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文檔簡介

第二章

門電路※

TTLIC結(jié)構(gòu)、原理和電氣特性

CMOSIC原理和電氣特性2.1分立元件門電路一、二極管門電路

二、三極管反相器

三、DTL門電路一、二極管門電路二極管與門二極管或門Vo=A·

BVo=A+B二、三極管反相器

1.電路形式

2.

靜態(tài)工作情況3.

箝位電路作用4.

帶負(fù)載能力分析電路形式:

T起開關(guān)作用:T截止;

T飽和和

作用:抑制正向干擾靜態(tài)工作情況:時,T基極,T可靠截止,時,求證,T飽和,輸出箝位電路作用:和

作用時刻:作用:a.

為一個恒定值(一定負(fù)載范圍內(nèi))

b.帶載能力

c.開關(guān)速度

帶負(fù)載能力分析:

時,外拉電流時,灌入電流

三、DTL門電路

電路靜態(tài)工作分析:不同輸入電平下,值確定比較大小DTL門電路的改進(jìn)電路

圖(a)電路:電平移動,被箝位被反向偏置

圖(a)DTL門電路的改進(jìn)電路圖(b)電路:處于放大狀態(tài),屬具有放大環(huán)節(jié)的DTL門。管輸入,輸出,使管圖(b)DTL門電路的改進(jìn)電路圖(c)電路:

,分相級,有源負(fù)載

圖(C)輸出級為推拉結(jié)構(gòu)※靜態(tài)功耗下降;※輸出阻抗對稱性;※動態(tài)響應(yīng)加快;

2.2TTL標(biāo)準(zhǔn)系列門電路

一、原理電路

※電路結(jié)構(gòu):輸入級-邏輯與中間級-分相輸出級-驅(qū)動※靜態(tài)工作情況:,深飽和,,截止和正偏置,倒置放大,,飽和和截止

※電位電流關(guān)系:

二、電氣特性討論1.電壓傳輸特性

ab段:截止區(qū),,截止bc段:線形區(qū),通,截止cd段:轉(zhuǎn)折區(qū),,通de段:飽和區(qū),,深飽和

門閾值電壓-轉(zhuǎn)折區(qū)中間電壓2.輸入特性3.輸入負(fù)載特性4.輸出特性4.輸出特性5.平均傳輸時間三、應(yīng)用注意四、例題分析

例1.例2.例3.2.3TTL其他系列IC(CT2000—4000)CT1000—4000系列重要參數(shù)電路參數(shù)CT1000200030004000閾值電壓(V)1.41.41.11.010639.5平均功耗(mW)1022192功率延遲積10013257192.4其他類型的TTLIC應(yīng)用三、其他邏輯功能門電路2、2-2輸入與或非門74S513.異或門74S86一.高閾值邏輯電路(HTLIC)

1.HTLIC特點(diǎn)

電源電壓+15V

閾值電壓高達(dá)7V

輸出邏輯擺幅大約達(dá)13V

靜態(tài)功耗大約為30~55mW/每門

平均傳輸時間長,約為160~200ns

2.5其他類型的BJT門電路2.典型電路3典型參數(shù)閾值電壓無源結(jié)構(gòu)有源結(jié)構(gòu)二、發(fā)射極耦合電路ECLIC特點(diǎn)速度快:為0.75~2.0ns扇出系數(shù)大,25輸出可實(shí)現(xiàn)線或邏輯擺幅小,約為0.8v靜態(tài)功耗大,每門約為25~40mW電源電壓:2典型電路邏輯表達(dá)式:邏輯符號:3、線或結(jié)構(gòu)應(yīng)用三、集成注入邏輯電路(IILIC)IILIC特點(diǎn)集成度高,功耗低,單元工作電流僅為1nA多集電極輸出結(jié)構(gòu),可以“線與”輸出擺幅低,約為0.6v速度慢,約為20~30ns扇出小,32.典型電路管共基接法:為本級恒流源,向管提供電流;又作為前級的集電極負(fù)載。管為多集電極管:實(shí)現(xiàn)入、出信號的反相;輸出可線與。3.典型應(yīng)用HTL、ECL、IILIC比較HTLECLIIL邏輯擺幅~13V0.8V(-0.9V~-1.75V)0.6V(0.7V~0.1V)8~10253160~2000.7~2.0線或20~30線與2.6CMOS集成門電路

CMOS-ComplementarySymmetryMetal

OxideSemiconductor

輸入高阻抗,高達(dá)以上功耗低,靜態(tài)功耗電源電壓范圍寬在3~18V邏輯擺幅大,達(dá)扇出大,No>50抗干擾,抗輻射能力強(qiáng)速度慢一、CMOSIC主要特點(diǎn)二、MOS管特性1.NMOS絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)

B襯底D漏極,S源極,G柵極電源偏置:2.NMOS增強(qiáng)型管轉(zhuǎn)移特性3.NMOS增強(qiáng)型管符號NMOS管PMOS管4.其他MOS管轉(zhuǎn)移特性NMOS耗盡型管PMOS增強(qiáng)型PMOS耗盡型管三、CMOS反相器1、原理電路2.電氣特性電壓傳輸特性輸入特性電壓傳輸特性輸出特性輸出特性510150.511.33.40.511.33.45101511060503.具有入端保護(hù)電路的CMOS反相器四CMOS門電路1、或非門(CC4001)和與非門(4011)電路其核心電路2、CMOS開漏極電路(OD)原理電路

去掉上部Tp管,使漏極D開路使用條件:外接上拉電阻和電源主要應(yīng)用:輸出線與實(shí)現(xiàn)邏輯電平移位

3.CMOS傳輸門

CMOSTG原理電路和邏輯符號*

管對稱,數(shù)據(jù)可雙向傳送。*傳送模擬量的范圍之間。模擬開關(guān)原理電路和邏輯符號TG+反相器→模擬開關(guān)Sw

4.CMOS三態(tài)門(TS)

控制上下溝道的導(dǎo)通和截止,實(shí)現(xiàn)三態(tài)輸出

1

Z001010

1

Z000011或非門和與非門實(shí)現(xiàn)的三態(tài)電路

0

Z100111用與非門控制電路用傳輸門TG控制的三態(tài)的電路

1

Z

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