鈣鈦礦太陽(yáng)能電池-1課件_第1頁(yè)
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鈣鈦礦太陽(yáng)能電池應(yīng)用研究——材料科學(xué)導(dǎo)論ApplicationofPerovskiteSolarCells全華鋒,路順茂,王晨宇,薛偉,唐川低維材料及其應(yīng)用教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湘潭大學(xué),湖南,411105鈣鈦礦太陽(yáng)能電池應(yīng)用研究——材料科學(xué)導(dǎo)論Applicatio匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)及制備3ClicktoaddTitle4問題及前景展望41背景介紹及發(fā)展史匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)及制備3Clic研究背景1

隨著重工業(yè)的日益發(fā)達(dá),煤炭石油等不可再生資源頻頻告急,能源問題日益成為國(guó)際社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,加之對(duì)不可再生資源的不當(dāng)使用,環(huán)境問題愈發(fā)嚴(yán)重,人類生存受到極大威脅。太陽(yáng)能等環(huán)??稍偕Y源日益受到人類關(guān)注,因此,太陽(yáng)能電池也走進(jìn)人們的生活。

太陽(yáng)能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。又稱為“太陽(yáng)能芯片”或“光電池”,是一種利用太陽(yáng)光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。它只要被光照到,瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。在物理學(xué)上稱為太陽(yáng)能光伏簡(jiǎn)稱光伏。[1]鄧林龍,謝素原,黃榮彬,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展[J].廈門大學(xué)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2015,54(05).[2]梁棟,賈瑞龍,簡(jiǎn)選,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展[J].現(xiàn)代化工,2015.研究背景1隨著重工業(yè)的日益發(fā)達(dá),煤炭石油等不可再生資研究背景交通領(lǐng)域:如航標(biāo)燈、交通鐵路信號(hào)燈、交通警示或標(biāo)志燈、路燈等通訊/通信領(lǐng)域:光纜維護(hù)站、廣播/通訊/尋呼電源系統(tǒng)、士兵GPS供電等石油、海洋、氣象領(lǐng)域:石油管道陰極保護(hù)系統(tǒng)、海洋/氣象觀測(cè)設(shè)備等用戶電源領(lǐng)域:家庭燈具電源、邊遠(yuǎn)無(wú)電地區(qū)軍民生活用電等其他領(lǐng)域包括:汽車、衛(wèi)星、航天器空間太陽(yáng)能電站等2研究背景交通領(lǐng)域:如航標(biāo)燈、交通鐵路信號(hào)燈、交通警示或標(biāo)志燈發(fā)展歷史傳統(tǒng)的非晶硅太陽(yáng)能電池,經(jīng)過多年的發(fā)展,其光電轉(zhuǎn)換效率提升緩慢.相比之下,近年來出現(xiàn)的新型太陽(yáng)能電池如有機(jī)太陽(yáng)能電池(OPV)、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、染料敏化太陽(yáng)能電池(DSSC)和量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池(quantumdotsolarcells),發(fā)展較快,光電轉(zhuǎn)換效率提升明顯。時(shí)間團(tuán)隊(duì)制備工藝能量轉(zhuǎn)換率(%)2009Miyasaka(宮坂)以鈣鈦礦型有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化材料代替有機(jī)染料分子作為吸光材料3.82012N.G.Park引入空穴傳輸層9.72013M.Grtzel兩步溶液法15.02013Yang氣相輔助溶液法19.32014KRICT20.1圖1各類太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換率折線圖[1]圖2鈣鈦礦太陽(yáng)能電池發(fā)展歷程表[2][1]鄧林龍,謝素原,黃榮彬,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展[J].廈門大學(xué)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2015,54(05).3發(fā)展歷史傳統(tǒng)的非晶硅太陽(yáng)能電池,經(jīng)過多年的發(fā)展,其光在高于某特定頻率的電磁波照射下,某些物質(zhì)內(nèi)部的電子會(huì)被光子激發(fā)出來而形成電流,即光生電。光電現(xiàn)象由德國(guó)物理學(xué)家赫茲于1887年發(fā)現(xiàn),而正確的解釋為愛因斯坦所提出。光電理論Εk=hν-Wo如果入射光子的能量hv大于逸出功Wo(指從原子鍵結(jié)中移出一個(gè)電子所需的最小能量),那么有些光電子在脫離金屬表面后還有剩余的能量Ek(表示動(dòng)能最大的光電子所具有的動(dòng)能),也就是說有些光電子具有一定的動(dòng)能。因?yàn)椴煌碾娮用撾x某種金屬所需的功不一樣,所以它們就吸收了光子的能量并從這種金屬逸出之后剩余的動(dòng)能也不一樣。愛因斯坦光電效應(yīng)方程4在高于某特定頻率的電磁波照射下,某些物質(zhì)內(nèi)部的電子會(huì)被光子激匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)制備3ClicktoaddTitle4問題及前景展望41背景介紹及發(fā)展史匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)制備3Click器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)(ABX3)圖2鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖圖3CH3NH3PbI晶體結(jié)構(gòu)示意圖A:CH3NH3、CH3CH2NH3+、NH2CH=NH2+等B:

Pb+、Nb+、Ti4+、Fe3+等X:

