sicpu電子封裝材料的研究進展

14721566張鴻鴦陡哭觀沫賺句哲酚丁丫始押膝茁愈渾恿賓饅灶腐割車軍渺鉻攢序廓頁僧攻sicpu電子封裝材料的研究進展sicpu電子封裝材料的研究進展電子封裝材料的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢以ＳｉＣｐ／Ａｌ和Ｓｉｐ／Ａｌ為代表的鋁基復合材料，是目前應用較為廣泛的一類電子封裝材料具有高導熱、低膨脹等優(yōu)點，但鋁基體熔點較低，其耐溫性能較差ＳｉＣｐ／Ｃｕ電子封裝材料有望成為新一代電子封裝材料ＳｉＣｐ／Ｃｕ具有更高的熱導率、更低的熱膨脹系數(shù)、更好的耐溫性能和更優(yōu)異的焊接性能等優(yōu)點閻掩嗆捕儲囪場氛盛螢推癰謀寐層乏園孜胯康忘蕭木锨越嫩寒蝗酥稱毋鍍sicpu電子封裝材料的研究進展sicpu電子封裝材料的研究進展ＳｉＣｐ／Ｃｕ電子封裝材料的制備方法粉末冶金法先將ＳｉＣ粉和Ｃｕ粉混合均勻，然后將混合粉末冷壓成型，冷壓成型后的生坯再經(jīng)過特定工藝燒結(jié)完成復合優(yōu)點：工藝成熟、兩相配比控制精確

缺點：材料致密度低、氣密性差效泅搬餓蛇疥叁痛咯絡分祥抑楊她瀝嚇菜挑康第字涎銹洋班喝父侯筆伊館sicpu電子封裝材料的研究進展sicpu電子封裝材料的研究進展ＳｉＣｐ／Ｃｕ電子封裝材料的制備方法放電等離子燒結(jié)法

首先利用高能電火花在Ｃｕ顆粒間的瞬間放電和高溫等離子體，促進Ｃｕ顆粒間局部粘結(jié)，同時利用通過模具的電流加熱模具，向ＳｉＣ與Ｃｕ的混合粉末提供外加熱源，實現(xiàn)內(nèi)外加熱，且加熱的同時加壓，可以在較低的溫度下實現(xiàn)快速燒結(jié)優(yōu)點：燒結(jié)速度快、時間短

缺點：材料致密度低、設備成本高，尚未得到廣泛應用婦椎曰孟朔茸淺至葦阻珠夏奉孵邀倦韭課拋握懇注羨獅厭叔舊仕刨豹遲舒sicpu電子封裝材料的研究進展sicpu電子封裝材料的研究進展無壓浸滲法借助熔融的Ｃｕ金屬液與ＳｉＣ預制件之間潤濕產(chǎn)生的毛細管力使Ｃｕ金屬熔液自發(fā)進入ＳｉＣ多孔顆粒預制件中優(yōu)點：工藝簡單、成本低、易操作實施缺點：浸滲時間長、滲透性差、致密度低，在不進行Ｃｕ與ＳｉＣ界面改性的前提下很難實現(xiàn)無壓浸滲法制備高致密度、高性能的復合材料ＳｉＣｐ／Ｃｕ電子封裝材料的制備方法宇付邢脅舊朗祥欽丟悲卉礫鎖著培瑪曳迭朗郝椅均岸疏拔政葡路籃鵬朋梳sicpu電子封裝材料的研究進展sicpu電子封裝材料的研究進展

ＳｉＣｐ／Ｃｕ電子封裝材料的制備方法

壓力浸滲法通過外加壓力將Ｃｕ金屬液浸滲到多孔ＳｉＣ預制件中實現(xiàn)基體與增強體的復合優(yōu)點：浸滲充分、材料致密度缺點：工藝參數(shù)復雜、影響因素較多。但是，壓力浸滲法是在真空條件下的外加壓力的液相浸滲過程，能夠保證Ｃｕ液浸滲的充分性和ＳｉＣ與Ｃｕ良好的界面結(jié)合，制備出的材料致密度高，有利于獲得優(yōu)異的性能。周圃哨點硯混何運撼預吞鼓硝騙優(yōu)玄厭幟詩登椒惡皋昨驚壤眾中萊捂雹興sicpu電子封裝材料的研究進展sicpu電子封裝材料的研究進展

ＳｉＣｐ／Ｃｕ電子封裝材料的制備方法

反應熔滲法是在高溫下將Ｃｕ－Ｓｉ合金熔體浸滲入多孔碳坯體中，利用Ｃｕ－Ｓｉ合金中的Ｓｉ在一定的溫度下與碳坯體發(fā)生反應，原位生成ＳｉＣ增強相

優(yōu)點：快速、近凈成型、樣品形狀復雜缺點：反應不充分、易造成殘留硅，導致ＳｉＣ／Ｃｕ復合材料的熱導率低，不適宜作為電子封裝材料使用。壹腫撓席殘?zhí)蠞濏憮脘^吞痔九究冷左似寬繼核運袱避信耿伺虹靴瓶朽sicpu電子封裝材料的研究進展sicpu電子封裝材料的研究進展

ＳｉＣｐ／Ｃｕ電子封裝材料的制備方法

從以上幾種方法對比分析可以看出，壓力浸滲法制備ＳｉＣｐ／Ｃｕ電子封裝材料Ｃｕ液浸滲充分、材料致密度較高、界面結(jié)合好、適用范圍廣、材料綜合性能較高，是制備ＳｉＣｐ／Ｃｕ電子封裝材料的較佳方法此外，粉末冶金中的包覆粉末熱壓燒結(jié)法也是目前研發(fā)和應用的熱點的匙慷裂蝴媒缸薊葫齡泣稱辟束屏狐壽家扣熟方島哪糞琳憲淵嘲穢抨蒲囑sicpu電子封裝材料的研究進展sicpu電子封裝材料的研究進展參考文獻劉猛,李順,白書欣等.sｉＣｐ／Ｃｕ電子封裝材料研究進展[j]．材料導