）三大原廠+中國(guó)臺(tái)灣廠商：根據(jù)我們的測(cè)算，三星在DRAM市場(chǎng)、細(xì)分DDR3市場(chǎng)都是絕對(duì)龍頭，在DRAM、DDR3市場(chǎng)份額分別達(dá)43%、40%，美光在DRAM、細(xì)分DDR3市場(chǎng)也是行業(yè)領(lǐng)先者，市場(chǎng)份額分別達(dá)23%、22%，海力士在DRAM、細(xì)分DDR3占比分別為28%、4%，因其逐漸退出DDR3市場(chǎng)，預(yù)計(jì)其在DDR3市場(chǎng)占比持續(xù)萎縮，中國(guó)臺(tái)灣廠商南亞、華邦在DRAM市場(chǎng)份額較小但發(fā)力利基市場(chǎng)，南亞在DDR3市場(chǎng)份額達(dá)22%，華邦在DDR3市占份額達(dá)5%。2）大陸廠商：IDM廠商長(zhǎng)鑫發(fā)布多種DRAM產(chǎn)品，兆易創(chuàng)新

2021年量產(chǎn)19nm4GbDDR4,目前17nm4GbDDR3在研，北京君正(ISSI)營(yíng)業(yè)收入主要是DDR3，東芯股份目前DRAM產(chǎn)品包括LPDDPR1、LPDDR2、DDR3。DDR3：韓系龍頭逐漸退出，臺(tái)系廠商產(chǎn)能未就位，DDR3格局優(yōu)化。三星是DDR3第一大供應(yīng)商，另外占據(jù)主要份額的有海力士、美光、華邦、力晶、南亞。根據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體消息，三星、海力士減產(chǎn)DDR3，計(jì)劃將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至CIS或者DDR4、DDR5，三星下半年將完全停止2GbDDR3供貨，2Gb以下低容量DDR3亦陸續(xù)進(jìn)入EOL停產(chǎn)cft階段（注：三星已對(duì)客戶發(fā)出產(chǎn)品變更通知（PCN），4/28結(jié)束2GbDDR3生產(chǎn)周期，4/29是最后下單（LastTimeBuy）截止日，6/30是最后出貨日期）。根據(jù)集邦咨詢的消息，美光的DDR3到2026年都暫無(wú)結(jié)束產(chǎn)品周期的規(guī)劃，但是DDR3產(chǎn)能預(yù)計(jì)轉(zhuǎn)移至以生產(chǎn)利基產(chǎn)品為主的美國(guó)廠，但美國(guó)廠同時(shí)生產(chǎn)車用、消費(fèi)類等產(chǎn)品，在車用存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)的情況下，產(chǎn)能可能向毛利更高的車規(guī)產(chǎn)品傾斜，壓縮消費(fèi)類產(chǎn)品的供給。中國(guó)臺(tái)灣廠商南亞、華邦等雖有產(chǎn)能擴(kuò)增計(jì)劃，不過(guò)實(shí)際貢獻(xiàn)要等到2023-2024年。料號(hào)數(shù)量：三大原廠DDR4料號(hào)數(shù)量遙遙領(lǐng)先，中國(guó)臺(tái)灣廠商利基產(chǎn)品料號(hào)數(shù)量矚目，大陸仍有差距。我們統(tǒng)計(jì)8家廠商官網(wǎng)列示的1000余款DRAM芯片（截至2022/5），并根據(jù)DRAM代際和容量進(jìn)行分類，具體來(lái)看：1）三大原廠：三大原廠均已實(shí)現(xiàn)DDR4迭代，4G-32G容量全線鋪齊。其中，三星作為DDR3第一大供應(yīng)商，DDR3料號(hào)數(shù)量可觀，占比61%；海力士目前重心在DDR4，DDR4料號(hào)占比69%，DDR3目前有4G的大容量產(chǎn)品；美光料號(hào)分布廣泛，DDR-DDR4全覆蓋，DDR3、DRR4料號(hào)數(shù)量分別占比38%、40%，占比均衡。近年來(lái)，三巨頭也在探索DDR5，如2020年10月宣布SK海力士在2020年10月宣布推出全球首款DDR5DRAM。2）臺(tái)系廠商：南亞除覆蓋DDR-DDR3產(chǎn)品外，目前在進(jìn)行DDR4初步迭代，已量產(chǎn)4G、8G產(chǎn)品，而華邦繼續(xù)專注DDR-DDR3市場(chǎng)；從不同代際DRAM的料號(hào)占比看，目前中國(guó)臺(tái)灣廠商仍主力DDR3，DDR3料號(hào)占比分別達(dá)到63%、69%。3）大陸廠商：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)專注DDR4，F(xiàn)abless廠商如

兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份均主要發(fā)力DDR3和小容量DDR4，但從料號(hào)數(shù)量看與中國(guó)臺(tái)灣廠商仍有差距。其中，北京君正因收購(gòu)ISSI獲得比較全面的利基DRAM產(chǎn)品陣列，目前DDR、DDR2、DDR3、小容量DDR4全覆蓋，目前主力是DDR3，料號(hào)占比44%；兆易創(chuàng)新2021年推出18款4GDDR4，今年預(yù)計(jì)量產(chǎn)2G、4GDDR3產(chǎn)品；東芯股份的DDR3覆蓋1G、2G、4G，共計(jì)10款產(chǎn)品。2.2主流以手機(jī)+PC+服務(wù)器三大市場(chǎng)為主，利基偏重長(zhǎng)尾市場(chǎng)DRAM可分為模組和芯片，模組是將DRAM芯片（Die）組合在一起，容量更大，在電腦、服務(wù)器上主要是模組（也稱為內(nèi)存條），DRAM芯片主要與主控芯片配套使用，應(yīng)用在消費(fèi)等容量要求較低的領(lǐng)域。智能手機(jī)+服務(wù)器+PC三大驅(qū)動(dòng)力，大容量趨勢(shì)明確。目前手機(jī)占比39%，是第一大市場(chǎng)，服務(wù)器占比34%，是第二大市場(chǎng)，PC占比13%，萎縮明顯。目前電子產(chǎn)品的容量需求提升，大容量DRAM市占份額逐漸提升，根據(jù)IHS數(shù)據(jù)，2019年容量>4Gb的DRAM占比87%。消費(fèi)電子是DDR3第一大應(yīng)用，其次是工業(yè)和汽車。根據(jù)我們的測(cè)算，消費(fèi)電子占DDR3的79%，是第一大應(yīng)用，工業(yè)占比12%，汽車占比9%。DDR3在應(yīng)用中需匹配主控芯片需求。模組主要是用于PC和服務(wù)器，目前主要是DDR4、DDR5模組，DDR3主要是與主控芯片（如MCU、MPU、Soc）配套使用，滿足主控芯片的存儲(chǔ)需求，如NXP的用于儀表盤的i.MX6S系列MCU在外部配置了2顆DRAM，1顆LPDDR2和1顆DDR3。在TI、高通、瑞薩、Mobileye、安霸、NXP的主控芯片中都有配置DDR3，NXP在MCU等主控芯片領(lǐng)域是領(lǐng)先者，我們?cè)敿?xì)梳理了NXP官網(wǎng)的8175款配有DDR3的主控芯片的下游應(yīng)用情況（截至2022/4），以期對(duì)DDR3的下游應(yīng)用有更為具體的感知。1）消費(fèi)電子及通訊基礎(chǔ)設(shè)施：配有DDR3的主控芯片4702款，占配置DDR3的主控芯片總量的的58%。DDR3在消費(fèi)電子中應(yīng)用于智能家居、智慧城市、可穿戴產(chǎn)品，配置了DDR3的NXP主控芯片的料號(hào)數(shù)達(dá)2702個(gè)，占總量的25%，一般配置1-2顆DDR3，在細(xì)分市場(chǎng)如家用電器、家庭控制與安全、家庭娛樂(lè)、移動(dòng)設(shè)備（如腕帶、智能手表）中應(yīng)用廣泛；該應(yīng)用領(lǐng)域?qū)π阅芤蟛桓撸瑫r(shí)更新迭代速度慢。DDR3在通訊基礎(chǔ)設(shè)施中也有廣泛應(yīng)用，如在無(wú)線基礎(chǔ)架構(gòu)中，配置了DDR3的NXP主控芯片的料號(hào)數(shù)達(dá)2018個(gè)，占總量的33%。2）工業(yè)控制領(lǐng)域：DDR3應(yīng)用于航空航天于機(jī)器人、工業(yè)自動(dòng)化、電力能源、醫(yī)療健康等領(lǐng)域，配置了DDR3的NXP主控芯片數(shù)量達(dá)1869個(gè)，占配置DDR3的主控芯片總量的的23%，一般配置1-2顆DDR3；該應(yīng)用領(lǐng)域?qū)煽啃?、穩(wěn)定性的要求高于對(duì)速度、容量的要求，所以大量使用發(fā)展多年、成熟的DDR3。3）汽車電子：DDR3在汽車中應(yīng)用于ADAS、車載娛樂(lè)、汽車鏈接等領(lǐng)域，其中ADAS含前視攝像頭、環(huán)視、傳感器融合等應(yīng)用場(chǎng)景，車載娛樂(lè)包括儀表盤、聯(lián)網(wǎng)廣播等應(yīng)用，配置了DDR3的NXP主控芯片數(shù)量達(dá)1586個(gè)，占配置DDR3的主控芯片總量的的19%，一般配置1-2顆DDR3。雖然在汽車智能化趨勢(shì)下，有車廠切換到性能更好的DDR4，但很多傳統(tǒng)燃油車車廠在車載影音、儀表盤中仍大量使用DDR3，因?yàn)檐噺S對(duì)穩(wěn)定性要求更高，切換速度慢。2.3價(jià)格：DDR3結(jié)構(gòu)優(yōu)化，與DDR4價(jià)格倒掛下游景氣下行，5月合約價(jià)全線下跌。1）主流DRAM：