Cl–、Br–、I–、O2–等

在ABX3晶體中,BX6構(gòu)成正八面體,BX6之間通過共用頂點(diǎn)X連接,構(gòu)成三維骨架,A嵌入八面體間隙中使晶體結(jié)構(gòu)得以穩(wěn)定。因此,該光活性吸收材料呈現(xiàn)出一定的鐵電性、非線性光學(xué)性和電光性等。CH3NH3PbI低溫態(tài)為正交相,高于162K時(shí),為四方相;高于330K時(shí),為立方相。高溫立方相晶體結(jié)構(gòu)具有最大的電子傳導(dǎo)特性。5器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)(ABX3)圖2鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備圖4鈣鈦礦太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖及SEM照片由摻雜氟SnO2(fluorine-tin-oxide,FTO)導(dǎo)電玻璃、電子傳輸層(ETM)、鈣鈦礦吸收層(如CH3NH3PbI3、CH3NH3PbI2Cl、CH3NH3PbBr3等)、空穴傳輸層(HTM)和金屬對(duì)電極組成。電子傳輸層(ETM)多為ZnO、TiO2等,空穴傳輸層(HTM)多為Spiro-OMeTad、FTAA、H3MT、PEDOT:PASS等固態(tài)介質(zhì)材料。6器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備圖4鈣鈦礦太陽(yáng)器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備旋涂多孔ETM薄膜圖5鈣鈦礦太陽(yáng)能電池界面,介孔結(jié)構(gòu)(左);平面異質(zhì)結(jié)構(gòu)(右)電子傳輸層(ETM)多為ZnO、TiO2等,500~550℃退火處理,厚度約為300nm??昭▊鬏攲樱℉TM)多為Spiro-OMeTad、FTAA、P3HT、PEDOT:PASS等,和下方的ETM/鈣鈦礦層是相互浸潤(rùn)的,其厚度小于500nm。7器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備旋涂多孔ETM薄器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理圖5鈣鈦礦太陽(yáng)能電池原理示意圖/P-I-N“三明治”結(jié)圖6不同鈣鈦礦吸收材料的能隙結(jié)構(gòu)當(dāng)鈣鈦礦吸收層吸收太陽(yáng)光受激后,產(chǎn)生電子空穴對(duì),激子在吸收層運(yùn)動(dòng)至ETM/鈣鈦礦吸收層/HTM界面后發(fā)生分離,電子注入ETM層(陽(yáng)極),空穴注入到HTM(陰極),最后經(jīng)外部電路循環(huán)在金屬對(duì)電極復(fù)合形成回路電流。CH3NH3PbI3具有較小的能帶間隙,較寬的光伏響應(yīng)范圍(400nm~800nm)。光吸收系數(shù)高,載流子輸運(yùn)特性好,激子壽命長(zhǎng)且束縛能低,有利于光伏器件獲得更大的短路電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。8器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理圖5鈣鈦礦太陽(yáng)器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理

最高軌道匹配圖7電子傳輸材料(左)、吸光材料(中)、空穴傳輸材料(右)能級(jí)譜9器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理

最高軌道匹配器件結(jié)構(gòu)及原理[1]Theemergenceofperovskitesolarcells,NaturePhotonics,2014,8,506–514.[2]PerovskiteSolarCells:FromMaterialstoDevices,Small,doi:10.1002/small201402767.[3]鄧林龍,謝素原,黃榮彬,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展[J].廈門大學(xué)

學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2015,54(05).[4]張瑋皓,彭曉晨,馮曉東.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展[J].電子元件與材料,2014,08:7-11.[5]趙雨,李惠,關(guān)雷雷,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池技術(shù)發(fā)展歷史與現(xiàn)狀[J].材料導(dǎo)報(bào),2015,

第11期(11):17-21.[6]CONINGSB,BAETENL,DEDOBBELAEREC,etal.Perovskite‐basedhybridsolarcellsexceeding10%efficiencywithhighreproducibilityusingathinfilmsandwichapproach.AdvancedMaterials,2014,26(13):2041–2046.[7]魏靜,趙清,李恒,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池:光伏領(lǐng)域的新希望[J].中國(guó)科學(xué):技術(shù)科學(xué),2014,08期(08):801-821.Reference10器件結(jié)構(gòu)及原理[1]Theemergenceofpe匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)及制備3ClicktoaddTitle4問題及前景展望41背景介紹及發(fā)展史匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)及制備3Click材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率不僅與空穴傳輸材料的種類和器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有關(guān),還與光活性吸光材料的類型和成膜技術(shù)模切相關(guān)。表1不同光活性吸光材料的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率CH3NH3PbI3,其能帶間隙子1.5eV,能充分吸收400~800nm的可見光。CH3NH3PbI3吸光材料有很好的電子傳輸能力,并具有較少的表面態(tài)和中間帶缺陷,有利于光伏器件獲得較大的開路電壓,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率光電轉(zhuǎn)化。11材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備以FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/Spiro-OMeTad/Ag結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池為例······吸光材料的成膜技術(shù)有溶液法(一步法、兩步法)、雙源氣相共蒸發(fā)法(VaporDeposition)、氣相輔助溶液法(Vapor-assistedSolutionProcess)。圖84種常用的鈣鈦礦吸光材料的成膜及制備技術(shù)12材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備以FTO/TiO2/材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備一步法操作簡(jiǎn)單,但是很難獲得均勻、覆蓋率高的薄膜,制備的薄膜形貌變化大,對(duì)性能的可控性差,穩(wěn)定性不好。與一步法相比,兩步法能夠更好的控制薄膜的表面形貌。但是溶液旋涂的方法容易出現(xiàn)針孔,表面不能完全覆蓋。導(dǎo)致電子傳輸層和空穴傳輸層直接接觸發(fā)生分流,降低電池的填充因子以及開路電壓,故效率降低。采用共蒸發(fā)法制備的鈣鈦礦材料雜質(zhì)缺陷少,結(jié)構(gòu)緊密,表面更均勻,薄膜覆蓋率高,避免電子傳輸層與空穴傳輸層直接接觸。然而該方法需要高真空,這不僅對(duì)設(shè)備的要求高,且對(duì)能量的消耗非常多。VASP法制得的吸收層具有完全的表面覆蓋率,且具有很好的均一性。并改進(jìn)了共蒸發(fā)法中蒸發(fā)速度過快的現(xiàn)象。較低的表面粗糙度以及微米級(jí)的晶粒尺寸。使載流子在輸運(yùn)時(shí)具有低的表面復(fù)合率、從而使電池呈現(xiàn)出較高的開路電壓。整個(gè)過程對(duì)真空度無(wú)特殊要求,相比共蒸發(fā)法經(jīng)濟(jì)環(huán)保。13材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備一步法操作簡(jiǎn)單,但是材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)控工程兩個(gè)主要局限性問題受本身禁帶寬度Eg的影響,鈣鈦礦吸光材料的光響應(yīng)范圍較窄鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的重要組成部分含有Pb,具有一定的毒性A、B、X原子替位摻雜禁帶寬度調(diào)控工程帶隙可調(diào)14材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)控工程兩個(gè)主要局限性問題受本身材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程根據(jù)其能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),采用將不同尺寸、極性和對(duì)稱結(jié)構(gòu)的有機(jī)陽(yáng)離子進(jìn)行A位替位的方法可引起晶格參數(shù)及Eg變化,而金屬陽(yáng)離子B位和鹵族元素X位也可采用同族元素替位或者混合的方式對(duì)導(dǎo)帶、價(jià)帶帶邊和禁帶寬度進(jìn)行調(diào)控。A位原子替換:改變A離子的大小可以在小范圍內(nèi)調(diào)節(jié)鈣鈦礦的能帶結(jié)構(gòu),更大的A離子可引起整個(gè)晶格膨脹而導(dǎo)致帶隙減小。當(dāng)A為NH4+,CH3NH3Methylammonium(MA+)或NH2CHNH2formanidinium(FA+)時(shí),有效離子半徑NH4+<MA+<FA+,帶隙:NH4PbI3(1.67eV)>MAPbI3(1.52eV)>FAPbI3(1.1.48eV)。Lang等人也研究了同一系列的鈣鈦礦材料,他們的結(jié)果顯示隨A位有機(jī)分子尺寸的增加,禁帶寬度Eg也隨之增加

。15材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程根據(jù)其能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程B位原子替換:圖9B位原子替位MASnxPb1-xI的能帶寬度(UPES)和能帶結(jié)構(gòu)Ogacomi等人和Hao等人成功制備Pb和Sn混合固溶體MASnxPb1-xI3,實(shí)現(xiàn)了能隙Eg在1.13~1.67eV可調(diào),其中MASn0.5Pb0.5I3吸收帶邊達(dá)到1060nm,相比MAPbI3其帶邊紅移了260nm,具有最廣的吸收光譜和最高的短路光電流密度。16材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程B位原子替換:圖9B位材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程X位原子替換:圖10MAPb(IxCl1-x)3的禁帶寬度Eg隨x的變化圖Liu等人成功采用蒸發(fā)沉積技術(shù)制備I、Cl鹵族元素混合固溶體MAPbI3-xClx鈣鈦礦平面異質(zhì)結(jié)光伏器件,其PCE可達(dá)到15%,開路電壓1.07V。較MAPbI3而言,MAPbI2Cl的禁帶寬度低約0.5eV,且混合鹵族元素化合物在空氣中的穩(wěn)定性更好,對(duì)可見光到近紅外區(qū)的光捕獲能力更佳。利用飛秒瞬態(tài)光譜技術(shù)發(fā)現(xiàn)光生載流子在MAPbI3擴(kuò)散長(zhǎng)度約為100nm,但在添加一定比例的PbCl2在混合溶液后,MAPbI3?xClx光生載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度顯著增加,可達(dá)1μm。17材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程X位原子替換:圖10M材料的成膜技術(shù)及制備空穴傳輸層的優(yōu)化處理針對(duì)目前HTM常用的介質(zhì)材料Spiro-OMeTad,因?yàn)槠浜铣删€路復(fù)雜、價(jià)格昂貴產(chǎn)能不足的問題,尋求新的替代材料,包括有機(jī)HTM材料FTAA、P3HT、PEDOT:PASS,無(wú)機(jī)HTM材料CuI、CuSCN、NiO等。目前常用的ETM材料為TiO2,為了提高電子的傳輸效率,采用釔摻雜技術(shù);為了獲得柔性襯底的傳導(dǎo)穩(wěn)定性,使用ZnO代替TiO2;對(duì)于金屬Al電極,需要采用富勒烯衍生物材料(C60,C70,PCBM)替代。研究表明,CH3NH3PbI3和CH3NH3PbI3-xClx同時(shí)具有電子和空穴傳輸能力,CH3NH3PbI3