5月主流DRAM合約價(jià)持續(xù)下跌，DDR4、DDR5下跌程度不同，其中DDR4基本平穩(wěn)，環(huán)比跌幅1%-2%，DDR5的芯片和模組跌幅較大，環(huán)比跌幅近10%。2）利基DRAM：利基DDR4、DDR3、DDR2合約價(jià)環(huán)比跌幅0-3%，整體較為平穩(wěn)。截至2022年5月31日，現(xiàn)貨價(jià)依然全線下跌。1）主流DRAM：近一個(gè)月主流DDR4的跌幅2%-3%；

2）利基DRAM：近一個(gè)月利基DDR4跌幅大于DDR3跌幅，DDR4跌幅4%-7%，DDR3跌幅1-5%。主流：DDR4芯片5月合約價(jià)環(huán)比下跌2%，現(xiàn)貨價(jià)格近一月跌幅2%-7%。1）合約價(jià)：今年5月，DDR48Gb（1Gx8）的價(jià)格為$3.35，同比-11.84%，環(huán)比-1.76%，價(jià)格自從去年9月的$4.01開始下跌，今年1月跌至$3.41，相較9月的價(jià)格跌幅達(dá)到17%，后連續(xù)三個(gè)月價(jià)格穩(wěn)定，有止跌回穩(wěn)態(tài)勢(shì)，但近一個(gè)月價(jià)格繼續(xù)下行；DDR416Gb（2Gx8）的價(jià)格為$8.69，環(huán)比-1.84%。2）現(xiàn)貨價(jià)：截止5月31日，DDR48Gb（1Gx8）2666Mbps的價(jià)格為$3.39，近一個(gè)月降低2.19%，近一周降低0.47%

；

DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps的價(jià)格為$6.63，近一個(gè)月降低2.46%，近一周降低0.72%。主流：DDR5主要用于服務(wù)器，合約價(jià)跌幅近10%。1）芯片合約價(jià)：今年5月，DDR516Gb（2Gx8）的合約價(jià)為$8.69，環(huán)比-9.10%，今年1月價(jià)格為$10.24，2月價(jià)格下降7%至$9.56，近2個(gè)月價(jià)格穩(wěn)定，5月打破止跌態(tài)勢(shì)、繼續(xù)下降。2）模組合約價(jià)：今年5月，DDR516GbSO-DIMM的合約價(jià)為$77.00，環(huán)比-8.33%；DDR58GbU-DIMM的合約價(jià)位$40.00，環(huán)比-8.05%。利基：DDR4芯片5月合約價(jià)環(huán)比下跌3%，現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)下行。1）合約價(jià)：今年5月，DDR48Gb（512Mx16）的合約價(jià)為$3.59，同比-19.33%，環(huán)比不變，價(jià)格保持平穩(wěn)；DDR44Gb（256Mx16）的合約價(jià)位$2.35，同比-4.08%，環(huán)比-1.26%，連續(xù)3個(gè)月價(jià)格下跌。2）現(xiàn)貨價(jià)：截止5月31日，DDR48Gb（512Mx16）2666Mbps的現(xiàn)貨價(jià)為$3.45，近一月下跌4.11%，近一周下跌1.37%；DDR44Gb

（256Mx16）2400/2666Mbps的現(xiàn)貨價(jià)為$1.79，近一月下跌6.13%，近一周下跌2.08%。利基：DDR3芯片合約價(jià)基本平穩(wěn)，現(xiàn)貨價(jià)繼續(xù)下跌。1）合約價(jià)：5月DDR34Gb（256Mx16）的合約價(jià)為$2.75，同比13.17%，環(huán)比-0.72%，漲勢(shì)停止；DDR32Gb（128Mx16）的合約價(jià)為$2.46，同比24.87%，環(huán)比-0.81%，漲勢(shì)停止；DDR31Gb（64Mx16）的合約價(jià)為$1.78，同比5.33%,環(huán)比-1.66%，漲勢(shì)停止。2）現(xiàn)貨價(jià)：截止5月31日，DDR34Gb（256x16）1600/1866Mbps的現(xiàn)貨價(jià)為$2.23，近一個(gè)月下跌4.20%，近一周下跌0.71%；DDR32Gb