中電子和空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度分別為130和100nm,而CH3NH3PbI3-xClx中電子和空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度分別達(dá)到1069和1213nm,更加有利于電荷的有效傳輸。孟慶波團(tuán)隊(duì)首次采用原子層沉積(ALD)技術(shù)在鈣鈦礦材料CH3NH3PbI3

與金電極之間引入了Al2O3

超薄層,形成了金屬–絕緣–半導(dǎo)體(M-I-S)結(jié)構(gòu),有效抑制了鈣鈦礦半導(dǎo)體與金屬電極之間的肖特基接觸,改善了電池的性能,制備的無(wú)空穴傳輸層電池器件的最高光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到10.49%,很好地解釋了無(wú)空穴傳輸材料鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)的工作原理。18材料的成膜技術(shù)及制備空穴傳輸層的優(yōu)化處理針對(duì)目前HTM常用的材料的成膜技術(shù)及制備[1]Theemergenceofperovskitesolarcells,NaturePhotonics,2014,8,506–514.[2]Long-RangeBalancedElectron-andHole-TransportLengthsinOrganic-InorganicCH3NH3PbI3,Science,2013,342,344-347.[3]鄧林龍,謝素原,黃榮彬,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展[J].廈門大學(xué)

學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2015,54(05).[4]張瑋皓,彭曉晨,馮曉東.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展[J].電子元件與材料,2014,08:7-11.[5]趙雨,李惠,關(guān)雷雷,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池技術(shù)發(fā)展歷史與現(xiàn)狀[J].材料導(dǎo)報(bào),2015,

第11期(11):17-21.[6]SHIJIANG-JIAN,DONGWAN,XUYU-ZHUAN,etal.EnhancedPerformanceinperovskiteorganicleadiodideheterojunctionsolarcellswithmetal-insulator-semiconductorbackcontact.ChinesePhysicsLetters,2013,30(12):1284021–1–5.[7]張曉婷.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展[J].科技風(fēng),2015,第16期(16):46-47.[8]邵景珍,董偉偉,鄧贊紅,等.基于有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料的全固態(tài)太陽(yáng)能電池研究進(jìn)展[J].功能材料,2014,24期(24):24008-24013.Reference19材料的成膜技術(shù)及制備[1]Theemergenceof匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2材料制備及成膜技術(shù)3ClicktoaddTitle4問題及前景展望41背景介紹及發(fā)展史匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2材料制備及成膜技術(shù)3Clickto問題及前景展望PSC工程的存在的問題1、制備技術(shù):①光響應(yīng)范圍不夠?qū)挘?yáng)能資源無(wú)

法得到高效利用。②由于材料種類和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的限制,

光電轉(zhuǎn)化效率不高。③現(xiàn)在的鈣鈦礦太陽(yáng)能吸光材料普遍

使用了重金屬Pb,對(duì)環(huán)境和生物具

有較大的破壞威脅。圖11(a)太陽(yáng)能光譜分布與電池吸收光譜范圍對(duì)比;(b)多結(jié)疊層電池對(duì)電池光電轉(zhuǎn)換效率的提升作用

——制備技術(shù)[1]魏靜,趙清,李恒,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池:光伏領(lǐng)域的新希望[J].中國(guó)科學(xué):技術(shù)科學(xué),2014,08期(08):801-821.[2]關(guān)麗,李明軍,李旭,韋志仁,滕楓.有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展[J].科學(xué)通報(bào),2015,07:581-592.20問題及前景展望PSC工程的存在的問題1、制備技術(shù):圖11(問題及前景展望PSC工程的存在的問題——規(guī)模化應(yīng)用2、規(guī)?;瘧?yīng)用:①有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦型太陽(yáng)能電池都局限于小面積制備(約0.3cm2),面積放大會(huì)導(dǎo)致器件的轉(zhuǎn)換效率急劇下降。②由于敏感材料的應(yīng)用和封裝技術(shù)的限制,使PSC太陽(yáng)能電池在濕熱環(huán)境中的性質(zhì)不穩(wěn)定,從而造成器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性不足。

③現(xiàn)在PSC太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝復(fù)雜,原料物價(jià)高昂,造成難以大規(guī)模地形成產(chǎn)業(yè)化推廣和商品化應(yīng)用。而簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝技術(shù)和突破廉價(jià)、高效的材料技術(shù)是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的重要手段。圖12KNbO3等氧化物鈣鈦礦材料的光電性質(zhì)21問題及前景展望PSC工程的存在的問題——規(guī)?;瘧?yīng)用2、規(guī)?;瘑栴}及前景展望PSC工程的存在的問題——理論研究滯后理論研究滯后極高吸光能力的微觀機(jī)理光生載流子的產(chǎn)生機(jī)理界面作用電子/空穴的輸運(yùn)通道與機(jī)理新型鈣鈦礦吸光材料的最大優(yōu)點(diǎn)是它的吸光系數(shù)很大,吸光能力比傳統(tǒng)染料高10倍以上,到目前為止微觀機(jī)理都沒有定論?,F(xiàn)在對(duì)激發(fā)電子-空穴對(duì)機(jī)理和激發(fā)激子機(jī)理,以及內(nèi)建電場(chǎng)如何以如此低的能耗下驅(qū)動(dòng)載流子輸運(yùn)和分離是待需解決的問題。在電子/空穴的輸運(yùn)過程中,晶粒、晶界所起的作用依然不清楚;鈣鈦礦吸光層與電子傳輸層、空穴傳輸層之間的界面對(duì)整個(gè)能量轉(zhuǎn)換的作用,到目前也沒有太多的研究在有機(jī)PSC太陽(yáng)能材料中,是否也存在類似的輸運(yùn)通道?具體的輸運(yùn)機(jī)理是什么?相關(guān)的內(nèi)容需要更深入的研究。22問題及前景展望PSC工程的存在的問題——理論研究滯后理論研究問題及前景展望PSC工程的前景展望制備無(wú)鉛鈣鈦礦材料:現(xiàn)在的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料含有鉛元素,通過金

屬元素替代的方法找到同等或更高轉(zhuǎn)換效率的無(wú)鉛鈣鈦礦吸收材料。氧化物鈣鈦礦太陽(yáng)能材料:除了有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合鈣鈦礦材料外,具備高吸光性能、能帶合適、吸光能力強(qiáng)的無(wú)機(jī)氧化物鈣鈦礦材料在高效能量轉(zhuǎn)換方面的具有巨大的潛能和研究?jī)r(jià)值。具有梯度能帶的鈣鈦礦吸光材料:如果能夠通過元素替代或摻雜的方法,制備出具有梯度能帶的新型鈣鈦礦吸光材料,就可以制備類似于半導(dǎo)體多結(jié)太陽(yáng)能電池器件以較低的生產(chǎn)成本大幅提升其轉(zhuǎn)換效率新的電子/空穴傳導(dǎo)材料:現(xiàn)在使用的與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦吸光層相匹配的是有機(jī)空穴傳輸材料Spiro-OMeTAD,尋找更加有效、穩(wěn)定且廉價(jià)的電子/空穴傳輸材料來提高鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。23問題及前景展望PSC工程的前景展望制備無(wú)鉛鈣鈦礦材料:現(xiàn)在的請(qǐng)各位專家老師批評(píng)指正!請(qǐng)各位專家老師批評(píng)指正!鈣鈦礦太陽(yáng)能電池應(yīng)用研究——材料科學(xué)導(dǎo)論ApplicationofPerovskiteSolarCells全華鋒,路順茂,王晨宇,薛偉,唐川低維材料及其應(yīng)用教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湘潭大學(xué),湖南,411105鈣鈦礦太陽(yáng)能電池應(yīng)用研究——材料科學(xué)導(dǎo)論Applicatio匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)及制備3ClicktoaddTitle4問題及前景展望41背景介紹及發(fā)展史匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)及制備3Clic研究背景1

隨著重工業(yè)的日益發(fā)達(dá),煤炭石油等不可再生資源頻頻告急,能源問題日益成為國(guó)際社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,加之對(duì)不可再生資源的不當(dāng)使用,環(huán)境問題愈發(fā)嚴(yán)重,人類生存受到極大威脅。太陽(yáng)能等環(huán)保可再生資源日益受到人類關(guān)注,因此,太陽(yáng)能電池也走進(jìn)人們的生活。