（128Mx16）1600/1866Mbps的現(xiàn)貨價(jià)為$2.04，近一個(gè)月下跌4.65%，近一周下跌1.01%；DDR31Gb（64Mx16）1600/1866Mbps的現(xiàn)貨價(jià)為$1.62，近一個(gè)月下跌1.52%，近一周下跌0.31%。DDR3結(jié)構(gòu)優(yōu)化，DDR3與DDR4價(jià)格出現(xiàn)倒掛。高代際DRAM的產(chǎn)品的性能優(yōu)于低代際DRAM產(chǎn)品，在相同容量下，價(jià)格高于低代際DRAM，但目前因韓系大廠逐漸退出、臺(tái)系廠商產(chǎn)能增幅有限，與同容量的DDR4產(chǎn)品價(jià)格出現(xiàn)倒掛。1）合約價(jià)：過(guò)去4GbDDR4價(jià)格高于4GbDDR3，2021年12月價(jià)格打平，自今年1月價(jià)格開始倒掛，4GDDR3與4GDDR4價(jià)差持續(xù)擴(kuò)大，5月4GDDR3價(jià)格$2.75，4GDDR4價(jià)格$2.35，4GDDR3價(jià)格較4GDDR4高0.4美金。2）現(xiàn)貨價(jià)：2021年10月中旬，4GbDDR3與4GbDDR4價(jià)格基本打平，后開始出現(xiàn)倒掛，4GDDR3與4GDDR4價(jià)差持續(xù)擴(kuò)大，截至5月31日，4GDDR3價(jià)格$2.23，4GDDR4價(jià)格$1.79，4GDDR3價(jià)格較4GDDR4高0.44美金。3、長(zhǎng)鑫引領(lǐng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展，大陸積極布局DDR3市場(chǎng)3.1長(zhǎng)鑫引領(lǐng)大陸產(chǎn)業(yè)，大陸設(shè)計(jì)公司聚焦利基DDR3存儲(chǔ)市場(chǎng)，大陸以利基產(chǎn)品為切入口。大陸廠商聚焦利基產(chǎn)品，如利基DRAM、SLCNAND、NorFlash、EEPROM等產(chǎn)品。1）利基DRAM：

大陸供應(yīng)商如兆易創(chuàng)新（2021年推出4GbDDR4）、北京君正、東芯股份，本土IDM廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)聚焦主流DRAM。2）SLCNAND：大陸供應(yīng)商如兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份。大陸DDR3產(chǎn)品性能比肩海外廠商，兆易創(chuàng)新17nm制程成本優(yōu)勢(shì)突出。JEDEC定義DRAM標(biāo)準(zhǔn)，故DRAM是相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，以兆易創(chuàng)新擬推出的DDR3產(chǎn)品為例，容量覆蓋2Gb/4Gb，有x8、x16兩種結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)的傳輸速率達(dá)到2133Mbps，電壓1.35/1.5V，工作溫度-40~95、-40~105攝氏度，參數(shù)與國(guó)際大廠、臺(tái)系廠商旗鼓相當(dāng)，主要是在容量覆蓋面、料號(hào)數(shù)量、下游應(yīng)用、制程上有所差異，具體來(lái)看：1）容量覆蓋：兆易創(chuàng)新的DDR3的容量是2Gb/4Gb，國(guó)際廠商、臺(tái)系廠商覆蓋1G-4G，其中美光、北京君正甚至有8Gb產(chǎn)品。2）料號(hào)數(shù)量：兆易創(chuàng)新DDR3產(chǎn)品的料號(hào)數(shù)量是24顆，而海外大廠與臺(tái)系廠商的料號(hào)數(shù)量較多，其中三巨頭中三星DDR3料號(hào)數(shù)量為75顆，臺(tái)系廠商華邦的料號(hào)數(shù)量甚至達(dá)到了144顆。3）下游應(yīng)用：兆易推出的DDR3產(chǎn)品主要應(yīng)用于商規(guī)和工規(guī)，如網(wǎng)絡(luò)通信、電視、安防監(jiān)控、機(jī)頂盒、智慧家庭等領(lǐng)域，而國(guó)際廠商、臺(tái)系廠商的DDR3產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于商規(guī)、工規(guī)、車規(guī)，北京君正的DDR3也是全覆蓋，其應(yīng)用面相較兆易創(chuàng)新更加廣泛。4）制程：海外大廠的DDR3產(chǎn)品主要是20nm制程，而兆易創(chuàng)新的DDR3使用17nm制程，制程更先進(jìn)，成本更低。3.2