太陽(yáng)能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。又稱為“太陽(yáng)能芯片”或“光電池”,是一種利用太陽(yáng)光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。它只要被光照到,瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。在物理學(xué)上稱為太陽(yáng)能光伏簡(jiǎn)稱光伏。[1]鄧林龍,謝素原,黃榮彬,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展[J].廈門大學(xué)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2015,54(05).[2]梁棟,賈瑞龍,簡(jiǎn)選,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展[J].現(xiàn)代化工,2015.研究背景1隨著重工業(yè)的日益發(fā)達(dá),煤炭石油等不可再生資研究背景交通領(lǐng)域:如航標(biāo)燈、交通鐵路信號(hào)燈、交通警示或標(biāo)志燈、路燈等通訊/通信領(lǐng)域:光纜維護(hù)站、廣播/通訊/尋呼電源系統(tǒng)、士兵GPS供電等石油、海洋、氣象領(lǐng)域:石油管道陰極保護(hù)系統(tǒng)、海洋/氣象觀測(cè)設(shè)備等用戶電源領(lǐng)域:家庭燈具電源、邊遠(yuǎn)無(wú)電地區(qū)軍民生活用電等其他領(lǐng)域包括:汽車、衛(wèi)星、航天器空間太陽(yáng)能電站等2研究背景交通領(lǐng)域:如航標(biāo)燈、交通鐵路信號(hào)燈、交通警示或標(biāo)志燈發(fā)展歷史傳統(tǒng)的非晶硅太陽(yáng)能電池,經(jīng)過多年的發(fā)展,其光電轉(zhuǎn)換效率提升緩慢.相比之下,近年來出現(xiàn)的新型太陽(yáng)能電池如有機(jī)太陽(yáng)能電池(OPV)、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、染料敏化太陽(yáng)能電池(DSSC)和量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池(quantumdotsolarcells),發(fā)展較快,光電轉(zhuǎn)換效率提升明顯。時(shí)間團(tuán)隊(duì)制備工藝能量轉(zhuǎn)換率(%)2009Miyasaka(宮坂)以鈣鈦礦型有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化材料代替有機(jī)染料分子作為吸光材料3.82012N.G.Park引入空穴傳輸層9.72013M.Grtzel兩步溶液法15.02013Yang氣相輔助溶液法19.32014KRICT20.1圖1各類太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換率折線圖[1]圖2鈣鈦礦太陽(yáng)能電池發(fā)展歷程表[2][1]鄧林龍,謝素原,黃榮彬,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展[J].廈門大學(xué)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2015,54(05).3發(fā)展歷史傳統(tǒng)的非晶硅太陽(yáng)能電池,經(jīng)過多年的發(fā)展,其光在高于某特定頻率的電磁波照射下,某些物質(zhì)內(nèi)部的電子會(huì)被光子激發(fā)出來而形成電流,即光生電。光電現(xiàn)象由德國(guó)物理學(xué)家赫茲于1887年發(fā)現(xiàn),而正確的解釋為愛因斯坦所提出。光電理論Εk=hν-Wo如果入射光子的能量hv大于逸出功Wo(指從原子鍵結(jié)中移出一個(gè)電子所需的最小能量),那么有些光電子在脫離金屬表面后還有剩余的能量Ek(表示動(dòng)能最大的光電子所具有的動(dòng)能),也就是說有些光電子具有一定的動(dòng)能。因?yàn)椴煌碾娮用撾x某種金屬所需的功不一樣,所以它們就吸收了光子的能量并從這種金屬逸出之后剩余的動(dòng)能也不一樣。愛因斯坦光電效應(yīng)方程4在高于某特定頻率的電磁波照射下,某些物質(zhì)內(nèi)部的電子會(huì)被光子激匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)制備3ClicktoaddTitle4問題及前景展望41背景介紹及發(fā)展史匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)制備3Click器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)(ABX3)圖2鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖圖3CH3NH3PbI晶體結(jié)構(gòu)示意圖A:CH3NH3、CH3CH2NH3+、NH2CH=NH2+等B:

Pb+、Nb+、Ti4+、Fe3+等X:

Cl–、Br–、I–、O2–等

在ABX3晶體中,BX6構(gòu)成正八面體,BX6之間通過共用頂點(diǎn)X連接,構(gòu)成三維骨架,A嵌入八面體間隙中使晶體結(jié)構(gòu)得以穩(wěn)定。因此,該光活性吸收材料呈現(xiàn)出一定的鐵電性、非線性光學(xué)性和電光性等。CH3NH3PbI低溫態(tài)為正交相,高于162K時(shí),為四方相;高于330K時(shí),為立方相。高溫立方相晶體結(jié)構(gòu)具有最大的電子傳導(dǎo)特性。5器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)(ABX3)圖2鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備圖4鈣鈦礦太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖及SEM照片由摻雜氟SnO2(fluorine-tin-oxide,FTO)導(dǎo)電玻璃、電子傳輸層(ETM)、鈣鈦礦吸收層(如CH3NH3PbI3、CH3NH3PbI2Cl、CH3NH3PbBr3等)、空穴傳輸層(HTM)和金屬對(duì)電極組成。電子傳輸層(ETM)多為ZnO、TiO2等,空穴傳輸層(HTM)多為Spiro-OMeTad、FTAA、H3MT、PEDOT:PASS等固態(tài)介質(zhì)材料。6器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備圖4鈣鈦礦太陽(yáng)器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備旋涂多孔ETM薄膜圖5鈣鈦礦太陽(yáng)能電池界面,介孔結(jié)構(gòu)(左);平面異質(zhì)結(jié)構(gòu)(右)電子傳輸層(ETM)多為ZnO、TiO2等,500~550℃退火處理,厚度約為300nm??昭▊鬏攲樱℉TM)多為Spiro-OMeTad、FTAA、P3HT、PEDOT:PASS等,和下方的ETM/鈣鈦礦層是相互浸潤(rùn)的,其厚度小于500nm。7器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備旋涂多孔ETM薄器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理圖5鈣鈦礦太陽(yáng)能電池原理示意圖/P-I-N“三明治”結(jié)圖6不同鈣鈦礦吸收材料的能隙結(jié)構(gòu)當(dāng)鈣鈦礦吸收層吸收太陽(yáng)光受激后,產(chǎn)生電子空穴對(duì),激子在吸收層運(yùn)動(dòng)至ETM/鈣鈦礦吸收層/HTM界面后發(fā)生分離,電子注入ETM層(陽(yáng)極),空穴注入到HTM(陰極),最后經(jīng)外部電路循環(huán)在金屬對(duì)電極復(fù)合形成回路電流。CH3NH3PbI3具有較小的能帶間隙,較寬的光伏響應(yīng)范圍(400nm~800nm)。光吸收系數(shù)高,載流子輸運(yùn)特性好,激子壽命長(zhǎng)且束縛能低,有利于光伏器件獲得更大的短路電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。8器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理圖5鈣鈦礦太陽(yáng)器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理