兆易創(chuàng)新：DRAM開始貢獻(xiàn)營(yíng)收，17nmDDR3值得期待攜手長(zhǎng)鑫布局DRAM，自研發(fā)展順利。兆易創(chuàng)新自上市起便計(jì)劃DRAM，2016年12月擬以65億收購(gòu)以車用DRAM見長(zhǎng)的北京矽成，但后續(xù)因北京矽成的供應(yīng)鏈潛在風(fēng)險(xiǎn)，該收購(gòu)于2017年終止，同年10月兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投（合肥產(chǎn)投的唯一股東及實(shí)際控制人為合肥國(guó)資委）簽署合作協(xié)議，開展19nm的12寸存儲(chǔ)器項(xiàng)目（主要是DRAM），正式開啟了DRAM戰(zhàn)略布局。1）合作開發(fā)階段：2017年，為更好推行項(xiàng)目，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成立；2019年4月，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投簽署可轉(zhuǎn)股債權(quán)投資協(xié)議，以可轉(zhuǎn)股債權(quán)方式對(duì)該目投資3億元；2019年10月，兆易董事長(zhǎng)出任長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的董事長(zhǎng)和CEO，深層綁定長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，2020年3月與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)簽署采購(gòu)、代工、合作開發(fā)協(xié)議，該協(xié)議生效至2030年；同年11月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的子公司睿力集成確認(rèn)為存儲(chǔ)器項(xiàng)目公司，其中兆易持股0.85%。目前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)成為中國(guó)大陸規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的DRAMIDM，可保障兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能。2）自研階段：2019年9月兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行股票預(yù)案，擬籌集43.24億，正式開啟自研之路，其中33億元用于研發(fā)1Xnm級(jí)（19nm、17nm）工藝制程，主要瞄準(zhǔn)利基DRAM市場(chǎng)，設(shè)計(jì)和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM。整個(gè)項(xiàng)目投資額40億，預(yù)計(jì)稅后內(nèi)部收益率15.06%，2020年6月完成資金籌集。2021年6月，兆易量產(chǎn)首款自研19nm4GDDR4產(chǎn)品，2022年擬推出17nm的DDR3產(chǎn)品。按照兆易創(chuàng)新此前自研DRAM的發(fā)展計(jì)劃，目前兆易創(chuàng)新已進(jìn)入多系列產(chǎn)品研發(fā)和量產(chǎn)階段。自有品牌占比逐步提升。目前，兆易和長(zhǎng)鑫的合作方式為：1）兆易代銷長(zhǎng)鑫的DRAM產(chǎn)品；2）長(zhǎng)鑫代工兆易自研DRAM。從采購(gòu)情況上來(lái)看，隨著兆易自研DRAM的推出，自研DRAM占比將逐步提升。3.3

北京君正：大陸車載存儲(chǔ)龍頭，DDR3產(chǎn)品豐富收購(gòu)ISSI，迅速切入存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域。2005年成立，北京君正過(guò)去產(chǎn)品主要是微處理器。2020年，北京君正收購(gòu)北京矽成，一同收入囊中的還有北京矽成的核心資產(chǎn)美國(guó)ISSI及其下屬子品牌Lumissil，自此北京君正擁有完整存儲(chǔ)產(chǎn)品、模擬產(chǎn)品，同時(shí)北京君正的下游應(yīng)用從消費(fèi)電子擴(kuò)展到汽車、工業(yè)領(lǐng)域。目前，北京君正主要負(fù)責(zé)微處理器芯片、智能視頻芯片業(yè)務(wù)，ISSI負(fù)責(zé)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)，Lumissil負(fù)責(zé)模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品。矽成并表效果顯著，營(yíng)收翻倍增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器貢獻(xiàn)近7成營(yíng)收。1）總營(yíng)收：2019年北京君正營(yíng)業(yè)總收入為3.39億元，在2020年完成對(duì)北京矽成的收購(gòu)后，2020年?duì)I收21.7億元，yoy+540%，2021年?duì)I收52.74億元，yoy+140%。2）存儲(chǔ)營(yíng)收：存儲(chǔ)芯片2020/2021年?duì)I收分別是15.25/35.94億元，占比70.3%/68.1%，2021年存儲(chǔ)營(yíng)收yoy135%。3）存儲(chǔ)毛利率