最高軌道匹配圖7電子傳輸材料(左)、吸光材料(中)、空穴傳輸材料(右)能級(jí)譜9器件結(jié)構(gòu)及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理

最高軌道匹配器件結(jié)構(gòu)及原理[1]Theemergenceofperovskitesolarcells,NaturePhotonics,2014,8,506–514.[2]PerovskiteSolarCells:FromMaterialstoDevices,Small,doi:10.1002/small201402767.[3]鄧林龍,謝素原,黃榮彬,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展[J].廈門大學(xué)

學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2015,54(05).[4]張瑋皓,彭曉晨,馮曉東.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展[J].電子元件與材料,2014,08:7-11.[5]趙雨,李惠,關(guān)雷雷,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池技術(shù)發(fā)展歷史與現(xiàn)狀[J].材料導(dǎo)報(bào),2015,

第11期(11):17-21.[6]CONINGSB,BAETENL,DEDOBBELAEREC,etal.Perovskite‐basedhybridsolarcellsexceeding10%efficiencywithhighreproducibilityusingathinfilmsandwichapproach.AdvancedMaterials,2014,26(13):2041–2046.[7]魏靜,趙清,李恒,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池:光伏領(lǐng)域的新希望[J].中國(guó)科學(xué):技術(shù)科學(xué),2014,08期(08):801-821.Reference10器件結(jié)構(gòu)及原理[1]Theemergenceofpe匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)及制備3ClicktoaddTitle4問題及前景展望41背景介紹及發(fā)展史匯報(bào)內(nèi)容器件結(jié)構(gòu)及原理2吸光材料的成膜技術(shù)及制備3Click材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率不僅與空穴傳輸材料的種類和器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有關(guān),還與光活性吸光材料的類型和成膜技術(shù)模切相關(guān)。表1不同光活性吸光材料的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率CH3NH3PbI3,其能帶間隙子1.5eV,能充分吸收400~800nm的可見光。CH3NH3PbI3吸光材料有很好的電子傳輸能力,并具有較少的表面態(tài)和中間帶缺陷,有利于光伏器件獲得較大的開路電壓,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率光電轉(zhuǎn)化。11材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備以FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/Spiro-OMeTad/Ag結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池為例······吸光材料的成膜技術(shù)有溶液法(一步法、兩步法)、雙源氣相共蒸發(fā)法(VaporDeposition)、氣相輔助溶液法(Vapor-assistedSolutionProcess)。圖84種常用的鈣鈦礦吸光材料的成膜及制備技術(shù)12材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備以FTO/TiO2/材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備一步法操作簡(jiǎn)單,但是很難獲得均勻、覆蓋率高的薄膜,制備的薄膜形貌變化大,對(duì)性能的可控性差,穩(wěn)定性不好。與一步法相比,兩步法能夠更好的控制薄膜的表面形貌。但是溶液旋涂的方法容易出現(xiàn)針孔,表面不能完全覆蓋。導(dǎo)致電子傳輸層和空穴傳輸層直接接觸發(fā)生分流,降低電池的填充因子以及開路電壓,故效率降低。采用共蒸發(fā)法制備的鈣鈦礦材料雜質(zhì)缺陷少,結(jié)構(gòu)緊密,表面更均勻,薄膜覆蓋率高,避免電子傳輸層與空穴傳輸層直接接觸。然而該方法需要高真空,這不僅對(duì)設(shè)備的要求高,且對(duì)能量的消耗非常多。VASP法制得的吸收層具有完全的表面覆蓋率,且具有很好的均一性。并改進(jìn)了共蒸發(fā)法中蒸發(fā)速度過快的現(xiàn)象。較低的表面粗糙度以及微米級(jí)的晶粒尺寸。使載流子在輸運(yùn)時(shí)具有低的表面復(fù)合率、從而使電池呈現(xiàn)出較高的開路電壓。整個(gè)過程對(duì)真空度無(wú)特殊要求,相比共蒸發(fā)法經(jīng)濟(jì)環(huán)保。13材料的成膜技術(shù)及制備鈣鈦礦吸光材料的制備一步法操作簡(jiǎn)單,但是材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)控工程兩個(gè)主要局限性問題受本身禁帶寬度Eg的影響,鈣鈦礦吸光材料的光響應(yīng)范圍較窄鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的重要組成部分含有Pb,具有一定的毒性A、B、X原子替位摻雜禁帶寬度調(diào)控工程帶隙可調(diào)14材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)控工程兩個(gè)主要局限性問題受本身材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程根據(jù)其能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),采用將不同尺寸、極性和對(duì)稱結(jié)構(gòu)的有機(jī)陽(yáng)離子進(jìn)行A位替位的方法可引起晶格參數(shù)及Eg變化,而金屬陽(yáng)離子B位和鹵族元素X位也可采用同族元素替位或者混合的方式對(duì)導(dǎo)帶、價(jià)帶帶邊和禁帶寬度進(jìn)行調(diào)控。A位原子替換:改變A離子的大小可以在小范圍內(nèi)調(diào)節(jié)鈣鈦礦的能帶結(jié)構(gòu),更大的A離子可引起整個(gè)晶格膨脹而導(dǎo)致帶隙減小。當(dāng)A為NH4+,CH3NH3Methylammonium(MA+)或NH2CHNH2formanidinium(FA+)時(shí),有效離子半徑NH4+<MA+<FA+,帶隙:NH4PbI3(1.67eV)>MAPbI3(1.52eV)>FAPbI3(1.1.48eV)。Lang等人也研究了同一系列的鈣鈦礦材料,他們的結(jié)果顯示隨A位有機(jī)分子尺寸的增加,禁帶寬度Eg也隨之增加

。15材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程根據(jù)其能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程B位原子替換:圖9B位原子替位MASnxPb1-xI的能帶寬度(UPES)和能帶結(jié)構(gòu)Ogacomi等人和Hao等人成功制備Pb和Sn混合固溶體MASnxPb1-xI3,實(shí)現(xiàn)了能隙Eg在1.13~1.67eV可調(diào),其中MASn0.5Pb0.5I3吸收帶邊達(dá)到1060nm,相比MAPbI3其帶邊紅移了260nm,具有最廣的吸收光譜和最高的短路光電流密度。16材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程B位原子替換:圖9B位材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程X位原子替換:圖10MAPb(IxCl1-x)3的禁帶寬度Eg隨x的變化圖Liu等人成功采用蒸發(fā)沉積技術(shù)制備I、Cl鹵族元素混合固溶體MAPbI3-xClx鈣鈦礦平面異質(zhì)結(jié)光伏器件,其PCE可達(dá)到15%,開路電壓1.07V。較MAPbI3而言,MAPbI2Cl的禁帶寬度低約0.5eV,且混合鹵族元素化合物在空氣中的穩(wěn)定性更好,對(duì)可見光到近紅外區(qū)的光捕獲能力更佳。利用飛秒瞬態(tài)光譜技術(shù)發(fā)現(xiàn)光生載流子在MAPbI3擴(kuò)散長(zhǎng)度約為100nm,但在添加一定比例的PbCl2在混合溶液后,MAPbI3?xClx光生載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度顯著增加,可達(dá)1μm。17材料的成膜技術(shù)及制備禁帶寬度調(diào)空工程X位原子替換:圖10M材料的成膜技術(shù)及制備空穴傳輸層的優(yōu)化處理針對(duì)目前HTM常用的介質(zhì)材料Spiro-OMeTad,因?yàn)槠浜铣删€路復(fù)雜、價(jià)格昂貴產(chǎn)能不足的問題,尋求新的替代材料,包括有機(jī)HTM材料FTAA、P3HT、PEDOT:PASS,無(wú)機(jī)HTM材料CuI、CuSCN、NiO等。目前常用的ETM材料為TiO2,為了提高電子的傳輸效率,采用釔摻雜技術(shù);為了獲得柔性襯底的傳導(dǎo)穩(wěn)定性,使用ZnO代替TiO2;對(duì)于金屬Al電極,需要采用富勒烯衍生物材料(C60,C70,PCBM)替代。研究表明,CH3NH3PbI3和CH3NH3PbI3-xClx同時(shí)具有電子和空穴傳輸能力,CH3NH3PbI3

中電子和空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度分別為130和100nm,而CH3NH3PbI3-xClx中電子和空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度分別達(dá)到1069和1213nm,更加有利于電荷的有效傳輸。孟慶波團(tuán)隊(duì)首次采用原子層沉積(ALD)技術(shù)在鈣鈦礦材料CH3NH3PbI3

與金電極之間引入了Al2O3

超薄層,形成了金屬–絕緣–半導(dǎo)體(M-I-S)結(jié)構(gòu),有效抑制了鈣鈦礦半導(dǎo)體與金屬電極之間的肖特基接觸,改善了電池的性能,制備的無(wú)空穴傳輸層電池器件的最高光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到10.49%,很好地解釋了無(wú)空穴傳輸材料鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)的工作原理。18材料的成膜技術(shù)及制備空穴傳輸層的優(yōu)化處理針對(duì)目前HTM常用的材料的成膜技術(shù)及制備[1]Theemergenceofperovskitesolarcells,NaturePhotonics,2014,8,506–514.[2]Long-RangeBalancedElectron-andHole-TransportLengthsinOrganic-InorganicCH3NH3PbI3,Science,2013,342,344-347.[3]鄧林龍,謝素原,黃榮彬,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展[J].廈門大學(xué)

學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2015,54(05).[4]張瑋皓,彭曉晨,馮曉東.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展[J].電子元件與材料,2014,08:7-11.[5]趙雨,李惠,關(guān)雷雷,等.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池技術(shù)發(fā)展歷史與現(xiàn)狀[J].材料導(dǎo)報(bào),2015,

第11期(11):17-21.[6]SHIJIANG-JIAN,DONGWAN,XUYU-ZHUAN,etal.EnhancedPerformanceinperovskiteorganicleadiodideheterojunctionsolarcellswithmetal-insulator-semi

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